[go: up one dir, main page]

KR100232714B1 - Connector for semiconductor device tester and manufacturing method thereof - Google Patents

Connector for semiconductor device tester and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR100232714B1
KR100232714B1 KR1019970005812A KR19970005812A KR100232714B1 KR 100232714 B1 KR100232714 B1 KR 100232714B1 KR 1019970005812 A KR1019970005812 A KR 1019970005812A KR 19970005812 A KR19970005812 A KR 19970005812A KR 100232714 B1 KR100232714 B1 KR 100232714B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
connector
pad
coating layer
diamond particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1019970005812A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR19980068993A (en
Inventor
김두철
Original Assignee
정문술
미래산업주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 정문술, 미래산업주식회사 filed Critical 정문술
Priority to KR1019970005812A priority Critical patent/KR100232714B1/en
Publication of KR19980068993A publication Critical patent/KR19980068993A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100232714B1 publication Critical patent/KR100232714B1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/04Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0433Sockets for IC's or transistors
    • G01R1/0441Details
    • G01R1/0466Details concerning contact pieces or mechanical details, e.g. hinges or cams; Shielding
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601Apparatus or methods therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 제조공정에서 생산완료된 반도체(이하 "소자"라 함)의 리드와 전기적으로 접속되어 소자의 성능을 검사하는 핸들러의 테스트부에 설치되는 컨넥터(connector) 및 그 제조방법에 관한 것으로 고용량 소자의 테스트에 적합하도록 한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a connector installed in a test section of a handler electrically connected to a lead of a semiconductor (hereinafter referred to as an “element”) produced in a manufacturing process and inspecting the performance of a device, and a method of manufacturing the same. It is intended to be suitable for testing.

이를 위해, 테스트하고자 하는 소자의 갯수에 따라 일측면에 패턴(9)이 형성되어 상기 패턴이 테스터부에 전기적으로 연결되게 설치되는 소켓보드(8)와, 상기 패턴의 선단부에 소자의 리드 피치와 동일하게 형성된 패드(10)와, 상기 각 패드의 상면에 접착된 다이아몬드 입자(11)와, 상기 다이아몬드 입자의 상면에 코팅된 니켈 코팅층(12)과, 상기 니켈 코팅층의 상면으로 코팅된 금 코팅층(13)으로 구성되도록 컨넥터를 제조하여서 된 것이다.To this end, a pattern 9 is formed on one side according to the number of devices to be tested, and the socket board 8 is installed so that the pattern is electrically connected to the tester unit, and the lead pitch of the device is formed at the front end of the pattern. Similarly formed pad 10, diamond particles 11 adhered to the upper surface of each pad, a nickel coating layer 12 coated on the upper surface of the diamond particles, and a gold coating layer coated on the upper surface of the nickel coating layer ( It is made by manufacturing the connector to be composed of 13).

Description

반도체 소자 테스터용 컨넥터 및 그 제조방법Connector for semiconductor device tester and manufacturing method thereof

본 발명은 제조공정에서 생산완료된 반도체(이하 "소자"라 함)의 리드와 전기적으로 접속되어 소자의 성능을 검사하는 핸들러의 테스트부에 설치되는 컨넥터(connector) 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 좀더 구체적으로는 그 구조 및 제조방법을 개선하여 고용량 소자의 테스트에 적합하도록 한 것이다.The present invention relates to a connector (connector) installed in the test section of the handler electrically connected to the lead of the semiconductor (hereinafter referred to as "element") produced in the manufacturing process to check the performance of the device, and a method of manufacturing the same More specifically, the structure and manufacturing method have been improved to be suitable for testing a high capacity device.

일반적으로 생산공정에서 생산완료된 1개 또는 여러개의 소자를 핸들러의 테스터부로 이송시켜 소자의 리드를 테스터부와 연결된 컨넥터와 전기적으로 접속시키므로써 소자의 특성이 테스터부에서 판별되는데, 테스트 결과에 따라 소자는 양품과 불량품으로 선별되어 양품의 소자는 출하되고, 불량품은 폐기 처분된다.In general, the characteristics of the device are determined at the tester by transferring one or more devices produced in the production process to the tester part of the handler and electrically connecting the device leads with the connectors connected to the tester part. Is classified as good or bad, the good device is shipped, and the bad is discarded.

근래에는 산업의 발달로 인해 컴퓨터 등의 용량 증대 및 신속한 처리속도가 요구되어 소자의 용량 또한 MHz에서 GHz로 증가하는 추세이므로 소자의 특성 검사시 외부에서 작용되는 고주파에 대한 영향을 고려하여야 된다.In recent years, due to the development of the industry, the capacity of devices, such as computers, and the rapid processing speed are required, so the capacity of devices is also increasing from MHz to GHz.

도 1은 종래의 컨넥터에서 단자를 분해하여 나타낸 사시도이고 도 2는 제 1 도의 결합상태 종단면도로써, 합성수지재의 본체(1)내에 복수개의 단자(2)가 일체로 몰딩되어 있다.1 is an exploded perspective view illustrating a terminal in a conventional connector, and FIG. 2 is a longitudinal cross-sectional view of the coupled state of FIG. 1, in which a plurality of terminals 2 are integrally molded in the main body 1 of a synthetic resin material.

상기 단자(2)는 소자(3)의 리드(3a)에 접속되는 접속부(4)와, 상기 리드에 외력이 가해져 접속부가 눌림에 따라 압축된 다음 외력이 제거되면 접속부를 초기상태로 환원시키는 탄성부(5)와, 상기 단자를 테스터부(도시는 생략함)의 단자에 리드선으로 연결시키는 핀(6)이 일체로 형성되어 있다.The terminal 2 has a connecting portion 4 connected to the lead 3a of the element 3, and an elastic force that reduces the connecting portion to an initial state when the external force is applied by compressing the external portion by pressing the lead and then the external force is removed. A portion 5 and a pin 6 for connecting the terminal to a terminal of a tester portion (not shown) by a lead wire are integrally formed.

따라서 복수개의 단자(2)가 일체로 몰딩된 한쌍의 본체(1)를 핸들러의 테스터부에 도 2와 같이 나란히 설치한 상태에서 테스트하고자 하는 1개의 소자(3)가 이송수단에 의해 이송되어 오면 상기 소자의 리드(3a)가 단자(2)의 접속부(4)와 접속된다.Therefore, when a pair of main bodies 1 in which a plurality of terminals 2 are integrally molded is installed side by side in the tester part of the handler as shown in FIG. The lead 3a of the element is connected to the connecting portion 4 of the terminal 2.

이러한 상태에서 부도체인 사파이어와 같은 누름핀(7)이 리드(3a)를 화살표방향으로 눌러주면 탄성부(5)가 도 2의 일점쇄선과 같이 압축력을 받으며 하강하게 되므로 소자(3)의 리드(3a)와 접속부(4)가 긴밀히 접속되고, 이에 따라 테스터부에서 생산완료된 소자의 성능을 판단하여 중앙처리장치(CPU)에 그 결과를 알리게 된다.In this state, when the push pin 7 such as sapphire, which is an insulator, presses the lead 3a in the direction of the arrow, the elastic part 5 is lowered under the compressive force as shown by the dashed line in FIG. 3a) and the connection part 4 are closely connected, and accordingly, the performance of the device produced in the tester part is judged and the result is informed to the CPU.

그후, 테스트완료된 소자(3)가 이송수단에 의해 이송트랙상으로 복귀되면 탄성부(5)에 가해지던 외력이 제거되므로 접속부(4)는 초기상태로 환원된다.Then, when the tested element 3 is returned to the conveying track by the conveying means, the external force applied to the elastic portion 5 is removed, so that the connecting portion 4 is reduced to the initial state.

이와 같이 테스트가 완료되면 판정결과에 따라 분류부에서 테스트완료된 소자를 양품과 불량품으로 분류하게 된다.When the test is completed as described above, according to the determination result, the classification unit classifies the tested device as good or bad.

그러나 접속부(4)와 탄성부(5), 그리고 테스터부의 단자와 리드선으로 연결되는 핀(6)으로 구성된 단자(2)를 사용하는 종래의 컨넥터는 상기 단자의 전체 길이가 길어 테스트시 저항치가 증가되고, 노이즈의 영향을 많이 받게 되어 시그날 및 측정에 따른 시간이 각기 다를 염려가 있게 되므로 GHz용량 소자의 고주파 테스트시 소자의 성능을 오판정하는 경우가 빈번히 발생되었음은 물론 심한 경우에는 테스트 자체가 불가능해지게 되는 문제점이 있었다.However, the conventional connector using the terminal 4 composed of the connecting portion 4, the elastic portion 5, and the pin 6 connected to the terminal and the lead wire of the tester portion has a long overall length of the terminal, thereby increasing the resistance value during the test. In addition, due to a lot of noise, there is a possibility that the time according to the signal and the measurement may be different. Therefore, in the high frequency test of the GHz capacitive device, the misjudgment of the device's performance frequently occurs, and in severe cases, the test itself is impossible. There was a problem.

상기한 문제점을 감안하여 단자(2)의 길이를 짧게 형성할 경우에는 단자(2)의 탄성력이 더욱 저하되어 수명이 짧아지게 되므로 실현 불가능하였다.In view of the above problems, when the length of the terminal 2 is short, the elastic force of the terminal 2 is further lowered and the life is shortened.

본 발명은 종래의 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로써, 소자의 리드와 테스터부간의 전기적인 연결 역할을 하는 단자의 길이를 최소화하여 고용량의 소자를 테스트시에도 외부의 고주파영향을 받지 않도록 함과 동시에 단자부위의 내구성을 향상시킬 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve such a problem in the prior art, by minimizing the length of the terminal that serves as an electrical connection between the lead and the tester of the device so as not to be affected by the external high frequency when testing a high capacity device. In addition, the purpose is to improve the durability of the terminal portion.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 형태에 따르면, 테스트하고자 하는 소자의 갯수에 따라 일측면에 패턴이 형성되어 상기 패턴이 테스터부에 전기적으로 연결되게 설치되는 기판과, 상기 패턴의 선단부에 소자의 리드 피치와 동일하게 형성된 패드와, 상기 각 패드의 상면에 접착된 다이아몬드 입자와, 상기 다이아몬드 입자의 상면에 코팅된 니켈 코팅층과, 상기 니켈 코팅층의 상면으로 코팅된 금 코팅층으로 구성된 반도체 소자 테스터용 컨넥터가 제공된다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, a pattern is formed on one side according to the number of devices to be tested and the pattern is installed to be electrically connected to the tester, and the end of the pattern A connector for a semiconductor device tester comprising a pad formed in the same manner as a lead pitch, diamond particles adhered to an upper surface of each pad, a nickel coating layer coated on an upper surface of the diamond particles, and a gold coating layer coated on an upper surface of the nickel coating layer. Is provided.

본 발명의 다른 형태에 따르면, 소켓보드의 일측면에 테스트하고자 하는 소자의 리드 피치와 갯수에 따라 패턴과 패드를 동시에 형성하는 단계와, 상기 패턴의 선단부에 형성되어 소자의 리드가 접속되는 패드의 상면에 다이아몬드 입자를 접착하는 단계와, 상기 다이아몬드 입자의 상면에 니켈 코팅층을 형성하는 단계와, 상기 니켈 코팅층의 상면으로 금 코팅층을 형성하는 단계가 차례로 이루어져 컨넥터를 형성함을 특징으로 하는 반도체 소자 테스터용 컨넥터의 제조방법이 제공된다.According to another aspect of the invention, the step of forming a pattern and a pad at the same time according to the lead pitch and the number of devices to be tested on one side of the socket board, the pad formed on the front end of the pattern is connected to the lead of the device Bonding a diamond particle to an upper surface, forming a nickel coating layer on an upper surface of the diamond particle, and forming a gold coating layer on an upper surface of the nickel coating layer, thereby forming a connector. Provided is a method of manufacturing a connector for use.

도 1은 종래의 컨넥터에서 단자를 분해하여 나타낸 사시도1 is an exploded perspective view of a terminal in a conventional connector

도 2는 제 1 도의 결합상태 종단면도Figure 2 is a longitudinal cross-sectional view of the engagement state of FIG.

도 3은 본 발명의 일 실시예를 나타낸 종단면도Figure 3 is a longitudinal cross-sectional view showing an embodiment of the present invention

도 4는 도 3의 일부를 나타낸 평면도4 is a plan view of a portion of FIG. 3;

도 5는 도 3의 "A"부 확대도5 is an enlarged view of a portion “A” of FIG. 3;

도 6은 본 발명의 제조방법을 나타낸 공정도6 is a process chart showing a manufacturing method of the present invention

도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings

8 : 소켓보드9 : 패턴8: Socket Board 9: Pattern

10 : 패드11 : 다이아몬드 입자10 pad 11: diamond grain

12 : 니켈 코팅층13 : 금 코팅층12 nickel coating layer 13 gold coating layer

14 : 그라운드 패턴14: ground pattern

이하, 본 발명을 일 실시예로 도시한 첨부된 도 3 내지 도 6을 참고로 하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying Figures 3 to 6 showing an embodiment of the present invention in more detail as follows.

도 3은 본 발명의 일 실시예를 나타낸 종단면도이고 도 4는 도 3의 일부분을 나타낸 평면도이며 도 5는 도 3의 "A"부 확대도로써, 본 발명은 소켓보드(8)의 일측면에 테스트하고자 하는 소자(3)의 갯수에 따라 패턴(9)이 형성되어 상기 패턴이 테스터부(도시는 생략함)에 전기적으로 연결되게 소켓보드를 설치하도록 되어 있고 상기 패턴(9)의 선단부에는 소자(3)의 리드(3a) 피치와 동일하게 패드(10)가 형성되어 있으며 상기 각 패드의 상면에는 μm단위의 다이아몬드 입자(11)가 접착 고정되어 있다.Figure 3 is a longitudinal cross-sectional view showing an embodiment of the present invention, Figure 4 is a plan view showing a portion of Figure 3 and Figure 5 is an enlarged view "A" of Figure 3, the present invention is one side of the socket board (8) The pattern 9 is formed according to the number of devices 3 to be tested, so that the socket board is installed so that the pattern is electrically connected to the tester unit (not shown). The pad 10 is formed in the same pitch as the lead 3a of the element 3, and the diamond particles 11 in μm units are adhesively fixed to the upper surface of each pad.

그리고 상기 다이아몬드 입자(11)의 상면에 내구성을 향상시킴과 동시에 도전성역할을 하는 니켈 코팅층(12)이 형성되어 있고 상기 니켈 코팅층의 상면에는 도전성역할을 하는 금 코팅층(13)이 형성되어 있다.A nickel coating layer 12 is formed on the top surface of the diamond particle 11 to improve durability and a conductive role, and a gold coating layer 13 is formed on the top surface of the nickel coating layer.

상기 패드(10)의 상면에 접착 고정되는 다이아몬드 입자(11)는 산모양으로 뽀쪽하게 되어 있는데, 이는 테스트시 소자(3)의 리드(3a)가 점접촉하도록 하기 위함이다.The diamond particles 11 adhesively fixed to the upper surface of the pad 10 are raised in a mountain shape, so that the lead 3a of the device 3 is in point contact during the test.

그리고 소켓보드(8)에 형성된 패턴(9)과 패드(10)주위에는 이들을 감싸도록 그라운드 패턴(14)이 형성되어 있고 상기 그라운드 패턴은 그라운드 접점(도시는 생략함)과 연결되어 있다.A ground pattern 14 is formed around the pattern 9 and the pad 10 formed on the socket board 8 to surround them, and the ground pattern is connected to a ground contact (not shown).

이는, 고용량의 소자(3)를 테스트시 외부의 고주파영향을 미연에 차단하기 위함이다.This is to block external high frequency effects in the test of the high capacity device 3.

이와 같이 구성된 본 발명의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.Referring to the manufacturing method of the present invention configured as described above are as follows.

도 6에 나타낸 바와 같이 판상의 소켓보드(8)의 일측면에 테스트하고자 하는 소자(3)의 리드(3a) 피치와 갯수에 따라 패턴(9)과 패드(10)를 형성한다.(S1)As it is shown in Figure 6 to form a lead (3a) pattern 9 and pad 10 in accordance with the pitch and the number of elements (3) to be tested on one side of the plate-shaped socket board (8). (S 1 )

상기한 바와 같이 소켓보드(8)상에 패턴(9)과 패드(10)를 형성할 때 이들을 감싸도록 그라운드 패턴(14)을 그라운드 접점과 연결되게 동시에 형성한다.As described above, when the pattern 9 and the pad 10 are formed on the socket board 8, the ground pattern 14 is simultaneously formed to be connected to the ground contact so as to surround them.

그후, 소켓보드(8)에 형성된 패턴(9)의 선단부에 형성되어 소자의 리드가 접속되는 패드(10)의 상면에 μm단위의 다이아몬드 입자(11)를 접착하는데, 이때 상기 다이아몬드 입자는 도 5에 도시한 바와 같이 상측이 뽀쪽한 산모양이 되게 접착한다.(S2)Thereafter, the diamond particles 11 are formed on the tip of the pattern 9 formed on the socket board 8 and adhered to the upper surface of the pad 10 to which the lead of the device is connected. As shown in the above, the upper side is glued to form a mountain. (S 2 )

이와 같이 패드(10)의 상면에 다이아몬드 입자(11)를 접착하고 나면 상기 다이아몬드를 포함하는 패드(10)의 상면에 내구성향상 및 도전성역할을 하는 니켈 도금층(12)과 금 도금층(13)을 차례로 형성하여 컨넥터를 완성한다.(S3∼ S4)After the diamond particles 11 are adhered to the upper surface of the pad 10 in this manner, the nickel plating layer 12 and the gold plating layer 13 which improve durability and play a conductive role on the upper surface of the pad 10 including the diamond are sequentially To complete the connector. (S 3 ~ S 4 )

이와 같이 얻어진 컨넥터는 핸들러의 테스터부에 도 3과 같이 설치되어 사용되는데, 테스트하고자 하는 1개의 소자(3)가 이송수단에 의해 이송되어 오거나, 여러개의 소자(3)가 테스트 트레이에 홀딩된 상태에서 이송수단에 의해 이송되어 컨넥터측으로 이동되면 상기 소자(3)의 리드(3a)가 패드(10)의 상면에 접착된 다이아몬드 입자(11)와 접속된다.The connector thus obtained is installed and used as shown in FIG. 3 in the tester part of the handler, in which one element 3 to be tested is transferred by a transfer means, or several elements 3 are held in a test tray. When transferred by the conveying means at the connector side, the lead 3a of the element 3 is connected to the diamond particles 11 adhered to the upper surface of the pad 10.

상기한 바와 같이 소자(3)가 컨넥터측으로 이동되어 리드(3a)가 다이아몬드 입자(11)와 접속되면 테스터부에서 소자의 성능을 판단하여 중앙처리장치(CPU)에 소자의 전기적인 특성을 알리게 된다.As described above, when the device 3 is moved to the connector side and the lead 3a is connected to the diamond particles 11, the tester unit determines the device performance to inform the CPU of the device's electrical characteristics. .

이때, 상기 다이아몬드 입자(11)의 상면에는 내구성 향상 및 도전성역할을 하는 니켈 도금층(12)과 금 도금층(13)이 차례로 코팅되어 있으므로 테스터부와 전기적으로 더욱 확실하게 통하여지게 됨과 동시에 반복 사용할 때에도 리드의 접촉부가 마모되는 현상을 미연에 방지하게 된다.At this time, the nickel plated layer 12 and the gold plated layer 13 are sequentially coated on the top surface of the diamond particles 11 to improve durability and conduct conductivity, and thus lead through the tester unit more reliably and at the same time, even when repeatedly used. The contact of the wear is prevented in advance.

또한, 다이아몬드 입자(11)가 산모양과 같이 뽀족하게 접착되어 있어 소자(3)의 리드(3a)와 점접촉을 하게 되므로 소자(3)의 반복 테스트시에도 마모량이 적어지게 됨은 물론 이물질에 의해 쉽게 오염되지 않게 된다.In addition, since the diamond particles 11 are sharply bonded like a mountain shape, the diamond particles 11 are in point contact with the leads 3a of the device 3, so that the amount of wear is reduced even during repeated tests of the device 3, and of course, by foreign matters. It is not easily contaminated.

한편, 소자(3)의 리드(3a)가 다이아몬드 입자(11)와 접속되어 소자(3)의 전기적인 특성을 테스트시 패턴(9)과 패드(10)의 둘레면에 그라운드 접점과 연결된 그라운드 패턴(14)이 형성되어 있어 외부에서 작용되는 신호가 그라운드 패턴을 통해 그라운드되므로 외부의 고주파 또는 자계에 의한 영향을 최소화하게 된다.On the other hand, the lead 3a of the element 3 is connected to the diamond particles 11, the ground pattern connected to the ground contact on the circumferential surface of the pattern 9 and the pad 10 when testing the electrical characteristics of the element 3 14 is formed so that an external signal is grounded through the ground pattern, thereby minimizing the influence of external high frequency or magnetic field.

상기한 바와 같은 동작으로 소자(3)의 테스트가 완료되면 판정결과에 따라 분류부에서 테스트 완료된 소자를 양품과 불량품으로 분류하게 되는 것이다.When the test of the device 3 is completed by the operation as described above, according to the determination result, the tester classifies the tested device as good or bad.

이상에서와 같이 본 발명은 패드(10)의 상면에 단자역할을 하는 다이아몬드 입자(11)가 직접 접착되어 있어 전기적인 경로를 최소화하게 되므로 테스트시 발생되는 저항치를 최소화하게 되고, 이에 따라 외부의 자계에 의한 노이즈발생을 줄이게 됨은 물론 컨넥터의 내구성 향상 및 설치면적을 최소화하게 되는 효과를 얻게 된다.As described above, in the present invention, since the diamond particles 11 serving as terminals on the upper surface of the pad 10 are directly bonded to each other, the electrical path is minimized, thereby minimizing the resistance generated during the test. In addition to reducing the noise generated by the connector, it is possible to improve the durability of the connector and minimize the installation area.

Claims (6)

테스트하고자 하는 소자의 갯수에 따라 일측면에 패턴(9)이 형성되어 상기 패턴이 테스터부에 전기적으로 연결되게 설치되는 소켓보드(8)와, 상기 패턴의 선단부에 소자의 리드 피치와 동일하게 형성된 패드(10)와, 상기 각 패드의 상면에 접착된 다이아몬드 입자(11)와, 상기 다이아몬드 입자의 상면에 코팅된 니켈 코팅층(12)과, 상기 니켈 코팅층의 상면으로 코팅된 금 코팅층(13)으로 구성된 반도체 소자 테스터용 컨넥터.A pattern 9 is formed on one side according to the number of devices to be tested, and the socket board 8 is installed to be electrically connected to the tester, and the lead pitch of the device is formed to be equal to the lead pitch of the device. A pad 10, diamond particles 11 adhered to an upper surface of each pad, a nickel coating layer 12 coated on an upper surface of the diamond particles, and a gold coating layer 13 coated on an upper surface of the nickel coating layer. Connector for configured semiconductor device tester. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 다이아몬드 입자(11)가 산모양으로 뽀쪽함을 특징으로 하는 반도체 소자 테스터용 컨넥터.A connector for semiconductor device testers, characterized in that the diamond particles (11) are raised in a mountain shape. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 소켓보드(8)에 형성된 패턴(9)과 패드(10)주위를 감싸도록 그라운드 패턴(14)이 형성되어 상기 그라운드 패턴이 그라운드 접점과 연결됨을 특징으로 하는 반도체 소자 테스터용 컨넥터.And a ground pattern (14) formed around the pattern (9) and the pad (10) formed on the socket board (8) to connect the ground pattern to the ground contact. 소켓보드(8)의 일측면에 테스트하고자 하는 소자의 리드 피치와 갯수에 따라 패턴(9)과 패드(10)를 형성하는 단계와, 상기 패턴의 선단부에 형성된 패드(10)의 상면에 소자(3)의 리드(3a)가 접속되는 다이아몬드 입자(11)를 접착하는 단계와, 상기 다이아몬드 입자의 상면에 니켈 코팅층(12)을 형성하는 단계와, 상기 니켈 코팅층의 상면으로 금 코팅층(13)을 형성하는 단계가 차례로 이루어져 컨넥터를 형성함을 특징으로 하는 반도체 소자 테스터용 컨넥터의 제조방법.Forming a pattern 9 and a pad 10 on one side of the socket board 8 according to the lead pitch and the number of the devices to be tested, and forming an element on the top surface of the pad 10 formed at the tip of the pattern. Bonding the diamond particles 11 to which the leads 3a of 3) are connected, forming a nickel coating layer 12 on the top surface of the diamond particles, and forming a gold coating layer 13 on the top surface of the nickel coating layer. A method of manufacturing a connector for a semiconductor device tester, characterized in that the forming step is made in sequence to form a connector. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 다이아몬드 입자(11)를 산모양으로 배치함을 특징으로 하는 반도체 소자 테스터용 컨넥터의 제조방법.A method for manufacturing a connector for a semiconductor device tester, characterized in that the diamond particles (11) are arranged in an acid shape. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 소켓보드(8)에 패턴(9)과 패드(10)를 형성시 이들의 외주면을 동시에 감싸도록 그라운드 패턴(14)을 형성함을 특징으로 하는 반도체 소자 테스터용 컨넥터의 제조방법.When the pattern (9) and the pad (10) is formed on the socket board (8), the manufacturing method of the connector for a semiconductor device tester, characterized in that the ground pattern (14) is formed so as to surround the outer peripheral surface thereof at the same time.
KR1019970005812A 1997-02-25 1997-02-25 Connector for semiconductor device tester and manufacturing method thereof Expired - Fee Related KR100232714B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970005812A KR100232714B1 (en) 1997-02-25 1997-02-25 Connector for semiconductor device tester and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970005812A KR100232714B1 (en) 1997-02-25 1997-02-25 Connector for semiconductor device tester and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980068993A KR19980068993A (en) 1998-10-26
KR100232714B1 true KR100232714B1 (en) 1999-12-01

Family

ID=19497932

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970005812A Expired - Fee Related KR100232714B1 (en) 1997-02-25 1997-02-25 Connector for semiconductor device tester and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100232714B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100577553B1 (en) * 1999-05-18 2006-05-08 삼성전자주식회사 Connection unit, signal skew and jitter measurement method applied to reliability test of semiconductor device test equipment

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980068993A (en) 1998-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101882209B1 (en) Coaxial Test Socket Assembly
US7626408B1 (en) Electrical spring probe
JP3511031B2 (en) Contact machine device
US7173442B2 (en) Integrated printed circuit board and test contactor for high speed semiconductor testing
JP7198127B2 (en) Interposers, sockets, socket assemblies and wiring board assemblies
KR101353481B1 (en) Test socket with high density conduction section
KR100640626B1 (en) Pogo pins and test sockets containing them
KR102473943B1 (en) Pin for test socket and test socket having the same
US6674297B1 (en) Micro compliant interconnect apparatus for integrated circuit devices
CN112881895A (en) Conductive assembly and testing device
KR100353788B1 (en) Probe card
KR100232714B1 (en) Connector for semiconductor device tester and manufacturing method thereof
US7474113B2 (en) Flexible head probe for sort interface units
KR100347863B1 (en) Probe card
JP2002107408A (en) High-frequency socket for bga
JP2976321B2 (en) Probe device
JPH0541417A (en) Probe card
KR100259879B1 (en) Connector for testing semiconductor and method for manufacturing the same
KR100232715B1 (en) Connector for Semiconductor Device Tester
KR19980058738U (en) Connector for Semiconductor Device Tester
KR200328984Y1 (en) Test socket for high frequency
KR200383947Y1 (en) connector for chip test
KR102061669B1 (en) By-directional electrically conductive module
KR100246548B1 (en) Connector for Semiconductor Device Tester
GB2239744A (en) Testing L.C.D. displays; flexible test circuit contacts

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070904

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20080908

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20080908

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301