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KR0185213B1 - 폴리에스테르계 주쇄 고분자 액정 화합물 및 이를 이용한 액정표시 소자 - Google Patents

폴리에스테르계 주쇄 고분자 액정 화합물 및 이를 이용한 액정표시 소자 Download PDF

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KR0185213B1
KR0185213B1 KR1019940011586A KR19940011586A KR0185213B1 KR 0185213 B1 KR0185213 B1 KR 0185213B1 KR 1019940011586 A KR1019940011586 A KR 1019940011586A KR 19940011586 A KR19940011586 A KR 19940011586A KR 0185213 B1 KR0185213 B1 KR 0185213B1
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Abstract

본 발명은 광표시소자, 메모리소자, 상품 라벨의 제조에 이용되는 액정표시 소자에 있어서, 배향막으로 폴리에스테르계 주쇄형 액정 화합물을 사용하여 전기 광학 특성이 우수하고 응력완화에 의한 배향의 흐트러짐이 없어 메모리성이 우수한 액정표시 소자를 얻는다.

Description

폴리에스테르계 주쇄 고분자 액정 화합물 및 이를 이용한 액정표시 소자
제1도는 RN 715을 배향막으로 하고 felix T-250 액정을 사용한 비교예 (1)의 액정분자의 배향상태도로서 250 배율의 Cross-Nicol 편광 현미경 사진.
제2도는 본 발명 실시예 1의 주쇄형 고분자 액정을 배향막으로 하고 felix T-250 액정을 사용한 경우의 1,000 배율의 Cross-Nicol 편광 현미경 사진.
제3도는 본 발명 실시예 2의 고분자 액정을 배향막으로 사용한 경우로,
a도는 쌍안정성 및 콘트라스트비 측정 결과도이고,
b도는 가한전압, 펄스의 크기 및 주기를 나타내는 특성도.
제4a도는 RN 715를 배향막으로 한 비교예 (1)의 쌍안정성 및 콘트라스트비 측정 결과도이고, b도는 가한전압, 펄스의 크기 및 주기를 나타내는 특성도.
제5도는 비교예 3의 CBEA 측쇄형 고분자 액정을 배향막으로 사용한 경우의 쌍안정 및 콘트라스트비 측정 결과도.
제6도는 비교예 4의 PMBCCP 측쇄형 고분자액정을 배향막으로 사용한 경우의 쌍안정성 및 콘트라스트비 측정 결과도이다.
본 발명은 액정 고분자 화합물 및 액정표시 소자에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 투명 전극이 코팅된 유리판에 액정을 배향시키기 위한 배향막을 구성하는 포리에스테르계 주쇄 고분자 액정 화합물 및 이를 이용한 액정표시 소자에 관한 것이다.
일반적으로, 액정(Liquid crystal)이란 액체의 유동성과 결정의 광학적 성질을 겸비한 액체와 고체의 중간적 성질을 갖는 물질로써, 이러한 액정에 전계 또는 열을 가하면 그 광학적 이방성을 변화시킬 수 있으며, 이 성질을 이용한 것이 액정표시 소자(LCD:Liquid Crystal Display)로써, 프라즈마 디스플레이나 발광장치와 더불어 평판 장치의 대표적인 것이다.
종래 트위스트 네마틱(twist nematic)액정의 응답속도는 10㎳∼20㎳가 그 한계이다. 이를 획기적으로 개선하여 빠른 응답 특성을 갖도록 한 액정이 강유전성액정(SmC* 상, SmH* 상 등)으로 이를 이용한 액정판넬이 1980년 클라크(N.A. Clark)와 라고월(S.T.Lagerwall)에 의해 발표되었다. (Appl.phys.Lett., 36,899,1980/U.S.Pat. 4367924/U.S.Pat. 45603059/U.S.Pat. 4813767 등)
이러한 강유전성 액정을 이용하여 액정 판넬을 제조하는 경우 가장 중요한 기술과제가 어떤 물질을 사용하여 이 액정을 균일하게 배향시켜 좋은 전기광한특성(electro-optic property)과 좋은 메모리 특성(good bistability)을 얻을 것인가 하는 것이다. 이중 상기한 특허에서는 강한 자기장이나 전단 응력에 의해 균일한 배향을 얻고자 했으나 실제로 액정이 충진된 두판 사이의 간격이 2㎛ 이하로 매우 좁기 때문에 이는 매우 어려운 일이며 실용성도 없다고 하겠다.
액정용 배향막이 액정을 균일하게 배향시키는 역할을 담당하기 때문에, 현재까지 배항막에 관한 연구개발이 계속되어 왔다. 액정표시 소자에 이용되는 배향막에는 여러 가지가 있는데 현재까지 알려진 것으로는 Sio와 같은 무기 화합물의 진공증착에 의한 무기 배향막과, 폴리이미드 등의 유기 고분자 필름을 형성시킨 후 천조각으로 러빙(rubbing)하여 수득되는 유기 배향막이 있다. 또한 최근에는 Langmuir-Blodgett 방법(LB 방법)에 의해 수득되는 폴리이미드 등의 단층 단분자막, 또는 다층 단분자 막의 이용이 제안되고 있다.
그러나 상술한 배향막들은 각각 많은 결함을 가지고 있다. 무기 배향막(inorganic orientation film)의 경우에는 배향막을 형성시키기 위해 진공장치를 필요로 하므로 대량 생산시 생산성을 저하시키는 단점이 있고, 유기 배향막의 경우는 양산성은 좋으나, 고분자층을 균일한 두께로 도포하는 것이 어려우며, 더우기 천조각으로 러빙하는 경우에 정전기가 발생하여 배향막의 표면을 오염시키는 문제가 있다.
단분자 LB(Langmuir-Blodgett) 막을 이용하는 방법('일본특허' 소62-209415, 동62-211617호 등)의 경우에는, 정전기에 의해 야기되는 문제점은 없지만 양산성이 취약한 단점이 있다. 즉, LB법에 의해 생성되는 고분자층은 약 4Å 두께의 단분자막으로서 그 두께가 너무 얇아 ITO 전극를 차폐할 수 없으므로 디스플레이 특성상 바람직하지 않다. 또한 디스플레이 특성을 고려할 때 유기 배향막의 두께는 약 500Å 또는 그 이상이 되어야 하는데, LB 방법에 의할 경우에는 약 4Å 두께의 LB막을 125층 가량 적층해야 500Å 두께의 막을 형성할 수 있으므로 LB 방법에 의한 배향막의 형성은 작업공정성이 현저하게 불량하므로 실제 생산에 부적합하다.
상술한 문제점을 보완하기 위하여 미국특허 제5067797호는 물표면 스프레딩 방법(water surface spreding method)에 의해 단분자 또는 다분자 막을 형성시키는 방법을 개시하고 있다. 이 방법은 고분자 물질을 용매에 녹여 수면 위에 퍼지게 하면서 기판에 얇게 코팅한다. 코팅된 고분자필름(PP나 LCP)을 러빙하거나 LCP 필름을 롤러를 이용하여 한쪽 방향으로 눌러주어 분자가 비등방적으로 배열을 하도록 유도하는 방법으로 배향막을 형성하는 것이다. 이 방법은 단분자 막에서 어느 정도 두께를 제어할 수 있기 때문에 여러 번 반복해서 막을 입히는 공정을 단축시키는 효과는 있으나 배향막을 패널에 입히는 과정에서 있어서 기존의 코팅 방법에 비해 공정성 및 양산성면에서 여전히 취약성을 내포하고 있다. 또한 액정 고분자를 배향막으로 사용하려는 다른 시도로서는 일본 공개특허 소57-4-228호에서 액정분자의 전향각과 배향막과의 경계면에서의 광손실을 최소화 하기 위하여 측쇄형 메조겐(side chain mesogen)을 주쇄에 메달아 사용하여 전장에 의해서 액정분자와 더불어 배향층의 메조겐 그룹도 전행되도록 함으로써 액정과 배향막의 경계면에서의 디스클리미네이션(배향불연속)을 제거하여 콘트라스트를 향상하도록 하였다. 그러나 실제로 배향층의 메조겐이 전압에 따라 액정층과 같이 움직인다면 매우 느린 응답과 높은 구동전압을 필요로 하며 더구나 사용된 메조겐은 알킬성메조겐이므로 더욱 전향이 어렵다. 설령 배향이 되었다 하더라도 측쇄형 메조겐은 분자 요동(fluctuation)에 의한 완화현상(RELAXATION)이 일어나기 쉬워 쌍안정성을 유지하기가 매우 어렵다. 또한 일본 공개특허 소62-227122 호는 배향막으로 사용하는 측쇄형 고분자를 코팅한 후를 이를 배향시키기 위하여 등방상 또는 액정상에서 러빙(rubbing) 처리를 하는 방법을 개시하고 있다. 이는 현상학적으로 액정상 또는 등방상에서 외부의 자극에 쉽게 변형된다는 액정의 고유 성질을 이용하려는 것으로 좋은 방법으로 보여지나 실제로 액정상 또는 등방상에는 배향시키는 것은 쉬운 일이 아니며 또한 배향이 일어났다 하더라도 측쇄형 고분자의 계속되는 응력완화(stress relaxation)에 의하여 흐트러짐이 일어나기 쉽다.
본 발명의 목적은 상술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하는 것으로, 균일한 배향성을 갖는 액정 소자 특히 전기광학 특성이 우수하고 응력완화에 의한 배향 흐트러짐이 없어 메모리성(bistability)이 우수한 액정표시 소자를 제공하는 것이다. 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 기존의 배향막인 폴리이미드(PI), 폴리비닐알콜(PVA) 대신에 주쇄고분자 액정(Main Chain Liquid Crystal Polymer)을 배향막으로 사용한다. 다시 말해서 배향제어층 즉 액정층을 균일하게 제어하기 위한 배향제어층으로 아래 (Ⅰ), (Ⅱ) 또는 (Ⅲ) 식에 표시된 구조 단위를 갖는 액정 고분자를 투명전극(ITO-Indium Tin Oxide)이 코팅된 두 장의 유리판 위에 코팅한 후 적당한 세기로 배향처리(rubbing)하고 두 장의 유리기판 사이에 스페이서(spacer)를 2.0㎛ 이하의 유리 전구체를 분산시켜 두 장을 접합한 후 액정을 충진시켜 액정 패널을 구성한다.
(여기서 m은 4∼12의 정수이고, n은 100-200 정수이다.)
(여기서 m1과 m2는 4와 12 사이의 정수이고, x는 0과 1사이의 임의의 값이다.)
(여기서 ℓ은 4∼12의 정수이고, n은 100-200의 정수이다.)
이하 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에서 투명 전극이 코팅된 유리판에 액정을 배향시키기 위한 배향막으로는 상기 식 (Ⅰ), (Ⅱ), 그리고 (Ⅲ)에 나타난 구조식과 같은 폴리에스테르계(polyester)고분자 액정을 수백 Å두께로 코팅한다. 고분자 액정 배향막을 코팅하기 전에 전기 쇼트(electric circuit shortage)를 방지하기 위하여 산화규소(SiOx)계의 유전체를 수백 Å두께로 코팅하는 것이 좋다. 균일한 코팅을 위하여 액정 고분자를 용매(solvent)에 녹여 사용하며 이때 그 농도를 0.01wt%∼5wt% 로 희석해서 사용하며 이때 배향막의 코팅 두께를 1000Å이상 되지 않도록 농도와 코팅 속도를 조절한다. 보통 고유점도(Inherent viscosity) 값이 0.7㎗/g 정도인 경우 그 농도는 0.01wt%∼1wt% 가 좋다. 이때 사용하는 용매로는 파라클로로페놀(parachloropenol) 또는 페놀/테트라클로로에탄(phenol/tetrachloroethane)을 60:40 비로 혼합한 용매를 사용하는 것이 바람직하다. 액정 고분자 막을 코팅한 후 상은 또는 그 이상의 온도에서 배향처리를 한다. 배향처리시 온도가 액정의 유리 전이온도(Tg-glass transition temperature)나 상전이온도(phase transition temperature) 이상으로 올라가지 않도록 하는 것이 좋다. 배향처리는 기존의 배향막 처리와 같은 통상의 방법으로 나일론 또는 레이온 등의 천을 이용하여 적당한 세기로 러빙하여 배향시킨다. 본 발명의 고분자 액정은 액정 고유 성질에 따라 외부 자극(rubbing)에 메조겐 그룹이 쉽게 배향하며 측쇄형 고분자와는 달리 응력완화 시간도 매우 길다. 상기와 같이 처리된 두 장의 기판을 2㎛ 이하의 전구체 스페이서를 한 쪽에 분산시켜 두 장을 접합시킨다. 이때 스페이서가 없는 다른 쪽 기판에는 원하는 모양으로 열 경화용 씰런트(sealant)를 프린트(print)하여 두 장의 유리판을 접합시킨 후 압력과 온도를 조절하여 원하는 정도의 쎌겝(cell gap-2㎛ 이하)을 유지시키고 그 사이에 액정을 진공 주입 또는 모세관 주입하여 액정 패널을 완성한다.
본 발명에서 사용되는 상기 일반식(Ⅰ)의 폴리에스테르계 액정 화합물은 하기 디하이드록사이드 화합물 (A)과 (A')와 테레프탈로일 클로라이드 (D)와의 1:1 축합반응에 의하여 중합할 수 있다.
(단, m은 4 내지 12의 정수이다. 중합방법은 (J. polym. Sci. Polym. chem. Ed., 19, 1909(1981)과 J. Polym. Sic. polym. chem. Ed. 22, 3189(1984) 등에 발표된 것과 동일하다.)
본 발명에서 사용되는 상기 일반식(Ⅱ)의 포리에스테르계 액정 화합물은 상기 화합물 (A)와 m값이 다른 화합물 (A')의 임의의 혼합비로 만들어진 혼합물 (E)과 상기 화합물 (D)과의 1:1 축합 반응에 의하여 중합할 수 있다.
또한 본 발명에서 사용되는 상기 일반식(Ⅲ)의폴리에스테르계 액정 화합물은 하기의 디카르복실산 화합물(B)와 4, 4' -디아세톡실바이페닐(4-4' diacetoxyl biphenyl) (c)과의 1:1 축합반응에 의하여 중합할 수 있다.
(단 ℓ은 4∼12 사이의 정수이다.)
중합방법은 J.Polym, Sci. Polym. Phys. Ed., 21, 1119(1983), Macromolecule 16, 1271(1983)에 발표되어 있는 것과 동일하다.
본 발명에 의한 액정 소자는 광표시소자, 메모리소자, 상품 라벨(label)등에 광범위하게 이용될 수 있다. 따라서 본 발명은 배향막을 코팅하여 사용하여 기존의 수 액정판넬 및 STN 액정판넬, 강유전성 액정 패널 제조시 그 배향막으로 사용하여 배향성이 우수한 패널을 제조할 수 있다. 또한 본 발명은 주쇄형 고분자 액정(main chain liquid crystal polymer)을 사용하여 코팅에 의해 배향막 두께를 조절함으로써 배향 및 두께의 조절이 용이하고 용매를 사용하여 코팅하기 용이하므로 작업 공정성이 우수하다. 또한 본 발명에 사용되어지는 강유전성 액정은 고분자 액정의 주쇄 액정 메조겐과 강유전성 액정 메조겐과의 분자친화력(affinity) 때문에 좋은 배향 특성을 갖게 되고 느린완화 특성으로 인하여 배향의 흐트러짐이 없게 된다. 따라서 본 발명에 의해 탁월한 전기 광한 효과 및 쌍안정성(bistability)이 우수한 강유전성 액정 패널을 제조할 수 있다. 일반적으로 강유전성 액정 패널은 배향막과 액정과의 상호 작용에 의해 메모리 특성이 좋아지면 응답속도가 처지는 것이 일반적이나 이 경우 응답속도도 매우 빠른 특성을 갖는다.
이히 실시예 및 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하나 본 발명이 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
먼저 디하이드록시 화합물(A)와 테레프탈로일클로라이드(D)와의 1:1 축합반응에 의해 Tm이 300℃ 이고 고유점도가 0.8dl/g 이며 상기 일반식(1)에서 m=6인 구조의 호모폴리에스터 액정 고분자를 상기한 논문에 개시된 방법으로 합성하였다.
유리 기판에 코팅하기에 앞서 파라크로로페놀에 호모폴리머 LCPm06을 녹여 0.2wt% 용액을 만들었다. 이때 파라클로로페놀의 멜팅포인트(m.p. 45℃) 이상인 60℃에서 용해시켰다. 이렇게 만들어진 고분자 액정 용액중 불순물 제거를 위하여 0.2㎛ 포아(pore) 크기의 시린지필터(syringe filter)을 사용하여 필터링한 후 스핀코터(spin coater)에서 분당 3,000 r.p.m.으로 얇게 코팅한다. 이때 코팅스피드는 임의로 조절할 수 있으나 코팅두께 및 코팅면의 거칠기등에 유의하면서 그 속도를 조절해야 하며 1,000Å 이상이 되지 않도록 한다. 그후 용매를 완전히 증발시킨 후 통상의 배향방법으로 러빙하였다.
이렇게 만들어진 액정판넬의 한 쪽 기판은 씰런트를 프린틴하였으며 또다른 한 쪽 기판에는 1.5㎛의 스페이서를 도포한 후 진공 가압 프레스(vacuum press)를 사용하여 액정 패널을 제조하였다.
이 제조된 패널에 훽스트 액정(FELIX-T250)을 이소트로피 온도(85℃) 이상인 90℃에서 진공 주입하여 강유전성 액정 패널을 완성하였다.
[실시예 2]
상기 일반식(Ⅰ)에서 m은 10인 구조를 갖고 Tg=183℃, Tm=270℃, Ti=327, 고유점도=0.7dl/g인 LCPm10을 합성하였다. 이어서 만들어진 LCPm10을 페놀/테트라 클로로에탄(60/40)에 용해시켜 0.18wt% 용액을 만드는 것 외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 강유전성 액정 패널을 완성하였다.
[실시예 3]
상기 일반식(Ⅱ)에서 m1은 4, x는 0.25인 구조를 갖고, Tm=230℃, 고유점도 0.77dl/g인 코폴리머 COLCP25 및 상기 일반식(Ⅱ)에서 m2는 6, x는 0.75인 구조를 갖고 Tm=220℃, 고유점도=0.72인 코폴리머 COLCP 75를 실시예 1의 고분자 중합방법과 동일한 방법으로 제조하였다. 이 코폴리머를 파라클로로페놀에 용해시켜 0.2wt%용액을 만들어 상기 실시예 1에서와 동일한 방법으로 강유전성 액정을 제조하였다.
[실시예 4]
디카르복실산 화합물(m은 4) (B)와 디아세톡시 화합물(C)을 J. polym. Sci. Polym. Phys. Ed., 21. 1119(1983), Macromolecule 16, 1271(1983)에 개시되어 있는 방법으로 1:1 축합 반응시켜 Tm=233℃, Ti=248℃, 고유점도=0.503dl/g인 고분자 액정 ACLCP를 제조하였다. 제조된 고분자 액정 파라클로로페놀에 용해시켜 0.2wt% 용액을 만든 후 실시예 1과 동일한 방법으로 강유전성 액정 패널을 제조하였다.
[비교예 1]
닛산 화학에서 제조한 폴리이미드계 화합물 RN305와 RN715를 이용하되, 6wt%의 RN715의 고형용량 3wt%가 되도록 NMP/부틸 셀로솔브를 75:25의 비율로 혼합한 용매를 사용하여 고분자 액정 용액을 제조하였다.
이를 스핀 코터를 이용하여 3,000r.p.m.의 속도로 코팅한 후 80℃에서 10분간 예비 건조한 후 260℃에서 30분간 경화시켰다. 그 후의 공정은 통상의 방법을 따랐으며 그렇게 하여 얻어진 셀(cell)에 FELIX-T250 액정과 MERK사 ZLI4655-100을 주입하여 강유전성 액정판넬을 완성하였다.
[비교예 2]
하기 식과 같은 측쇄형 고분자 액정 PCBEA(Poly-4-cyano biphenyloxy ethylene acrylate)를 NMP 용매에 용해시켜 1wt% 용액을 만들었다. 스틴코터를 이용하여 3,000rpm의 속도로 코팅한 후 80℃에서 5분간 예비 건조한 후 180℃에서 30분간 완전 건조하였다. 그 후 배향막의 배향처리를 위하여 러빙공정후 통상의 방법으로 셀을 제작한 후 felix-T250 액정을 주입하여 강유전성 패널을 제작 완성하였다.
(PCBEA; Poly-4-cyano biphenyloxy ethylene acrylate)
[비교예 3]
하기 식의 측쇄형 고분자 액정 PMBCCP를 사용한 것 이외에는 비교예 2와 동일한 방법으로 제작하였다.
(PMBCCP; Poly-4-methoxy biphenyloxy carbonyl cyclophenthane)
이하 상술한 실시예 및 비교예에 의해 만들어진 액정의 특성을 도면을 참고하여 비교 평가한다.
제1도에 도시된 바와 같이 비교예 (1)에서의 배향막은 안정화되지 못한 지그재그 배향이 나타나는데, 이로 인해 비교예의 액정 소자는 어느 정도의 전기장 하에서는 균일배향을 보일 수 있으나 메모리(bistability) 특성이 현저히 떨어지는 단점이 있다.
즉 전기장을 제거했을 경우 이와 같은 결합 상태로 쉽게 돌아와 버린다. 따라서 결과적으로 메모리의 불안정성뿐만 아니라 콘트라스트 비(contrast ratio)도 현저히 떨어지는 결점이 있다.
이에 반하여 실시예 1의 배향막은 제2도에 도시된 바와 같이 전형적인 북쉘프 구조의 배향상태를 나타낸다. 특히 강한 전장을 가할수록 이와 같은 구조를 강하게 나타나며 텍스처(texture)는 1,000배의 배율로 관찰시 나타나는 전형적인 모양이다. 이때 제2도는 좌우부분이 전계인가시 반전상태를 나타낸다.
제3도는 실시예 2의 LCPm10을 배향막으로 사용했을 경우의 쌍안정성과 콘트라스트비 측정결과(제3도 (a))와 이때 가한 펄스의 크기와 주기(제3도 (b))를 나타낸다. 도면에 도시된 바와 같이 스텝펄스(Step pulse) 전압인가후 전압을 인가하지 않아도 광투과도의 변화가 거의 없고 전압 제거시 순간적으로 나타나는 배향의 흐트러짐에 의하여 광량 변화가 급격히 발생하는 점프(jump) 현상도 거의 없음을 알 수 있다. 또한 기준선(base line)을 기준으로 하여 광투과 온/오프(on/off)비에 의한 콘트라스트비도 매우 높음을 알 수 있다. 또한 이 판널의 응답속도는 구동전압 5Vp 30㎐로 구동시 112㎲로 매우 높았다.
실시예 3에서 코폴리머 액정의 배향 특성과 실시예 4에서의 구동 특성도 실시예 1과 실시예 2에서 보인 호모폴리머 액정을 배향막으로 사용한 경우와 동일 또는 근사한 특성을 나타내었으므로 도면에 의한 설명은 생략한다.
RN715를 배향막으로 사용한 비교예의 경우는 제4도에 도시된 바와 같이 쌍안정성 및 콘트라스트비 모두 좋지 않았다. 특히 전계 발생용전압 제거시 광투과도가 일정하지 않고 낮아져서 배향 흐트러짐이 일어남을 알 수 있다.
또한 측쇄형 고분자 액정을 사용한 비교예 3, 비교예 4의 강유전성 액정의 배향은 배향특성 및 전기광학 특성이 본 발명의 주쇄형 고분자 액정을 사용했을 경우보다 특성이 우수하지 못함을 알 수 있다. 제5도는 비교예 3의 주쇄형 고분자 액정 PCBEA를 배형막으로 사용한 경우의 쌍안정성 및 콘트라스트 측정 결과도로서 본 발명과 비교하여 메모리 안정성 콘트라스트비가 좋지 못함을 알 수 있고, 비교예 4의 PMBCCP를 배향막으로 사용한 제6도의 특성도를 보면 PMBCCP의 경우 쌍안정성이 없고 전계제거시 계속해서 액정분자의 완화가 일어나고 있음을 알 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 주쇄형 액정 고분자를 배향막으로 사용하는 경우는 액정이 균일하게 배향되고 배향의 흐트러짐이 거의 없어 우수한 전기 광학 특성과 탁월한 메모리 특성을 갖는 액정 패널을 제조할 수 있다.

Claims (1)

  1. (정정) 투명전극이 코팅된 두 장의 유리 기판 사이에 액정을 주입하여 이루어지는 액정표시소자에 있어서, 액정을 균일하게 배향시키기 위해 사용하는 배향막으로 하기 일반식(Ⅰ), (Ⅱ), 및 (Ⅲ)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 일반식으로 표현되는 폴리에스테르계 주쇄형 액정 화합물을 사용한 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
    (여기서 m은 4∼12의 정수이고, n은 100-200의 정수이다.)
    (여기서 m1과 m2는 4와 12 사이의 정수이고, x는 0과 1 사이의 임의의 값이다.)
    (여기서 ℓ은 4∼12의 정수이고, n은 100-200 의 정수이다.)
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