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KR100227844B1 - Vacuum apparatus for improved thin films deposited on semiconductor device - Google Patents

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KR100227844B1
KR100227844B1 KR1019970001841A KR19970001841A KR100227844B1 KR 100227844 B1 KR100227844 B1 KR 100227844B1 KR 1019970001841 A KR1019970001841 A KR 1019970001841A KR 19970001841 A KR19970001841 A KR 19970001841A KR 100227844 B1 KR100227844 B1 KR 100227844B1
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Abstract

본 발명은 증착공정 등에 사용되는 반도체 제조용 진공 장치에 관한 것으로, 본 발명은 복수의 반송 챔버 및 프로세스 챔버를 구비한 반도체 제조용 진공 장치에 있어서, 상기 반송 챔버에는 소정의 가스 조절 수단을 통해 가스가 유입됨을 특징으로 한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum apparatus for semiconductor manufacturing, which is used in a deposition process, and the like. It is characterized by.

이와 같은 본 발명에 따른 반도체 제조용 진공 장치에서는 각각의 반송 챔버에 소정의 가스가 유입됨으로써, 반송 챔버 및 프로세스 챔버 사이의 아이솔레이션 밸브가 개방되더라도 프로세스 챔버내의 공정가스가 반송 챔버내로 유실되지 않는다.In the vacuum apparatus for manufacturing a semiconductor according to the present invention, a predetermined gas is introduced into each of the transfer chambers, so that even if the isolation valve between the transfer chamber and the process chamber is opened, the process gas in the process chamber is not lost into the transfer chamber.

또한, 본 발명에서는 반송 챔버의 압력이 높아짐으로써, 외부 대기가 챔버내부로 리크될 위험성이 제거되고 그 결과 향상된 막질 개선 효과를 얻을 수 있다.In addition, in the present invention, by increasing the pressure of the transfer chamber, the risk of leakage of the outside atmosphere into the chamber is eliminated, and as a result, an improved film quality improvement effect can be obtained.

Description

막질개선을 위한 반도체 제조용 진공 장치Vacuum device for semiconductor manufacturing for film quality improvement

본 발명은 증착공정 등에 사용되는 반도체 제조용 진공 장치에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 프로세스 챔버와 연결되는 반송 챔버에 소정의 가스가 유입되도록함으로써, 프로세스 챔버내의 초기 공정분위기가 적절히 유지되도록하고, 이를 통해 웨이퍼에 형성되는 금속막의 질을 향상시킬 수 있는 반도체 제조용 진공 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a vacuum device for semiconductor manufacturing used in a deposition process, and more particularly, by allowing a predetermined gas to flow into the transfer chamber connected to the process chamber, so that the initial process atmosphere in the process chamber is properly maintained. The present invention relates to a vacuum device for manufacturing a semiconductor capable of improving the quality of a metal film formed on a wafer.

최근의 정밀도를 요하는 반도체 소자 제조 공정에서는 고진공을 유지하는 소정의 챔버를 구비하는 것이 필수적인 요소로 대두되고 있다.In the semiconductor device manufacturing process that requires the latest precision, it is emerging as an essential element to have a predetermined chamber that maintains high vacuum.

예컨데, 소정의 증착공정을 통해 금속막을 형성시키는 경우, 타공정을 거친 웨이퍼를 당해 공정으로 이송하는 반송 챔버와, 실제 프로세스를 진행시키는 프로세스 챔버(process chamber)가 상호 분리·형성되어, 고진공(Hi- vacuum)을 유지하고 있다.For example, in the case of forming a metal film through a predetermined deposition process, a transfer chamber for transferring a wafer that has undergone other processes to the process and a process chamber for advancing the actual process are separated from each other to form a high vacuum (Hi). -keep vacuum.

도 1은 이러한 기능을 수행하는 종래의 제조 기술에 따른 반도체 제조용 진공 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a vacuum apparatus for semiconductor manufacturing according to a conventional manufacturing technique for performing such a function.

도시된 바와 같이, 종래의 반도체 제조용 진공 장치는 대상 웨이퍼(미도시)를 저장 및 운반하기 위한 복수개의 반송 챔버(100)와, 웨이퍼를 가공 처리하는 프로세스 챔버(101)로 구성된다.As shown in the drawing, a conventional vacuum device for semiconductor manufacturing is composed of a plurality of transfer chambers 100 for storing and transporting a target wafer (not shown), and a process chamber 101 for processing a wafer.

편의상, 본 설명에서는 복수개의 반송 챔버(100)로 로드락 챔버(load lock chamber:100a), 웨이퍼핸들러 챔버(waferhandler chamber:100b), 버퍼 챔버(buffer chamber:100c), 트랜스퍼 챔버(transfer chamber:100d)가 구비되는 경우를 예로한다.For convenience, in the present description, a plurality of transfer chambers 100 include a load lock chamber 100a, a wafer handler chamber 100b, a buffer chamber 100c, and a transfer chamber 100d. ) Is provided as an example.

이때, 반송 챔버(100) 및 프로세스 챔버(101)의 각각은 소정의 진공 펌프(108a,108b,108c,108d,108e)를 구비하고 있으며 이를 통해 내부 분위기를 10-7- 10-8Torr 정도의 고진공으로 유지한다.At this time, each of the transfer chamber 100 and the process chamber 101 is provided with a predetermined vacuum pump (108a, 108b, 108c, 108d, 108e) through which the internal atmosphere of about 10 -7-10 -8 Torr Keep at high vacuum.

한편, 각각의 반송 챔버(100) 및 프로세스 챔버(101)는 아이솔레이션 밸브(106)에 의해 일체로 연결되는데, 공정진행을 위한 웨이퍼는 이러한 아이솔레이션 밸브(106)의 개폐를 통해 이송 및 반송된다.On the other hand, each of the transfer chamber 100 and the process chamber 101 is integrally connected by an isolation valve 106, the wafer for process progress is transferred and conveyed through the opening and closing of the isolation valve 106.

이러한 상태에서, 소정의 웨이퍼가 로드락 챔버(100a), 웨이퍼핸들러 챔버(100b), 버퍼 챔버(100c), 트랜스퍼 챔버(100d) 등의 반송 챔버(100)를 거친 후에 프로세스 챔버(101)내로 인입되면, 고진공을 유지하는 프로세스 챔버(101)에는 소정의 공정용 가스(가스2), 예컨데, 아르곤(Ar) 가스등이 연속적으로 유입된다.In this state, the predetermined wafer passes through the transfer chamber 100 such as the load lock chamber 100a, the wafer handler chamber 100b, the buffer chamber 100c, the transfer chamber 100d, and the like, and then enters the process chamber 101. In this case, a predetermined process gas (gas 2), for example, argon (Ar) gas or the like, continuously flows into the process chamber 101 maintaining the high vacuum.

이때, 작업자는 소정의 콘트롤러(110)를 통하여 가스 공급관상에 구비된 MFC(Mass Flow Controller:109)를 제어함으로써, 프로세스 챔버(101)로 유입되는 가스량을 조절한다.At this time, the operator controls the amount of gas flowing into the process chamber 101 by controlling the Mass Flow Controller 109 provided on the gas supply pipe through the predetermined controller 110.

이에 따라, 프로세스 챔버(101)에 유지되던 고진공은 어느정도 해제되어 압력이 높아지는 반면에, 반송 챔버(100)는 초기의 고진공을 유지함으로써, 각 챔버간에는 진공도의 차이가 발생한다.Accordingly, the high vacuum held in the process chamber 101 is released to some extent to increase the pressure, while the transfer chamber 100 maintains the initial high vacuum, so that a difference in vacuum degree occurs between the chambers.

이러한 상태에서 프로세스 챔버(101)에 인입된 웨이퍼에는 소정의 증착공정이 진행된다.In this state, a predetermined deposition process is performed on the wafer introduced into the process chamber 101.

그 후, 공정이 완료된 웨이퍼는 반송 챔버(100)를 경유하여 차기 공정이 진행될 프로세스 챔버(미도시)로 반송됨으로써, 종래의 진공 장치를 통한 증착공정은 완수된다.Thereafter, the wafer having been processed is transferred to the process chamber (not shown) where the next process is to proceed via the transfer chamber 100, so that the deposition process through the conventional vacuum apparatus is completed.

한편, 반송 챔버(100) 및 프로세스 챔버(101)가 개방될 때에는 챔버 내부의 고진공과 외부의 대기압간의 불균형이 제거될 수 있도록 소정의 공급관에 의해 벤트(vent)가스(가스1),예컨데, 질소(N2)가 유입된다.On the other hand, when the transfer chamber 100 and the process chamber 101 are opened, a vent gas (gas 1), for example, nitrogen, is provided by a predetermined supply pipe so that an imbalance between the high vacuum inside the chamber and the atmospheric pressure outside can be eliminated. (N 2 ) is introduced.

이때, 작업자는 가스 공급관(107)상에 형성된 소정의 에어 밸브(105)를 개폐하여 벤트 가스의 유입상태를 조절한다.At this time, the operator opens and closes the predetermined air valve 105 formed on the gas supply pipe 107 to adjust the inflow state of the vent gas.

그러나 이와 같은 기능을 수행하는 종래의 제조 기술에 따른 진공장치에서는 몇가지 중대한 문제점이 발생된다.However, some serious problems arise in the vacuum apparatus according to the conventional manufacturing techniques for performing such a function.

즉, 공정이 완료된 웨이퍼를 타공정으로 반송하기 위해서는 반송 챔버(100) 및 프로세스 챔버(101)를 격리하고 있던 아이솔레이션 밸브(106)를 개방하게 되는데 이때, 프로세스 챔버(101)를 흐르고있던 Ar 등의 공정가스가 고진공을 유지하는 반송 챔버(100)로 유실됨으로써, 프로세스 챔버(101)의 초기공정분위기는 파괴되고 그 결과, 웨이퍼에는 소정의 결함이 생성되는 문제점이 발생된다.In other words, in order to transfer the completed wafer to another process, the isolation valve 106 that isolates the transfer chamber 100 and the process chamber 101 is opened. In this case, Ar, which flowed through the process chamber 101, may be opened. As the process gas is lost to the transfer chamber 100 which maintains a high vacuum, the initial process atmosphere of the process chamber 101 is destroyed, and as a result, a problem occurs in which a predetermined defect is generated in the wafer.

또한 반송 챔버(100)는 항상 고진공 상태를 유지하고 있음으로써, 외부 대기가 챔버 내부로 유입되는 리크(leak)현상이 발생될 위험성이 상존하고, 만약 외부 대기가 유입되면, 반송중인 웨이퍼의 표면은 심하게 오염되어, 반송 챔버(101) 본래의 버퍼(buffer)역할이 수행되지 못하는 문제점이 발생된다.In addition, since the transfer chamber 100 maintains a high vacuum at all times, there is a risk that a leak occurs in which the outside atmosphere is introduced into the chamber, and if the outside atmosphere is introduced, the surface of the wafer being transferred is There is a serious contamination, a problem occurs that the original buffer role of the transfer chamber 101 can not be performed.

따라서, 본 발명의 목적은 반송 챔버 내부에 소정의 가스를 유입시켜, 반송 챔버의 압력을 높이고, 이를 통해 프로세스 챔버 및 반송 챔버의 분위기를 유사하게 구현함으로써, 반송중인 웨이퍼에서 발생할 수 있는 결함이 미연에 방지되도록 하는 반도체 제조용 진공 장치를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to introduce a predetermined gas into the conveying chamber to increase the pressure of the conveying chamber, thereby realizing the atmosphere of the process chamber and the conveying chamber similarly, so that defects that may occur in the wafer being conveyed are not known. To provide a vacuum device for manufacturing a semiconductor to be prevented.

본 발명의 다른 목적은 반송 챔버내의 고진공 상태를 해제시켜 압력을 높임으로써, 반송 챔버내부로 대기가 유입될 위험성을 제거하고, 반송 챔버 본래의 버퍼 역할을 양호하게 수행할 수 있도록 하는 반도체 제조용 진공 장치를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to increase the pressure by releasing the high vacuum state in the transfer chamber, thereby eliminating the risk of the air flowing into the transfer chamber, and a vacuum apparatus for manufacturing a semiconductor that can perform the role of the buffer inherently well. In providing.

도 1은 종래의 제조 기술에 따른 반도체 제조용 진공 장치를 개략적으로 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing a vacuum apparatus for manufacturing a semiconductor according to a conventional manufacturing technique.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조용 진공 장치의 형상을 개략적으로 도시한 단면도.2 is a cross-sectional view schematically showing the shape of a vacuum apparatus for manufacturing a semiconductor according to the present invention.

도 3은 본 발명의 다른 실시예를 개략적으로 도시한 단면도.3 is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of the present invention.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

200 : 반송 챔버 201 : 프로세스 챔버200: transfer chamber 201: process chamber

203 : 가스 조절부 204 : 콘트롤러203: gas adjusting unit 204: controller

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 제조용 진공 장치는 복수의 반송 챔버 및 프로세스 챔버를 구비한 반도체 제조용 진공 장치에 있어서, 상기 반송 챔버에는 소정의 가스 조절 수단을 통해 가스가 유입됨을 특징으로 한다.In the vacuum apparatus for manufacturing a semiconductor according to the present invention for achieving the above object, in the vacuum manufacturing apparatus for semiconductor manufacturing having a plurality of transfer chambers and a process chamber, gas is introduced into the transfer chamber through a predetermined gas adjusting means. It is done.

바람직하게, 상기 가스 조절 수단은 상기 가스의 이동경로를 제공하는 공급관과; 상기 공급관으로부터 공급되는 가스량을 조절하는 유량조절부와; 상기 유량조절부의 양단에 형성되어 공급되는 가스를 개폐하는 밸브를 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the gas control means and the supply pipe for providing a movement path of the gas; A flow rate control unit which controls the amount of gas supplied from the supply pipe; It is characterized in that it comprises a valve for opening and closing the gas is formed formed at both ends of the flow control.

바람직하게, 상기 유량조절부는 MFC 임을 특징으로 한다.Preferably, the flow rate control unit is characterized in that the MFC.

바람직하게, 반송 챔버에 유입되는 가스는 프로세스 챔버에 유입되는 가스보다 낮은 압력임을 특징으로 한다.Preferably, the gas flowing into the transfer chamber is characterized by a lower pressure than the gas flowing into the process chamber.

바람직하게, 반송 챔버에 유입되는 가스는 프로세스 챔버에 유입되는 가스와 동일한 압력임을 특징으로 한다.Preferably, the gas flowing into the transfer chamber is characterized by the same pressure as the gas flowing into the process chamber.

바람직하게, 반송 챔버에 유입되는 가스의 압력은 10-4Torr - 10-2Torr임을 특징으로 한다.Preferably, the pressure of the gas flowing into the transfer chamber is characterized in that 10 -4 Torr-10 -2 Torr.

바람직하게, 반송 챔버에 유입되는 가스의 압력은 10-3Torr 임을 특징으로 한다.Preferably, the pressure of the gas flowing into the transfer chamber is characterized in that 10 -3 Torr.

바람직하게, 상기 반송 챔버에 유입되는 가스량은 상기 프로세스 챔버에 유입되는 가스량과 동일함을 특징으로 한다.Preferably, the amount of gas introduced into the transfer chamber is the same as the amount of gas introduced into the process chamber.

바람직하게, 상기 반송 챔버에 유입되는 가스량은 상기 프로세스 챔버에 유입되는 가스량보다 적음을 특징으로 한다.Preferably, the amount of gas introduced into the transfer chamber is less than the amount of gas introduced into the process chamber.

바람직하게, 상기 반송 챔버에 유입되는 가스 및 상기 프로세스 챔버에 유입되는 가스는 동일한 가스임을 특징으로 한다.Preferably, the gas flowing into the transfer chamber and the gas flowing into the process chamber are the same gas.

바람직하게, 상기 반송 챔버에 유입되는 가스는 불활성 가스임을 특징으로 한다.Preferably, the gas flowing into the conveying chamber is characterized in that the inert gas.

바람직하게, 상기 불활성가스는 아르곤 가스임을 특징으로 한다.Preferably, the inert gas is characterized in that the argon gas.

바람직하게, 상기 반송 챔버에 유입되는 가스는 질소 가스임을 특징으로 한다.Preferably, the gas flowing into the conveying chamber is characterized in that the nitrogen gas.

바람직하게, 상기 반송 챔버에 유입되는 가스의 유속은 상기 프로세스 챔버에 유입되는 가스의 유속과 동일함을 특징으로 한다.Preferably, the flow rate of the gas flowing into the conveyance chamber is the same as the flow rate of the gas flowing into the process chamber.

바람직하게, 상기 반송 챔버에 유입되는 가스의 유속은 상기 프로세스 챔버에 유입되는 가스의 유속보다 느리게 흐름을 특징으로 한다.Preferably, the flow rate of the gas flowing into the transfer chamber is characterized in that the flow is slower than the flow rate of the gas flowing into the process chamber.

바람직하게, 상기 유량조절부는 다수개의 콘트롤러에 의해 제어됨을 특징으로 한다.Preferably, the flow rate control unit is characterized in that it is controlled by a plurality of controllers.

바람직하게, 상기 유량조절부는 하나의 콘트롤러에 의해 제어됨을 특징으로 한다.Preferably, the flow rate control unit is characterized in that it is controlled by one controller.

이에 따라 본 발명에서는 반송 챔버 및 프로세스 챔버 사이의 아이솔레이션 밸브가 개방되더라도 프로세스 챔버내의 공정가스가 반송 챔버내로 유실되지 않는다.Accordingly, in the present invention, even when the isolation valve between the transfer chamber and the process chamber is opened, the process gas in the process chamber is not lost into the transfer chamber.

또한, 본 발명에서는 반송 챔버의 압력이 높아짐으로써, 외부 대기가 챔버로 리크될 위험성이 제거되고 그 결과 웨이퍼에 증착되는 막질이 개선된다.In addition, in the present invention, the pressure in the transfer chamber is increased, thereby eliminating the risk of leaking the external atmosphere into the chamber, thereby improving the film quality deposited on the wafer.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 제조용 진공 장치를 좀더 상세히 설명하면 다음과같다.Hereinafter, a vacuum apparatus for manufacturing a semiconductor according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

후술하는 설명에 있어서, 종래의 역할과 동일한 구성요소에는 동일 부호를 부여하고, 상세한 설명은 생략하기로 한다.In the following description, the same reference numerals are given to the same elements as in the conventional role, and detailed description thereof will be omitted.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조용 진공 장치의 형상을 개략적으로 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view schematically showing the shape of a vacuum apparatus for manufacturing a semiconductor according to the present invention.

도시된 바와 같이, 웨이퍼를 이송 및 반송하는 각각의 반송 챔버(200), 즉, 로드락 챔버(200a), 웨이퍼핸들러 챔버(200b), 버퍼 챔버(200c), 트랜스퍼 챔버(200d)에는 소정의 가스 조절부(203)가 구비되며 이를 통해 공급되는 가스량이 조절된다.As shown, each of the transfer chambers 200 for transferring and conveying wafers, that is, a load gas chamber 200a, a wafer handler chamber 200b, a buffer chamber 200c, and a transfer chamber 200d has a predetermined gas. The adjusting unit 203 is provided and the amount of gas supplied through the adjusting unit 203 is adjusted.

이때, 본 발명의 특징에 따르면, 가스 조절부(203)는 가스의 이동경로를 제공하는 공급관(203c)과, 공급관(203c)으로부터 공급되는 가스량을 조절하는 유량조절부(203a)와, 유량조절부(203a)의 양단에 형성되어 공급되는 가스를 개폐하는 밸브(203b)를 포함한다.At this time, according to the features of the present invention, the gas control unit 203 is a supply pipe 203c for providing a movement path of the gas, a flow rate control unit 203a for adjusting the amount of gas supplied from the supply pipe 203c, flow rate control And a valve 203b which is formed at both ends of the portion 203a to open and close the supplied gas.

또한, 본 발명의 특징에 따르면, 유량조절부(203a)는 MFC로 형성되는 것이 바람직하다. 여기서, 각각의 반송 챔버(200)와 연결된 유량조절부(203a)는 소정의 콘트롤러(204a,204b,204c,204d)에 연결된다.In addition, according to a feature of the present invention, the flow control unit 203a is preferably formed of MFC. Here, the flow control unit 203a connected to each of the transfer chambers 200 is connected to predetermined controllers 204a, 204b, 204c, and 204d.

이와 같이 형성되는 본 발명에 따른 진공 장치의 동작과정을 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.If described in more detail the operation of the vacuum apparatus according to the invention formed as follows.

먼저, 공정진행이 없는 노말(normal)상태에서 반송 챔버(200)는 고진공을 유지하고 있다.First, the transfer chamber 200 maintains a high vacuum in a normal state without process progress.

일정시간이 경과한 후, 타공정을 마친 웨이퍼가 반송 챔버(200)를 통해 프로세스 챔버(201)로 인입되면, Ar 등의 공정가스(가스2)는 소정의 공정진행을 위해 프로세스 챔버(201)로 유입된다.After a predetermined time has elapsed, when the wafer which has completed other processes is introduced into the process chamber 201 through the transfer chamber 200, a process gas such as Ar (gas 2) is transferred to the process chamber 201 for a predetermined process progress. Flows into.

이때, 반송 챔버(200)에도 소정의 공정가스(가스3)가 유입된다.At this time, a predetermined process gas (gas 3) flows into the transfer chamber 200.

여기서, 작업자는 소정의 제어신호를 각각의 콘트롤러(204a,204b,204c,204d)에 입력시키고 콘트롤러(204a,204b,204c,204d)는 이러한 제어신호에 의해 유량조절부(203a)를 제어하여 공급관으로부터 유입되는 가스를 적절한 양으로 제어한다.Here, the operator inputs a predetermined control signal to each of the controllers 204a, 204b, 204c, and 204d, and the controllers 204a, 204b, 204c, and 204d control the flow regulating unit 203a by the control signal. Control the amount of gas coming in from the appropriate amount.

만약, 작업자가 프로세스 챔버(201)에 공급되는 공정가스(가스2)의 양과 반송 챔버(200)에 공급되는 공정가스(가스3)의 양을 서로 다르게 구현하려면, 각각의 반송 챔버(200)와 연결된 유량조절부(203a)를 각각의 콘트롤러(204a,204b,204c, 204d)로 제어하고, 프로세스 챔버와 연결된 MFC(109)를 콘트롤러(110)로 제어함으로써, 유입되는 가스의 양을 상이하게 조절한다.If the operator wants to implement different amounts of process gas (gas 2) supplied to the process chamber 201 and process gas (gas 3) supplied to the conveying chamber 200, the respective conveying chambers 200 and By controlling the connected flow regulator 203a with the respective controllers 204a, 204b, 204c, and 204d, and controlling the MFC 109 connected with the process chamber with the controller 110, the amount of gas introduced is adjusted differently. do.

이에 따라 각각의 반송 챔버(200)로 유입되는 가스는 작업자의 의도에 맞게 상이한 압력 및 유량을 유지할 수 있다. 본 발명의 특징에 따르면, 반송 챔버(200)내로 유입되는 가스(가스3)는 프로세스 챔버(201)로 유입되는 가스(가스2)와 동일 성질의 가스, 좀더 바람직하게는 웨이퍼 표면에 영향을 미치지않는 불활성가스이다. 이때, 바람직하게 불활성가스는 아르곤(Ar) 이다. 또한, 바람직하게, 반송 챔버(200)내로 유입되는 가스는 질소(N2)일 수도 있다.Accordingly, the gas flowing into each conveyance chamber 200 may maintain different pressures and flow rates according to the intention of the operator. According to a feature of the present invention, the gas (gas 3) flowing into the transfer chamber 200 does not affect the gas having the same properties as the gas (gas 2) flowing into the process chamber 201, more preferably the wafer surface. Not inert gas. At this time, preferably the inert gas is argon (Ar). Also, preferably, the gas flowing into the transfer chamber 200 may be nitrogen (N 2 ).

이와 같이, 프로세스 챔버(201) 및 반송 챔버(200)에는 동일 가스가 흐르게(flow)됨으로써, 아이솔레이션 밸브(106)가 개방되더라도, 초기 공정분위기는 적절히 유지되고 그 결과 웨이퍼에 발생할 수 있는 소정의 결함은 원천적으로 제거된다.In this manner, the same gas flows into the process chamber 201 and the transfer chamber 200, so that even if the isolation valve 106 is opened, the initial process atmosphere is properly maintained and any defects that may occur on the wafer as a result. Is removed from the source.

한편, 본 발명의 특징에 따르면, 반송 챔버(200)로 유입되는 가스(가스3)의 양은 프로세스 챔버(201)로 유입되는 가스(가스2)의 양과 동일하다.Meanwhile, according to a feature of the present invention, the amount of gas (gas 3) flowing into the transfer chamber 200 is equal to the amount of gas (gas 2) flowing into the process chamber 201.

또한, 본 발명의 특징에 따르면, 반송 챔버(200)로 유입되는 가스(가스3)의 유압 및 유속은 프로세스 챔버(201)로 유입되는 가스(가스2)의 유압 및 유속과 동일하다.In addition, according to a feature of the present invention, the hydraulic pressure and flow rate of the gas (gas 3) flowing into the transfer chamber 200 is the same as the hydraulic pressure and flow rate of the gas (gas 2) flowing into the process chamber 201.

그 결과, 프로세스 챔버(201)에서 반송 챔버(200)로 반송되는 웨이퍼는 급격한 공정 분위기 변화를 겪지않아도 되고, 웨이퍼 표면에서 발생할 수 있는 소정의 오염도 저감된다.As a result, the wafer transferred from the process chamber 201 to the transfer chamber 200 does not have to undergo a sudden process atmosphere change, and any contamination that may occur on the wafer surface is also reduced.

한편, 본 발명의 특징에 따르면, 반송 챔버(200)로 유입되는 가스(가스3)의 양은 프로세스 챔버(201)로 유입되는 가스(가스2)의 양보다 작을 수도 있다.Meanwhile, according to a feature of the present invention, the amount of gas (gas 3) flowing into the transfer chamber 200 may be smaller than the amount of gas (gas 2) flowing into the process chamber 201.

또한, 본 발명의 특징에 따르면, 반송 챔버(200)로 유입되는 가스(가스3)의 유압 및 유속은 프로세스 챔버(201)로 유입되는 가스(가스2)의 유압 및 유속보다 작을 수도 있다.In addition, according to a feature of the present invention, the hydraulic pressure and flow rate of the gas (gas 3) flowing into the transfer chamber 200 may be smaller than the hydraulic pressure and flow rate of the gas (gas 2) flowing into the process chamber 201.

그 결과, 각각의 반송 챔버(200)와 연결된 펌프(108a,108b,108c,108d)는 가스 유입을 위한 펌핑작동을 별 무리없이 수행할 수 있고, 이에 따라 펌프(108a,108b,108c,108d)의 수명이 증가된다.As a result, the pumps 108a, 108b, 108c and 108d connected to the respective conveying chambers 200 can perform the pumping operation for gas inflow without difficulty, and thus the pumps 108a, 108b, 108c and 108d. Its life is increased.

이때, 본 발명의 특징에 따르면, 반송 챔버(200)로 유입되는 가스(가스3)의 유압은 10-4Torr - 10-2Torr, 좀더 바람직하게는 10-3Torr 이다.At this time, according to the feature of the present invention, the hydraulic pressure of the gas (gas 3) flowing into the conveyance chamber 200 is 10 -4 Torr-10 -2 Torr, more preferably 10 -3 Torr.

그 결과, 반송 챔버(200)에 유지되던 10-7Torr - 10-8Torr 정도의 고진공은 일정하게 해제되고 그 내부의 압력은 소정의 값으로 상승된다.As a result, the high vacuum of about 10 -7 Torr-10 -8 Torr held in the transfer chamber 200 is constantly released and the pressure therein is raised to a predetermined value.

또한, 상술한 바와 같이 반송 챔버(200) 내부의 고진공이 파괴되어, 압력이 상승함으로써, 외부 대기의 유입이 방지되고, 이에 따라 고진공 상태에서 발생할 수 있는 웨이퍼 표면오염이 방지된다.In addition, as described above, the high vacuum inside the transfer chamber 200 is destroyed and the pressure is increased, thereby preventing the inflow of the outside atmosphere, thereby preventing wafer surface contamination that may occur in the high vacuum state.

도 3은 본 발명의 다른 실시예를 개략적으로 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 각각의 반송 챔버(200)는 하나의 콘트롤러(204e)에 의해 제어되고 있다.As shown, each transfer chamber 200 is controlled by one controller 204e.

본 발명이 이와 같이 형성되는 경우에는 유량조절부(203a)를 제어하는데 걸리는 시간이 조금 증가하는 반면에, 콘트롤러(204e)가 차지하는 공간이 저감되어 작업자가 소정의 작업 공간을 확보할 수 있는 이점이 있다.In the case where the present invention is formed in this way, while the time taken to control the flow control unit 203a is slightly increased, the space occupied by the controller 204e is reduced, so that an operator can secure a predetermined working space. have.

또한, 각각의 반송 챔버(200)로 유입되는 가스가 챔버 내부의 압력을 소정의 값으로 상승시켜, 반송되는 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있다.In addition, the gas flowing into each transfer chamber 200 raises the pressure inside the chamber to a predetermined value, thereby preventing contamination of the wafer to be transferred.

이러한 본 발명은 증착 공정, 예컨데 스퍼터링공정 등의 금속막 증착 공정에서 더욱 향상된 효과를 제공한다.This invention provides a further improved effect in a metal film deposition process, such as a deposition process, such as a sputtering process.

그리고, 본 발명의 특정한 실시예가 설명 및 도시되었지만 본 발명이 당업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다.And while certain embodiments of the invention have been described and illustrated, it will be apparent that the invention may be embodied in various modifications by those skilled in the art.

이와 같은 변형된 실시예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안되며 이와 같은 변형된 실시예들은 본 발명의 첨부된 특허청구의 범위안에 속한다 해야 할 것이다.Such modified embodiments should not be understood individually from the technical idea or point of view of the present invention and such modified embodiments should fall within the scope of the appended claims of the present invention.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 제조용 진공 장치에서는 각각의 반송 챔버에 소정의 가스가 유입됨으로써, 반송 챔버 및 프로세스 챔버 사이의 아이솔레이션 밸브가 개방되더라도 프로세스 챔버내의 공정가스가 반송 챔버내로 유실되지 않는다.As described in detail above, in the vacuum apparatus for manufacturing a semiconductor according to the present invention, a predetermined gas is introduced into each of the transfer chambers so that the process gas in the process chamber is not lost into the transfer chamber even when the isolation valve between the transfer chamber and the process chamber is opened. Do not.

또한, 본 발명에서는 반송 챔버의 압력이 높아짐으로써, 외부 대기가 챔버내부로 리크될 위험성이 제거되고 그 결과 향상된 막질 개선 효과를 얻을 수 있다.In addition, in the present invention, by increasing the pressure of the transfer chamber, the risk of leakage of the outside atmosphere into the chamber is eliminated, and as a result, an improved film quality improvement effect can be obtained.

Claims (17)

복수의 반송 챔버 및 프로세스 챔버를 구비한 반도체 제조용 진공 장치에 있어서,In the vacuum apparatus for semiconductor manufacture provided with the some conveyance chamber and the process chamber, 상기 반송 챔버에는 소정의 가스 조절 수단을 통해 가스가 유입됨을 특징으로 하는 반도체 제조용 진공 장치.And a gas flows into the conveyance chamber through a predetermined gas adjusting means. 제 1 항에 있어서, 상기 가스 조절 수단은 상기 가스의 이동경로를 제공하는 공급관과;The gas supply system of claim 1, wherein the gas regulating means comprises: a supply pipe providing a movement path of the gas; 상기 공급관으로부터 공급되는 가스량을 조절하는 유량조절부와;A flow rate control unit which controls the amount of gas supplied from the supply pipe; 상기 유량조절부의 양단에 형성되어 공급되는 가스를 개폐하는 밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 진공 장치.And a valve formed at both ends of the flow rate control unit to open and close a gas to be supplied. 제 2 항에 있어서, 상기 유량조절부는 MFC 임을 특징으로 하는 반도체 제조용 진공 장치.The vacuum apparatus of claim 2, wherein the flow rate control unit is an MFC. 제 1 항에 있어서, 상기 반송 챔버에 유입되는 가스는 상기 프로세스 챔버에 유입되는 가스보다 낮은 압력임을 특징으로 하는 반도체 제조용 진공 장치.The vacuum apparatus of claim 1, wherein the gas flowing into the transfer chamber is at a lower pressure than the gas flowing into the process chamber. 제 1 항에 있어서, 상기 반송 챔버에 유입되는 가스는 상기 프로세스 챔버에 유입되는 가스와 동일한 압력임을 특징으로 하는 반도체 제조용 진공 장치.The vacuum apparatus of claim 1, wherein the gas flowing into the transfer chamber is at the same pressure as the gas flowing into the process chamber. 제 1 항에 있어서, 상기 반송 챔버에 유입되는 가스의 압력은 10-4Torr - 10-2Torr임을 특징으로 하는 반도체 제조용 진공 장치.The vacuum apparatus of claim 1, wherein the pressure of the gas flowing into the transfer chamber is 10 -4 Torr-10 -2 Torr. 제 1 항에 있어서, 상기 반송 챔버에 유입되는 가스의 압력은 10-3Torr 임을 특징으로 하는 반도체 제조용 진공 장치.The vacuum apparatus of claim 1, wherein the pressure of the gas flowing into the transfer chamber is 10 −3 Torr. 제 1 항에 있어서, 상기 반송 챔버에 유입되는 가스량은 상기 프로세스 챔버에 유입되는 가스량과 동일함을 특징으로 하는 반도체 제조용 진공 장치.The vacuum apparatus for manufacturing a semiconductor according to claim 1, wherein an amount of gas flowing into the transfer chamber is equal to an amount of gas flowing into the process chamber. 제 1 항에 있어서, 상기 반송 챔버에 유입되는 가스량은 상기 프로세스 챔버에 유입되는 가스량보다 적음을 특징으로 하는 반도체 제조용 진공 장치.The vacuum apparatus of claim 1, wherein an amount of gas introduced into the transfer chamber is less than an amount of gas introduced into the process chamber. 제 1 항에 있어서, 상기 반송 챔버에 유입되는 가스 및 상기 프로세스 챔버에 유입되는 가스는 동일한 가스임을 특징으로 하는 반도체 제조용 진공 장치.The vacuum apparatus of claim 1, wherein the gas flowing into the transfer chamber and the gas flowing into the process chamber are the same gas. 제 1 항에 있어서, 상기 반송 챔버에 유입되는 가스는 불활성 가스임을 특징으로 하는 반도체 제조용 진공 장치.The vacuum apparatus for manufacturing a semiconductor according to claim 1, wherein the gas introduced into the transfer chamber is an inert gas. 제 11 항에 있어서, 상기 불활성가스는 아르곤 가스임을 특징으로 하는 반도체 제조용 진공 장치.12. The vacuum apparatus of claim 11, wherein the inert gas is argon gas. 제 1 항에 있어서, 상기 반송 챔버에 유입되는 가스는 질소 가스임을 특징으로 하는 반도체 제조용 진공 장치.The vacuum apparatus for manufacturing a semiconductor according to claim 1, wherein the gas flowing into the conveying chamber is nitrogen gas. 제 1 항에 있어서, 상기 반송 챔버에 유입되는 가스의 유속은 상기 프로세스 챔버에 유입되는 가스의 유속과 동일함을 특징으로 하는 반도체 제조용 진공 장치.The vacuum apparatus of claim 1, wherein a flow rate of the gas flowing into the transfer chamber is the same as a flow rate of the gas flowing into the process chamber. 제 1 항에 있어서, 상기 반송 챔버에 유입되는 가스의 유속은 상기 프로세스 챔버에 유입되는 가스의 유속보다 느리게 흐름을 특징으로 하는 반도체 제조용 진공 장치.The vacuum apparatus of claim 1, wherein a flow rate of the gas flowing into the transfer chamber is slower than a flow rate of the gas flowing into the process chamber. 제 2 항에 있어서, 상기 유량조절부는 다수개의 콘트롤러에 의해 제어됨을 특징으로 하는 반도체 제조용 진공 장치.The vacuum apparatus of claim 2, wherein the flow rate controller is controlled by a plurality of controllers. 제 2 항에 있어서, 상기 유량조절부는 하나의 콘트롤러에 의해 제어됨을 특징으로 하는 반도체 제조용 진공 장치.The vacuum apparatus of claim 2, wherein the flow rate controller is controlled by one controller.
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