KR100213402B1 - 전극배선재료 및 이를 이용한 전극배선기판 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전극 배선재료 및 이것을 이용한 전극배선 기판에 관한 것으로서, M o 및 W로 부터 선택된 적어도 1종류를 주성분으로 하고, 0.0003 원자%~ 5원자%의 Ar, 0.0003원자%~3원자%의 Kr 및 0.0003원자%~3원자%의 Xe로 이루어진 그룹으로부터 선택된 첨가 원소를 포함하고, 유리 기판상에 전극 배선이 형성되어 이루어진 전극 배선 기판에 있어서, 상기 전극 배선이 Mo및 W중에서 선택된 적어도 1종류의 금속으로 구성되어 있으며, 상기 전극 배선에 있어서 재료의 벌크 상태 격자정수에 대한 상기 재료의 격자장수 비율이 ±3%이고 충분히 낮은 저항률을 가지며 취급이 용이한 것을 특징으로 한다.
Description
제1도는 응력 저항률, 막박리율 및 막중의 Ar함유량과의 관계를 나타낸 특성도.
제2도는 응력, 저항률 및 막박리율과, 막중의 Kr함유량과의 관계를 나타낸 특성도.
제3도는 저항률과 Mo 함유량과의 관계를 나타낸 특성도.
제4도는 X선으로 측정된 격자지수와 Mo함유량과의 관계를 나타낸 특성도.
제5도는 저항률과 막전력과의 관계를 나타낸 특성도.
제6도는 저항률과 가스압과의 관계를 나타낸 특성도.
제7도는 저항률과 완성막 전력과의 관계를 나타낸 특성도.
제8도는 저항률과 가스압과의 관계를 나타낸 특성도.
제9도는 제10도의 IX-IX선을 따른 단면도.
제10도는 본 발명의 전극배선재료를 사용한 액정표시장치의 구동회로기판을 나타낸 평면도.
제11도는 MoW합금의 에칭속도와 W함유량과의 관계를 나타낸 특성도.
제12도는 MoTi 합금의 에칭속도와 W함유량과의 관계를 나타낸 특성도.
제13도는 본 발명의 전극배선재료를 사용한 액정표시장치의 액정 구동회로기판의 다른 예를 나타낸 단면도.
제14도는 본 발명의 전극 배선재료를 사용한 액정표시장치의 액정 구동회로기판의 다른 예를 나타낸 단면도.
제15도는 본 발명의 전극배선재료를 사용한 반도체장치의 회로기판을 나타낸 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 어드레스선 2 : 신호선
3, 30, 46, 106, 116 : 소스드레인전극 4 : 반도체막
5, 7 , 19 : 절연막 6 : 화소전극
8 : 칼라필터 10 : 유리기판
11 : 대향전극 12 : 액정층
13 : 어드레스전극밴드 14 : 접촉구멍
15 : 어드레스 전극 16 : 액정재료
17 : TFT 9, 18 : 블랙매트릭스
20 : 대향기판 21, 110 : 액정구동회로기판
40 : 실리콘 질화막 41 : 단결정기판
42, 102, 112 : 게이트전극 47 : 필트산화막
103, 104 : 다결정 Si 1071, 1173: 층간 절연막
1073: 게이트산화막 1122: Cs배선
114 : 비결정 Si활성층 115 : n+비정질 Si층
206, 216 : 화소전극
본 발명은 전극배선재료 및 이를 이용한 전극배선기판에 관한 것이다.
최근 비정질실리콘(이하 a-Si라 약칭함)막을 사용해서 형성된 박막트렌지스터(이하,TFT라 약칭함)를 스위칭소자로서 구성된 액티브매트릭스령 액정표시장치가 면적이 크고, 정밀도가 높으며 , 고화질 또는 저렴한 패널디스플레이를 실현할 수 있을 것으로 기대되고 있다.
면적이 큰 패널디스플레이를 구성하는 경우 필연적으로 어드레스배선의 총연장이 비약적으로증가하기 때문에 어드레스배선이 가지는 저항분이 증가하고 스위칭소자에 부여되는 게이트펄수 어드레스배선의 저항분에 기인하는 지연이 현자하게 나타나고 액정의 정상적인 제어가 불가능하게 된다는 문제가 있다. 따라서, 어드레스배선 등의 배선재료로서는 저항률이 충분히 낮은 재료를 사용할 필요가 있다. 현제로서는 이러한 저항이 낮은 배선과 전극의 재료로서 알루미늄(Al)이 사용되고 있다.
그러나 전극배선재료로서 Al을 사용한 경우에는 형성된 전극이나 배선에 열처리과정이나 산화처리과정에서 발생하는 돌기형상을 것으로 수 ㎛정도나 되고 단선이나 다층배선간의 단락의 원인이 되는 현상(hillock)이나 열처리과정이나 산화처리 과정에서 발생하는 상기 현상이나 무전위 결정을 위해 발생하는 결함의 집결체가 소용돌이형상의 결함분포가 되는 현상이 발생되는 경우가 있다. 또한 Al은 내식성이 나쁘다는 결점이 있다. 따라서 상기 문제를 가지는 Al을 전기배선재로서 사용해서 각종 소자를 형성한 전극배선기판을 제작해도 신뢰성이 높은 소자를 얻을 수 있다. 이와 같이 Al은 전극이나 배선의 형성과정에 있어서 여러가지의 제약을 받는 재료이고 바람직한 전극배선재료는 아니다.
본 발명은 이러한 점에 감안해서 만들어진 것으로 충분히 낮은 저항률을 가지고 또한 취급이 용이한 전극배선재료를 제공하는 것, 및 이 전극 배선재료를 사용한 신뢰성이 높은 전극배선기판을 제공하는것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1발명은 Mo 및 W로 부터 선택된 적어도 한가지 종류를 주성분으로 하고 0.0003원자%~5원자%의 Ar, 0.0003원자%~5원자%의 Ar, 0.0003원자%~ 3원자%의 Xe로 이루어진 그룹으로 부터 선택된 첨가원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극배선재료를 제공한다.
본 발명의 제2발명은 유리기판상에 전극배선이 형성되어 있는 전극배선기재에 있어서 상기 전극배선이 Mo및 W로 부터 선택된 적어도 한가지 종류의 금속으로 구성되어 있고 상기 전극배선에 대한 재료의 벌크상태의 격자정수에 대한 상기 재료의 격자정수 비율이 ±3%이내인 것을 특징으로 하는 전극배선기판을 제공한다.
또한 본 발명의 제2발명은 유리기판상에 전극배선이 형성되어 이루어지는 전극배선기판에 있어서, 상기 전극배선이 W또는 W와Mo 및 Cr으로부터 선택된 적어도 한가지 종류의 금속으로 구성되어 있고 상기 전극배선에 대한 재료의 벌크상태의 격자정수에 대한 상기 재료의 격자정수의 비율이 ±3%이내인 것을 특징으로 하는 전극배선기판을 제공한다.
제1발명에 있어서 주성분 금속에 첨가하는 Ar은 0.0003원자%~5원자%로 설정한다. 또한 주성분금속에 첨가하는 Kr은 0.0003원자%~3원자%로 설정한다. 또한 주성분 금속에 첨가하는 Xe는 0.0003원자%~3원자%로 설정한다. 이것은 각각의 원자의 첨가량의 하한치 미만이면 공업적으로 막형성이 어렵게 되고 상한치를 넘으면 얻어진 막의 저항률이 급격하게 높아지기 때문이다. 보다 바람직한 Ar의 첨가량은 0.0001원자%~1원자% 이다. 보다 바람직한 Kr의 첨가량은 0.0003원자%~1원자%이고, 특히 바람직한 Kr의 첨가량은 0.0003원자%~1원자%이다. 보다 바람직한 Xe의 첨가량은 0.0001원자%~1원자% 이다.
제2발명에 있어서 전극배선이 스퍼터링법에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 이것에 의해 높은 부착력을 가지는 막을 면적이 큰 기판상에 막을 이룰수 있다.
제1발명 및 제2발명에 있어서는 주성분에 Ti가 첨가되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해 부착력을 향상시키고 또한 내산성을 향상할 수 있다.
제1발명 및 제2발명에 있어서 주성분 금속이 Mo 및 W로 부터 선택된 적어도 1종의 금속인 경우, W혹은 Mo의 함유율이 10원자%~95원자%인 것이 바람직하다. 이것은 W혹은 Mo의 함유율이10원자%~95원자%의 범위내이면 낮은 저항률을 가지는 막이 얻어진 스퍼터링조건의 마진이 넓게 되기 때문이다. 본 발명의 전극 배선기판으로서는 액정표시장치나 반도체 장치를 형성한 기판 등을 얻을 수 있다.
본 발명에 이러한 전극배선재료는 예를 들면 종래의 전극배선재료인 W과 Mo 등과는 달리 재료중에 소정의 함유율이 Ar, Xe 또는 Kr을 포함하는 것을 특징으로하고 있다. 이것에 의해 충분하게 낮은 저항률을 나타냄과 동시에 Al 등에 비해 우수한 내식성을 확보할 수 있다. 이와 같은 전극 배선재료를 사용해서 전극배선은 예를 들면 Ar,Kr,Xe등의 가스분위기중에서 스퍼터링에 의해 막을 이룸으로써 형성할 수 있다. 이경우 스퍼터링장치의 파워, 압력 등의 각종 막을 이루는 조건을 조정하는 것이 필요하게 된다.
그중에서도 Kr,Xe는 Ar에 비해 원자량이 충분히 크고 막완성시 높은 에너지를 부여할 수 있다. 이 때문에 양호한 결정구조를 가지는 막을 형성할 수 있고 저항률을 감소시킬 수 있다. 이와 같이 양호한 결정구조를 가지는 막을 형성할 수 있기 때문에 그 막을 구성하는 재료의 격자정수를 그 재료의 벌크상태에 대한 격자정수와 거의 동일하게 설정하는 것도 가능하게 된다. 여기서 격자정수가 거의 동일하다는 것은 재료의 벌크상태에 있어서 격자정수에 대한 막을 구성하는 재료의 격자정수의 비율이 ±3%이내, 바람직하게는 ±1%이내인 것을 의미한다.
본 발명의 전극배선재료를 사용해서 전극배선을 형성하는 경우, 주로 Mo나 W를 단상으로 형성해도 좋지만 이들의 합금이나 Cr등의 고융점 금속과 함께 막을 완성해도 좋다. 이와같이 합금화함으로써 전극배선을 보다 낮은 저항이 되도록 만들 수 있다.
다음으로 본 발명자들에 의한 실험결과에 따라 본 발명을 상세하게 설명한다. 우선 , 본 발명에 이러한 전극배선재료를 사용해서 막을 이룬 전극막 중의 Kr, Xe, Ar의 함유량과 전극막에 부여하는 영향과의 관계에 대해 설명한다.
단일웨이퍼처리(single wafer processing;웨이퍼를 한장씩 처리하는 방법) 로드-록 메카니즘(load-lock mechanism; 처리실, 진공예비실간의 밸브를 포함한 개폐동작기구) 스퍼터링 장착을 사용하고 막을 이루기 전의 가판온도를 200℃, 막전력을 10kw, 전극간 거리를 5cm로 각각 설정하고 Ar가스압 0.9pa의 분위기중에 있어서 유리기판상에 65원자%의 Mo를 포함하는 MoW를 퇴적시켜 박막 300nm의 MoW 함유량 (시료1)을 형성했다. 또한 이 시료 1의 막중의 Ar함유량을 형광 X선 장치 RIX-1000(리가쿠 전기 공업사제, 상품명)에 의해 측정한 바 0.3원자%였다. 또한 이 시료 1의 저항률을 측정한 바 17μΩ.㎝였다.
또한, 단일웨이퍼처리 로드-록 메카니즘 스퍼터링장착을 사용하고 막을 완성하기 전의 기판온도를 200℃, 막전력을 0kw, 전극간 거리를 5cm로 각각 설정하고 Kr가스압 0.6pa의 분위기 중에 있어서 유리기판상에 65원자%의 Mo를 포함하는 MoW를 퇴적시키고 막두께 300nm의 MoW 함금막(시료2)를 형성했다. 또한 이 시료 2의 막중의 Kr함유량을 형광 X선 장치 SYSTEM 3271(리가쿠 전기공업사제, 상품명)에 의해 측정한 바, 0.0003원자%이하였다. 또한 이 시료 2의 저항률을 측정한 바 12μΩ.㎝이였다. 또한, 경사입사성분이 많은 스퍼터링장치를 사용하고 막을 완성하기 전의 기판온도를 30℃, 막전력을 1kw, 전극간의 거리를 10㎝에 각각 설정하고 Kr가스압 0.5pa의 분위기중에 있어서 유리기판상에 65원자%의 Mo를 포함하는 MoW를 퇴적시키고 막두께 300nm의 MoW합금막(시료 3)을 형성햇다. 또한 이 시료 3의 막중의 Ar함유량은 20원자%였다. 또한 이 시료 3의 저항률을 측정한 바 50μΩ.㎝였다.
또한, 단일웨이퍼처리 로드-록 메카니즘 스퍼터링장착을 사용하고 막을 이루기 전의 성막전의 기판온도를 200℃, 막전력을 10kw, 전극간의 거리를 5㎝에 각각 설정하고 Ar가스압 0.9pa의 분위기중에 있어서 유리기판상에 30원자%의 Mo를 포함하는 MoW를 퇴적시키고 막두께 300nm의 MoW합금막(시료 4)을 형성햇다. 또한 이 시료 4의 막중의 Ar함유량은 3원자%였다. 또한 이 시료 4의 저항률을 측정한 바 25 μΩ.㎝이었다. 또한, 단일웨이퍼처리 로드-록 메카니즘 스퍼터링장착을 사용하고 성막전의 기판온도를 200℃, 막전력을 10kw, 전극간의 거리를 5㎝에 각각 설정하고 Kr가스압 0.6pa의 분위기중에 있어서 유리기판상에 30원자%의 Mo를 포함하는 MoW를 퇴적시키고 막두께 300nm의 MoW합금막(시료 5)을 형성했다. 또한 이 시료 5의 막중의 Kr함유량은 0.001원자%였다. 또한, 이 시료 5의 저항률을 측정한 바 13 μΩ.㎝이였다.
또한 본 발명자들의 연구 결과, 막중에 Ar의 함유량이 5원자%를 넘으면 저항률이 증대한다는 것을 알았다. 이 경향을 Xe 혹은 Kr에 대해서도 대략 동일하고, 막중에 있어서 Xe 또는 Kr의 함유량이 3원자%를 넘으면 저향률이 증가햇다. 또한 막중에 있어서 Mo나 W의 함유량이 10원자 5~95원자%의 범위외이면 상기와 같은 저항률이 증대했다.
이와같이 저항률을 고려할 경우 재료중에 있어서 Ar의 첨가량은 5원자%이하, Kr의 첨가량은 3원자%이하, Xe의 첨가량은 3원자%이하인 것이 바람직하다는 것을 알았다. 한편, Ar, Kr 및 Xe의 첨가량은 0.0003원자%보다 적은 경우에는 막을 이룰 때에 막전력을 줄이고 스퍼터링 속도를 충분히 지연시킬 필요가 있다. 또한 막을 이룬 후에 막구성재료를 재결정화시킬 필요가 있다. 따라서 Ar, Kr 및 Xe의 첨가량이 0.0003원자%보다 적은 경우 공업적으로는 완전히 적당하지 않다는 것을 알았다.
또한 본 발명자들은 상기 단일웨이퍼처리 로드-록 메카니즘의 스퍼터링 장치를 사용하고 유리기판상에 65원자%의 Moㄹ를 포함하는 MoW를 퇴적시키고 막두께 300nm의 MoW합금막을 성막조건을 변화시켜 형성하고 막중에 있어서 Ar함유량이 다른 MoW합금막을 얻었다. 이 결과 예를 들면 막전력을 증시시킴으로써 Ar함유량이 많은 MoW합금막을 얻을 수 있고 막전력을 적게함으로써 역시 Ar함유량이 많은 MoW합금막을 얻을 수 있다.
제1도는 응력, 저항률 및 막박리율과, 막중의 Ar함유량과의 관계를 나타낸 특성도이다. 응력 및 저항률의 점에 있어서는 Ar의 함유량이 0.0003원자%~ 5원자%의 범위내에서 뛰어난 특성을 나타내고 있음을 알 수 있다. 또한 막박리율에 대해 살펴보면 Ar함유량이 0.4원자%보다 적은 영역에서 증대하는 경향이 있다. 따라서 특히 막의 밀착성을 증시하는 용도에 있어서는 바람직하게는 Ar함유량을 0.4원자%~ 5원자%의 범위내에서 설정하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명자들은 상기한 단일웨이퍼처리 로드-록 메카니즘의 스퍼터링 장치를 사용하고 유리기판상에 65원자%의 Mo를 포함하는 MoW를 퇴적시키고 막두께 400nm의 MoW합금막을 막완성조건을 변화시켜 형성하여, 막중에 있어서 Kr함유량이 다른 MoW합금막을 얻었다.
제2도는 응력, 저항률 및 막박리율과, 막중의 Kr함유량과의 관계를 나타낸 특성도이다. 응력, 저항률, 및 막박리율의 어느 한쪽에 있어서도 Kr의 함유량이 0.0003원자%~ 3원자%의 범위내에서 뛰어난 특성을 나타내고 있음을 알았다. 또한 다른 스퍼터링장치를 사용해서 Kr을 포함하는 MoW합금막을 형성하는 경우, Kr함유량의 증대에 따라 응력은 단순 감소하지 않고 변동히기 때문에 응력에 대한 장치의존성이 강하다는 것을 알았다.
이상의 사실로부터, 본 발명의 전극배선재료에 있어서는 0.0003원자%~ 5원자%의 Ar, 0.0003원자%~3원자%의 Kr 및 0.0003원자%~ 3원자%의 Xe으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 첨가원소를 포함하도록 설정한다. 이들 첨가원소는 전극배선재료의 주성분인 금속에 단독으로 혼입되어 있다도 좋고 혼합해서 혼입되어도 좋다. 첨가원소를 혼합해서 혼입하는 경우, 막의 특성은 대략 개개의 첨가원소 첨가에 의한 막의 특성변화가 가산된 특성이 된다.
다음으로 저항률의 완성막가스의존성 및 조성의존성에 대해 제3도를 참조해서 설명한다. 제3도는 Mo함유량과의 관계를 나타낸 특성도이다. 시료는 소형의 단일웨이퍼처리 로드-록 메카니즘의 스퍼터링장치를 사용하고 막을 완성하기 전의 기판온도를 150℃, 완성막 전력을 2kw, 전극간의 거리를 5.5㎝에 각각 설정하고 Ar,Kr,Xe의 가스압 0.5pa의 분위기중에 있어서 유리기판상에 막 300nm로 퇴적시킨 것이다. 또한 각 막중에 있어서 Ar,Kr,Xe의 함유량은 모두 본 발명의 범위내였다.
제3도에서 알 수 있는 바와 같이 Mo의 함유량이 많은 쪽이 보다 저항률을 저감시킬 수 있다. 특히, Ar분위기중의 막에 있어서는 Mo단상으로 구성하는 쪽이 저항률을 저감시킬 수 있다. 또한 Xe, Kr분위기중에 막에 있어서는 Mo가 90원자%이하, 또한 80원자%이하의 범위내에 낮은 저항률의 것을 얻을 수 있고 양호한 결과가 얻어졌다. 또한 특히 Ar분위기중보다, Xe 또는 Kr분위기, 특히 Kr분위기중에 있어서 성막하는 것이 바람직하다는 것도 알 수 있다.
제4도는 X선에 의해 측정된 격자정수와 Mo함유량과의 관계를 나타낸 특성도이다. 제4도에서 나타낸 바와 같이 Ar분위기중보다 Xe 또는 Kr분위기, 특히 Kr분위기중에서 막을 이룸으로써 격자정수가 벌크현상의 격자정수에 의해 가깝게 되고 결정성이 양호해 진다. 이것은 Kr, Xe가 Ar에 비해 원자량이 충분히 크고 막완성시 높은 에너지를 부여할 수 있기 때문이라고 생각된다. 이에 따라 낮은 저항화가 달성된다. 실제로 벌크상태의 격저정수와의 차가 1.03배 이내, 바람직하게는 1.01배 이내의 완성막은 낮은 저항률을 가지는 것이었다.
다음으로 막의 특성에 대한 막완성조건의 의존성에 대해 제5도 ~제8도를 참조해서 설명한다. 제5도는 저항률과 완성막 전력과의 관계를 나타낸 특성도이고, 가스압 0.9pa의 분위기중에 있어서 저항률의 막전력 의존성을 나타내고 있다. 제6도는 저항률과 가스압과의 관계를 나타낸 특성도이고 막전력 10kw에 대한 저항률의 가스압 의존성을 나타내고 있다. 제5도 및 제6도에 있어서 시료는 상기한 단일웨이퍼처리 로드-록 메카니즘의 스퍼터링 장치를 사용하고 막완성전의 기판온도를 200℃, 전극간의 거리를 5㎝에 각각 설정하고 Ar 및 Kr의 각각의 분위기중에 있어서 유리기판상에 65원자%의 Mo를 포함하는 MoW합금막을 막두께 400nm로 형성한 것이다.
또한 제6도는 저항률과 막전력와의 관계를 나타낸 특성도이고, 가스압 0.75pa에 대한 저항률의 막전력 의존성을 나타내고 있고, 제8도는 저항률과 가스압과의 관계를 나타낸 특성도이고, 막전력 2kw에 대한 저항률의 가스압 의존성을 나타내고 있다. 제7도 및 제8도에 있어서 성막은 상기한 것과 다른 소형의 단일웨이퍼처리 스퍼터링장치를 사용하고 막완성 전의 기판온도를 150℃, 전극간의 거리를 5.5㎝에 각각 설정하고 Ar 및 Kr의 각각의 분위기중에 있어서 유리기판상에 65원자%의 Mo를 포함하는 MoW합금막을 완성막 300nm로 형성한 것이다.
상기한 실험결과로부터 알 수 있는 바와 같이 Ar분위기중에 있어서 완성막은 비교적 막전력을 작게, 또한 가스압을 높게 설정함으로써 낮은 저항화가 달성된다. 또한 Kr과 Xe분위기중의 막에 있어서는 장치의존성이 있고 또한 저항률을 극소로 하기 위한 최적조건이 존재한다. 또한 막두께와 저항률과의 관계에 대해 조사한 바 막두께 30nm까지는 약간 저항률이 높아졌지만 막두께 30nm를 넘으면 막질이 안정되고 일정한 저항률을 나타낸 것을 알수 있다.
이하 본 발명의 실시예를 도면을 참조하면서 구체적으로 설명한다.
[실시예 1]
제10도는 본 발명의 전극배선재료를 사용한 액정표시장치의 구동회로기판(전극배선기판)을 나타낸 평면도이다. 제9도는 제10도의 IX-IX선에 따른 단면도이다.
또한, 제10도에 있어서는 전극선 및 전극으로서 밴드만을 나타낸다. 또한 여기서 사용되는 TFT 및 축적용량부분의 구성 및 그 과정을 중심으로 설명한다.
우선 제9도중 101·102는 유리기판을 나타낸다. 이 유리기판101상에는 하측의 블랙매트릭스(18)가 형성되어 있고 블랙매트릭스(18) 상에는 절연막(19)이 형성되어 있다. 절연막(19)상에는 어드레스배선(게이트전극과 일체로 형성되어 있음)으로부터 뻗어나와 이루어지는 Mo-W합금의 게이트 전극(1)이 형성되어 있다. 게이트전극(1)상에는 절연막(7)을 통해 반도체층(4), 스토퍼절연막(5)이 형성되어 있고 각각 패터닝되어 있다.
이 게이트 전극(1)은 다음과 같이 하여 형성한다. 우선, 유리 기판(101)을 단일웨이퍼처리 로드-록 메카니즘 스퍼터링 장치내에 얹어 설치하고, 막형성전의 기판 온도를 150℃, 막 전력을 10kw, 전극간 거리를 5㎝로 각각 설정하고, Kr가스압 0.5pa의 분위기중에 있어서 MoW합금 타겟트를 이용하여 스퍼터링을 실시하고, 65원자%의 Mo를 포함하는 MoW 유리기판(101)상에 퇴적시켜 두께 300nm의 MoW합금막을 형성했다. 또한, 이 막속의 Kr의 함유량은 0.001원자%이며, 격자정수는 벌크 상태와 거의 같은 3.15Å이였다. 이 MoW합금막의 저항률은 13μΩ㎝로 충분히 저저항화가 이루어졌다.
이어서, 이 MoW합금막을 CF4와 O2의 혼합 가스를 이용하여 테이퍼 에칭하여 테이퍼각 35°의 게이트 전극(1)을 형성했다. 게이트 전극의 테이퍼각은 게이트 절연막에 의한 피복율을 양호하기 하기 위해서 20~60°, 바람직하게는 25~50°의 범위로 하는것이 바람직하다.
이어서, 이 게이트 전극상에 SiO2및 SiNx의 적층체로 이루어진 절연막(7), a-Si:H등으로 이루어진 반도체층(4), SiNx로 이루어진 스토퍼 절연막(5)을 형성하여 각각 패터닝한다.
또한, 상기 구성상에는 Al 또는 Mo-W합금으로 구성된 드레인 전극(3a) 및 소스 전극(3b)이 형성되어 있다. 제6도중 30a,30b는 n형 비정질 실리콘으로 구성된 소스. 드레인 영역을 나타낸다. 이와 같이 하여 TFT(17)가 구성되어 있으며, 이 TFT(17)의 소스 전극(3b)에는 화서전극(6)이 접속되어 있다. 이와 같이 하여 액정 구동회로 기판(21)이 구성되어 있다. 또한, 화소 전극의 재료는 ITO와 SnO2등의 투명 도전재료를 이용할 수 있다.
대향 전극(20)은 유리기판(102)상에 칼라 필터(8) 및 Mo-W 합금으로 이루어진 블랙매트릭스(9)를 형성하고, 그 위에 ITO로 이루어진 대향 전극 (11)을 형성함으로써 구성되어 있다. 이 액정 구동 회로 기판(21)및 대향 기판(20)을 제9도에 도시하는 바와 같이 대향시켜, 양자간에 액정 재료 (16)를 끼움으로써 액정 표시 장치가 구성된다.
또한, 유리기판(101)상에는 한 단부에 Mo-W 합금으로 이루어진 어드레스 전극 밴드(13)를 가지는 복수의 어드레스 전극(1)과 , 이들 복수의 어드레스 배선(1)과 교차하고, 그 한 단부에 Mo-W 합금으로 이루어진 데이타 전극 밴드(16)를 가지는 복수의 데이타 배선(2)이 형성되어 있다. 또한, 어드레스 배선(1)과 데이타 배선(2)의 교차 부분에는 어드레스 배선(1)과 데이타 배선(2)사이에 절연막이 설치되어 있다. 이 교차부분에는 인접하도록 스위칭 소자로서 TFT(17)가 형성되어 있으며, 그 한쪽의 전극인 소스 전극(3b)에는 어드레스 배선(1)과 데이타 배선(2)에 의해 둘러쌓인 화소 영역에 형성된 화소전극(6)이 접속되어 있다. 또한, 어드레스 전극 밴드(13)의 영역은 어드레스 전극(15) 및 접촉구멍(14)을 포함하는 넓이를 가지고 있다.
상기 구성을 가지는 액정 표시 장치는 다음과 같은 여러가지 효과를 가진다. 즉 TFT를 이용한 액정표시 장치에 있어서 배선 저항은 화면이 대형이 되며, 매우 정밀하고 세밀하게 됨에 따라 낮은 저항인 것이 필요하게 된다. 예를 들면 개인용 컴퓨터의 디스플레이(VGA)에서는 배선이 480×(640×3)이며, 상급 개인용 컴퓨터 디스플레이(XGA)에서는 배선이 760×(1024×3)이다. 이 경우의 배선 저항은 게이트 펄스의 지연을 방지하기 위하여 낮은 저항일 필요가 있다.
펄스 지연은 배선 저항(R)과 배선이 부가하고 있는 TFT와 축적 용량의 용량(c) CR에 의해 결정된다. 화면이 대형화되면 배선이 길어지기 때문에 필연적으로 R이 증대하여 CR이 커진다. 또한 화소수가 늘어나면 C(C = C0X0, C0:단위 화소의 용량, n: 화소수)가 증가하기 때문에 CR이 커진다. C는 화소에 의해 결정되기 때문에 펄스 지연을 방지하기 위해서는 R을 낮출 필요가 있다.
일반적인 제조 방법으로는 대각 10인치 클래스이상의 화면 사이즈인 통상적인 설계에 있어서는 VGA는 40μΩ·㎝, SVGA는 2540μΩ·㎝이하, XGA는 20μΩ·㎝이하의 저항률이 필요하다. 이 때문에, VGA의 배선 재료에는 저항률이 40μΩ·㎝정도이 통상 Mo-Ta와 Cr을 사용할 수 있지만 XGA에서는 Mo-Ta-Cr을 사용할 수 없다. 그러나, 본 실시예에서는 저항률이 20μΩ·㎝이하가 되는 Kr 함유의 낮은 저항 MO-W를 사용하기 때문에 이와 같은 VCA, XCA 규격의 정밀도가 높고 세밀한 액정 표시 장치를 제공하는 것이 가능하게 된다.
또한, 본 실시예에 있어서는 Mo-W합금을 이용하여 형성한 어드레스선은 CF4와 O2의 혼합가스를 이용하여 CDE(Chemical Dry Etching)에 의해 테이퍼 가공을 실시할 수 있다는 것을 알았다. 또한, MO 및 W 보다도 높고 Ti보다도 낮은 산화 환원 전위를 가지는 산화제를 포함한 알카리 부식재(pH7~13)을 이용한 웨이트 에칭에 의해 레지스트에 악화를 주지않고 테이퍼 가공을 실시할 수 있다는 것을 알았다.
따라서, 본 실시예에 의하면 Mo-W 합금은 낮은 저항률을 가지기 때문에 이 재료를 이용하여 형성한 어드레스 배선은 낮은 저항을 나타내며, 그 때문에 이 배선 저항에 의한 게이트 펄스의 자연은 생기지 않아 소정의 스의칭 소자에 지연이 없는 게이트 펄스를 전할 수 있다.
또한, Mo-W 합금막은 테이퍼 가공할 수 있기 때문에 이 재료를 이용하여 형성한 어드레스 배선상에 막을 형성하는 층간 절연막의 스텝피복율이 우수해져 절연내압을 높게 확보할 수 있다. 또한, 테이퍼 에칭을 용이하게 하기 위해서 SiO2의 언더코드층을 설치하는 것이 바람직하지만 에칭 조건의 선정등에 의해 언더코드층을 불필요하게 할 수 있다.
따라서, 표시 영역을 크게하는 경우라도 신뢰성이 있는 액정 표시 장치를 실현하는 것이 가능하게 된다. 또한, 면적이 큰 디스플레이가 아니라도 어드레스 배선의 저항률이 낮아지면 배선폭을 가늘게 하기 위해서 개구율을 올릴 수 있는 잇점도 있다.
또한, 상기 구성을 가지는 액정 표시 장치는 어드레스 전극 밴드(13)및 데이타 전극 밴드(16) 도 상기한 게이트 전극과 동일한 Mo-W 합금에 의해 형성되어 있기 때문에 예를 들면 COG(Chip On Glass)실제장착할때, 그들 전극 밴드와 그것에 접속되는 영상 신호(IC)의 사이의 접합력이 향상하여 높은 신뢰성이 얻어진다.
또한, Mo-W 합금은 반사율이 낮기 때문에 블랙 매트릭스 재료로서 Mo-W 합금을 이용함으로써 화상 표시면에서의 외부로부터의 빛의 반사를 낮추어 고품위의 표시 품질을 실현할 수 있다.
또한, 제11도에 나타내는 바와 같이, Mo-W 합금의 내약품성은 W함유율이 20%~95%, 바람직하게는 25%~90%로 매우 우수하며, 화소 전극 재료의 ITO 부식재에 대한 에칭 크기가 10nm/min 이하이며, 충간 절연막의 부식재인 BHF에 대해서 전혀 에칭되지 않고, 또한, A1 부식재에 대해서는 에칭 크기가 30~400nm/min이하였다. 특히 W가 50%이상인 경우에 있어는 각 부식재에 대해서 전혀 우수하지 않다는 것을 아랐다. 따라서, 각종 배선 재료로서 Mo-W 합금을 이용하는 경우, 미세 가공이 가능해지며, 개인용 컴퓨터의 디스플레이(VAG), (배선이 480×640×3), 상급 개인용 컴퓨터의 디스플레이(XGA)( 배선이 760× (1024×3)등의 정밀도 높은 액정 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, Mo-W와 가까운 성질을 가진 Ar 0.3원자% 함유의 Mo-Ti 부식재 특성에 대해서 본 발명자의 조사에 의하면 제12도에 도시한 바와 같이 화소 전극(6)의 형성에 대응하는 ITO 부식재와 접촉구멍 형성에 이용하는 BHF에 대한 Mo-W합금의 내약품성은 Ti함유량 20~80%로 매우 우수하다는 것을 알았다. 또한, Ti보다도 높은 산화 환원 전위를 가지는 산화제를 포함한 약 알칼리 부식재(pH7~9)를 이용함으로써 레지스트를 용해시키지 않고 에칭할 수 있다는 것을 알았다. 거의 같은 경향을 나타내며, 특히 Xe, Kr을 소정 용량 가지는 것은 각종 양호한 특성을 나타내는 것이 확인되었다.
또한, 본 실시예에 있어서는 온도가 실온으로 300℃, 전력이 대형 장치에서는 3~20kw, 소형 장치에서는 1~4kw, 압력이 0.3~1.2pa, 전극간의 거리가 4~10cm의 사이의 막완성 조건으로 충분히 양호한 막 특성을 나타낸다는 것을 알았다.
본 실시예에 대한 배선에 있어서, 기판과의 밀착성을 향상시키기 위해서는 Ar함유의 Mo-W 합금의 질화물로 이루어진 막과 Mo-W 합금으로 이루어진 막을 축적하는 것이 바람직하다. Mo-W 합금 중 특히 W 함유율 50원자% 이하로 이루어진 막에 대해서는 공기중에서 어닐링하면 저항률 1자리수 이상 상승해 버린다는 것을 알았다. 이것은 표면의 극단적인 산화에 의한 것이다. 이 경우, Mo-W 합금의 질화물로 이루어진 막을 그위에 축적함으로써 산화가 방지되어 저항이 상승하지 않는다는 것을 알았다. 즉, Ar 함유의 Mo-W 합금을 스퍼터링으로 막을 완성시킨 후에 n함유량이 50원자% 이하인 Mo-W 합금의 질화물을 스퍼터링하여 CF4+02의 혼합가스로 플라즈마 가공함으로써 산화되기 어렵고 또 저항이 낮은 배선을 형성할 수 있다. 이 경우, Mo-W 합금막의 형성과 동일한 과정으로 형성할 수 있다. 또한, 이 경우 질소(n)가 50원자%보다 많이 포함되면 급격하게 저항값이 상승하기 때문에 N의 함유량은 50원자%이하로 억제할 필요가 있다.
[실시예 2]
이하의 실시예에 있어서는 실시예 1과 동일 부분에는 동일 부호를 붙이고 , 간략화를 위해서 그 상세한 설명은 생략한다.
본 실시예에 있어서, 실시예 1과 다른 점은 액정 구동회로 기판 및 배선 재료이다. 제13도는 본 발명의 전극 배선 재료를 이용한 액정 표시 장치의 액정 구동 회로 기판의 다른 예를 나타내는 단면도이다. 이 액정 구동 회로 기판에 대해서 TFT 및 축적 용량 부분의 구성 및 그 과정을 중심으로 설명한다. 유리 기판(101)상에는 두께 10nm의 다결정 Si막 (104)가 형성되어 있으며, 그 위에는 두께 100nm의 게이트 산화막(1073)이 형성되어 있다. 또한 그 위에는 Ar을 0.1원자% 함유하는 Mo-Ti 합금으로 이루어진 게이트 전극(102)이 형성되어 있다. 이 Mo-Ti 합금 Ti를 10원자% 함유하는 것이다.
이 게이트 전극(102)은 다음과 같이 하여 형성한다. 우선, 유리 기판(101)을 소형의 단일 웨이퍼처리 로드-록 메카니즘 스퍼터링 장치내에 얹어 설치하고, 막이완성되기 전의 기판 온도를 150℃, 성막 파워를 2kw, 전극간 거리를 5.5cm로 각각 설정하고, Ar가스 압력 0.6pa의 분위기중에 있어서 MoTi합금을 유리 기판(101)상에 퇴적시켜 두께 300nm의 MoTi합금막을 형성했다. 또한 이 막속의 Ar함유량은 0.1원자%이며, 격자정수는 벌크 상태와 거의 같은 3.14Å이었다. 이 MoTi합금막의 저항률은 25μΩ·㎝로 중분히 저저항화가 이루어졌다.
상기 구성상에는 소스/ 드레인부 n+다결정 Si층(103a, 103b)이 형성되며, 섬형상의 다결정 ,Si 활성층(104)이 형성되어 있다. 이것은 게이트 전극(102)을 마스크로하여 링을 1×1016cm-3의 양으로 주입함으로써 제작할 수 있다. 또한 그 위에는 열CVD에 의해 두께 300nm의 층간 절연막(1071)이 형성되어 있다.
화소 영역에는 ITO를 두께 100nm으로 스퍼터링하여 패터닝함으로써 화소 전극 (206)이 형성되어 있다. 또한, 접촉부 및 게이트부의 층간 절연막(SiOx)(1071)에는 희소 가스 HF를 이용하여 에칭함으로써 접촉구멍이 형성되어 있으며, 그 위에 스퍼터링에 의해 Ar함유의 Mo-W 합금을 퇴적하여 두께 300nm의 Mo-W합금막을 형성하여 패터닝함으로써 신호선, 소스전극(제1 주전극)(106a) 및 드레인 전극 (제2 주전극)(106b)이 형성 되어 있다. 여기서 Mo-W합금은 W를 60원자% 함유하는 것이다.
이 신호선등은 다음과 같이 하여 형성한다. 우선 유리 기판(101)을 소형인 단일웨이퍼처리의 로드-록 메카니즘 스퍼터링 장치내에 얹어 설치하고, 막을 형성하기 전의 기판 온도를 150℃, 막전력을 3kw, 전극간 거리를 5cm로 각각 설정하고, Ar가스 압력 0.8pa의 분위기중에 있어서 Mo-W합금 타겟트를 이용하여 스퍼터링을 실시하여 60원자%의 W를 포함하는 두께 300nm의 Mo-W합금을 형성했다. 또한 이 막속의 Ar함유량은 2원자%이며, 격자정수는 벌크 상태와 거의 같은 3.16Å이였다. 이 Mo-W합금의 저항률은 13μΩ·㎝로 충분히 낮은 저항화가 이루어졌다.
TFT 영역상에는 플라즈마 CVD에 의해 SiNx막을 형성하여 화소 및 주변 화소 접속부를 RIE로 에칭함으로써 버지버젼 SiNx막(1072)이 형성되어 있다. 이와 같이 하여 액정 구동 회로 기판(110)이 구성되어 있다. 상기 구성을 가지는 액정 구동 회로 기판(110)이 구성되어 있다. 상기 구성을 가지는 액정 구동 회로 기판(110)을 이용하여 실시예 1과 같이 하여 액정 표시 장치를 제작하고, 실시예 1과 같은 평가를 실시한 바, 액정 표시 장치는 실시예 1과 같은 효과를 발휘했다. 또한, 이하의 효과가 얻어졌다. 즉, 종래에는 신호선 금속으로써 Al을 이용했기 때문에 ITO와 n+다결정 Si사이에 Mo등의 고융점 배리어금속을 설치할 필요가 있지만 신호선 금속으로서 저저항으로 배리어금속인 Mo-W합금을 이용함으로써 배리어금속이 불필요하게 되며, 그것에 의해 공정을 삭감할 수 있었다.
[실시예 3]
본 실시예에 있어서 실시예 1과 다른점은 액정 구동 회로 기판 및 게이트 전극을 포함하는 배선 재료이다. 제14도는 본 발명의 전극 배선재료를 이용한 액정 표시 장치의 액정 구동 회로 기판의 다른 예를 나타내는 단면도 이다. 이 액정 구동 회로 기판은 채널상의 n+비정질 실리콘을 에칭하여 이루어진 구조를 가지는 TFT를 이용한 것이다. 또한, 축적용량 부분은 게이트 전극 및 데이타 배선과 동일층의 배선에 의해 형성되어있다. 이 액정 구동 회로 기판은 다음과 같이 하여 제작한다.
우선, 유리 기판(101)상에 실시예 1에서 사용한 배선 금속인 Mo-W게이트 전극(1121)과 Cs 배선(1122)를 동시에 일체 형성한다. Mo-W의 성막에 대해서는 실시예 1과 마찬가지로 실시한다. 이어서, 층간 절연막(1173), 비정질 Si활성층(114), n+비정질 Si층(115a,115b)를 차례로 형성하고 , 패터닝한다. 이어서, 상기 배선 금속으로 소스 전극(116a), 드레인 전극(116b)를 동시에 형성한다. 이어서, 그 위에 산화막(1171)을 형성하고, 드레인 전극(116b)상에 접촉 구멍을 형성하고. 또한 화소 영역에 화소 전극 (216)을 형성한다. 또한, 이 화소 전극(216)과 Cs배선(1122)사이에 보조 용량이 형성된다.
상기 구성을 가지는 액정 구동 회로 기판(110)을 이용하여 실시예 1과 마찬가지로 하여 액정 표시 장치를 제작하고, 실시예 1과 같은 평가를 실시한 바, 액정 표시 장치는 실시예 13과 같은 효과를 발휘했다. 또한, 이하의 효과가 얻어진다. 액정 표시 장치는 실시예 1에 있어서 같은 효과를 발휘했다. 또한, 이하의 효과가 얻어졌다. 즉, 제조공정에 있어서 CDE로 에칭할 수 있고, 또한 Mo,W의 산화막의 저항이 낮기 때문에 ITO는 양호한 접촉을 이룰수 있기 때문에 배리어금속을 필요로 하지 않았다.
여기서, 앞에서 설명한 실시예 1~ 실시예 3에 있어서는 각 구성 부분이 각 실시예의 내용에 한정되는 것이 아니다. 예를 들면, 반도체 재료로서 다결정 Si, 비정질 Si에 한정되는 것이 아니라, 이 중간의 미결정 Si를 이용해도 좋다. CdSe, SiGe등의 화합물 반도체를 사용해도 좋다. 또한, 스위칭 소자로서는 트랜지스터에 한정되는 것이 아니라 실시예 1의 트랜지스터 대신에 MIM과 다이오드를 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 전극 배선 재료를 단순 매트릭스 액정 표시 장치의 전극 배선에 사용할 수도 있다.
또한, 상기 실시예에 있어서 이용되고 있는 합금은 각 실시예와 같은 단층으로 사용해도 좋고, 조성이 다른 합금에 의한 2층 이상의 적층막, 예를 들면 표면 산화를 방지하기 위해서 No 및 W를 주성분으로 하여 질소를 함유하는 합금으로 이루어진 막을 Mo-W 합금으로 이루어진 막 위에 형성한 적층막을 이용해도 좋다.
또한, 상기 실시예에 있어서 설명한 전술한 Mo-W 합금막의 표면에 , 즉 Mo-W 합금막의 상부층에 Ta, Ta-N, Ta-Mo, Ta-Nb, Ta-W, Ta-Nb-N, Ta-No-N, Ta-W-N 합금 또는 이들 합금등의 금속을 적층하여 내산성을 향상시켜도 좋다. 또한 전술한 Mo-W 합금막의 하부층에 Al,Cu,Au등으로 어루어진 막을 설치하여 저항을 더욱 낮추어도 좋다.
또한, 본 발명은 앞에서 설명한 각 실시예에 한정되는 것이 아니라 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 여러가지 변형하여 실시할 수 있다.
[실시예 4]
제15도는 Ar,Kr을 0.2원자% 함유한 MoW합금막을 DRAM의 MOS 트랜지스터에 적용한 것이다.
이 DRAM의 구체적인 구성은 다음과 같이 된다. 제15도의 도면부호 41은 Si의 단결정 기판을 나타낸다. 단결정 기판(41)에는 불순물 확산 영역인 n+(45a,45b)가 형성되어 있다. 단결정 기판(41)상에는 LOCOS 산화 실리콘막(473)이 형성 되어있다. 또한, LOCOS 산화 실리콘(473)상에는 MoW합금으로 이루어진 게이트 전극(42)이 형성되어 있다.
이 MoW합금막은 다음과 같이 하여 형성한다. 우선, 단결정 기판(41)을 소형인 단일 웨이퍼처리의 로드-록 메카니즘 스퍼터링 장치내에 얹어 설치하고, 막완성전의 기판 온도를 150℃, 막 전력을 2kw, 전극간의 거리를 5.5cm로 각각 설정하고, Ar가스 압력 0.3pa, Kr가스압력 0.5pa 분위기중에 있어서 MoW합금 타겟트를 이용하여 스퍼터링을 실시하여 35원자%의 W를 포함하는 두께 300nm의 MoW합금을 형성했다. 격자정수는 벌크 상태와 거의 같은 3.16Å이었다. 이 MoW합금의 저항률은 15μΩ·㎝로 충분히 낮은 저항화가 이루어졌다.
게이트 전극(42)상에는 실리콘 질화막(40)이 형성되어 있으며, 그 위에는 필드 산화막(471)이 형성되어 있다. 필드 산화막(471)에는 n+영역(45a,45b)에 도달하는 접촉구멍이 형성되어 있으며, 접촉구멍내에는 Al 소스 .드레인 전극(46a,46b)이 형성되어 있다.
또한, DRAM에 있어서는 게이트 전극(42)은 다결정 Si와 MoSi2등의 실리 사이드로 형성되지만 단위면적당 1~5Ω와 시트 저항이 높아져서 DRAM워드사이의 배선재료로서 이용한 경우 펄스 구동이 문제가 된다. 이에 대해 실시예 1에 사용한 것과 동일 Ar함유의 MoW합금으로 게이트 전극(42)및 워드선(도시하지 않음)을 형성하면 단위면적당 0.3Ω이 되는 정도로 한자리 정도 저항을 낮출 수 있다. 또한,MoW합금은 내열성, 저저항, 내산성이 우수하기 때문에 게이트선 및 워드선등의 배선에 적합하며, 고속성이 뛰어난 DRAM을 제공할 수 있다. 여기서는 배선 이외에 밴드 전극으로서 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 전극 배선 기판은 DRAM에 한정되는것이 아니라 ASIC등의 다른 LSI에도 적용할 수 있다고 하는 것은 말할 필요도 없다. 또한, 반도체 메모리 장치로서의 SRAM에도 적용할 수 있다. 특히, 전극에 관해서는 실시예 1의 어드레스선과 동일 재료로 전력소자, 예를 들면 GTO(Gate Tumoff thyristor; 게이트 턴오프 다이리스터),IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor: 절연 게이트 이극성 트랜지스터) 다이리스터등의 게이트 전극, 반도체층으로부터의 인출 전극으로 적용할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명의 전극 배선 재료는 Mo 및 W에서 선택된 적어도 1종류를 주성분으로 하고 , 0.0003원자%~ 5원자%의 Ar, 0.0003원자%~3원자%의 Kr 및 0.0003원자%~3원자%의 Xe로 이루어진 무리에서 선택된 첨가 원소를 포함하기때문에 충분히 낮은 저항률을 가지며, 또한 취급이 용이하다.
또한, 본 발명의 전극 배선 기판은 유리 기판상에는 전극 배선이 형성되어 이루어진 전극 배선 기판에 있어서 상기 전극 배선이 Mo 및 W에서 선택된 적어도 2종류의 금속으로 구성되어 있으며, 상기 전극 배선에 있어서 재료의 격자정수가 상기 재료의 벌크 상태의 격자정수와 거의 같기 때문에 신뢰성이 높은 것이다.
Claims (20)
- Mo 및 W에서 선택된 적어도 1종류를 주성분으로 하고, 0.0003원자%~ 5원자%의 Ar, 0.0003원자%~ 3원자%의 Kr 및 0.0003원자%~ 3원자%의 Xe로 이루어진 그룹으로부터 선택된 첨가 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 배선 재료.
- W를 주성분으로 하거나 ,또는 W와 Mo 및 Cr중에서 선택되는 적어도 1종류를 주성분으로 하고, 0.0003원자%~ 5원자%의 Ar, 0.0003원자%~ 3원자%의 Kr, 및 0.0003원자%~ 3원자%의 Xe로 이루어진 그룹으로부터 선택된 첨가 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 배선 재료.
- 제1항에 있어서,상기 주성분의 Ti가 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 전극 배선 재료.
- 제1항에 있어서, 상기 Kr의 함유량이 0.0003원자%~ 1원자%인 것을 특징으로 하는 전극 배선 재료.
- 제1항에 있어서, 상기 Kr의 함유량이 0.0003원자%~ 0.5원자%인 것을 특징으로 하는 전극 배선 재료.
- 제1항에 있어서, 상기 W 또는 Mo함유율이 10원자%~ 95원자%인 것을 특징으로 하는 전극 배선 재료.
- 유리 기판상에 전극 배선이 형성되어 이루어진 전극 배선 기판에 있어서, 상기 전극 배선이 Mo및 W중에서 선택된 적어도 1종류의 금속으로 구성되어 있으며, 상기 전극 배선을 구성하는 재료의 벌크 상태의 격자 정수에 대한 상기 전극 배선을 구성하는 재료의 격자정수의 비율이 ±3% 이내인 것을 특징으로 하는 전극 배선 기판.
- 제7항에 있어서, 상기 전극 배선을 구성하는 벌크상태의 격자정수에 대한 상기 전극 배선을 구성하는 재료의 격자정수의 비율이 ±1% 이내인 것을 특징으로 하는 전극 배선 기판.
- 유리 기판상에 전극 배선이 형성되어 이루어진 전극 배선 기판에 있어서, 상기 전극 배선이 W 또는 W와 Mo 및 Cr로 부터 선택된 적어도 1종류의 금속으로 구성되어 있으며, 상기 전극 배선을 구성하는 재료의 벌크 상태의 격자정수에 대한 상기 전극 배선을 구성하는 재료의 격자정수의 비율이 ±3% 이내인 것을 특징으로 하는 전극 배선 기판.
- 제9항에 있어서, 상기 전극 배선을 구성하는 재료의 벌크 상태의 격자정수에 대한 상기 전극 배선을 구성하는 재료의 격자정수의 비율이 ±1% 이내인 것을 특징으로 하는 전극 배선 기판.
- 제9항에 있어서, 상기 금속에 Ti가 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 전극 배선 기판.
- 제7항에 있어서, 상기 W 또는 Mo함유율이 10원자%~ 95원자%인 것을 특징으로 하는 전극 배선 기판.
- 제7항에 있어서, 상기 전극 배선이 스퍼터링법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전극 배선 기판.
- 제2항에 있어서, 상기 주성분에 Ti가 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 전극 배선 재료.
- 제2항에 있어서, 상기 Kr의 함유량이 0.0003원자%~ 1원자%인 것을 특징으로 하는 전극 배선 재료.
- 제2항에 있어서, 상기 Kr의 함유량이 0.0003원자%~ 0.5원자%인 것을 특징으로 하는 전극 배선 재료.
- 제2항에 있어서, 상기 W 또는 Mo함유율이 10원자%~ 95원자%인 것을 특징으로 하는 전극 배선 재료.
- 제7항에 있어서, 상기 금속에 Ti가 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 전극 배선 기판.
- 제9항에 있어서, 상기 W 또는 Mo함유율이 10원자%~ 95원자%인 것을 특징으로 하는 전극 배선 기판.
- 제9항에 있어서, 상기 전극 배선이 스퍼터링법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전극 배선 기판.
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