KR100230356B1 - Cavity Electron Microtron Resonance Chemical Vapor Deposition Equipment and Thin Film Formation Method Using The Same - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 31
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODUCDPQEXGNKDN-UHFFFAOYSA-N Nitrogen oxide(NO) Natural products O=N ODUCDPQEXGNKDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
양질의 박막을 형성할 수 있는 화학기상증착 장치에 대해 기재하고 있다.A chemical vapor deposition apparatus capable of forming a thin film of good quality is described.
이는, 플라즈마 반응에 의해 웨이퍼 상에 소정의 물질막을 형성하기 위한 반응실과, 반응실에 플라즈마를 생성하기 위한 플라즈마실과, 플라즈마 실의 상부에, 전자 싸이크로트론 공명층이 상기 웨이퍼 상에 고밀도로 형성되도록 소정의 높이로 설치된 공동 공명실과, 플라즈마 및 공동 공명실의 외벽을 둘러싸는 형태로 배치되어, 플라즈마실에 입사된 반응가스 중의 전자가 회전운동을 하여 전자 싸이크로트론 공명층을 형성하도록 자계를 형성해주는 자계형성부, 및 공동 공명실을 경유하여 플라즈마실에 마이크로파를 도입하기 위한 마이크로파 도입부를 구비하여 이루어진다.The reaction chamber for forming a predetermined material film on the wafer by the plasma reaction, the plasma chamber for generating plasma in the reaction chamber, and the electron cyclotron resonance layer are formed on the wafer at a high density on the wafer. It is arranged to surround the outer wall of the cavity and the cavity and the resonance chamber installed at a predetermined height so that the magnetic field is formed so that the electrons in the reaction gas incident on the plasma chamber rotate to form an electron cyclotron resonance layer. And a microwave introduction unit for introducing microwaves into the plasma chamber via the cavity forming unit and the cavity resonance chamber.
Description
제1도는 종래 기술에 의한 전자 싸이크로트론 공명 화학기상증착(ECR CVD) 장비를 개략적으로 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a schematic view showing an electronic cyclotron resonance chemical vapor deposition (ECR CVD) apparatus according to the prior art.
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 공명 공명실을 구비하는 전자 싸이크로트론 공명 화학기상증착(ECR CVD) 장비를 개략적으로 나타낸 도면이다.FIG. 2 is a schematic view of an electronic cyclotron resonance chemical vapor deposition (ECR CVD) apparatus having a resonance resonance chamber according to an embodiment of the present invention.
본 발명은 전자 싸이크로트론 공명 화학기상증착(Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition; 이하 "ECR CVD"라 한다) 장비 및 이를 이용한 박막 형성방법에 관한 것으로서, 특히 웨이퍼 표면에 고밀도의 전자 싸이크로트론 공명층(ECR layer)이 형성되어 균일한 두께의 박막을 웨이퍼에 형성할 수 있는 공동 공명실을 구비하는 전자 싸이크로트론 공명 화학기상증착 장비 및 이를 이용한 박막 형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to an Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition (hereinafter referred to as "ECR CVD") equipment and a method for forming a thin film using the same, and particularly, a high density electron microtron resonance layer on a wafer surface. The present invention relates to an electron microtron resonance chemical vapor deposition apparatus and a method for forming a thin film using the same, wherein an ECR layer is formed to have a cavity in which a thin film having a uniform thickness can be formed on a wafer.
반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라, 박막의 두께·조성 균일성 및 박막 특성의 신뢰도에 대한 요구는 점점 엄격해지고 있다.As the degree of integration of semiconductor devices increases, the demands on the thickness and composition uniformity of thin films and the reliability of thin film characteristics become increasingly stringent.
상기 요구를 만족시킬 수 있는 유망한 방법 중에 고밀도 플라즈마를 이용한 화학기상증착 기술이 각광받고 있다. 그 이유는, 고밀도의 플라즈마를 이용할 경우, 10-3~10-5Torr 정도의 낮은 압력 범위에서 박막 형성이 가능하므로, i) 높은 이온 밀도와 에너지로 인해 양질의 박막이 증착될 뿐만 아니라, ii) 반응종(reactive species)의 평균 자유 행정(mean free path) 증가에 따라 양호한 스텝 커버리지(step coverage)를 갖는 박막의 형성이 가능하기 때문이다.Among the promising methods that can satisfy the above requirements, chemical vapor deposition techniques using high density plasma have been in the spotlight. The reason is that when a high density plasma is used, a thin film can be formed in a low pressure range of about 10 -3 to 10 -5 Torr, i) not only a high quality thin film is deposited due to high ion density and energy, but also ii This is because it is possible to form a thin film having good step coverage by increasing the mean free path of reactive species.
상기 고밀도의 플라즈마를 형성시키는데 있어서, 고주파 방전 대신에 자기장 내의 마이크로파 방전을 이용하는 ECR CVD 장비도 현재 개발되어 있다. 상기 마이크로파 방전방법은 전자 싸이크로트론 공명을 이용한 방법으로서, 상기 ECR CVD 장비에서는 통상 2.45GHz 주파수의 마이크로파가 사용되며, 자장강도는 875Gauss 정도가 사용된다.In forming the high-density plasma, ECR CVD equipment has also been developed which uses microwave discharge in a magnetic field instead of high frequency discharge. The microwave discharge method is a method using electron microtron resonance, the microwave of 2.45GHz frequency is generally used in the ECR CVD equipment, the magnetic field strength is about 875Gauss.
ECR이란, 정자계 내에서 싸이크로트론 회전운동을 하는 전자의 회전 진동수가 상기 전자에 인가되는 마이크로 파의 진동수와 일치할 때 발생하는 공명현상을 말한다. 이러한 공명현상이 발생하면 전자는 인가된 마이크로파로 부터 에너지를 흡수하는데, 전자가 단위시간 당 흡수하는 에너지(absorption power)는 다음과 같이 주어진다.The ECR refers to a resonance phenomenon that occurs when the rotational frequency of electrons that perform a cyclotron rotational motion in a static magnetic field coincides with the frequency of microwaves applied to the electrons. When this resonance occurs, the electron absorbs energy from the applied microwave, and the energy absorbed by the electron per unit time is given by
위 식으로부터, 압력이 낮을수록 ω=ωce의 공명조건에서 흡수하는 에너지가 크다는 것을 알수 있다.From the above equation, it can be seen that the lower the pressure, the larger the energy absorbed under the resonance condition of ω = ω ce .
상기 ECR CVD에 의한 박막 증착과정은 다음과 같다.The thin film deposition process by the ECR CVD is as follows.
전계 중에 존재하는 전자는 압력이 낮아질수록 평균 자유 행정이 증가되어 가속된다. 예컨대 아르곤, 질소 등의 이온화 포텐셜 에너지(ionization potential energy) 이상까지 가속된 에너지를 갖는 고에너지의 전자는 중성분자와 충돌하며, 상기 중성분자는 라디칼(radical), 이온 및 전자를 방출시킨다. 방출된 전자는 전지장에 의해 다시 가속되어 다른 중성분자를 라디칼 및 이온으로 바꾸어 나간다. 낮은 압력에서는 질량이 작은 전자가 가장 크게 가속되므로, 중성분자 및 웨어퍼의 온도에 비해 전자의 온도는 매우 높아진다. 결국, 플라즈마 중에서의 전자는 열적으로 비평형 상태가 되며, 고온(~104℃) 전자에 의한 반응 가스의 해리(解離)에 따른 라디칼과 웨이퍼 표면과의 반응을 통하여 박막이 증착된다.Electrons present in the electric field are accelerated with increasing average free stroke as the pressure decreases. For example, high-energy electrons with energy accelerated to above ionization potential energy, such as argon and nitrogen, collide with heavy atoms, which release radicals, ions, and electrons. The released electrons are again accelerated by the field to convert other heavy elements into radicals and ions. At low pressures, electrons with small masses are most accelerated, so the temperature of the electrons becomes very high compared to those of the heavy molecules and the wafers. As a result, the electrons in the plasma are thermally unbalanced, and a thin film is deposited through the reaction between radicals and the wafer surface due to dissociation of the reaction gas by high temperature (˜10 4 ° C.) electrons.
제1도는 종래 기술에 의한 전자 싸이크로트론 공명 화학기상증착(ECR CVD) 장비를 개략적으로 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a schematic view showing an electronic cyclotron resonance chemical vapor deposition (ECR CVD) apparatus according to the prior art.
구체적으로, 참조번호 "2"는 플라즈마 실(plasma chamber)에 입사된 플라즈마 가수 중의 전자가 싸이크로트론 회전 운동을 하도록 자계를 형성해주는 자기코일(magnetic coil)을, "4"는 전자가 전자 싸이크로트론 공명층(ECR layer)을 형성하도록 에너지를 공급하는 마이크로 파(microwave)를 전송하는 도파관(waveguide)을, "6"은 석영으로 이루어진 창(window)을, "8"은 상기 플라즈마 가스를 공급하는 플라즈마 가수 공급관을, "10"은 상기 플라즈마 가스중의 전자와의 충돌에 의해 이온화되는 반응성 가스(reactive gas)를 공급하는 반응성 가스 공급관을, 그리고 "12"은 이온화된 반응성 가스의 이온을 흡착하여 박막을 형성하기 위한 웨이퍼를 고정하는 웨이퍼 척(wafer chuck)을 나타낸다.Specifically, reference numeral "2" denotes a magnetic coil for forming a magnetic field for the electrons in the plasma valence incident on the plasma chamber to perform a cyclotron rotational movement, and "4" denotes an electron cycle for the electrons. A waveguide that transmits microwaves that supply energy to form a Crotron Resonance Layer (ECR), "6" represents a window made of quartz, "8" represents the plasma gas "10" indicates a reactive gas supply tube for supplying a reactive gas ionized by collision with electrons in the plasma gas, and "12" indicates ions of an ionized reactive gas. A wafer chuck which adsorbs and holds a wafer for forming a thin film is shown.
플라즈마를 형성시키는 에너지인 마이크로 파는 도파관(4)을 통하여 이동해서 석영창(6)을 통하여 플라즈마실 내부로 도입된다. 플라즈마실에서 플라즈마 가스 공급관(8)으로부터 공급된 플라즈마 가스들을 이용하여 플라즈마를 형성한 후, 발산자장을 이용하여 플라즈마를 웨이퍼에 발산시켜 해리된 반응성 가스가 웨이퍼에 흡착되어 박막이 형성되도록 한다.Microwaves, which are the energy for forming the plasma, move through the waveguide 4 and are introduced into the plasma chamber through the quartz window 6. After the plasma is formed using the plasma gases supplied from the plasma gas supply pipe 8 in the plasma chamber, the plasma is emitted to the wafer using a diverging magnetic field so that the dissociated reactive gas is adsorbed onto the wafer to form a thin film.
상기한 종래의 ECR CVD장치는 플라즈마를 형성한 후에 실제 박막이 형성되는 웨이퍼까지 플라즈마가 전달되는 동안에 전자의 밀도가 감소되며, 발산자계로 인해 플라즈마의 균일도도 나빠지게 되어 막질 및 두께 균일도에 나쁜영향을 미친다.In the conventional ECR CVD apparatus, the density of electrons is reduced during plasma transfer to the wafer on which the actual thin film is formed after the plasma is formed, and the uniformity of the plasma is also deteriorated due to the diverging magnetic field, which adversely affects the film quality and thickness uniformity. Crazy
따라서, 본 발명의 목적은 막질의 균일도를 향상시킬 수 있는 ECR CVD 장비를 제공하는 데에 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide an ECR CVD apparatus capable of improving the uniformity of film quality.
본 발명의 다른 목적은 상기한 ECR CVD 장비를 이용하여 고품질의 박막을 형성할 수 있는 박막 형성방법을 제공하는 데에 있다.Another object of the present invention is to provide a thin film formation method capable of forming a high quality thin film using the above ECR CVD equipment.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 플라즈마 반응에 의해 웨이퍼 상에 소정의 물질막을 형성하기 위한 반응실; 상기 반응실에 플라즈마를 생성하기 위한 플라즈마실; 상기 플라즈마 실의 상부에, 상기 전자 싸이크로트론 공명층이 상기 웨이퍼 상에 고밀도로 형성되도록 소정의 높이로 설치된 공동 공명실(cavity resonator); 상기 플라즈마실 및 공동 공명실의 외벽을 둘러싸는 형태로 배치되어, 상기 플라즈마실에 입사된 반응가스 중의 전자가 회전운동을 하여 전자 싸이크로트론 공명층을 형성하도록 자계를 형성해주는 자계형성부; 및 상기 공동 공명실을 경유하여 상기 플라즈마실에 마이크로파를 도입하기 위한 마이크로파 도입부를 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention, the reaction chamber for forming a predetermined material film on the wafer by the plasma reaction; A plasma chamber for generating plasma in the reaction chamber; A cavity resonator provided above the plasma chamber at a predetermined height such that the electron microtron resonance layer is formed at a high density on the wafer; A magnetic field forming unit arranged to surround outer walls of the plasma chamber and the cavity resonance chamber to form a magnetic field to form an electron cyclotron resonance layer by rotating the electrons in the reaction gas incident on the plasma chamber; And a microwave introduction unit for introducing microwaves into the plasma chamber via the cavity resonance chamber.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 박막 형성방법은, 플라즈마 반응에 의해 웨이퍼 상에 소정의 물질막을 형성하기 위한 반응실과, 상기 반응실내에 웨이퍼를 안착시키기 위하여 설치된 웨이퍼척과, 상기 반응실에 플라즈마를 생성하기 위한 플라즈마실과, 상기 플라즈마 실의 상부에 상기 전자 싸이크로트론 공명층이 상기 웨이퍼 상에 고밀도로 형성되도록 소정의 높이로 설치된 공동 공명실(cavity resonator)과, 상기 플라즈마실 및 공동 공명실의 외벽을 둘러싸는 형태로 배치되어, 상기 플라즈마실에 입사된 반응가스 중의 전자가 회전운동을 하여 전자 싸이크로트론 공명층을 형성하도록 자계를 형성해주는 자계형성부, 및 상기 공동 공명실을 경유하여 상기 플라즈마실에 마차크로파를 도입하기 위한 마이크로파 도입부를 구비하는 것을 특징으로 하는 공동 공명실을 구비하는 전자 싸이크로트론 공명 화학기상증착 장비를 이용한 박막 형성방법에 있어서, 상기 웨이퍼 척을 400℃ 미만의 온도로 가열하여 상기 웨이퍼에 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above another object, the method for forming a thin film according to the present invention includes a reaction chamber for forming a predetermined material film on a wafer by a plasma reaction, a wafer chuck installed to seat a wafer in the reaction chamber, and a reaction chamber. A plasma chamber for generating plasma, a cavity resonator provided at a predetermined height so that the electron microtron resonance layer is formed on the wafer at a high density, and the plasma chamber and cavity resonance It is disposed in a form surrounding the outer wall of the chamber, the magnetic field forming unit for forming a magnetic field so that the electrons in the reaction gas incident to the plasma chamber to rotate to form an electron cyclotron resonance layer, and through the cavity resonance chamber And a microwave introduction unit for introducing a carriage macro into the plasma chamber. A thin film forming method using an electron microtron resonance chemical vapor deposition apparatus having a cavity resonant chamber, characterized in that the thin film is formed on the wafer by heating the wafer chuck to a temperature of less than 400 ℃. .
본 발명에 따르면, ECR CVD 장채에 공동 공명실 및 실리콘 카바이드(SiC) 척을 채용함으로써 고품질 및 박막 두께의 균일도를 확보할 수 있다.According to the present invention, by employing a cavity resonance chamber and a silicon carbide (SiC) chuck in the ECR CVD fabric, it is possible to ensure high quality and uniformity of thin film thickness.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 공동 공명실을 구비하는 ECR CVD 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.2 is a schematic view of an ECR CVD apparatus having a cavity resonance chamber according to an embodiment of the present invention.
구체적으로, 참조번호 "2"는 플라즈마 실에 입사된 플라즈마 가스 중의 전자가 싸이크로트론 회전 운동을 하도록 자계를 형성해주는 자기코일을, "4"는 상기 전자가 전자 싸이크로트론 공명층을 형성하도록 에너지를 공급하는 마이크로 파를 전송하는 도파관을, "6"은 석영으로 이루어진 창을, "8"은 상기 플라즈마 가스를 공급하는 플라즈마 가스 공급관을, "10"은 상기 플라즈마 가스중의 전자와의 충돌에 의해 이온화되는 반응성 가스를 반응실에 공급하는 반응성 가스 공급관을, 그리고 "12"은 상기 이온화된 반응성 가스의 이온을 흡착하여 박막을 형성하기 위한 웨이퍼를 고정하는 웨이퍼 척을 나타낸다.Specifically, reference numeral "2" denotes a magnetic coil which forms a magnetic field for the electrons in the plasma gas incident to the plasma chamber to perform a cyclotron rotational movement, and "4" denotes the electrons to form an electron cyclotron resonance layer. A waveguide for transmitting energy supplying microwaves, "6" is a window made of quartz, "8" is a plasma gas supply pipe for supplying the plasma gas, "10" is collision with electrons in the plasma gas The reactive gas supply pipe for supplying the reactive gas ionized by the reaction chamber to the reaction chamber, and "12" denotes a wafer chuck for fixing the wafer for adsorbing the ions of the ionized reactive gas to form a thin film.
그리고 "20"은 상기 도파관(4)과 플라즈마 실 사이에 설치되어, 상기 전자 싸이크로트론 공명층이 상기 웨이퍼 상에 고밀도로 형성되도록 하는 공동 공명실(cavity resonator)로서, 소정의 높이로 조절되어 있다.And " 20 " is a cavity resonator installed between the waveguide 4 and the plasma chamber to allow the electron microtron resonance layer to be densely formed on the wafer, and is adjusted to a predetermined height. have.
상기 자기코일(2)은 상기 플라즈마실과 공동 공명실을 둘러싸는 형태로 장치되어 있고, 플라즈마 실에 입사된 플라즈마 가스 중의 전자가 싸이크로트론 회전 운동을 하도록 약 876Gauss의 자계를 형성한다.The magnetic coil 2 is arranged in a form surrounding the plasma chamber and the cavity resonance chamber, and forms a magnetic field of about 876 Gauss so that electrons in the plasma gas incident on the plasma chamber perform a cyclotron rotational motion.
상기 플라즈마 가스 공급관(8)으로는 산소(O2), 일산화이질소(N2O), 수소(H2), 질소(N2), 산화질소(NO) 등의 플라즈마 가스가 공급되고, 상기 반응가스 공급관(10)으로는 실란(SiH4), 디클로로실란(SiH2Cl2), 디실란(Si2H6), 불화규소(SiF4) 등의 반응가스가 웨이퍼 척(12) 바로 위에서 공급된다.The plasma gas supply pipe 8 is supplied with plasma gases such as oxygen (O 2 ), dinitrogen monoxide (N 2 O), hydrogen (H 2 ), nitrogen (N 2 ), nitrogen oxide (NO), and the like. As the gas supply pipe 10, reaction gases such as silane (SiH 4 ), dichlorosilane (SiH 2 Cl 2 ), disilane (Si 2 H 6 ), and silicon fluoride (SiF 4 ) are supplied directly above the wafer chuck 12. do.
상기 웨이퍼 척(12)은 보다 양질의 박막을 얻기 위하여 웨이퍼의 순간가열 및 고온가열이 가능하도록 열 전도성이 우수한 실리콘 카바이드(SiC)로 이루어져 있다.The wafer chuck 12 is made of silicon carbide (SiC) having excellent thermal conductivity to enable instant heating and high temperature heating of the wafer in order to obtain a higher quality thin film.
또한, 상기 웨이퍼 척(10)에는 매엽식 장치에서 파티클 감소를 위하여 라디오 주파수(Radio Frequency) 전력 인가에 의한 인-시튜(in-situ) 세정장치를 더 구비할 수도 있다.In addition, the wafer chuck 10 may further include an in-situ cleaning device by applying radio frequency power to reduce particles in the single wafer type device.
양질의 박막을 형성하기 위해서 상기 웨이퍼 척(12)은 400℃ 미만의 온도를 유지하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 웨이퍼 척(12)을 가열하며, 라디오 주파수(Radio Frequency)의 전력을 인가하여 바이어스 증착(bias deposition) 방식으로 박막을 증착할 수도 있다.In order to form a thin film of good quality, the wafer chuck 12 is preferably maintained at a temperature of less than 400 ℃. In addition, the wafer chuck 12 may be heated, and a thin film may be deposited by a bias deposition method by applying power of a radio frequency.
상기 반응실 벽의 냉각은 물(H2O)을 사용하여 이루어지며, 자기코일(2)의 냉각은 오일(oil)을 사용하여 이루어진다.Cooling of the reaction chamber wall is performed using water (H 2 O), and cooling of the magnetic coil (2) is performed using oil (oil).
ECR층의 위치를 조절하는 방법으로는, 자기코일(2)의 전류의 값을 조절하는 방법 외에, 도파관(4)과 내부 플라즈마실 사이에 위치하는 공동 공명실(20)의 높이를 조절함으로써 가능하다.As a method of adjusting the position of the ECR layer, in addition to adjusting the value of the current of the magnetic coil 2, it is possible to adjust the height of the cavity resonance chamber 20 located between the waveguide 4 and the internal plasma chamber. Do.
종래의 공명실이 없는 도파관 방식의 ECR CVD 설비는, 마이크로파가 도파관을 경유하여 석영창을 통해 진공챔버로 도입되어 에너지를 전달하여 플라즈마를 발생시키며 ECR층의 위치는 주위에 부착된 자기코일의 전류값을 조절하도록 구성되었다. 그러나, 종래의 설비의 경우 마이크로파가 도파관을 경유하므로 마이크로파의 직진성이 강하여, 에너지 분포곡선은 진공챔버의 중심부에서 에너지가 높은 형태를 취하게 되고, 그 결과 웨이퍼의 중심부에 에너지가 집중되는 단점이 있었다.In a conventional waveguide type ECR CVD facility, microwaves are introduced into a vacuum chamber through a quartz window via a waveguide to transfer energy to generate a plasma, and the position of the ECR layer is a current of a magnetic coil attached to the surroundings. It is configured to adjust the value. However, in the case of the conventional equipment, since the microwave passes through the waveguide, the straightness of the microwave is strong, and the energy distribution curve has a high energy shape in the center of the vacuum chamber, and as a result, energy is concentrated in the center of the wafer. .
그러나, 본 발명의 ECR CVD 장비에 의하면, 마이크로파가 석영창을 통과하기 전에 공동의 공명실(20)을 통과하므로, 마이크로파의 직진성보다는 횡방향 진행성이 증가하게 되어, 그 결과 마이크로파가 웨이퍼에 도달할 때 에너지의 분포가 균일하게 된다. 따라서, 고품질의 박막을 형성할 수 있으며, 형성되는 박막의 두께를 균일하게 할 수 있다.However, according to the ECR CVD apparatus of the present invention, since the microwave passes through the cavity resonance chamber 20 before passing through the quartz window, the lateral progression rather than the straightness of the microwave is increased, and as a result, the microwave can reach the wafer. When the energy distribution becomes uniform. Therefore, a high quality thin film can be formed and the thickness of the formed thin film can be made uniform.
또한, 공동 공명실과 플라즈마실이 석영창에 의해 분리되어 있으므로, 서로 다른 진공도를 유지할 수 있게 되고, 결과적으로 마이크로파를 균일하게 플라즈마실로 통과시켜 플라즈마의 발생을 안정되게 할 수 있다.In addition, since the cavity and the plasma chamber are separated by the quartz window, different vacuum degrees can be maintained, and as a result, microwaves can be uniformly passed through the plasma chamber to stabilize the generation of plasma.
상술한 본 발명에 의한 ECR CVD 장치에 따르면, 도파관과 플라즈마실 사이에 공동의 공명실을 설치함으로써 고품질 및 박막 두께의 균일도를 확보하며, 웨이퍼 가열 시스템을 실리콘 카바이드(SiC) 척을 사용함으로써 순간가열 및 고온가열이 모두 가능하게하여 보다 양질의 박막을 얻을 수 있다.According to the ECR CVD apparatus according to the present invention described above, by providing a cavity resonance chamber between the waveguide and the plasma chamber to ensure high quality and uniformity of the thin film thickness, instant heating by using a silicon carbide (SiC) chuck wafer wafer system And high temperature heating are both possible to obtain a higher quality thin film.
본 발명은 상기한 실시예 한정되 않으며, 본 발명의 속한 기술적 사상내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진자에 의해 많은 변형이 가능함은 물론이다.The present invention is not limited to the above embodiments, and many modifications are possible by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention.
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950054703A KR100230356B1 (en) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | Cavity Electron Microtron Resonance Chemical Vapor Deposition Equipment and Thin Film Formation Method Using The Same |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950054703A KR100230356B1 (en) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | Cavity Electron Microtron Resonance Chemical Vapor Deposition Equipment and Thin Film Formation Method Using The Same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100230356B1 true KR100230356B1 (en) | 1999-11-15 |
Family
ID=19443250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950054703A KR100230356B1 (en) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | Cavity Electron Microtron Resonance Chemical Vapor Deposition Equipment and Thin Film Formation Method Using The Same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100230356B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100822275B1 (en) | 2007-04-05 | 2008-04-16 | 주식회사 에폰 | Method and system for manufacturing large-area transparent conductive film by elliptical orbital electron rotation resonance with linear microwave |
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-
1995
- 1995-12-22 KR KR1019950054703A patent/KR100230356B1/en not_active IP Right Cessation
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19951222 |
|
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 19951222 Comment text: Request for Examination of Application |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 19980930 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 19990330 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 19990728 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 19990823 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 19990824 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| G170 | Re-publication after modification of scope of protection [patent] | ||
| PG1701 | Publication of correction |
Patent event code: PG17011E01I Patent event date: 19990816 Comment text: Request for Publication of Correction Publication date: 19990915 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20020708 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20030707 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20040329 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20050705 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20060728 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20070801 Year of fee payment: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20070801 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20090710 |