KR100213284B1 - Mask Alignment Key Design of Thin Film Optical Stabilizer - Google Patents
Mask Alignment Key Design of Thin Film Optical Stabilizer Download PDFInfo
- Publication number
- KR100213284B1 KR100213284B1 KR1019960042761A KR19960042761A KR100213284B1 KR 100213284 B1 KR100213284 B1 KR 100213284B1 KR 1019960042761 A KR1019960042761 A KR 1019960042761A KR 19960042761 A KR19960042761 A KR 19960042761A KR 100213284 B1 KR100213284 B1 KR 100213284B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- alignment key
- mask
- optical path
- thin film
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/0858—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting means being moved or deformed by piezoelectric means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
본 발명은 투상형 화상 표시 장치로 사용되는 박막형 광로 조절 장치의 이소 컷팅부를 형성하기 위한 마스크 얼라인 키의 디자인에 관한 것으로서, 이소 컷팅부 마스크를 얼라인 시키기 위한 얼라인 키 윈도우의 투명한 부분에 의해 구동 기판에 형성된 얼라인 키 박스 부분의 하부 전극이 식각되어 질화물로 이루어진 멤브레인을 노출하며, 그 결과 질화물에 적층이 불량한 변형부의 PZT가 얼라인 키 박스에 불량하게 형성되어 이후 공정시 얼라인 공정이 어려운 문제점을 해결하기 위하여, 이소 컷팅부 마스크의 패턴 외부에 별도로 구비된 이소 컷팅부 얼라인 키를 그 외곽선에 포함하며, 웨이퍼의 얼라인 키 박스의 바깥의 외곽선에 일치되게 형성되는 얼라인 키 윈도우를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 마스크 얼라이 키 디자인을 사용함으로써, 마스크(300)와 구동 기판(100)을 정확하고 용이하게 얼라인할 수 있어, 박막형 광로 조절 장치의 패턴을 정확하게 형성할 수 있다.The present invention relates to the design of a mask alignment key for forming an isolating portion of a thin-film type optical path adjusting device used in a projection-type image display apparatus, in which a transparent portion of an alignment key window for aligning an iso- The lower electrode of the alignment key box portion formed on the driving substrate is etched to expose the membrane made of nitride so that the PZT of the deformed portion poor in the nitride is poorly formed in the key box which is aligned, In order to solve the difficult problem, an outline key is separately provided on the outside of the pattern of the mask of the cutting section, and an alignment key window, which is formed to coincide with the outline of the alignment key box outside the wafer, Wherein the mask alignment key design of the thin film type optical path adjustment device The mask 300 and can be accurately and easily aligned in the driving board 100, it is possible to form accurately the pattern of the thin film by using the optical path control device.
Description
본 발명은 투사형 화상 표시 장치로 이용되는 박막형 광로 조절 장치에 관한 것으로서, 특히 이소 컷팅부의 형성시 마스크를 얼라인하기 위한 얼라인 키 윈도우를 얼라인 키 박스 바깥에 형성하여 이 후 공정시 얼라인 효율을 높일 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 마스크 얼라인 키 디자인에 관한 것이다.The present invention relates to a thin-film type optical path adjusting apparatus used in a projection type image display apparatus, and more particularly, to an alignment key window for aligning a mask when forming an iso-cut portion, is formed outside an alignment key box, To a mask alignment key design of a thin film optical path adjusting apparatus capable of increasing the number of mask alignment keys.
일반적으로, 화상 표시 장치로 사용되는 평판 디스플레이 장치(FPD:Flat Panel Display)는 무게, 부피, 및 전력 소모가 큰 음극선관(CRT:Cathode Ray Tube)을 대체하기 위한 평판 표시 장치로서, 투사형 디스플레이와 직시형 디스플레이로 구분되며 또한 이러한 디스플레이 장치에 사용되는 소자는 PDP(Plasma Display Panel), EL(Electro Luminescent), LED(Light Emission Diode), FED(Field Emission Display) 등과 같이 전계 작용에 의하여 방출되는 전자의 직접 또는 간접적인 가시광으로 화상을 나타내는 방출형 디스플레이 장치와 LCD(Liquid Crystal Display), ECD(Electro Chromic Display), DMD(Digital Micromirror Display), AMA(Actuated Mirror Array), GLV(Grating Light Value) 등과 같이 광밸브(Light Valve)로 작용하여 전자의 방출없이 반사광에 의하여 화상을 나타내는 비방출형 디스플레이 장치로 구분된다.2. Description of the Related Art A flat panel display (FPD) used as an image display device is a flat panel display for replacing a cathode ray tube (CRT) having a large weight, volume, and power consumption. Type display. In addition, the device used in such a display device is an electronic device such as a PDP (Plasma Display Panel), an EL (Electro Luminescent), an LED (Light Emission Diode), an FED (LCD), an electrochromic display (ECD), a digital micromirror display (DMD), an actuated mirror array (AMA), and a grating light value (GLV) And a non-emissive display device that acts as a light valve and emits an image by reflected light without emitting electrons.
상기 비방출형 디스플레이 장치중 AMA(Actuated Mirror Array)는 전자-광학적 비선형 특성을 향상시키기 위하여 능동 소자가 능동 행렬 구동 방식(Active Matrix Addressing)으로 구성된 구동 기판 상에 복수개의 층이 순차적으로 적층된 미러 어레이를 소정 형상으로 패터닝시키므로써 형성되며, 상기 액츄에이터는 상기 복수개의 층들중 신호 전극 및 공통 전극으로 각각 작용하는 2개의 도전층사이에 압전 세라믹 조성물로 이루어진 절연층이 개재되어 있는 캔틸레버(Cantilever) 구조로 형성되어 있고 상기 2개의 도전층에 인가되는 전기적 신호에 의한 상기 압전 재료의 압전 변형에 의하여 광원으로부터 방사되는 백색광을 스크린상에 제어된 광로를 따라서 반사시켜서 화상을 나타낸다.Among the non-emission type display devices, an AMA (Actuated Mirror Array) has a structure in which a plurality of layers are sequentially stacked on a driving substrate having active matrix active matrix (Active Matrix Addressing) And the actuator is formed by patterning the array in a predetermined shape. The actuator includes a cantilever structure in which an insulating layer made of a piezoelectric ceramic composition is interposed between two conductive layers respectively serving as signal electrodes and common electrodes in the plurality of layers And reflects the white light emitted from the light source by the piezoelectric deformation of the piezoelectric material by the electrical signal applied to the two conductive layers along the controlled optical path on the screen to display an image.
한편, 도 1은 일반적인 박막형 광로 조절 장치의 단위 픽셀을 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ선을 따라 자른 일반적인 박막형 광로 조절 장치의 단면도이며, 도 3은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선을 따라 자른 일반적인 박막형 광로 조절 장치의 단면도로서, 상기 도면을 참조하면 상기 박막형 광로 조절 장치는 실리콘 기판(110), 패시베이션층(120), 식각 스톱층(130), 매탈 패드(105)로 구성된 구동 기판(100)과 플러그(205), 멤브레인(210), 하부 전극(220), 변형부 (230), 상부 전극(240)으로 구성된 액츄에이터(200)를 구비하고 있다.2 is a cross-sectional view of a general thin-film type optical path adjusting device cut along a line I-I in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line II- The passivation layer 120, the etch stop layer 130, the pad pad 105, the passivation layer 120, the etch stop layer 130, the passivation layer 130, and the passivation layer 140. The thin film type optical path adjusting device includes a silicon substrate 110, a passivation layer 120, And an actuator 200 composed of a driving substrate 100 and a plug 205, a membrane 210, a lower electrode 220, a deformed portion 230, and an upper electrode 240.
이하, 도 1에 도시된 바와 같은, 일반적인 박막형 광로 조절 장치는 매트릭스 형상의 능동 소자를 구비한 구동 기판(100) 상에 희생층을 형성하고, 상기 희생층의 상부에 복수개의 층으로 이루어진 소정 형상의 액츄에이터(200)를 형성한 후, 상기 희생층을 제거 시킴으로써 제조되며, 상기와 같이 제조된 박막형 광로 조절 장치는 외부의 제어 시스템으로부터 구동 기판(100)에 내장되어 있는 능동 소자를 통하여 상기 액츄에이터(200)의 상부 전극(240)에 전기적 신호가 인가되면 상기 하부 전극(220)과 상기 상부 전극(240)사이에 소정 크기의 전위차가 발생되고 이러한 전위차 발생에 의해 상기 변형부(230)는 압전 변형을 나타내며 이에 의하여 복수개의 액츄에이터(200)가 개별적으로 구동하게 된다.1, a general thin-film type optical path adjusting device includes a sacrificial layer formed on a driving substrate 100 having a matrix-shaped active device, and a plurality of layers of a predetermined shape The thin film type optical path adjusting apparatus is manufactured by removing the sacrificial layer after forming the actuator 200 of the actuator 100. The thin film type optical path adjusting apparatus manufactured as described above is mounted on the actuator 100 through an active element built in the driving substrate 100 from an external control system A predetermined potential difference is generated between the lower electrode 220 and the upper electrode 240 when the electrical signal is applied to the upper electrode 240 of the piezoelectric transformer 200. Due to the generation of the potential difference, Whereby a plurality of actuators 200 are individually driven.
즉, 반사면으로 작용하는 상기 상부 전극(240)의 표면으로 입사된 광원의 백색광은 상기 액츄에이터(200)의 구동에 의하여 변경된 광로를 따라 반사되어서 도시되어 있지 않은 스크린상에 화상을 표시하게 된다.That is, the white light of the light source incident on the surface of the upper electrode 240 serving as the reflection surface is reflected along the optical path changed by the driving of the actuator 200 to display an image on a screen not shown.
한편, 상기 액츄에이터(200)를 이루는 복수개의 각 층, 즉, 상부 전극(240), 변형부(230), 하부 전극(220), 멤브레인(210) 등의 패턴 형성시의 얼라인 공정은 도 4에 도시된 바와 같이 마스크(300) 내의 크롬이 없는 투명한 부분에 얼라인 키(310)가 형성되기 때문에 얼라인 공정이 용이하다.4A and 4B illustrate a process of aligning the plurality of layers forming the actuator 200, that is, the upper electrode 240, the deformed portion 230, the lower electrode 220, the membrane 210, The alignment process is easy because the alignment key 310 is formed in the chrome-free transparent portion in the mask 300, as shown in FIG.
그러나, 도 1 및 도 3에 I.C로 표기된 이소 컷팅부(Iso-cutting)의 패턴(330) 형성시 얼라인 공정은 이소 컷팅부 얼라인 키(350)가 이소 컷팅부 마스크(305) 내의 불투명한 부분에 형성되기 때문에 종래에 있어서는 도 5에 도시된 바와 같이 이소 컷팅부 얼라인 키(350) 주위에 크롬이 없는 투명한 얼라인 키 윈도우(340)를 형성하여 얼라인 공정을 실시하였다.However, in forming the pattern 330 of Iso-cutting shown in FIGS. 1 and 3, the alignment process is performed such that the iso-cutting aligning key 350 is opaque within the iso-cutting mask 305 A transparent key window 340 having no chrome is formed around the iso-cutting part alignment key 350 as shown in FIG. 5, and the alignment process is performed.
그러나, 종래와 같은 얼라인 키 윈도우(340)는 이소 컷팅부의 형성시 상기 투명한 얼라인 키 윈도우(340) 부분에 위치한 얼라인 키 박스(350) 내의 하부 전극(220)도 식각되어 나이트라이드(Nitride)로 이루어진 멤브레인(210)층이 노출된다.However, in the conventional alignment key window 340, the lower electrode 220 in the aligned key box 350 located in the transparent alignment key window 340 is also etched when forming the cut- ) Is exposed.
따라서, 이후 이소 컷팅부를 형성하기 위한 식각 공정에 의해 얼라인 키 윈도우(340) 부분의 얼라인 키 박스(360) 내의 하부 전극(220)이 식각되어 나이트라이드(Nitride)로 이루어진 멤브레인층(210)이 노출되어 나이트라이드(Nitride)에 증착 상태가 불량한 변형부(230)의 증착시 얼라인 키의 형성이 불량하여 이후 공정에서 얼라인 하기가 어려운 문제점이 있었다.The lower electrode 220 in the aligned key box 360 of the aligned key window 340 is etched by the etching process to form the iso-cut portion to form a membrane layer 210 made of nitride, The deposition of the deformed portion 230 having a poor deposition state on the nitride is poor and the formation of the alignment key is poor, so that it is difficult to align the film in a subsequent process.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 얼라인 키 박스 내의 하부 전극이 식각되지 않도록 얼라인 키 윈도우를 형성하여 이후 공정에서 양호한 얼라인 공정을 수행할 수 있도록 하는 박막형 광로 조절 장치의 마스크 얼라인 키 디자인을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been conceived to solve the problems described above, and it is an object of the present invention to provide a thin film type display device capable of forming an aligned key window so that a lower electrode in an aligned key box is not etched, And to provide a mask alignment key design of an optical path adjustment device.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 투사형 화상 표시 장치로 사용되는 박막형 광로 조절 장치의 이소 컷팅부의 패턴을 형성하는 마스킹 공정의 얼라인 키의 디자인에 있어서, 이소 컷팅부 마스크의 패턴 외부에 별도로 구비된 이소 컷팅부 얼라인 키를 그 외곽선에 포함하며, 웨이퍼의 얼라인 키 박스의 바깥의 외곽선에 일치되게 형성되는 얼라인 키 윈도우를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 마스크 얼라이 키 디자인을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method for designing an alignment key of a masking process for forming a pattern of an uncut portion of a thin film optical path adjusting device used in a projection type image display apparatus, And an alignment key window formed on the outline of the alignment key box and aligned with the outline of the alignment key box of the wafer. to provide.
도 1은 일반적인 박막형 광로 조절 장치의 단위 픽셀을 개략적으로 도시한 평면도.1 is a plan view schematically showing a unit pixel of a general thin-film type optical path adjusting device.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ선을 따라 자른 일반적인 박막형 광로 조절 장치의 단면도.2 is a sectional view of a general thin-film type optical path adjusting apparatus cut along the line I-I in FIG.
도 3은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선을 따라 자른 일반적인 박막형 광로 조절 장치의 단면도.3 is a cross-sectional view of a general thin film type optical path adjusting device cut along the line II-II in FIG.
도 4는 박막형 광로 조절 장치의 액츄에이터를 이루는 복수개의 각 층의 마스크FIG. 4 is a cross-sectional view of a mask of a plurality of layers constituting an actuator of the thin-
패턴 및 얼라인 키를 개략적으로 도시한 개략도.Pattern and an alignment key.
도 5는 종래의 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 하부 전극에 형성되는 이소 컷팅부의 마스크 패턴 및 얼라인 키를 개략적으로 도시한 개략도.FIG. 5 is a schematic view schematically showing a mask pattern and an alignment key of an isolating portion formed on a lower electrode of a thin film type optical path adjusting device according to a conventional invention; FIG.
도 6은 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 하부 전극에 형성되는 이소 컷팅부의 마스크 패턴 및 얼라인 키를 개략적으로 도시한 개략도.FIG. 6 is a schematic view schematically showing a mask pattern and an alignment key of an isolating portion formed in a lower electrode of a thin-film type optical path adjusting device according to the present invention; FIG.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS
300; 마스크305; 이소 컷팅부 마스크300; Mask 305; The iso-cutting part mask
310; 얼라인 키320; 패턴310; Align key 320; pattern
330; 이소 컷팅부 패턴340; 얼라인 키 윈도우330; An iso-cutting sub-pattern 340; Align key window
350; 이소 컷팅부 얼라인 키360; 얼라인 키 박스350; An iso-cutting part alignment key 360; Align key box
본 발명의 상기 및 기타 목적과 여러 가지 장점은 이 기술분야의 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 하기에 기술되는 본 발명의 실시예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.These and other objects and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the present invention when taken in conjunction with the accompanying drawings.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 상세히 설명하기로 하며, 혼란을 피하기 위해 도 1에 도시된 일반적인 박막형 광로 조절 장치와 동일한 구성 부재에는 동일한 도면 번호를 사용하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing the thin film type optical path adjusting apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In order to avoid confusion, the same reference numerals are used for the same constituent members as the general thin film type optical path adjusting apparatus shown in FIG. .
도 6은 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 하부 전극에 형성되는 이소 컷팅부의 마스크 패턴 및 얼라인 키를 개략적으로 도시한 개략도로서, 구동 기판(100), 이소 컷팅부 마스크(305), 이소 컷팅부 패턴(330), 얼라인 키 윈도우(340), 이소 컷팅부 얼라인 키(350), 얼라인 키 박스(360)로 구성되며, 동도면을 참조하면, 이소 컷팅부의 패턴(330)을 형성하기 위한 마스크(305)는 이소 컷팅부 패턴(330)은 투명하게 형성되어 있고, 이소 컷팅부의 패턴(330)을 제외한 부분은 불투명하게 형성되어 있다.6 is a schematic view schematically showing a mask pattern and an alignment key of the cut-out portion formed on the lower electrode of the thin-film type optical path adjusting apparatus according to the present invention. The drive substrate 100, the iso-cutting mask 305, A pattern 330 of an iso-cutting part is formed by a sub-pattern 330, an alignment key window 340, an iso-cutting part alignment key 350, and an alignment key box 360 The mask 305 for forming the cutout portion pattern 330 is formed in a transparent state and the portion of the cutout portion except for the pattern 330 is formed to be opaque.
한편, 상기 이소 컷팅부의 패턴(330)을 형성하기 위한 마스킹 공정시, 상기 이소 컷팅부 마스크(305)를 하부 전극(220)이 형성된 구동 기판(100)에 얼라인 시키기 위한 이소 컷팅부 얼라인 키(350)은 이소 컷팅부 마스크(305)의 불투명한 부분에 형성되어 있기 때문에, 얼라인 공정을 위하여 상기 이소 컷팅부 얼라인 키(350) 주변은 투명한 얼라인 키 윈도우(340)가 형성되어 있다.In the masking process for forming the pattern 330 of the iso-cutting portion, the iso-cutting portion alignment mask 305 for aligning the iso-cutting portion mask 305 with the driving substrate 100 on which the lower electrode 220 is formed, A transparent alignment key window 340 is formed around the iso-cutting alignment key 350 for the alignment process because the alignment mark 350 is formed on the opaque portion of the iso-cutting mask 305 .
이때, 상기 얼라인 키 윈도우(340)는 상기 구동 기판(100)에 박막형 광로 조절 장치의 패턴(320)이 형성되지 않는 외곽에 형성되어 있는 얼라인 키 박스(360)를 노출 시키지 않도록 얼라인 키 박스(360)이 위치하는 부분과 겹치지 않게 형성되어 있다. 한편, 상기 구동 기판(100)과 이소 컷팅부 마스크(305)의 얼라인은, 상기 이소 컷팃부 얼라인 키(350)가 도 6의 확대 도시된 바와 같이, 얼라인 키 윈도우(340)의 끝단에 형성되어 있기 때문에, 투명한 얼라인 키 윈도우(340)를 통해 화살표 방향으로 구동 기판(100)의 외곽에 형성된 얼라인 키 박스(360)의 얼라인 키를 서서히 지나치며 얼라인 시킬 수 있다.At this time, the alignment key window 340 is formed on the driving substrate 100 so that the alignment key box 360 formed on the outer side where the pattern 320 of the thin film type optical path adjustment device is not formed is not exposed, And is formed so as not to overlap the portion where the box 360 is located. 6, the alignment marks of the drive substrate 100 and the cutting mask 305 are aligned with the edges of the alignment key window 340, The alignment key of the alignment key box 360 formed on the outer periphery of the driving substrate 100 in the direction of the arrow through the transparent alignment key window 340 can be gradually pasted and aligned.
그 결과, 상기 구동 기판(100)에 형성된 얼라인 키 박스(360)는 이소 컷팅부 마스크(305)의 불투명한 부분에 위치하게 되며, 얼라인 키 윈도우(340)의 투명한 부분에 노출되지 않는다.As a result, the alignment key box 360 formed on the driving substrate 100 is located in the opaque portion of the mask portion 305 and is not exposed to the transparent portion of the alignment key window 340.
따라서, 이후 노광 공정에 의해 상기 이소 컷팅부 마스크(305)의 투명부를 통해 상기 구동 기판(100)에 형성되어 하부 전극(200)의 상부에 도포되어 있는 양성 PR(도시 생략된)에 자외선(Ultraviolet; UV) 이나 DUV(Deep Ultraviolet) 등의 빛이 조사되고, 상기 빛이 조사된 양성 PR은 비다중화된다.Ultraviolet rays (ultraviolet rays) are applied to the positive PR (not shown) formed on the driving substrate 100 through the transparent portion of the isocutting mask 305 by the exposure process and then applied to the upper portion of the lower electrode 200 ; UV) and DUV (Deep Ultraviolet) are irradiated, and the positive PR to which the light is irradiated is non-multiplexed.
이후, 상기 비다중화된 부분은 이머션(Immersion), 분사 현상(Spray Development) 등의 현상 공정(Developmnent process)에 의해 제거되고, 그 결과 상기 이소 컷팅부 마스크(305)의 이소 컷팅부 패턴(330)은 상기 하부 전극(200) 상에 형성된 PR층에 전사된다.Thereafter, the non-multiplexed portion is removed by a developed process such as immersion and spray development, and as a result, the iso-cut portion pattern 330 of the iso-cut portion mask 305 Is transferred to the PR layer formed on the lower electrode 200. [
이후, 양호한 이방성 식각 공정에 의해 상기 PR층의 제거로 노출된 하부 전극(220)의 일부분이 제거되고, 그 결과 하부 전극(220)에 이소 컷팅부가 형성된다.Then, a part of the lower electrode 220 exposed by the removal of the PR layer is removed by a good anisotropic etching process, and as a result, an iso-cut portion is formed in the lower electrode 220.
한편, 상기 이소 컷팅부의 형성시 이소 컷팅부의 얼라인 키(350)도 형성되며, 이때 얼라인 키 윈도우(340)는 웨이퍼의 얼라인 키 박스(360)와 겹치지 않도록 얼라인 키 박스(360) 외곽에 형성되어 있기 때문에 얼라인 키 박스(360) 부분의 하부 전극은 식각되지 않으며, 그 결과 얼라인 키 박스(360) 부분은 하부 전극(220)을 형성하는 메탈 상태로 남아있고, 이후 변형부(230)의 형성시 변형부(230)를 형성하는 PZT는 하부 전극(220) 및 얼라인 키 박스(360)에 양호하게 증착되며, 또한 얼라인 키도 양호하게 형성된다.In this case, the alignment key window 340 is formed on the outer side of the alignment key box 360 so as not to overlap with the aligned key box 360 of the wafer, The bottom electrode of the aligned key box 360 is not etched so that the aligned key box 360 portion remains in the metal state forming the bottom electrode 220 and then the deformed portion 230 are preferably deposited on the lower electrode 220 and the alignment key box 360 and the alignment key is also well formed.
따라서, 본 발명에 의해 이소 컷팅부를 형성한후, 이후 공정시 얼라인 키는 양호하게 형성되며, 그 결과 마스크(300)와 구동 기판(100)을 정확하고 용이하게 얼라인 함으로써, 박막형 광로 조절 장치의 패턴을 정확하게 형성할 수 있다.Therefore, after forming the iso-cutting portion according to the present invention, the alignment key is formed well in the subsequent process. As a result, the mask 300 and the driving substrate 100 are accurately and easily aligned, Can be accurately formed.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960042761A KR100213284B1 (en) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | Mask Alignment Key Design of Thin Film Optical Stabilizer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960042761A KR100213284B1 (en) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | Mask Alignment Key Design of Thin Film Optical Stabilizer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980023305A KR19980023305A (en) | 1998-07-06 |
| KR100213284B1 true KR100213284B1 (en) | 1999-08-02 |
Family
ID=19475517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960042761A Expired - Fee Related KR100213284B1 (en) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | Mask Alignment Key Design of Thin Film Optical Stabilizer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100213284B1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102020934B1 (en) * | 2012-12-07 | 2019-09-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | Methods for aligning a maskless exposure apparatus |
-
1996
- 1996-09-25 KR KR1019960042761A patent/KR100213284B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980023305A (en) | 1998-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100599925B1 (en) | Optical interference display cell and fabrication method thereof | |
| KR100280832B1 (en) | Programmable mask for lithography | |
| US7838386B2 (en) | Method and system for patterning alignment marks on a transparent substrate | |
| US7494835B2 (en) | Method for manufacturing thin film transistor substrate using maskless exposing device | |
| US6606141B2 (en) | Liquid crystal display device and a manufacturing method thereof | |
| KR20080073549A (en) | Forming method of photoresist pattern and manufacturing method of display panel | |
| US20070024769A1 (en) | Structure of switching device for liquid crystal display device and fabrication method thereof | |
| US20120153309A1 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
| CN107425010A (en) | Array base palte and preparation method thereof, display panel | |
| US11714353B2 (en) | Mask and method of manufacturing the same, evaporation apparatus and display device | |
| US20190115410A1 (en) | Single-side light-emitting source, method for manufacturing the same, and display device | |
| KR100213284B1 (en) | Mask Alignment Key Design of Thin Film Optical Stabilizer | |
| KR100526527B1 (en) | Photomask and foaming mask pattern using the same | |
| KR101076422B1 (en) | Alignment Mark Forming Apparatus and Method | |
| KR102406220B1 (en) | Metal mask for organic light emitting diode deposition using laser direct imaging method and manufacturing method thereof | |
| KR20060084797A (en) | Printing method by printing pattern and production equipment to print printing pattern | |
| KR100291552B1 (en) | METHOD FOR PATTERNING METAL LAYER OF THIN-FILM ADJUSTABLE OPTICAL LENS | |
| KR100359296B1 (en) | Organic electroluminescence device and method for fabricating thereof | |
| KR100209429B1 (en) | Thin film lightpath modulation device and its fabrication method | |
| KR100995581B1 (en) | Color filter substrate, liquid crystal display device having same and manufacturing method thereof | |
| KR20080015619A (en) | Mask and manufacturing method of thin film transistor array panel using same | |
| KR0154959B1 (en) | Method for manufacturing optical path control device | |
| KR100508859B1 (en) | A manufacturing method of semiconductor device | |
| KR970003443B1 (en) | Mounting Actuator Array for Projection Image Display | |
| KR100235304B1 (en) | Manufacturing method of spacer for fed |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19960925 |
|
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 19960925 Comment text: Request for Examination of Application |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 19990317 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 19990513 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 19990514 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20020429 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20030502 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20040428 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20040428 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20060410 |