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KR0159032B1 - Resistive paste - Google Patents

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KR0159032B1
KR0159032B1 KR1019950008338A KR19950008338A KR0159032B1 KR 0159032 B1 KR0159032 B1 KR 0159032B1 KR 1019950008338 A KR1019950008338 A KR 1019950008338A KR 19950008338 A KR19950008338 A KR 19950008338A KR 0159032 B1 KR0159032 B1 KR 0159032B1
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KR
South Korea
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weight
additive
paste
resistance
solids
Prior art date
Application number
KR1019950008338A
Other languages
Korean (ko)
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KR960002378A (en
Inventor
사끼꼬 야마끼
게이스께 나가따
히로찌 다니
Original Assignee
무라따 야스따까
가부시끼가이샤 무라따 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP6123853A external-priority patent/JP2827902B2/en
Application filed by 무라따 야스따까, 가부시끼가이샤 무라따 세이사꾸쇼 filed Critical 무라따 야스따까
Publication of KR960002378A publication Critical patent/KR960002378A/en
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Publication of KR0159032B1 publication Critical patent/KR0159032B1/en

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Abstract

본 발명은 하기의 성분들을 함유함을 특징으로 하는 저항 페이스트에 관한 것이다:(a) NbxLa1-xB6-4x(여기에서 x는 0.1∼0.9몰이다)의 조성을 갖는 저항 재료(a1)와, 비환원성 글라스 프릿(a2)을 함유하는 고형분; (b) 제1첨가제로서, 상기 고형분에 대해 1∼10중량%의 양으로 첨가되는 TiO2; (c) 제2첨가제로서, 상기 고형분에 대해 1∼10중량%의 양으로 첨가되는 Co3O4, CoO 및 Fe2O3으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종; 및 (d) 유기 담체(organic vehicle).The present invention relates to a resistive paste which is characterized by containing the following components: (a) Nb x La 1 - x B 6 - 4x resistance material having a composition of (where x is 0.1 to 0.9 mole) (a1 ) And a solid containing a non-reducing glass frit (a2); (b) TiO 2 added as an amount of 1-10 weight% with respect to the said solid content; (c) at least one member selected from the group consisting of Co 3 O 4 , CoO and Fe 2 O 3 added as an amount of 1 to 10% by weight based on the solid content; And (d) organic vehicles.

Description

저항 페이스트Resistance paste

본 발명은 중성 또는 환원성 분위기에서 소결할 수 있으며, 개선된 저항온도계수(抵抗溫度係數)를 갖는, 저항 페이스트(resistive paste)에 관한 것이다.The present invention relates to a resistive paste, which can be sintered in a neutral or reducing atmosphere and has an improved resistance temperature coefficient.

일반적으로, 알루미나등으로 만들어진 세라믹 기판상에, 다양한 전자 부품들이 탑재된 전극이나 저항체(resistor) 등으로 구성된 전기회로 패턴을 형성하여 왔다. 일반적으로, 전극들은 은(Ag)이나 은-팔라듐 합금(Ag-Pd)과 같은 귀금속을 포함하는 페이스트를 세라믹 기판위에 스크린 프린팅(screen printing)한 후, 공기중에서 소결하여 형성한다.Generally, an electric circuit pattern composed of electrodes, resistors, etc., on which various electronic components are mounted, has been formed on a ceramic substrate made of alumina or the like. In general, electrodes are formed by screen printing a paste containing a noble metal such as silver (Ag) or a silver-palladium alloy (Ag-Pd) on a ceramic substrate and then sintering in air.

그러나, 귀금속 페이스트가 너무 비싸다는 점에서, 또한 전자 기기나 부품의 소형화에 따른 전극간의 거리감소에 대처하기에 충분한 저항 페이스트의 이동 저항(migration resistance)이 요구됨에 따라, 최근들어 귀금속 페이스트는 구리, 니켈, 알루미늄 등의 비(卑)금속 페이스트에 의해 대체되고 있다. 이러한 비(卑)금속 페이스트를 세라믹 기판 상에 스크린 프린팅하고, 중성 또는 환원성 분위기에서 소결하여 우수한 특성을 갖는 값싼 전극 패턴을 형성할 수 있다.However, in view of the fact that the precious metal paste is too expensive, and also the migration resistance of the resistance paste sufficient to cope with the reduction in the distance between the electrodes due to the miniaturization of electronic devices or components, the precious metal paste has recently been copper, It is replaced by nonmetallic pastes, such as nickel and aluminum. Such a non-metallic paste may be screen printed on a ceramic substrate and sintered in a neutral or reducing atmosphere to form a cheap electrode pattern having excellent characteristics.

이러한 비(卑)금속 페이스트를 사용하여 전극을 형성할 때는, 전극들간을 브리지(bridge)하기 위해 배열된 저항체들도 중성 또는 환원성 분위기에서 소결할 수 있는 저항 페이스트를 사용하여야만 한다. 중성 또는 환원성 분위기에서 소결이 가능한 공지의 저항 페이스트로는 LaB6계 페이스트(일본특허출원 공고 59-6481호 참고), NbB2계 페이스트(일본특허출원 공개 63-224301호 참고), 및 Nb-La-B계 페이스트(일본특허출원 공개 2-249203호 참고)을 들 수 있다.When forming an electrode using such a non-metallic paste, the resistors arranged to bridge the electrodes must also use a resistor paste capable of sintering in a neutral or reducing atmosphere. Known resistance pastes that can be sintered in a neutral or reducing atmosphere include LaB 6- based pastes (see Japanese Patent Application Publication No. 59-6481), NbB 2- based pastes (see Japanese Patent Application Publication No. 63-224301), and Nb-La. -B type paste (refer Japanese Unexamined-Japanese-Patent No. 2-249203).

저항 재료와 글라스 프릿(glass frit; 저융점의 유리 분말)과의 혼합비를 변화시켜 광범위한 면적저항(surface resistivity)을 얻어 왔다. 그러나, LaB6계 또는 NbB2계 저항 페이스트를 사용하는 경우에는, 저항 재료와 글라스 프릿 사이에 친화력(affinity)이 좋지 않기 때문에, 글라스 프릿의 양에 있어서 약간의 변화에 의해서도 면적저항이 심하게 변화하는 일이 있다. 이 때문에, 만족할 만한 재현성(reproducibility)을 얻을 수 있는 면적저항치가 제한되어 왔다.A wide range of surface resistivity has been obtained by varying the mixing ratio of the resist material and the glass frit (low melting glass powder). However, in the case of using a LaB 6- based or NbB 2- based resist paste, since the affinity between the resist material and the glass frit is not good, the area resistance varies significantly even with a slight change in the amount of glass frit. There is a thing. For this reason, the area resistance value which can obtain satisfactory reproducibility has been limited.

한편, NbxLa1-xB6-4x계 페이스트로 형성된 저항체는, LaB6계 또는 NbB2계 페이스트로 형성된 저항체에 비하여 면적저항에 있어서 완만한 증가를 보인다. 따라서, NbxLa1-xB6-4x계 페이스트는 저항 재료와 글라스 프릿의 혼합비를 변화시킴에 따라 10Ω/□에서 10MΩ/□(여기에서 □는 단위면적(square)을 의미한다)에 이르는 광범위한 면적저항을 얻을 수 있다. 그러나, NbxLa1-xB6-4x계 페이스트 형성된 저항체, 특히 낮은 면적저항(약 10∼100Ω/□)을 갖도록 조정된 저항체는, 그것의 저항온도계수(temperature coefficient of resistivity; 이하 TCR이라 한다)가 양(+)의 방향으로 이동하여(shift), 그것의 절대값이 0으로부터 멀어지는 경향을 보인다. 이러한 점에서, 이들은 실제 사용시에 요구되는 특성들을 항상 만족시키지 못하고 있다.On the other hand, the resistor formed of the Nb x La 1-x B 6-4x -based paste shows a gentle increase in area resistance compared to the resistor formed of the LaB 6- based or NbB 2- based paste. Therefore, Nb x La 1-x B 6-4x series pastes vary from 10Ω / □ to 10MΩ / □ (where □ stands for square) as the mixing ratio of the resist material and glass frit changes. A wide range of area resistance can be obtained. However, a resistor formed with an Nb x La 1-x B 6-4x- based paste, particularly a resistor adjusted to have a low area resistance (about 10 to 100? /?), Is referred to as its temperature coefficient of resistivity (hereinafter referred to as TCR). ) Shifts in the positive direction, and its absolute value tends to deviate from zero. In this respect, they do not always meet the characteristics required in practical use.

본 발명의 목적은 중성 또는 환원성 분위기에서 소결할 수 있으며, 면적저항치가 낮은 영역에서의 TCR이 음(-)의 방향으로 이동하여 절대값을 0에 가깝게 할 수 있는 NbxLa1-xB6-4x계 저항 페이스트를 제공하는 것이다.An object of the present invention can be sintered in a neutral or reducing atmosphere, and Nb x La 1-x B 6 in which the TCR in a region having low area resistance moves in the negative direction to bring the absolute value closer to zero. To provide a -4x resistor paste

본 발명의 다른 목적과 효과는 하기의 상세한 설명에 의해 더욱 명백해질 것이다.Other objects and effects of the present invention will become more apparent from the following detailed description.

본 발명은 하기의 성분들을 함유하는 저항 페이스트에 관한 것이다:The present invention relates to a resistance paste containing the following components:

(a) NbxLa1-xB6-4x(여기에서 x는 0.1∼0.9몰이다)의 조성을 갖는 저항 재료(a1)와, 비환원성 글라스 프릿(a2)을 함유하는 고형분;(a) a solid containing a resistive material (a1) having a composition of Nb x La 1-x B 6-4x (where x is 0.1 to 0.9 mol) and a non-reducing glass frit (a2);

(b) 제1첨가제로서, 상기 고형분에 대해 1∼10중량%의 양으로 첨가되는 TiO2;(b) TiO 2 added as an amount of 1-10 weight% with respect to the said solid content;

(c) 제2첨가제로서, 상기 고형분에 대해 1∼10중량%의 양으로 첨가되는 Co3O4, CoO 및 Fe2O3으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종; 및(c) at least one member selected from the group consisting of Co 3 O 4 , CoO and Fe 2 O 3 added as an amount of 1 to 10% by weight based on the solid content; And

(d) 유기 담체(organic vehicle).(d) organic vehicles.

본 발명에서는 x가 0.1∼0.9몰, 바람직하게는 0.2∼0.8몰인 NbxLa1-xB6-4x가 저항 재료(a1)로 사용된다. x가 0.1몰보다 작은 경우에는, 면적저항을 점차적으로 증가시키기가 어렵고, x가 0.9몰보다 큰 경우에는, 글라스 프릿의 조성에 따른 면적저항의 변화속도가 커져서, 면적저항의 재현성을 개선시키는 것이 어렵다.In the present invention, Nb x La 1-x B 6-4x in which x is 0.1 to 0.9 mol, preferably 0.2 to 0.8 mol is used as the resistive material a1. When x is smaller than 0.1 mole, it is difficult to gradually increase the area resistance, and when x is larger than 0.9 mole, the rate of change of area resistance according to the composition of the glass frit increases, thereby improving reproducibility of area resistance. it's difficult.

저항 재료의 입자크기는 일반적으로 0.1∼5μm이다. 입자크기가 0.1μm 보다 작은 경우에는, 저항 재료를 제조하는데 요구되는 분쇄시간(grinding time)이 길어지고, 분쇄중 유입되는 불순물이 저항 재료의 특성에 나쁜 영향을 미칠 수 있다.The particle size of the resistive material is generally 0.1-5 μm. If the particle size is smaller than 0.1 μm, the grinding time required for producing the resistive material is long, and impurities introduced during the crushing may adversely affect the properties of the resistive material.

입자크기가 5μm보다 큰 경우에는, 안정된 방법에 의해 일정한 저항을 얻는 것이 어렵다.When the particle size is larger than 5 µm, it is difficult to obtain a constant resistance by a stable method.

저항 재료는 미국특허 5,036,027호에 기재되어 있는 방법과 같은 통상적인 방법으로 제조할 수 있다.The resistive material can be prepared by conventional methods such as those described in US Pat. No. 5,036,027.

본 발명에서 사용되는 비환원성 글라스 프릿(a2)의 예로는, 알칼리토금속보로 실리케이트(alkali earth borosilicate), 보로알루미노실리케이트(boroaluminosilicate)등을 들 수 있다. 비환원성 글라스 프릿의 입자크기는 일반적으로 1∼10μm이다. 입자크기가 1μm보다 작은 경우에는, 면적저항의 변화속도가 너무 커지는 경향이 있고, 10μm보다 큰 경우에는, 안정된 방법으로 균일한 저항체를 얻는 것이 어렵다. 비환원성 글라스 프릿은 적절한 산화물과 혼합하여 용융시키는 것과 같은 통상적인 방법에 의해 제조될 수 있다.Examples of the non-reducing glass frit (a2) used in the present invention include alkaline earth borosilicate, boroaluminosilicate, and the like. The particle size of the non-reducing glass frit is generally 1-10 μm. If the particle size is smaller than 1 m, the change rate of the area resistance tends to be too large. If the particle size is larger than 10 m, it is difficult to obtain a uniform resistor in a stable manner. Non-reducing glass frits can be prepared by conventional methods such as mixing with a suitable oxide to melt.

고형분(a) 중에서 비환원성 글라스 프릿(a2)에 대한 저항 재료(a1)의 중량비는, 목적하는 면적저항에 따라 공범위하게 변할 수 있으며, 본 발명에서는 중량비로 5/100∼70/100이다.The weight ratio of the resistive material (a1) to the non-reducing glass frit (a2) in the solid content (a) can be varied within a range depending on the desired area resistance, and in the present invention is 5/100 to 70/100 by weight ratio.

제1첨가제(b)인 TiO2는 고형분에 대해 1∼10중량%의 양으로, 바람직하게는 2∼7중량%의 양으로, 저항 재료와 글라스 프릿을 함유한 고형분에 첨가된다.TiO 2, which is the first additive (b), is added to the solids containing the resistive material and glass frit in an amount of 1 to 10% by weight, preferably 2 to 7% by weight relative to the solids.

또한, 제2첨가제(c)로서, Co3O4, CoO 및 Fe2O3로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종도 고형분에 대해 1∼10중량%의 양으로, 바람직하게는 2∼5중량%의 양으로 고형분에 첨가된다. 제1 및 제2첨가제들 중 적어도 1종의 첨가량이 1중량% 미만인 경우, 얻게 되는 저항체는 TCR을 음(-)의 방향으로 불충분하게 이동시키게 된다. 제1 및 제2첨가제들 중 적어도 1종의 첨가량이 10중량%를 초과하는 경우, 얻게 되는 저항체는 TCR을 음(-)의 방향으로 너무 과다하게 이동시키게 된다.Further, as the second additive (c), at least one selected from the group consisting of Co 3 O 4 , CoO and Fe 2 O 3 is also in an amount of 1 to 10% by weight, preferably 2 to 5% by weight, based on the solid content. Amount is added to the solids. If the added amount of at least one of the first and second additives is less than 1% by weight, the resistor obtained will insufficiently move the TCR in the negative direction. If the added amount of at least one of the first and second additives exceeds 10% by weight, the resulting resistor will cause the TCR to move too much in the negative direction.

본 발명에서는 (1) 2∼7중량%(바람직하게는 5중량%)의 TiO2와, 2∼5중량%(바람직하게는 5중량%)의 Co3O4와의 배합물; 또는 (2) 2∼7중량%(바람직하게는 5중량%)의 TiO2와, 1∼3중량(바람직하게는 3중량%)의 Fe2O3와의 배합물을 사용하는 것이 바람직하다.In the present invention, (1) a combination of 2 to 7% by weight (preferably 5% by weight) of TiO 2 and 2 to 5% by weight (preferably 5% by weight) of Co 3 O 4 ; Or (2) a combination of 2 to 7 wt% (preferably 5 wt%) of TiO 2 and 1 to 3 wt% (preferably 3 wt%) of Fe 2 O 3 .

유기 담체(d)는 본 발명에 따른 저항 페이스트를 형성하기 위해 사용된다. 그 예로는, α-테르피네올(α-terpineol), β-테르피네올과 같은 테르펜(terpene), 또는 이들과, 케로신(kerosine), 부틸 카르비톨(butyl carbitol), 부틸 카르비톨아세테이트 및 고비등점의 알코올 및 알코올에스테르 등의 다른 용제와의 혼합물로 희석시킨, 아크릴 수지 및 에틸셀룰로오스를 들 수 있다. 이러한 유기 담체는 스크린된 후에 재빨리 굳어져서 우수한 해상도(resolution)를 얻을 수 있기 위해서는, 요변성(thixotropy; 틱소트로피)을 갖고 있어야 한다.The organic carrier (d) is used to form the resistance paste according to the present invention. Examples include terpenes such as α-terpineol, β-terpineol, or these, kerosine, butyl carbitol, butyl carbitol acetate, and the like. Acrylic resin and ethyl cellulose diluted with mixture with other solvents, such as high boiling alcohol and alcohol ester, are mentioned. Such organic carriers must have thixotropy (thixotropy) in order to be quickly hardened after screening to obtain good resolution.

본 발명의 저항 페이스트에서 고형분(a)와 첨가물(b) 및 (c)의 총중량에 대한 유기 담체(d)의 중량비는 20/80∼60/40이며, 바람직하게는 30/70∼50/50이다.In the resistance paste of the present invention, the weight ratio of the organic carrier (d) to the total weight of solids (a) and additives (b) and (c) is 20/80 to 60/40, preferably 30/70 to 50/50. to be.

본 발명의 저항 페이스트는 저항 페이스트를 제조하는 통상적인 방법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들면, 저항 재료와 글라스 프릿을 별개로 제조하여, 제1 및 제2첨가제와 혼합한 후, 얻은 혼합물을 유기 담체와 함께 버무려 반죽하여 본 발명에 따른 저항 페이스트를 형성한다.The resistance paste of the present invention can be produced by a conventional method for producing a resistance paste. For example, the resistance material and the glass frit are separately prepared, mixed with the first and second additives, and then the obtained mixture is kneaded together with the organic carrier to form a resistance paste according to the present invention.

본 발명에 따른 저항 페이스트는 통상적인 페이스트에서와 유사한 방법으로 사용될 수 있다. 예를 들면, 저항 페이스트는 스크린 프린팅법에 의해 세라믹 기판과 같은 적절한 기판에 프린팅하고, 이를 150℃에서 10분간 건조시킨 후, 질소 분위기에서 정상온도(peak temperature)를 900℃로 하여 10분간 소결시킴으로써 제조된다.The resist paste according to the invention can be used in a similar way as in conventional pastes. For example, the resist paste is printed on a suitable substrate such as a ceramic substrate by screen printing, dried for 10 minutes at 150 ° C., and then sintered for 10 minutes at a peak temperature of 900 ° C. in a nitrogen atmosphere. Are manufactured.

본 발명에 따른 저항 페이스트로 형성된 저항체의 면적자항은, 특별히 제한되지는 않으나, 통상적으로는 10∼200Ω/□이며, 바람직하게는 20∼100Ω/□이다.The area magnetic term of the resistor formed of the resistor paste according to the present invention is not particularly limited, but is usually 10 to 200 Ω / □, preferably 20 to 100 Ω / □.

이하, 본 발명은 실시예를 참고로 하여 보다 상세하게 설명되며, 본 발명이 여기에 한정되지는 않는다. 이하 %는 모두 특별한 명시되는 바가 없는 경우에는 중량%를 의미한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto. All percentages below refer to% by weight unless otherwise specified.

[실시예]EXAMPLE

[전극의 제조][Production of Electrode]

비(卑)금속으로서 구리를 함유한 전도성 페이스트를 알루미나 세라믹 기판에 스크린 프린팅한 후, 질소 분위기에서 소결하여 전극을 형성하였다.A conductive paste containing copper as a base metal was screen printed on an alumina ceramic substrate, and then sintered in a nitrogen atmosphere to form an electrode.

[저항 페이스트의 제조][Production of Resistance Paste]

하기의 표 1에 나타낸 바와 같이, NbxLa1-xB6-4x에서 x가 0.1∼0.9몰 범위내에서 변하도록 NbB2와 LaB6분말을 무게를 달아 혼합하였다. 얻은 혼합물을 정상온도가 1000℃로 설정된 질소분위기 중에서, 2시간 동안, 온도상승속도를 3℃/분으로 하여 NbB2내에 LaB6가 고용체를 이루도록 소성시켰다. 얻은 혼합물을 진동 밀(vibration mill)에서 평균 입자크기가 1μm가 되도록 분쇄시킨 후, 건조시켜, NbxLa1-xB6-4x(여기에서 x는 0.1∼0.9몰)의 조성을 갖는 저항 재료를 얻었다.As shown in Table 1 below, NbB 2 and LaB 6 powders were weighed and mixed in a Nb x La 1-x B 6-4x so that x varies within a range of 0.1 to 0.9 moles. The resultant mixture was calcined in a nitrogen atmosphere at which the normal temperature was set to 1000 ° C. for 2 hours, at a temperature rising rate of 3 ° C./min, to form a solid solution of LaB 6 in NbB 2 . The resulting mixture is ground in a vibration mill to have an average particle size of 1 μm, and then dried to obtain a resistive material having a composition of Nb x La 1-x B 6-4x (where x is 0.1 to 0.9 mol). Got it.

별도로, B2O3, SiO2, BaO, CaO, Nb2O5및 K2O 각각을 몰비로 35.56/31.24/17.79/10.04/2.41/2.97이 되도록 혼합하고, 얻은 혼합물을 1,200∼1,350℃의 온도에서 용융시켜서 용융된 글라스(fused glass)를 얻었다. 용융된 글라스를 순수한 물중에서 급냉시킨 후, 평균 입자크기가 5μm 정도로 되도록 진동 밀에서 분쇄시켜, 비환원성 글라스 프릿을 얻었다.Separately, B 2 O 3 , SiO 2 , BaO, CaO, Nb 2 O 5, and K 2 O were each mixed in a molar ratio of 35.56 / 31.24 / 17.79 / 10.04 / 2.41 / 2.97, and the resulting mixture was prepared at a temperature of 1,200 to 1,350 ° C. Melting at temperature gave fused glass. The molten glass was quenched in pure water and then pulverized in a vibrating mill to have an average particle size of about 5 μm to obtain a non-reducing glass frit.

얻은 혼합물을 α-테르피네올로 희석한 아크릴 수지로 이루어진 유기 담체와 함께 반죽하여 저항 페이스트를 얻었다.The obtained mixture was kneaded together with an organic carrier made of acrylic resin diluted with α-terpineol to obtain a resist paste.

(주): 1:NbLaB에서의 x(week): 1: x in NbLaB

2:저항 재료/글라스 프릿에 대한 중량% 2: weight% for resistive material / glass frit

3:본 발명의 범위를 벗어나는 샘플3: Sample outside the scope of the present invention

[저항체의 제조][Production of Resistor]

표 1의 저항 페이스트 각각은, 먼저 알루미나 기판상에, 적극을 포함하여, 길이 1.5mm, 폭 1.5mm, 두께 20μm(건조 두께)의 크기로 스크린 프린팅한 후, 150℃에서 10분간 건조시켰다. 이어서 정상온도를 900℃로 하고, 질소 분위기에서 10분간 소결시켜 저항체를 형성하였다.Each of the resist pastes in Table 1 was screen printed on alumina substrates with a length of 1.5 mm in length, 1.5 mm in width, and 20 μm in thickness (dry thickness), including the positive electrode, and then dried at 150 ° C. for 10 minutes. Subsequently, the normal temperature was 900 ° C., followed by sintering for 10 minutes in a nitrogen atmosphere to form a resistor.

[평가][evaluation]

각 샘플의 면적저하과 TCR을 측정하였다. 그 결과는 표 2에 나타내었다.Area reduction and TCR of each sample were measured. The results are shown in Table 2.

(주) :본 발명의 범위를 벗어나는 샘플(week) Samples outside the scope of the present invention

표 2에서 보는 바와 같이, 제1첨가제를 함유하지 않고, 제2첨가제로서 오직 5% CoO를 함유한 샘플 1(x=0.50몰)은 -55℃에서 +478ppm/℃의 TCR을 가지며, +150℃에서 +468ppm/℃의 TCR을 가지는 반면, 제1첨가제로서 1∼10%의 TiO를, 제2첨가제로서 5%의 CoO를 함유한 샘플들의 경우, 샘플 1의 경우와 비교하여 TCR이 음(-)의 방향으로 이동하였다.As shown in Table 2, Sample 1 (x = 0.50 moles) containing no first additive and only 5% CoO as second additive had a TCR of +478 ppm / ° C. at −55 ° C. and +150 For samples with a TCR of +468 ppm / ° C. while containing 1-10% TiO as the first additive and 5% CoO as the second additive, the TCR was negative compared to that of Sample 1. Moved in the direction of-).

10% 이상의 제1첨가제(TiO)를 함유한 샘플 5는 TCR이 음(-)의 방향으로 크게 이동하여, 저항체로서 만족스러운 특성을 나타내지 못하였다.Sample 5 containing 10% or more of the first additive (TiO) did not exhibit satisfactory properties as a resistor because TCR moved largely in the negative direction.

제2첨가제를 함유하지 않고, 제1첨가제만을 함유한 샘플 7은 -55℃에서 +420ppm/℃의 TCR을, +150℃에서 +367ppm/℃의 TCR을 가지는 반면, 제1첨가제에 부가적으로 CoO, CoO및 FeO중에서 선택된 제2첨가제를 1∼10% 함유한 샘플들은, 샘플 7과 비교하여 거의 동일한 면적저항을 가지면서, TCR이 음(-)의 방향으로 이동하였음을 알 수 있다. 한편, 10% 이상의 제2첨가제를 함유한 샘플 11,15 및 19의 경우, TCR이 음(-)의 방향으로 너무 과하게 이동하여, 저항체로서 만족할만한 특성을 나타내지 못하였다.Sample 7, containing no second additive and containing only the first additive, had a TCR of +420 ppm / ° C. at −55 ° C. and a TCR of +367 ppm / ° C. at + 150 ° C., while in addition to the first additive. It can be seen that the samples containing 1 to 10% of the second additive selected from CoO, CoO and FeO have almost the same area resistance compared to Sample 7, while the TCR has moved in the negative direction. On the other hand, in the case of samples 11, 15 and 19 containing 10% or more of the second additive, the TCR moved too much in the negative direction and did not exhibit satisfactory properties as a resistor.

이와 유사하게, 제2첨가제를 함유하지 않고, 제1첨가제만을 함유한 샘플 21(x=0.75몰)은 -55℃에서 +355ppm/℃, +150℃에서 +341ppm/℃의 TCR을 보인 반면, 제1첨가제에 부가적으로 CoO, CoO및 FeO중에서 선택된 제2첨가제를 1∼10% 함유한 샘플들은, 샘플 21과 비교하여 거의 동일한 면적저항을 가지면서, TCR이 음(-)의 방향으로 이동하였다. 10% 이상의 제2첨가제를 함유한 샘플 25, 29, 33은 TCR이 음(-)의 방향으로 너무 과하게 이동하여, 저항체로서 만족할만한 특성을 보이지 못하였음을 주시해야 한다.Similarly, sample 21 (x = 0.75 moles) containing no second additive and only the first additive showed a TCR of +355 ppm / ° C. at −55 ° C. and +341 ppm / ° C. at + 150 ° C. Samples containing 1 to 10% of a second additive selected from CoO, CoO and FeO in addition to the first additive have almost the same area resistance as that of Sample 21, while the TCR moves in the negative direction. It was. It should be noted that samples 25, 29 and 33 containing at least 10% of a second additive had too much TCR in the negative direction and did not show satisfactory properties as resistors.

제1첨가제를 함유하고, 또 전체 6%의 제2첨가제를 함유한 샘플들(샘플 34,35,36,37)도 또한 -55℃에서 +49∼+79ppm/℃의 TCR을, +150℃에서 +55∼+83ppm/℃의 TCR을 갖는 등 만족할 만한 특성을 나타내었다.Samples containing the first additive and a total of 6% of the second additive (samples 34,35,36,37) also had a TCR of +49 to +79 ppm / ° C at -55 ° C and + 150 ° C. Satisfactory properties such as having a TCR of +55 to +83 ppm / ° C.

간단한 설명하면, NbLaB계 저항 페이스트(x는 0.1∼0.9몰)에 상기한 제1 및 제2첨가제를 첨가하는 것은, 면적저항치에서는 거의 변화를 일으키지 않으면서, TCR을 음(-)의 방향으로 이동시켜, 저항 페이스트로 형성된 저항체의 TCR을 0에 근접시키는데 효과적이다.제1 및 제2첨가제 중 어느 하나의 첨가량이 10%를 초과하는 경우에는, 면적저항이 증가하고 TCR은 음(-)의 방향으로 너무 과하게 이동된다.In brief, adding the first and second additives to the NbLaB-based resist paste (x is 0.1 to 0.9 mol) causes the TCR to move in the negative direction with little change in the area resistance. It is effective to bring the TCR of the resistor formed of the resist paste close to 0. When the addition amount of either of the first and second additives exceeds 10%, the area resistance increases and the TCR is in the negative direction. Too much is moved.

또한, NbLaB계 페이스트에서 x가 0.1보다 작은 경우에는, 저항이 현저하게 감소하고, 0.9보다 큰 경우에는, 저항이 현저하게 증가한다. 두 경우 모두, 이러한 저항 재료는 글라스 프릿과의 어떤 혼합비에서도 저항체로서 만족할만 한 수행을 하지 못하였다.In the NbLaB paste, when x is less than 0.1, the resistance is significantly decreased, and when it is larger than 0.9, the resistance is significantly increased. In both cases, this resistive material did not perform satisfactorily as a resistor at any mixing ratio with the glass frit.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 저항 페이스트는 NbLaB(x는 0.1∼0.9몰)의 조성을 갖는 저항 재료와 비환원성 글라스 프릿과의 고형분; 제1첨가제로서, 전기 고형분에 대해 1∼10중량%의 TiO; 제2첨가제로서, CoO, CoO 및 FeO로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종으로, 고형분에 대해 1∼10중량%를 함유한다. 본 발명에 따르면, NbLaB계 저항 페이스트를 소결시켜 형성한 저항체에 있어서, 면적저항이 낮은 영역에서 면적저항의 저항온도계수를 음(-)의 방향으로 이동시킬 수 있으며, 이에 의해 본 발명의 저항 페이스트는 중성 또는 환원성 분위기에서 소결시키는데에 있어서 저항 페이스트에 대해 요구되는 특성을 충분히 만족시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.As described above, the resist paste according to the present invention comprises a solid content of a resistive material having a composition of NbLaB (x is 0.1 to 0.9 mol) and a non-reducing glass frit; As a first additive, 1-10 weight% TiO with respect to an electrical solid content; As the second additive, at least one member selected from the group consisting of CoO, CoO and FeO contains 1 to 10% by weight based on the solid content. According to the present invention, in a resistor formed by sintering a NbLaB-based resistance paste, the resistance temperature coefficient of the area resistance can be moved in the negative direction in a region having a low area resistance, whereby the resistance paste of the present invention. The effect of sufficiently satisfying the properties required for the resist paste in sintering in a neutral or reducing atmosphere can be obtained.

이상에서 본 발명은 특별히 실시예를 참고로 하여 상세하게 설명되었지만, 본 qf명의 범위를 벗어남이 없이, 다양한 변화와 변형에 또한 가능하며, 이는 당업자에게는 명백한 사실이다.While the invention has been described in detail with reference to the embodiments in particular, it is also possible for various changes and modifications without departing from the scope of this qf name, which is obvious to those skilled in the art.

Claims (4)

하기의 성분들을 함유함을 특징으로 하는 저항 페이스트:(a) NbxLa1-xB6-4x(여기에서 x는 0.1∼0.9몰이다)의 조성을 갖는 저항 재료(a1)와, 비환원성 글라스 프릿(a2)을 함유하는 고형분; (b) 제1첨가제로서, 상기 고형분에 대해 1∼10중량%의 양으로 첨가되는 TiO2; (c) 제2첨가제로서, 상기 고형분에 대해 1∼10중량%의 양으로 첨가되는 Co3O4, CoO 및 Fe2O3으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종; 및 (d) 유기 담체(organic vehicle).A resistive paste characterized by containing the following components: (a) a resistive material (a1) having a composition of Nb x La 1-x B 6-4x (where x is 0.1 to 0.9 mol) and a non-reducing glass Solids containing frit (a2); (b) TiO 2 added as an amount of 1-10 weight% with respect to the said solid content; (c) at least one member selected from the group consisting of Co 3 O 4 , CoO and Fe 2 O 3 added as an amount of 1 to 10% by weight based on the solid content; And (d) organic vehicles. 제1항에 있어서, 제1첨가제(b)의 양은 상기 고형분에 대해 2∼7중량%이며, 제2첨가제(c)의 양은 상기 고형분 총중량에 대해 2∼5중량%임을 특징으로 하는 저항 페이스트.The resistance paste of claim 1, wherein the amount of the first additive (b) is 2 to 7% by weight based on the solids, and the amount of the second additive (c) is 2 to 5% by weight based on the total weight of the solids. 제2항에 있어서, 제1첨가제(b)인 상기 고형분에 대해 2∼7중량%의 TiO2이며, 제2첨가제(c)는 상기 고형분에 대해 2∼5중량%의 Co3O4임을 특징으로 하는 저항 페이스트.The method according to claim 2, wherein the first additive (b) is 2 to 7% by weight of TiO 2 based on the solids, and the second additive (c) is 2 to 5% by weight of Co 3 O 4 based on the solids. Resistance paste made with. 제2항에 있어서, 제1첨가제(b)인 상기 고형분에 대해 2∼7중량%의 TiO2이며, 제2첨가제(c)는 상기 고형분에 대해 1∼3중량%의 Fe2O3임을 특징으로 하는 저항 페이스트.The method according to claim 2, wherein the first additive (b) is 2 to 7% by weight of TiO 2 based on the solids, and the second additive (c) is 1 to 3% by weight of Fe 2 O 3 based on the solids. Resistance paste made with.
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