KR100216988B1

KR100216988B1 - Power module

Info

Publication number: KR100216988B1
Application number: KR1019920018783A
Authority: KR
Inventors: 권홍규; 전기영
Original assignee: 윤종용; 삼성전자주식회사
Priority date: 1992-10-13
Filing date: 1992-10-13
Publication date: 1999-09-01
Anticipated expiration: 2012-10-13
Also published as: KR940010295A

Abstract

파워 트랜지스터등의 반도체 장치가 상부에 탑재되며 배선 패턴이 형성되어 있는 기판과, 상기 배선 패턴과 연결되어 접촉 잭으로 사용되는 단자와 상기 단자가 탑재되는 홀더를 구비하는 파워 모듈에서 상기 단자를 소정지름의 와이어를 절단 절곡하여 형성하고, 상기 홀더를 사각틀채형상으로 형성하고 그 외측벽에 가이드홈을 형성하여 상기 단자를 탑재하였다. 또한 상기 기판의 배선 패턴은 상기 단자가 접속되는 부분이 상기 기판의 주변부에 위치하도록 형성하였다.A predetermined diameter of the terminal is provided in a power module including a substrate on which a semiconductor device such as a power transistor is mounted, and having a wiring pattern formed thereon, a terminal connected to the wiring pattern and used as a contact jack, and a holder on which the terminal is mounted. The wire was cut and formed, the holder was formed in a rectangular frame shape, and a guide groove was formed on the outer wall thereof to mount the terminal. In addition, the wiring pattern of the substrate was formed such that the portion to which the terminal is connected is located at the periphery of the substrate.

따라서, 파워 모듈의 단자의 형성 공정이 간단하며, 상기 단자들이 홀더의 외곽에만 위치하므로 파워 모듈 제조 공정시 홀더의 접착 공정을 다양화할 수 있고, 상기 배선패턴과 단자의 접착의 여부를 육안으로 확인 가능하며 파워 모듈의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Therefore, the process of forming the terminal of the power module is simple, and since the terminals are located only outside the holder, it is possible to diversify the bonding process of the holder during the power module manufacturing process, and visually confirm whether the wiring pattern and the terminal are bonded. It is possible to improve the reliability of the power module.

Description

Power module

제1도는 종래 파워 모듈의 단면도.1 is a cross-sectional view of a conventional power module.

제2도는 제1도의 기판의 평면도.2 is a plan view of the substrate of FIG.

제3도는 제1도의 단자의 정면도.3 is a front view of the terminal of FIG.

제4도는 제1도의 홀더의 평면도.4 is a plan view of the holder of FIG.

제5(a)∼(c)도는 종래 파워 모듈의 기판상에 홀더의 단자를 부착하는 공정도.5 (a) to 5 (c) are process drawings for attaching a terminal of a holder on a substrate of a conventional power module.

제6도는 이 발명에 따른 파워 모듈의 단자의 정면도.6 is a front view of a terminal of a power module according to the present invention.

제7도는 이 발명에 따라 파워 모듈의 단자의 측면도.7 is a side view of a terminal of a power module according to this invention.

제8도는 이 발명에 따른 파워 모듈의 홀더의 사시도.8 is a perspective view of a holder of a power module according to the invention.

제9도는 이 발명에 따른 파워 모듈의 홀더의 평면도.9 is a plan view of a holder of a power module according to the invention.

제10도는 이 발명에 따른 파워 모듈의 개략도이다.10 is a schematic diagram of a power module according to this invention.

이 발명은 파워 모듈에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 파워 트랜지스터등이 탑재되는 파워 모듈의 기판상에 부착되어 상기 기판을 외부와 전기적으로 연결시키는 단자를 와이어로 형성하고 상기 단자가 외측면에 탐재되는 홀더를 형성하여 상기 단자의 제조가 간단하며 파워 모듈의 실장을 용이하게 할 수 있는 파워 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a power module, and more particularly, a terminal formed on the substrate of a power module on which a power transistor or the like is mounted to electrically connect the substrate to the outside, wherein the terminal is interposed on an outer surface thereof. The present invention relates to a power module that can form a holder to simplify the manufacture of the terminal and facilitate mounting of the power module.

최근 반도체 장치의 고집적화, 메모리 용량의 증가, 신호 처리속도 및 소비 전력의 증가, 다기능화 및 고밀도 실장의 요구등이 가속화되는 추세에 따라 반도체 패키지의 중요성이 증가되고 있다. 상기 반도체 장치의 고집적화 및 메모리 용량의 증가로 입출력 단자 수가 증가되어 감에 따라 반도체 장치의 외부와의 접속을 위한 입출력 단자인 리이드의 수가 증가되므로 상기 리이드가 미세 피치(fine pitch)화되고 있다. 또한 상기 반도체 장치의 다기능화에 따라 여러 가지 기능을 갖는 반도체 패키지가 요구되고 있다. 또한 상기 반도체 장치의 고밀도 실장의 요구에 따라 반도체 패키지를 적층하거나, 반도체 소자를 직접 인쇄회로 기판에 실장하는 방법들이 연구 실행되고 있다.In recent years, the importance of semiconductor packages is increasing due to the acceleration of high integration of semiconductor devices, increase of memory capacity, increase of signal processing speed and power consumption, demand for multifunctionalization, and high density mounting. As the number of input / output terminals increases due to the higher integration of the semiconductor device and the increase in memory capacity, the number of leads, which are input / output terminals for connecting to the outside of the semiconductor device, increases, leading to fine pitch. In addition, as the semiconductor devices become more versatile, semiconductor packages having various functions are required. In addition, a method of stacking a semiconductor package or directly mounting a semiconductor device on a printed circuit board has been researched and executed in accordance with a demand for high-density mounting of the semiconductor device.

또한 상기 반도체 장치의 신호 처리 속도 및 소비 전력이 증가되어 감에 따라 반도체 장치에서 다량의 열이 발생되며, 이 열을 발산시키기 위하여 상기 반도체 패키지에 별도의 히트 싱크를 형성하거나, 열전도율이 높은 세라믹등의 재료로 패키지 몸체를 형성한다.In addition, as the signal processing speed and power consumption of the semiconductor device are increased, a large amount of heat is generated in the semiconductor device. In order to dissipate the heat, a separate heat sink is formed in the semiconductor package, or a ceramic having high thermal conductivity is used. Form the package body from the material.

제1도는 종래 파워 모듈의 단면도로서, 세라믹 재질의 기판(11)상에 배선패턴(12)이 형성되어 있으며, 상기 기판(11)의 하부에 열전도성이 뛰어난 금속재질의 히트 싱크(13)가 부착되어 있고, 상기 기판(11) 상부의 소정 부위에 파워 트랜지스터들의 반도체 장치(도시되지 않음)들이 실장되어 있다. 또한 상기 배선패턴(12)의 상부에 단자(16)들이 땜납으로 부착되어 있으며, 상기 단자(16)들은 프라스틱 재질의 홀더(21)에 삽입 고정되어 있다. 또한 상기 기판(11)과 홀더(21)사이의 공간에 몰딩수지가 채워져 있으며, 상기 홀더(21)의 상부에는 프라스틱 재질로 형성된 캡(26)이 씌워져 상기 히트 싱크(13)에 부착되어 있고, 상기 단자(16)들의 상단부가 상기 캡(26)의 상부에 노출되어 있다.FIG. 1 is a cross-sectional view of a conventional power module, in which a wiring pattern 12 is formed on a substrate 11 made of ceramic material, and a metal heat sink 13 having excellent thermal conductivity is formed under the substrate 11. The semiconductor devices (not shown) of the power transistors are mounted on a predetermined portion of the substrate 11. In addition, the terminals 16 are attached to the upper portion of the wiring pattern 12 by solder, and the terminals 16 are inserted into and fixed to the holder 21 made of plastic. In addition, a molding resin is filled in the space between the substrate 11 and the holder 21, and a cap 26 formed of a plastic material is covered on the upper portion of the holder 21 and attached to the heat sink 13. Upper ends of the terminals 16 are exposed on top of the cap 26.

제2도는 제1도의 기판(11)의 평면도로서, 사각형상의 기판(11)의 상부에 Cu 등의 금속재질로 형성된 배선패턴(12)들이 있다. 또한 상기 기판(11)의 소정 부위에 파워 트랜지스터등의 반도체 장치를 실장하기 위한 시트(14)가 형성되어 있으며, 상기 배선패턴(12)과 반도체 장치는 와이어로 본딩되어 진다. 또한 상기 기판(11)의 하부에는 상기 히트싱크(13)와의 접착력을 향상시키기 위하여 금속재질의 박막(도시되지 않음)이 부착되어 있다.FIG. 2 is a plan view of the substrate 11 of FIG. 1, wherein the wiring patterns 12 formed of a metal material such as Cu are formed on the rectangular substrate 11. In addition, a sheet 14 for mounting a semiconductor device such as a power transistor is formed in a predetermined portion of the substrate 11, and the wiring pattern 12 and the semiconductor device are bonded by wires. In addition, a thin film of metal material (not shown) is attached to the lower portion of the substrate 11 to improve adhesion to the heat sink 13.

제3도는 제1도의 단자(16)의 정면도로서, 상기 단자(16)는 Cu, Fe, Ni 및 그 합금등으로 형성된 금속판을 절단 절곡하여 형성된 것으로서, 외부와 연결되는 상단부(17)와, 열팽창을 고려하여 S자 형상으로 절곡되어 상기 기판(11)의 배선패턴(12)에 연결되는 하단부(18)로 구성되어 있다. 또한 일측에 상기 홀더(21)에 탑재되어 이탈을 방지하기 위한 돌기(19)가 절단 절곡되어 형성되어 있으며, 형상은 모두 동일하지만 여러 가지 크기로 형성되어 있고, 상기 홀더(21)를 지지하기 위한 걸림턱(20)이 양측에 돌출되어 있다.3 is a front view of the terminal 16 of FIG. 1, wherein the terminal 16 is formed by cutting and bending a metal plate formed of Cu, Fe, Ni, an alloy thereof, and the like, and an upper end portion 17 connected to the outside and thermal expansion. In consideration of this, the lower end portion 18 is bent into an S shape and connected to the wiring pattern 12 of the substrate 11. In addition, the protrusions 19 are mounted on one side of the holder 21 to prevent separation and are formed by cutting and bending. The shapes are all the same, but are formed in various sizes, and for supporting the holder 21. The locking jaw 20 protrudes on both sides.

제4도는 제1도의 홀더(21)의 평면도로서, 상기 홀더(21)는 소정의 두께를 갖는 사각 형상의 프라스틱 재질로 형성되어 있다. 또한 상기 단자(16)들을 삽입하기 위한 다수개의 서로 다른 크기의 삽입구(22)가 형성되어 있으며, 후에 상기 몰딩 수지를 주입하기 위한 다수개의 주입구(23)가 형성되어 있다.4 is a plan view of the holder 21 of FIG. 1, wherein the holder 21 is formed of a plastic material having a rectangular shape having a predetermined thickness. In addition, a plurality of insertion holes 22 having different sizes for inserting the terminals 16 are formed, and a plurality of injection holes 23 for injecting the molding resin are formed later.

제5(a)∼(c)도는 종래 파워 모듈의 기판(11)상에 홀더(21)에 장착된 단자(16)의 하부를 부착하는 공정도로서 상기 제1도 내지 제4도와 동일한 부분은 동일한 참조부호를 부여하였다.5 (a) to (c) are process drawings for attaching the lower part of the terminal 16 mounted on the holder 21 on the substrate 11 of the conventional power module, and the same parts as those of FIGS. 1 to 4 are the same. Reference numerals have been given.

제5(a)도를 참조하면, 세라믹 재질의 기판(11)의 상부에 형성되어 있는 배선패턴(12)상의 소정 부위에 분배기(24)로 땜납(25)을 도포한다.Referring to FIG. 5 (a), the solder 25 is applied to the predetermined portion on the wiring pattern 12 formed on the ceramic substrate 11 by the distributor 24.

제5(b)도를 참조하면, 상기 단자(16)들이 삽입구(22)에 삽입 고정되어 있는 홀더(21)를 상기 기판(21)의 상부에 가이드 지그(guide zig; 26)로 정열시킨다.Referring to FIG. 5 (b), the holder 21, in which the terminals 16 are inserted and fixed to the insertion hole 22, is aligned with a guide zig 26 on the upper portion of the substrate 21.

제5(c)도를 참조하면, 상기 홀더(21)를 하강시켜 상기 배선패턴(12)상의 땜납(25)과 단자(16)들의 하부를 밀착시킨 후, 상기 기판(11)의 소정의 열을 가하여 상기 땜납(25)을 녹여 배선패턴(12)과 단자(16)를 납땜한다. 그다음 상기 납땜 공정시 상기 기판(11)상에 잔류하는 프럭스(flux) 성분의 잔류물을 제거하기 위하여 CFC 계열의 용체를 사용하여 세척한다.Referring to FIG. 5C, after the holder 21 is lowered to bring the solder 25 on the wiring pattern 12 into close contact with the lower portions of the terminals 16, a predetermined row of the substrate 11 is applied. Is applied to melt the solder 25 to solder the wiring pattern 12 and the terminal 16. Then, the CFC-based solution is washed to remove residues of flux components remaining on the substrate 11 during the soldering process.

상술한 종래의 파워 모듈의 기판과 단자의 접착 공정은 기판의 중앙 부분에도 단자가 접착되어 있으므로 땜납 도포, 홀더와 기판의 정열 및 납땜 공정을 순서에 따라 진행하여야 하고, 상기의 공정이 모두 필요하므로 파워 모듈의 제조 공정이 복잡한 문제점이 있다.Since the terminal is bonded to the center portion of the substrate in the above-described conventional power module bonding process, the solder coating, the alignment of the holder and the substrate, and the soldering process must be performed in order, and all of the above processes are necessary. The manufacturing process of the power module has a complicated problem.

또한 상기 종래의 파워 모듈의 기판의 중앙부분에도 단자가 접착되어 있으므로 파워 모듈을 제조한 후에 육안으로 접착의 신뢰성을 확인할 수 없으며, 상기 단자의 제조 공정이 복잡한 문제점이 있다.In addition, since the terminal is bonded to the central portion of the substrate of the conventional power module, the reliability of the adhesion cannot be confirmed with the naked eye after the power module is manufactured, and the manufacturing process of the terminal is complicated.

따라서 이 발명의 목적은 파워 모듈에서 반도체 장치가 실장되어 있는 기판의 배선 패턴과, 외부와의 연결을 위한 단자를 접착시키는 공정을 다양화 할 수 있는 파워 모듈의 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a power module capable of diversifying a process of bonding a wiring pattern of a substrate on which a semiconductor device is mounted and a terminal for connection to the outside in a power module.

또한 이 발명의 다른 목적은 상기 단자의 합과 배선패턴의 접촉 여부를 직접 확인할 수 있으며, 단자의 제조 공정이 간단한 파워 모듈을 제공함에 있다.In addition, another object of the present invention is to directly determine whether the sum of the terminals and the wiring pattern is in contact, and to provide a power module with a simple manufacturing process of the terminal.

상기와 같은 목적들을 달성하기 위하여 이 발명은 상부에 반도체 장치들이 탑재되고 배선 패턴이 형성되어 있는 기판과, 상기 배선패턴 상에 접착되어 외부로 돌출되는 단자들과, 상기 단자들이 탑재되는 홀더와, 상기 기판의 하부에 장착되는 히트싱크를 구비하는 파워 모듈에 있어서, 상기 배선패턴의 단자와 연결되는 부분들이 주변부에 형성되어 있는 기판과, 소정지름의 와이어를 굴곡하여 형성되어 있으며 외부와 연결되는 상단부와 상기 배선패턴상에 탑재되는 하단부와 홀더에 탑재되는 중단부로 구성되어 있는 단자와, 틀체 형상의 외부 둘레에 상기 단자를 탑재하기 위한 탑재부가 형성되어 있는 홀더를 구비하는 파워 모듈을 특징으로 한다.In order to achieve the above objects, the present invention provides a substrate on which semiconductor devices are mounted and a wiring pattern is formed, terminals bonded to the wiring pattern to protrude outwards, a holder on which the terminals are mounted, In the power module having a heat sink mounted to the lower portion of the substrate, the substrate is connected to the terminal of the wiring pattern is formed on the periphery and the upper end portion formed by bending a wire of a predetermined diameter and connected to the outside And a terminal comprising a lower end mounted on the wiring pattern and a stop part mounted on the holder, and a holder having a mounting portion for mounting the terminal on an outer periphery of the frame shape.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 이 발명에 따른 파워 모듈을 상세히 설명한다.Hereinafter, a power module according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제6도 및 제7도는 이 발명에 따른 파워 모듈의 단자의 정면도 및 측면도로서, 상기 단자(30)는 Cu, Ni, Fe 또는 그 합금으로 된 소정 지름의 와이어를 절단-굴곡하여 형성되어 있으며, 상단부(31)와 중단부(32) 및 하단부(33)로 구성되어 있다. 이때 상기 단자(30)의 지름은 상기 홀더(36)를 지지하고 파워 모듈의 제조 공정중 변형되지 않는 정도의 크기로 한다. 상기 상단부(31)는 파워 모듈의 외부로 돌출되는 부분으로 그 선단은 전원들과의 연결을 위한 접속 잭으로 되어 있으며, 상기 중단부(32)는 제8도의 홀더(36)에 탑재되는 부분으로 절연 코팅 처리되어 있고, 상기 하단부(33)는 상기 홀더(36)의 하부에서 상기 배선패턴 상에 접착되는 부분으로서 열팽창을 고려하여 S자 형상으로 굴곡되어 있고 배선 패턴과 접착되는 이외의 부분은 절연코팅되어 있다. 또한 상기 단자(30)의 상단부(31)와 중단부(32) 및 중단부(32)와 하단부(33)의 사이에는 각각 홀더(36)를 지지하기 위한 턱이 형성되어 있다.6 and 7 are front and side views of a terminal of the power module according to the present invention, wherein the terminal 30 is formed by cutting and bending a wire having a predetermined diameter of Cu, Ni, Fe, or an alloy thereof. And an upper end 31, a stop 32, and a lower end 33. In this case, the diameter of the terminal 30 is such that the holder 36 is supported and does not deform during the manufacturing process of the power module. The upper end portion 31 is a part protruding to the outside of the power module, the front end is a connection jack for connecting to the power supply, the stop 32 is a portion mounted to the holder 36 of FIG. The lower end part 33 is bent on the wiring pattern at the lower part of the holder 36, and is bent in an S shape in consideration of thermal expansion. Coated. In addition, a jaw for supporting the holder 36 is formed between the upper end 31 and the stop 32, and the stop 32 and the lower end 33 of the terminal 30, respectively.

제8도 및 제9도는 이 발명에 따른 파워 모듈의 홀더(36)를 도시한 도면으로서, 사각 틀체 형상의 프라스틱 재질로 형성되어 있다. 또한 상기 외측면에 상기 단자(30)들의 중단부(32)와 접착하기 위한 다수개의 가이드홈(37)이 반원 형상으로 형성되어 있으며, 상기 가이드홈(37)에는 상기 단자(30)의 중단부(32)가 접착제 등으로 접착된다. 이때 상기 가이드홈(37)은 반원 형상이 아니라 상기 단자(30)의 지름과 같거나 조금 큰 정도 크기의 관통구로 형성되어 상기 와이어 형상의 단자(30)가 삽입고정될 수도 있다.8 and 9 show the holder 36 of the power module according to the present invention, which is formed of a plastic material having a rectangular frame shape. In addition, a plurality of guide grooves 37 for adhering to the stop portions 32 of the terminals 30 are formed in a semi-circular shape on the outer surface, and the stop portions of the terminals 30 are formed in the guide grooves 37. 32 is bonded by an adhesive or the like. In this case, the guide groove 37 is not a semi-circular shape, but is formed as a through hole having a size equal to or slightly larger than the diameter of the terminal 30, and the wire-shaped terminal 30 may be inserted and fixed.

제10도는 이 발명에 따른 파워 모듈의 개략도로서, 캡을 장착하기 전의 파워 모듈을 도시한 도면이다. 상기 단자(30)들을 외측벽에 형성되어 있는 가이드홈(37)에 장착한 홀더(36)가 배선패턴(41)이 형성되어 있는 세라믹 재질의 기판(42)상에 탑재되어 있다. 이때 상기 기판(42)의 상부에는 파워 트랜지스터등의 반도체 장치(도시되지 않음)들이 탑재되어 있으며, 상기 단자(30)의 하단부(33)와 연결되는 배선패턴(31)의 접착부분은 상기 기판(42)의 주변부에만 형성되어 있다. 따라서 상기 단자(30)와 배선 패턴(31)을 연결한 후, 육안으로 직접 접착여부를 확인할 수 있다. 또한 상기 기판(42)과 홀더(30)사이의 공간은 몰딩수지로 몰딩된다.10 is a schematic diagram of a power module according to the present invention, showing a power module before mounting a cap. A holder 36 having the terminals 30 mounted in the guide groove 37 formed on the outer wall is mounted on the ceramic substrate 42 having the wiring pattern 41 formed thereon. At this time, a semiconductor device (not shown) such as a power transistor is mounted on the substrate 42, and the adhesive portion of the wiring pattern 31 connected to the lower end 33 of the terminal 30 is formed on the substrate ( It is formed only at the periphery of 42). Therefore, after connecting the terminal 30 and the wiring pattern 31, it can be directly confirmed whether the adhesion. In addition, the space between the substrate 42 and the holder 30 is molded with a molding resin.

상술한 바와 같이 이 발명은 파워 트랜지스터 등의 반도체 장치가 상부에 탑재되며 배선 패턴이 형성되어 있는 기판과, 상기 배선 패턴과 연결되어 접촉잭으로 사용되는 단자와 상기 단자가 탑재되는 홀더를 구비하는 파워 모듈에서, 상기 단자를 소정지름의 와이어를 절단 절곡하여 형성하고, 상기 홀더를 사각틀채형상으로 형성하고 그 외측벽에 가이드홈을 형성하여 상기 단자를 탑재하였다. 또한 상기 기판의 배선 패턴은 상기 단자가 접속되는 부분이 상기 기판의 주변부에 위치하도록 형성하였다.As described above, the present invention provides a power supply having a substrate having a semiconductor device such as a power transistor mounted thereon and having a wiring pattern formed thereon, a terminal connected to the wiring pattern used as a contact jack, and a holder on which the terminal is mounted. In the module, the terminal was formed by cutting and bending a wire having a predetermined diameter, and the holder was formed in a rectangular frame shape and a guide groove was formed on the outer wall to mount the terminal. In addition, the wiring pattern of the substrate was formed such that the portion to which the terminal is connected is located at the periphery of the substrate.

따라서 이 발명은 파워 모듈의 단자의 형상이 간단하며, 상기 단자들이 홀더의 외곽에만 위치하므로 파워 모듈 제조 공정시 홀더의 접착 공정을 다양화할 수 있으며, 상기 배선패턴과 단자의 접착 여부를 육안으로 확인 가능하여 파워 모듈의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.Therefore, in the present invention, the shape of the terminal of the power module is simple, and since the terminals are located only at the outer side of the holder, it is possible to diversify the bonding process of the holder during the power module manufacturing process, and visually confirm whether the wiring pattern and the terminal are bonded. This has the advantage of improving the reliability of the power module.

Claims

A substrate on which semiconductor devices are mounted and a wiring pattern is formed, terminals bonded to the wiring pattern to protrude to the outside, a holder on which the terminals are mounted, and a heat sink mounted on the bottom of the substrate A power module comprising: a substrate in which portions connected to a terminal of the wiring pattern are formed at a periphery thereof, a wire having a predetermined diameter is bent, an upper end connected to the outside, and a lower end and a holder mounted on the wiring pattern A power module having a terminal comprising a stopping portion mounted on the holder and a holder having a mounting portion for mounting the terminal on an outer circumference of the frame shape.

The power module of claim 1, wherein the substrate is formed of a ceramic material.

The power module of claim 1, wherein the terminal is large enough to support the holder.

A power module according to claim 1, wherein said terminal is formed of a conductive material arbitrarily selected from the group consisting of Cu, Ni, Fe, and alloys thereof.

The power module according to claim 1, wherein portions other than the upper end portion of the terminal and the portion bonded to the wiring pattern are insulated.

The power module according to claim 1, wherein the lower end of the terminal is bent in an S shape in consideration of thermal expansion.

The power module according to claim 1, wherein the mounting portion of the holder is formed of a semicircular groove.

The power module according to claim 1, wherein the terminal is mounted by adhesive bonding to a mounting portion of the holder.

The power module according to claim 1, wherein the mounting portion of the holder is formed of a through hole having a diameter equal to or larger than the diameter of the terminal.