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KR100196241B1 - 마이크로파 혼합 회로 - Google Patents

마이크로파 혼합 회로 Download PDF

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KR100196241B1
KR100196241B1 KR1019960034572A KR19960034572A KR100196241B1 KR 100196241 B1 KR100196241 B1 KR 100196241B1 KR 1019960034572 A KR1019960034572 A KR 1019960034572A KR 19960034572 A KR19960034572 A KR 19960034572A KR 100196241 B1 KR100196241 B1 KR 100196241B1
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signals
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intermediate frequency
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유키로 가시마
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모리시따 요오이찌
마쓰시따 덴끼 상교가부시끼가이샤
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Abstract

전환 기능 마이크로파 신호 혼합 회로가 개시되며 그것은 OSC 신호를 발생시키는 OSC(3)와, 발진기에 연결되고 제1 및 제2마이크로파 신호와 OSC 신호를 각각 수신하는 제1 및 제2마이크로 스트립 선로(6,7)와, 제1 및 제2제어 바이어스 전압을 또한 발생시키기 위한 바이어스 전압 제어 회로(54)와 제1 및 제2제어 바이어스 전압이 제공되고 제1 및 제2마이크로파 신호로부터 제1 및 제2IF 신호와 제어 바이어스 전압에 따른 제1 및 제2마이크로 스트립 선로로부터의 OSC 신호를 또한 발생시키기 위해 제1 및 제2마이크로 스트립 선로에 연결된 제1 및 제2게이트와, 바이어스 전압이 제공된 드레인과 소스를 각각 갖는 제1 및 제2FET(8,9)와, 선택적으로 발생된 IF 신호 중 하나를 출력하기 위한 IF 신호 출력회로(14-18)를 포함한다. 또한 월킨슨 디바이더(14-16)는 제1 및 제2FET 사이에 제공될 수 있으며 제1 및 제2FET 사이에 제공될 수 있으며 출력 회로가 제1 및 제2FET 사이에 아이즐레이션을 제공하도록 제공될 수 있다. 또한 제1 및 제2마이크로 스트립 선로에 연결된 제1 및 제2프로브 회로(24,25)는 제1 및 제2마이크로파를 제1 및 제2TEM 파를 포함하는 제1 및 제2마이크로파 신호로 전환하도록 제공될 수 있다.

Description

마이크로파 혼합 회로
본 발명의 목적은 개선된 마이크로파 혼합 회로를 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면 발진 신호를 발생시키는 발진기(3)와, 발진기에 연결되고 제1 및 제2마이크로파 신호와 발진 신호 각각을 수신하는 제1 및 제2마이크로 스트립 선로(6,7)와, 제1 및 제2제어 바이어스 전압을 양자 택일로 발생시키는 바이어스 전압 제어 회로(54)와, 제어 바이어스 전압에 따라 제1 및 제2마이크로 신호로부터의 제1 및 제2IF 신호와 제1 및 제2마이크로 스트립 선로로부터의 발진 신호를 양자택일로 발생시키기 위해 제1 및 제2마이크로 스트립 선로에 연결된 제1 및 제2제어 바이어스 전압이 공급되는 제1 및 제2게이트와, 바이어스 전압이 공급되는 드레인과, 소스 각각을 갖는 제1 및 제2FET(8,9)와, 선택적으로 발생된 IF 신호 중 하나를 출력하는 IF 신호 출력 회로(14-18,21)를 포함하는 제1전환 기능 마이크로파 신호 혼합 회로가 제공된다. 또한 월킨슨의 디바이더(14-16)가 제1 및 제2FET 사이에 제공될 수 있으며 제1 및 제2FET 사이에 아이솔레이션을 제공하는 출력 회로가 제공될 수 있다. 또한 제1 및 제2마이크로 스트립 선로에 연결된 제1 및 제2프로브 회로(24,25)가 제1 및 제2마이크로파를 제1 및 제2TEM 파를 포함하는 제1 및 제2마이크로파 신호를 전환하기 위해 제공될 수 있다.
본 발명에 따르면 발진 신호를 발생시키는 발진기와, 다수의 마이크로파 신호 각각을 수신하는 다수의 마이크로 스트립 선로와, 발진기에 연결되는 다수의 마이크로 스트립 선로와, 제어 바이어스 전압을 공급하는 바이어스 전압 제어 회로와, 제어 바이어스 전압에 따라 마이크로파 신호로부터의 중간 주파 신호와 마이크로 스트립 선로로부터의 발진 신호를 선택적으로 발생시키기 위해 제어 바이어스 전압이 공급되고 마이크로 스트립 라인에 연결된 게이트와 바이어스 전압이 공급되고 마이크로 스트립 라인에 연결된 게이트와 바이어스 전압이 공급된 드레인과 소스를 각각 갖는 다수의 FET와, 선택적으로 발생된 중간 주파 신호 중 하나를 출력하는 중간 주파 신호 출력 회로를 포함하는 제2전환 가능 마이크로파 신호 혼합 회로가 제공된다.
본 발명의 목적 및 형태는 첨부된 도면과 관련하여 취해진 다음의 상세한 설명으로부터 더욱 쉽게 이해될 것이다.
제1도는 부분적으로 도시된 제1실시예의 전환 가능한 마이크로파 혼합 회로를 도시하는 평면도.
제2도는 부분적으로 도시된 제2실시예의 전환 가능한 마이크로파 혼합 회로를 도시하는 평면도.
제3도는 부분적으로 도시된 제3실시예의 전환 가능한 마이크로파 혼합 회로를 도시하는 평면도.
제4도는 부분적으로 도시된 종래기술의 마이크로파 혼합 회로를 도시하는 평면도.
제5도는 종래기술의 월킨슨 디바이더를 도시하는 회로도.
제6도는 제2실시예의 전환 가능한 마이크로파 혼합 회로 일부를 도시하는 회로도.
동일하거나 또는 대응하는 소자나 부품들이 도면 전체에 동일한 참조 부호로 지정된다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1,2 : 터미널 4,5 : 대역 필터
3 : 발진기 6,7 : 마이크로스트립 선로
8,9 : FET 12,13 : 저역 필터
17 : 주파수 증폭기 19,20 : 비교기
24,25 : 프로브 회로 52,53 : 커패시터
본 발명은 마이크로파 신호를 수신하고 마이크로파 신호로부터 중간 주파 신호를 출력하는 마이크로파 혼합 회로에 관한 것이다. 발진 신호를 발생시키는 발진기와, 마이크로파 신호 및 발진 신호를 수신하는 마이크로 스트립 선로와, 수신된 마이크로파 신호 및 발진 신호로부터의 중간 주파 신호를 발생시키는 PIN 다이오드를 포함하는 마이크로파 혼합 회로가 공지된다.
제4도는 부분적으로 도시된 종래기술의 마이크로파 혼합 회로를 도시하는 평면도이다. 이러한 종래기술의 마이크로파 혼합 회로는 활동불능이 되게 하는 방향 스위칭 및 중간 주파수 증폭 기능을 갖는다. 12GHz 대역의 수직 및 수평 편광 마이크로파 신호는 입력부(1,2) 각각을 통해 마이크로스트립 선로(6,7)에 공급된다. 수신된 수직 및 수평 편광 마이크로파 신호는 쇼트키 장벽 다이오드(48,49)로 1GHz 대역의 중간 주파 신호를 발생시키기 위해 대역 필터(4,5)를 통한 11.2GHz의 발진 주파수를 갖는 국부 진동 신호와 혼합된다. 쇼트키 장벽 다이오드(48,49)의 다이오드는 또한 국부 발진 신호의 강도가 작을 때 야기될 수 있는 변환 상실을 줄이기 위해 전방으로 바이어스 전류가 또한 제공된다. 중간 주파 신호는 중간 주파수 증폭기(34와 35,36과 37)에 의해 저역 필터(12,13)를 통해 증폭되며 PIN 다이오드(38,39)에 공급된다.
다른 한편 비교기는 터미널(45)로부터의 11 또는 15볼트 전압을 갖는 dc 제어 신호가 공급되며 dc 제어 신호를 기준 전압과 비교한다. 비교 결과는 트랜지스터(42,43)의 베이스에 공급된다. dc 제어 신호가 11볼트의 전압을 가질 때 트랜지스터(42)는 턴온되고 트랜지스터(43)는 턴오프되어 유일한 중간 주파수 증폭기(36,37)와 핀 다이오드(39)가 활성화 된다. 그러므로 수평 편광 마이크로파 신호로부터 비롯된 중간 주파 신호는 증폭기(40,41)를 통해 터미널(45)에서 출력된다. 유사하게 dc 제어신호가 15볼트의 전압을 가질 때 트랜지스터(43)는 턴온되고 트랜지스터(42)는 턴오프되어 유일한 중간 주파수 증폭기(34,35)과 핀 다이오드(38)가 활성화된다. 그러므로 수직 편광 마이크로파 신호에서 비롯된 중간주파 신호는 증폭기(40,41)를 통해 터미널(45)에서 출력된다.
하기에 본 발명의 제1실시예가 기재된다. 제1도는 부분적으로 도시된 제1실시예의 전환 가능한 마이크로파 혼합 회로를 도시하는 평면도이다.
기판(32) 상에 형성된 제1실시예의 전환 가능한 마이크로파 신호 혼합 회로는 발진 신호를 발생시키는 발진기(3)와, 터미널(1,2)을 통한 제1 및 제2마이크로파 신호와 발진 신호 각각을 수신하기 위해 대역 필터(4,5)를 통해 발진기(3)에 연결된 제1 및 제2마이크로 스트립 라인(6,7)과, 양자택일로 제1 및 제2제어 바이어스 전압을 발생시키기 위해 스위칭 제어 신호에 응답하는 제1 및 제2비교기(19.20)와 터미널(21)을 포함하는 바이어스 전압 제어 회로(54)와, 제어 바이어스 전압에 따라 제1 및 제2마이크로파 신호로부터의 제1 및 제2중간 주파 신호와 마이크로 스트립 라인(6,7)으로부터의 발진 신호를 양자 택일로 발생시키기 위해 제1 및 제2제어 바이어스 전압이 공급되고 제1 및 제2마이크로 스트립 라인(6,7)에 연결된 제1 및 제2게이트와 터미널(51)로부터의 바이어스 전압이 공급되는 드레인과, 그라운드에 접속된 소스 각각을 제1 및 제2(GaAs) FET(8,9)와, 각각이 중간 주파수의 1/4 파장을 갖는 저역 필터(12,13), 커패시터(52,53), 마이크로 스트립 선로(14,15)를 포함하는 중간 주파 신호 출력 회로와, ac 결합 커패시터를 통해 터미널(21)에서 선택적으로 발생된 중간주파 신호 중 하나를 출력시키기 위해 마이크로 스트립 라인(15)과 함께 마이크로 스트립 라인(14)에 연결된 중간 주파수 증폭기(17)를 포함한다.
바이어스 전압 제어 회로(54)는 제1 및 제2제어 바이어스 전압을 양자 택일로 발생시키는 스위칭 제어 신호에 응답하는 제1 및 제2비교기(19,20) 및 터미널(21)을 포함한다. 수신될 마이크로파 신호의 편광 방향을 전환시키는 스위칭 제어 신호는 예컨대 위성 방송 수신 튜너(도시도지 않음)로부터 공급된 11볼트 또는 15볼트의 전압을 갖는다.
동작에 대해서 기재한다.
제2비교기(20)는 스위칭 제어 신호가 약 15볼트 정도의 전압을 갖는가의 여부를 검출한다. 제2비교기(20)에 약 15볼트의 전압을 갖는 스위칭 제어 신호가 공급될 때 제2비교기(20)는 고 전압(예컨대 영 볼트에 가까운 마이너스 전압)을 터미널(11)과 저항기를 통해 제2FET(9)의 게이트에 공급한다.
이러한 상태에서 수평 편광된 마이크로파 신호를 수신함으로써 제공된 12GHz 대역의 제2마이크로파 신호는 터미널(2)을 통해 마이크로 스트립 라인(7)에 공급되며 예컨대 국부 발진기(3)로부터의 11.2GHz의 국부 발진 주파수를 갖는 국부 발진 신호 또한 대역 필터(5)를 통해 마이크로 스트립 라인(7)에 공급된다. 제2FET(9)의 드레인에 터미널(51)에서의 바이어스 전압으로부터 드레인 전류 근접 IDSS가 공급된다. 제2FET(9)는 제2마이크로파 신호를 1GHz 대역의 중간 주파 신호로 전환한다. 제FET(9)의 드레인이 터미널(51)에서의 바이어스 전압으로부터의 드레인 전류 근접 IDSS가 공급되므로 대역 필터(5)를 통한 국부 발진기(3)로부터의 공급된 출력이 약하더라도 적합한 전환 특성이 제공된다.
중간 주파 신호는 대역 필터(13)에 의해 대역 통과되고 마이크로 스트립 선로(15)를 통해 중간 주파수 증폭기(17)에 공급되며 중간 주파수 증폭기(17,18)에 의해 증폭되고 터미널(21)에 출력된다.
중간 주파수 증폭기(17)의 입력 또한 제1FET(8)로부터 중간 주파수를 수신하기 위해 마이크로스트립 라인(14)에 접속된다. 그러나 이러한 상태에서 제1FET(8)의 게이트에 핀치 오프 전압에 가까운 네가티브 전압을 갖는 저레벨을 갖는 바이어스 제어 신호가 공급되고 제1FET(8)의 드레인에는 영에 가까운 드레인 전류가 공급된다. 제1FET(8)에서의 12GHz의 마이크로파 신호에 대한 반사 손실이 커서 비선현 동작이 달성되지 않는다. 더욱이 변환 손실은 국부 발진 출력의 저주파로 극대화된다. 그러므로 주파수 변환은 이 상태에서 제1FET(8)에 제공되지 않는다. 따라서 마이크로파 신호는 마이크로 스트립 라인(14)에 도입된다. 마이크로 스트립 라인(14,15)은 각각이 1/4 파장을 가지며 정합 회로로서 동작하고 서로 아이솔레이션하여 제2FET(9)로부터의 중간 주파 신호만 중간 주파수 증폭기(17)에 공급되고 마이크로 스트립 라인(7)으로부터의 마이크로파 신호에 대응하는 중간 주파 신호는 터미널(21)에 출력된다.
11볼트를 갖는 스위칭 제어 신호가 터미널(21)에 공급되는 상태에서 제1FET(8)는 턴온되고 제2FET(9)는 턴오프된다. 그러므로 수직 편광파로부터의 터미널(1)에서의 마이크로파 신호는 중간 주파 신호로 전환되고 터미널(21)에 출력된다.
제2실시예가 기재된다.
제2도는 부분적으로 도시된 제2실시예의 전환 가능한 마이크로파 혼합 회로를 도시하는 평면도이다.
제2실시예의 기본 구조 및 동작은 대체로 제1실시예와 동일하다. 차이점은 흡수 저항기(16)가 더 제공된다는 것이다.
흡수 저항기(16)의 제1끝은 커패시터(52)에 연결된 마이크로 스트립 라인(14)의 한 끝에 접속되며 흡수 저항기(16)의 제2끝은 커패시터(53)에 연결된 마이크로 스트립 라인(15)의 한 끝에 접속된다.
마이크로 스트립 라인(14,15)과 흡수 저항기(16)는 월킨슨 디바이더를 형성하여 마이크로 스트립 라인(14,15)은 서로 분리된다.
그러므로 제1 또는 제2마이크로파 신호는 적합하게 분리하여 터미널(21)에 출력된다.
월킨슨 디바이더는 1993년 6월 20일에 Yoshihiro Konish에 의한 고주파와 마이크로파 회로 형성 방법에 기재되며 IEEE Trans. MTT Vol. 31 No. 1983년 8월 8일 674 내지 678 페이지의 마이크로 스트립 라인을 이용한 3d-B 브랜치 라인 커플러의 최적 설계의 205 내지 207 페이지의 일부를 인용한다.
제5도는 고주파 및 마이크로파 회로 형성방법의 135 페이지에 도시된 종래기술의 월킨슨 디바이더 회로도이다. 참조 부호 W는 π/2 길이를 갖는 마이크로 스트립 라인의 특성 임피던스를 표시하고 참조부호 R은 각각의 출력 터미널 사이의 아이솔레이션을 위한 흡수 저항기를 표시하며 여기서
W=(nRLRg)1/2
R=RL이다.
제6도는 제2실시예의 마이크로파 혼합 회로 일부를 도시하는 회로도이다.
Rg=50Ω, n=2, RL=50Ω이라 가정하자.
그러면 W=(2x50x50)1/2=71Ω이다.
그러므로 흡수 저항기(16)의 저항은
2RL=100Ω이다.
제3실시예를 기재한다.
제3도는 부분적으로 도시한 제3실시예의 전환 가능한 마이크로파 혼합 회로를 도시하는 평면도이다.
제3실시예의 전환 가능한 마이크로파 신호 혼합 회로는 도파관(30)(도면에 단면도가 도시됨)으로부터 제1 및 제2마이크로파를 수신하고 수평 편광 및 수직 편광 마이크로파를 제1 및 제2마이크로파 신호로 전환하는 HEMT를 각각이 포함하고 제1 및 제2TEM과 구성 성분을 포함하며 상기 제1 및 제2마이크로 스트립 라인(6,7) 각각에 공급되고 터미널(1,2)을 통한 제1 및 제2마이크로파 신호와 발진 신호 각각을 수신하기 위해 대역 필터(4,5)를 통해 발진기(3)에 연결되고, 저잡음 증폭기(26,27,28,29)를 통해 제1 및 제2마이크로 스트립 라인(6,7)에 연결된 제1 및 제2프로브 회로(24,25)와, 제1 및 제2제어 바이어스 전압을 양자 택일로 발생시키기 위해 제1 및 제2비교기(19,20)와 스위칭 제어 신호에 응답하는 터미널(21)을 포함하고 스위칭 제어 신호에 응답하는 바이어스 전압 제어 회로와, 제1 및 제2마이크로파 신호로부터는 제1 및 제2중간 주파 신호를 제1 및 제2마이크로 스트립 라인(6,7)으로부터는 발진 신호를 제어 바이어스 전압에 따라 양자택일로 발생시키기 위해 제1 및 제2제어 바이어스 전압이 공급되고 제1 및 제2마이크로 스트립 라인(6,7)에 연결되는 제1 및 제2게이트와 저역 필터(12,13)와 커패시터(52,53)를 포함하는 중간 주파 신호 출력 회로와, 각각이 1/4 중간 주파수 파장을 갖고 흡수 저항기(16)가 있는 마이크로 스트립 라인(14,15)과, ac 결합 커패시터를 통해 단자(21)에서 선택적으로 발생된 중간 주파 신호 중 하나를 출력하기 위해 마이크로 스트립 라인(15)과 함께 마이크로 스트립 라인(14)에 연결된 중간 주파수 증폭기(17)를 포함한다.
제3실시예의 동작을 기재한다.
제2비교기(20)는 스위칭 제어 신호가 약 15볼트의 전압을 가지는지의 여부를 검출한다. 제2비교기(20)가 약 15볼트의 전압을 갖는 스위칭 제어 신호가 공급될 때 제2비교기(30)는 고전압(예컨대 제로 전압에 가까운 마이너스 전압)을 터미널(11)과 저항기를 통해 제2FET(9)의 게이트에 공급한다.
이러한 상태에서 위성 방송 신호를 수신하는 안테나(도시되지 않음)에 연결된 도파관(30)으로부터의 수평 편광 마이크로파 신호를 수신함으로써 제공된 12GHz 대역의 제2마이크로파 신호는 유사 TEM 파로 전환되고 제2마이크로 신호로서 마이크로 스트립 라인(7)에 공급된다. 마이크로 스트립 라인(7)은 또한 대역 필터(5)를 통해 예컨대 국부 발진기(3)로부터 11.2GHz의 국부 발진 주파수를 갖는 국부 발진 신호가 공급된다. 제2FET(9)의 드레인은 터미널(51)에서의 바이어스 전압으로부터의 IDSS에 가까운 드레인 전류가 공급된다. 제2FET(9)는 제2마이크로파 신호를 1GHz 대역의 중간 주파 신호로 전환한다. 제2FET(9)의 드레인에 터미널(51)에서의 바이어스 전압으로부터의 IDSS에 가까운 드레인 전류가 공급되므로 대역 필터(5)를 통해 국부 발진기(3)로부터 공급된 출력이 약할지라도 적합한 변환 특성은 제공된다.
중간 주파 신호는 대역 필터(13)에 의해 대역 통과되고 마이크로 스트립 라인(15)을 통해 중간 주파수 증폭기(17)에 공급되며 중간 주파수 증폭기(17,18)에 의해 증폭되고 터미널(21)에 출력된다.
중간 주파수 증폭기(7)의 입력은 또한 제1FET(8)로부터 중간 주파수를 수신하기 위해 마이크로 스트립 라인(14)에 접속된다. 그러나 이러한 상태에서 제1FET(8)의 게이트는 핀치 오프 전압에 가까운 네가티브 전압의 저레벨을 갖는 바이어스 제어 신호가 공급되며 제1FET(8)의 드레인은 영에 가까운 드레인 전류가 공급되고 제1FET(8)에서의 12GHz의 마이크로파 신호에 대한 반시 손실이 증가하며 비선형 동작은 달성되지 않는다. 더욱이 변환 손실은 국부 발진 출력의 저주파로 매우 증가한다. 그러므로 주파수 변환은 제1FET(8)에 공급되지 않는다. 따라서 마이크로파 신호는 마이크로 스트립 라인(14)에 도입된다. 흡수 저항기(16)가 있는 마이크로 스트립 라인(14,15)은 각각이 1/4 파장을 가지며 서로 아이솔레이션하여 제2FET(9)로부터의 중간 주파 신호만 중간 주파수 증폭기(17)에 공급되고 프로브(24)로부터의 수평 편광 마이크로파에 대응하는 1GHz 대역의 중간 주파 신호는 터미널(21)에 출력된다.
11볼트를 갖는 스위칭 제어 신호가 터미널(21)에 공급될 때 제1FET(8)는 턴온되고 제2FET(9)는 턴오프된다. 그러므로 프로브(25)를 통한 수직 편광파로부터의 마이크로파 신호는 1GHz 대역의 중간 주파 신호로 전환되고 중간 주파 신호는 터미널(21)에 출력된다.

Claims (4)

  1. 전환 가능한 마이크로파 신호 혼합 회로에 있어서, 발진 신호를 발생시키는 발진기와, 제1 및 제2마이크로파 신호와 상기 발진 신호 각각을 수신하기 위해 상기 발진기에 연결된 제1 및 제2마이크로 스트립 라인과, 제1 및 제2제어 바이어스 전압을 양자 택일로 발생시키는 바이어스 전압 제어 회로와, 상기 제1 및 제2마이크로파 신호로부터의 제1 및 제2중간 주파 신호와 상기 제1 및 제2마이크로 스트립 라인으로부터의 상기 발진 신호를 상기 제어 바이어스 전압에 따라 양자 택일로 발생시키기 위해 제1 및 제2제어 바이어스 전압이 공급되고 상기 제1 및 제2마이크로 스트립 라인에 연결된 제1 및 제2게이트와 바이어스 전압이 공급된 드레인과 소스 각각을 갖는 제1 및 제2FET와, 선택적으로 발생된 상기 중간 주파 신호 중 하나를 출력하는 중간 주파 신호 출력 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전환 가능 마이크로파 신호 혼합 회로.
  2. 제1항에 있어서, 전환 가능한 마이크로파 신호 혼합 회로는 상기 제1 및 제2FET 사이에 제공된 월킨슨 디바이더와 상기 제1 및 제2FET 사이에 아이솔레이션을 제공하기 위한 출력 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전환 가능 마이크로파 신호 혼합 회로.
  3. 제1항에 있어서, 제1 및 제2마이크로파를 수신하고 상기 제1 및 제2마이크로파를 상기 제1 및 제2마이크로 스트립 라인 각각에 공급된 제1 및 제2TEM 파를 포함하는 상기 제1 및 제2마이크로파 신호로 전환하기 위해 제1 및 제2마이크로 스트립 라인에 연결된 제1 및 제2프로브 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전환 가능 마이크로파 신호 혼합 회로.
  4. 전환 가능한 마이크로파 신호 혼합 회로에 있어서, 발진 신호를 발생시키는 발진기와; 상기 발진기에 연결되며 다수의 마이크로파 신호 각각을 수신하는 다수의 마이크로 스트립 라인과, 제어 바이어스 전압을 공급하는 바이어스 전압 제어 회로와, 상기 마이크로파 신호로부터의 중간 주파 신호와 상기 마이크로 스트립 라인으로부터의 상기 발진 신호를 상기 제어 바이어스 전압에 따라 선택적으로 발생시키기 위해 상기 마이크로 스트립 라인에 연결되고 상기 제어 바이어스 전압이 공급되는 게이트와 바이어스 전압이 공급되는 드레인과 소스를 각각 갖는 다수의 FET와, 선택적으로 발생된 상기 중간 주파 신호 중 하나를 출력하는 중간 주파 신호 출력 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전환 가능 마이크로파 신호 혼합 회로.
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Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5345170A (en) 1992-06-11 1994-09-06 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having integrated guarding, Kelvin connection and shielding systems
US6380751B2 (en) 1992-06-11 2002-04-30 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having environment control enclosure
US5561377A (en) 1995-04-14 1996-10-01 Cascade Microtech, Inc. System for evaluating probing networks
US6232789B1 (en) 1997-05-28 2001-05-15 Cascade Microtech, Inc. Probe holder for low current measurements
US7181427B1 (en) 1995-09-12 2007-02-20 Jp Morgan Chase Bank, N.A. Automated credit application system
US5878403A (en) 1995-09-12 1999-03-02 Cmsi Computer implemented automated credit application analysis and decision routing system
US5914613A (en) 1996-08-08 1999-06-22 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system with local contact scrub
US6002263A (en) 1997-06-06 1999-12-14 Cascade Microtech, Inc. Probe station having inner and outer shielding
JPH11103215A (ja) * 1997-09-26 1999-04-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロ波ミキサー回路とダウンコンバータ
JP3476663B2 (ja) * 1997-11-04 2003-12-10 アルプス電気株式会社 信号選択回路
US6256882B1 (en) 1998-07-14 2001-07-10 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6578264B1 (en) 1999-06-04 2003-06-17 Cascade Microtech, Inc. Method for constructing a membrane probe using a depression
US6445202B1 (en) 1999-06-30 2002-09-03 Cascade Microtech, Inc. Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current
US6838890B2 (en) 2000-02-25 2005-01-04 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
KR20010097032A (ko) * 2000-04-19 2001-11-08 김화열 마이크로파 통신용 무선 송수신 회로 장치
US7082294B2 (en) * 2000-06-26 2006-07-25 Thomson Licensing Self-adaptive frequency band-pass filtering device in microwave signal transceiver
EP1184678A3 (en) * 2000-08-28 2003-01-29 Stanley Electric Co., Ltd. Radar transceiver
US6965226B2 (en) 2000-09-05 2005-11-15 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US6914423B2 (en) 2000-09-05 2005-07-05 Cascade Microtech, Inc. Probe station
DE20114544U1 (de) 2000-12-04 2002-02-21 Cascade Microtech, Inc., Beaverton, Oreg. Wafersonde
WO2003052435A1 (en) 2001-08-21 2003-06-26 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6777964B2 (en) 2002-01-25 2004-08-17 Cascade Microtech, Inc. Probe station
WO2003100445A2 (en) 2002-05-23 2003-12-04 Cascade Microtech, Inc. Probe for testing a device under test
US6847219B1 (en) 2002-11-08 2005-01-25 Cascade Microtech, Inc. Probe station with low noise characteristics
CN100393008C (zh) * 2002-11-08 2008-06-04 中兴通讯股份有限公司 优化的外环功率控制方法和装置
US6724205B1 (en) 2002-11-13 2004-04-20 Cascade Microtech, Inc. Probe for combined signals
US7250779B2 (en) 2002-11-25 2007-07-31 Cascade Microtech, Inc. Probe station with low inductance path
US6861856B2 (en) 2002-12-13 2005-03-01 Cascade Microtech, Inc. Guarded tub enclosure
US7221172B2 (en) 2003-05-06 2007-05-22 Cascade Microtech, Inc. Switched suspended conductor and connection
US7492172B2 (en) 2003-05-23 2009-02-17 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US7057404B2 (en) 2003-05-23 2006-06-06 Sharp Laboratories Of America, Inc. Shielded probe for testing a device under test
WO2005010731A2 (en) * 2003-07-31 2005-02-03 Dealertrack, Inc. Integrated electronic credit application, contracting and securitization system and method
US7250626B2 (en) 2003-10-22 2007-07-31 Cascade Microtech, Inc. Probe testing structure
DE202004021093U1 (de) 2003-12-24 2006-09-28 Cascade Microtech, Inc., Beaverton Aktiver Halbleiterscheibenmessfühler
US7187188B2 (en) 2003-12-24 2007-03-06 Cascade Microtech, Inc. Chuck with integrated wafer support
EP1754072A2 (en) 2004-06-07 2007-02-21 CASCADE MICROTECH, INC. (an Oregon corporation) Thermal optical chuck
US7330041B2 (en) 2004-06-14 2008-02-12 Cascade Microtech, Inc. Localizing a temperature of a device for testing
CA2570886A1 (en) 2004-07-07 2006-02-16 Cascade Microtech, Inc. Probe head having a membrane suspended probe
DE202005021435U1 (de) 2004-09-13 2008-02-28 Cascade Microtech, Inc., Beaverton Doppelseitige Prüfaufbauten
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
US7449899B2 (en) 2005-06-08 2008-11-11 Cascade Microtech, Inc. Probe for high frequency signals
JP5080459B2 (ja) 2005-06-13 2012-11-21 カスケード マイクロテック インコーポレイテッド 広帯域能動／受動差動信号プローブ
US7609077B2 (en) 2006-06-09 2009-10-27 Cascade Microtech, Inc. Differential signal probe with integral balun
US7723999B2 (en) 2006-06-12 2010-05-25 Cascade Microtech, Inc. Calibration structures for differential signal probing
US7443186B2 (en) 2006-06-12 2008-10-28 Cascade Microtech, Inc. On-wafer test structures for differential signals
US7764072B2 (en) 2006-06-12 2010-07-27 Cascade Microtech, Inc. Differential signal probing system
US7403028B2 (en) 2006-06-12 2008-07-22 Cascade Microtech, Inc. Test structure and probe for differential signals
US7876114B2 (en) 2007-08-08 2011-01-25 Cascade Microtech, Inc. Differential waveguide probe
US7888957B2 (en) 2008-10-06 2011-02-15 Cascade Microtech, Inc. Probing apparatus with impedance optimized interface
WO2010059247A2 (en) 2008-11-21 2010-05-27 Cascade Microtech, Inc. Replaceable coupon for a probing apparatus
US8319503B2 (en) 2008-11-24 2012-11-27 Cascade Microtech, Inc. Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test
CN104378126A (zh) * 2013-08-16 2015-02-25 国基电子（上海）有限公司 无线射频接收电路

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3309399A1 (de) * 1983-03-16 1984-09-20 ANT Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang Diodenmischer mit vorspannungssteuerung sowie dessen anwendung
JPS59176909A (ja) * 1983-03-25 1984-10-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロ波ミキサ回路
US4658440A (en) * 1984-07-27 1987-04-14 Texas Instruments Incorporated Single balanced self-oscillating dual gate FET mixer
JP2563338B2 (ja) * 1987-06-02 1996-12-11 松下電器産業株式会社 低雑音コンバ−タ
KR910003234B1 (ko) * 1988-05-18 1991-05-24 삼성전자 주식회사 위성방송 수신용 저잡음 블럭 변환기
US4959873A (en) * 1988-07-08 1990-09-25 The Marconi Company Limited Transmission line switch
GB8816273D0 (en) * 1988-07-08 1988-08-10 Marconi Co Ltd Transmission line switch
US5153469A (en) * 1991-04-25 1992-10-06 Rockwell International Corporation Biasing network for use with field effect transistor ring mixer
DE69230048T2 (de) * 1991-07-15 2000-01-05 Matsushita Electric Works, Ltd. Abwärtsumwandlerblock mit geringem Rauschen zur Anwendung in einer ebenen Antenne für doppelt polarisierte elektromagnetische Wellen
JPH0522248A (ja) * 1991-07-15 1993-01-29 Matsushita Electric Works Ltd 偏波分離型コンバータ
US5465415A (en) * 1992-08-06 1995-11-07 National Semiconductor Corporation Even order term mixer
US5339459A (en) * 1992-12-03 1994-08-16 Motorola, Inc. High speed sample and hold circuit and radio constructed therewith
US5428839A (en) * 1993-09-07 1995-06-27 Motorola, Inc. Planar magic-tee double balanced mixer
US5428840A (en) * 1993-12-10 1995-06-27 Itt Corporation Monolithic double balanced microstrip mixer with flat conversion loss
JP3020401B2 (ja) * 1993-12-24 2000-03-15 シャープ株式会社 コンバータ回路
US5446923A (en) * 1994-03-03 1995-08-29 B.E.L.-Tronics Limited Mixer using fundamental frequency or second or third harmonic frequencies of a local oscillator for maximized resultant frequency mixer product

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Publication number Publication date
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