KR0146305B1 - Automatic recognition method of main memory size - Google Patents
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Abstract
본 발명은 시스템의 주기억 장치의 메모리 크기를 다양하게 변화시킴에 따라 그 전체 크기를 자동적으로 인식하여 별다른 세팅이 필요없도록 하는 주기억 장치 사이즈의 자동 인식 방법에 관한 것으로, 다양한 크기의 메모리에 따라 그 크기를 변경시킬 경우, 메모리 크기가 변하였음을 중앙처리장치가 인식할 수 있도록 그에 따른 특별한 세팅이 필요하여 번거러운 문제점이 있었는데, 본 발명에서 중앙처리장치가 주기억 장치의 메모리 크기 변경에 따른 전체 메모리 크기를 자동적으로 인식하도록 하는 프로그램을 제공함으로써 디램의 전체 메모리 크기를 자동으로 인식 가능하게 되어 꼭 필요한 메모리 크기만을 사용할 수 있게 되고, 또한 그에 따른 특별한 세팅이 필요 없게 된다.The present invention relates to a method for automatically recognizing a main memory device size by automatically recognizing its entire size as the memory size of the main memory device of the system is changed in various ways, and the size according to various sizes of memory. In this case, a special setting is required according to the CPU so that the CPU can recognize that the memory size has changed. In the present invention, the CPU can change the total memory size according to the memory size change of the main memory device. By providing a program for automatically recognizing, the entire memory size of the DRAM can be automatically recognized so that only the memory size required can be used and no special setting is required.
Description
제1도는 일반적인 중앙처리장치의 메모리 맵의 구성도,1 is a configuration diagram of a memory map of a general CPU,
제2도는 본 발명 주기억 장치 사이즈의 자동 인식을 위한 동작 순서도이다.2 is an operation flowchart for automatic recognition of the main memory size of the present invention.
본 발명은 시스템의 주기억 장치의 메모리 크기를 다양하게 변화시킴에 따라 그 전체 크기를 자동적으로 인식하여 별다른 세팅이 필요없도록 하는 주기억 장치 사이즈의 자동 인식 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for automatically recognizing the main memory size so that the total size is automatically recognized as the memory size of the main memory device of the system is variously changed so that no special setting is necessary.
제1도는 중앙 처리 장치의 일반적인 메모리 맵 구성과 그에 해당하는 어드레스를 나타낸다.1 shows a general memory map configuration of a central processing unit and an address corresponding thereto.
중앙처리장치는 각 파트, 즉 디램, 브이램, 롬, 입/출력 등을 제어하기 위해 각 파트들에게 적합한 어드레스를 부여하게 된다. 도면상 표시된 어드레스는 이진수이다.The central processing unit assigns an appropriate address to each part to control each part, that is, DRAM, VRAM, ROM, input / output, and the like. Addresses shown in the figures are binary.
일반적으로 제1도와 같은 메모리 맵을 구성하기 위해서는 프로그램 가능 배열 논리(Programmable Array Logic:PAL)을 이용한다. 그런데, 여기서 디램에 대한 메모리 맵은 특별하게 구성해야 하는데, 그 이유는 디램을 구성하는 각 뱅크마다 서로 다른 크기의 메모리를 사용할 수 있기 때문이다.Generally, Programmable Array Logic (PAL) is used to construct a memory map as shown in FIG. By the way, the memory map for the DRAM must be specially configured because the different sizes of memory can be used for each bank constituting the DRAM.
즉, 디램을 구성하는 각 뱅크는 두 개로 구성되며, 각각의 뱅크는 같은 메모리 크기를 갖는 8비트의 심을 사용한다. 즉, 한 뱅크는 16비트로 구성된다.That is, each bank constituting the DRAM is composed of two, and each bank uses an 8-bit shim having the same memory size. In other words, one bank is composed of 16 bits.
여기서, 디램이 시작되는 초기 어드레스에 위치하는 첫번째 뱅크는 256KB와 1MB의 심 중 하나를 사용할 수 있고, 두번째 뱅크는 첫번째 뱅크에 이어서 구성이 되면서 256KB,1MB 그리고 4MB 중 하나를 사용할 수 있다.Here, the first bank located at the initial address where the DRAM starts can use one of the 256 KB and 1 MB shims, and the second bank can be configured to follow the first bank and use one of 256 KB, 1 MB, and 4 MB.
이로 인해 첫번째 뱅크의 최소 메모리 크기는 256KB 두개를 합친 것으로 512KB, 즉 약 0.5MB이고, 최고 메모리 크기는 1MB 두 개를 합친 것으로 2MB가 된다.Because of this, the minimum memory size of the first bank is 256KB, which is 512KB, or about 0.5MB, and the maximum memory size is 2MB, which is the combination of two 1MB.
두번째 뱅크도 마찬가지로 하여 최소 0KB, 최고 8MB가 되므로, 전체 메모리의 크기는 최소 0.5MB, 최고 10MB가 된다.Similarly, the second bank is at least 0 KB and at most 8 MB, so the total memory size is at least 0.5 MB and at most 10 MB.
상기에서 알 수 있는 바로, 첫번째 뱅크에는 항상 메모리가 존재해야 하고, 두번째 뱅크에는 없어도 됨을 알 수 있다.As can be seen from the above, it can be seen that there must always be a memory in the first bank and not the second bank.
상기와 같이 다양한 크기의 메모리에 따라 그 크기를 변경시킬 경우, 메모리 크기가 변하였음을 중앙처리장치가 인식할 수 있도록 그에 따른 특별한 세팅에 필요하였다.When changing the size according to the memory of various sizes as described above, it was necessary for a special setting according to the CPU so that the CPU can recognize that the memory size has changed.
본 발명은 이러한 점을 감안하여, 중앙처리장치가 주기억 장치의 메모리 크기 변경에 따른 전체 메모리 크기를 자동적으로 인식하도록 하는 프로그램을 제공하여 특별한 세팅이 필요 없도록 함을 특징으로 한다.In view of this, the present invention is characterized in that the central processing unit provides a program for automatically recognizing the total memory size according to the memory size change of the main memory device, so that no special setting is required.
즉, 주기억 장치인 디램을 두개의 뱅크로 구성하고, 각각의 뱅크는 같은 메모리 크기를 갖는 두개의 8비트 심으로 구성하여, 첫번째 뱅크에서의 심은 256KB와 1MB 심 중 한가지를 사용하고, 두번째 뱅크에서의 심은 256KB,1MB와 4MB 심 중 한가지를 사용함으로써 최저 0.5MB에서 최고 10MB 까지 변하는 전체 메모리 크기를 인식하여 자동 세팅되도록 하는 방법은, 디램의 메모리가 시작되는 첫번째 뱅크의 메모리 크기를 최대 메모리 크기인 2MB로 가정하여, 두번째 뱅크가 시작되는 초기 예상 어드레스를 결정하는 제1단계와, 초기 디램 어드레스와 초기 어드레스에 첫번째 뱅크의 최소 메모리 크기인 512KB를 더한 곳에 다른 임의의 수를 입력하는 제2단계와, 상기 제2단계에서 초기 어드레스에 입력한 값과 메모리에서 초기 어드레스에 입력된 값을 다시 읽어들인 값이 일치하는지를 판단하는 제3단계와, 상기 제3단계에서 결정된 첫번째 뱅크의 메모리 크기에 의해 결정된 두번째 뱅크의 초기 어드레스에 임의의 수를 입력하는 제4단계와, 상기 제4단계에서 입력한 값과 메모리에서 초기어드레스에 입력된 값을 다시 읽어들인 값이 일치하는지를 판단하는 제5단계와, 상기 제5단계에서 일치하면 두번째 뱅크의 초기 어드레스를 저장하는 제6단계와, 두번째 뱅크의 시작 번지부터 512KB 만큼 어드레스를 증가시키면서 임의의 데이터를 입력하는 제7단계와, 상기 제7단계에서 입력한 값과 메모리에서 입력된 값을 다시 읽어들인 값이 일치하는지를 판단하는 제8단계로 이루어진다.In other words, the DRAM, the main memory device, is composed of two banks, and each bank is composed of two 8-bit SIMs having the same memory size. The first bank uses one of 256KB and 1MB SIMs, and the second bank. The SIM uses one of 256KB, 1MB and 4MB sims to recognize the total memory size from 0.5MB up to 10MB and automatically set the memory size of the first bank where the memory of the DRAM starts. Assuming 2MB, a first step of determining an initial expected address at which the second bank starts, a second step of inputting an arbitrary number other than the initial DRAM address and the initial address plus 512KB of the minimum memory size of the first bank; A value input again to the value input to the initial address in the second step and the value input to the initial address in the memory A third step of judging whether or not to coincide, a fourth step of inputting an arbitrary number to the initial address of the second bank determined by the memory size of the first bank determined in the third step, the value and the memory entered in the fourth step A fifth step of determining whether or not the value read back to the initial address is identical to the second address; a sixth step of storing the initial address of the second bank if the value is identical in the fifth step; and 512 KB from the start address of the second bank. A seventh step of inputting arbitrary data while increasing an address, and an eighth step of determining whether the value input in the seventh step and the value read back from the memory are identical.
상기 제3단계에서 일치하지 않으면 첫번째 뱅크가 512KB의 메모리를 가지고 있는 것으로 판단하고, 두 번째 뱅크의 초기 디램 어드레스에 512KB를 더한 값으로 한다.If it does not match in the third step, it is determined that the first bank has 512 KB of memory, and 512 KB is added to the initial DRAM address of the second bank.
상기 제5단계에서 일치하지 않으면 두번째 뱅크에는 메모리가 없는 것으로 상기 제4단계에서 임의의 데이타가 입력되는 어드레스가 전체 메모리 크기가 된다.If there is no coincidence in the fifth step, there is no memory in the second bank, and the address into which arbitrary data is input in the fourth step becomes the total memory size.
상기 제8단계에서 일치하지 않으면 상기 제7단계에서 임의의 데이타가 입력되는 어드레스 상위로는 메모리가 인지하게 되어 상기 제7단계에서 증가된 어드레스 값이 전체 메모리크기가 된다.If the data is not matched in the eighth step, the memory is recognized as an upper level of the address to which any data is input in the seventh step, and the address value increased in the seventh step becomes the total memory size.
이하, 본 발명의 일실시예를 첨부 도면을 참조로 하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
제2도는 중앙처리장치에서 특별한 구성으로 구성되는 주기억 장치인 디램의 각각의 뱅크에 장착되는 심의 메모리 크기에 따라 변하는 전체 메모리 크기를 인식하는 동작 순서도이다.FIG. 2 is a flowchart illustrating an operation of recognizing a total memory size varying according to a memory size of a shim mounted in each bank of a DRAM, which is a main memory device having a special configuration in a central processing unit.
중앙처리장치의 자동 인식 동작을 설명하기 전에 디램에 관해 우선 설명한다.Before describing the automatic recognition operation of the CPU, the DRAM will be described.
디램은 프로그램 가능 배열 논리(PAL) 방식으로 메모리 맵을 구성하는 중앙처리장치에서와 같이 구성되는 것으로, 일반적인 구성이다.즉 두개의 뱅크로 구성되며, 각각의 뱅크는 같은 메모리 크기를 갖는 8비트의 심을 사용한다. 즉, 한 뱅크는 16비트로 구성된다.The DRAM is configured as in the central processing unit that constructs the memory map in the Programmable Array Logic (PAL) method, which is a general configuration: two banks, each bank of eight bits with the same memory size. Use a shim. In other words, one bank is composed of 16 bits.
여기서, 디램이 시작되는 초기 어드레스에 위치하는 첫번째 뱅크는 256KB와 1MB의 심 중 하나를 사용할 수 있고, 두번째 뱅크는 첫번째 뱅크에 이어서 구성이 되면서 256KB,1MB 그리고 4MB 중 하나를 사용할 수 있다.Here, the first bank located at the initial address where the DRAM starts can use one of the 256 KB and 1 MB shims, and the second bank can be configured to follow the first bank and use one of 256 KB, 1 MB, and 4 MB.
이로 인해 첫번째 뱅크의 최소 메모리 크기는 256KB 두개를 합친 것으로 512KB, 즉 약 0.5KB이고, 최고 메모리 크기는 1MB 두개를 합친 것으로 2MB가 된다.As a result, the minimum memory size of the first bank is 256KB, which is 512KB, or about 0.5KB, and the maximum memory size is 2MB, which is two 1MB.
상기와 같은 메모리에 대한 각각의 뱅크가 위치하는 어드레스는 다음과 같이 할당된다.The address where each bank for such a memory is located is allocated as follows.
1) 첫번째 뱅크의 경우1) For the first bank
256KB 심의 경우 : 2진수 0200 0000~023F FFFFFor 256KB Sim: Binary 0200 0000 ~ 023F FFFF
1MB 심의 경우 : 2진수 0200 0000~02FF FFFFFor 1MB Sim: Binary 0200 0000 ~ 02FF FFFF
2)두번째 뱅크의 경우2) For the second bank
①첫번째 뱅크에 256KB 심이 있을 때① When there is 256KB shim in the first bank
256KB 심의 경우 : 2진수 0240 0000~027F FFFFFor 256KB Sim: Binary 0240 0000 ~ 027F FFFF
1MB 심의 경우 : 2진수 0240 0000~033F FFFFIn case of 1MB Sim: Binary 0240 0000 ~ 033F FFFF
4MB 심의 경우 : 2진수 0240 0000~063F FFFFFor 4MB Sim: Binary 0240 0000 ~ 063F FFFF
②두번째 뱅크에 1MB 심이 있을 때②When there is 1MB shim in the second bank
256KB 심의 경우 : 2진수 0300 0000~033F FFFFFor 256KB Sim: Binary 0300 0000 ~ 033F FFFF
1MB 심의 경우 : 2진수 0300 0000~03FF FFFFIn case of 1MB Sim: Binary 0300 0000 ~ 03FF FFFF
4MB 심의 경우 : 2진수 0300 0000~06FF FFFFFor 4MB Sim: Binary 0300 0000 ~ 06FF FFFF
이와 같이 각각의 메모리 크기에 따른 어드레스를 인식하기 위한 방법은 제2도와 같이 하여 설명한다.As described above, a method for recognizing an address corresponding to each memory size will be described with reference to FIG.
이때, 프로그램 가능 배열 논리(PAL) 방식에서는 첫번째 뱅크의 메모리 크기가 2MB이면 MEMSIZE를 0으로, 512KB이면 1로 지정한다.In this case, in the programmable array logic (PAL) method, MEMSIZE is set to 0 when the memory size of the first bank is 2MB and 1 when 512KB.
먼저, 첫번째 뱅크에 1MB 심이 있는 것으로 가정하면, 이에 따른 두번째 뱅크의 예상 초기 어드레스(XX)는 디램의 초기 어드레스(DRAMBASE = 2진수 0200 0000)에 첫번째 뱅크의 가정 메모리 크기(2MB)를 더한 값이 된다(단계 S1). 그리고, 디램의 초기 어드레스(DRAMBASE)와 512KB를 더한 어드레스에 서로 다른 임의의 수를 입력한다(단계 S2). 이때 512KB는 첫번째 뱅크에 장착될 수 있는 최소 메모리 크기이다. 그리고, 각각의 다른 임의의 수는 2진수로서 서로 상반되게 갖추어 인식하기 좋은 수로 한다. 즉 예를 들면, 2진수로 0101 1010 1111 0000(16진수로 5AF0)와 2진수로 1010 0101 0000 1111(16진수로 A50F)를 입력하면 비교하기가 쉽다.First, assuming that there is a 1 MB shim in the first bank, the expected initial address (XX) of the second bank is equal to the initial address of the DRAM (DRAMBASE = binary 0200 0000) plus the home memory size (2 MB) of the first bank. (Step S1). Then, random numbers different from each other are inputted to the address obtained by adding the initial address (DRAMBASE) of the DRAM and 512 KB (step S2). 512 KB is the minimum memory size that can be loaded in the first bank. And each other arbitrary number is made into a binary number, and is mutually opposite, and makes it easy to recognize. For example, if you enter 0101 1010 1111 0000 (5AF0 in hexadecimal) and 1010 0101 0000 1111 (A50F in hexadecimal) in binary, it is easy to compare.
상기에서 만일 첫번째 뱅크에 1MB 심이 아니라 256KB 심이 있는 것이라면 첫번째 어드레스에서 512KB 위치에 입력된 데이타(A50F)는 첫번째 어드레스로 오버라이트(OVER WRITE)된다. 왜냐하면 어드레스는 0번부터 시작하므로 전체 512KB의 메모리를 갖는 첫번째 뱅크에서는 첫번째 어드레스에 512KB를 더한 위치에서의 어드레스가 존재하지 않게 된다. 그러므로 첫번째 어드레스에 입력된 데이타는 지워지고 오버라이트 된 데이타가 남아 있게 된다.In the above, if the first bank has 256 KB instead of 1 MB shim, the data A50F input at the 512KB position from the first address is overwritten to the first address. Because the address starts at 0, in the first bank having a total of 512 KB of memory, there is no address at the location where 512 KB is added to the first address. Therefore, the data entered at the first address is erased and the overwritten data remains.
이에 따라 첫번째 뱅크의 초기 어드레스(DRAMBASE)에 입력되어 있는 데이타를 다시 읽어 상기 단계(S2)에서 첫번째 어드레스에 입력한 데이타(5AF0)와 일치하는 지를 확인한다(단계 S3). 상기 단계(S3)에서 일치하면 상기 단계(S1)에서 가정한 사실이 맞는 것으로, 다음 두번째 뱅크의 메모리 크기를 확인하는 단계로 들어간다. 상기 단계(S3)에서 일치하지 않으면 상기 단계(S1)에서 가정한 사실이 틀리는 것으로 실제로 256KB 가 있음을 확인하게 된다. 따라서, 첫번째 뱅크에 256KB 심이 장착되어 있는 것으로 확인하고, 이에 따른 두번째 뱅크의 초기 어드레스(XX)는 디램의 초기 어드레스(DRAMBASE)에 512KB를 더한 곳임을 확인한다(단계 S4).As a result, the data inputted to the initial address (DRAMBASE) of the first bank is read again to confirm whether or not the data 5AF0 inputted to the first address is matched in the step S2 (step S3). If it matches in step S3, the fact assumed in step S1 is correct, and the process enters the step of checking the memory size of the next second bank. If they do not match in step S3, it is confirmed that there is actually 256 KB because the fact assumed in step S1 is wrong. Therefore, it is confirmed that the 256 KB shim is attached to the first bank, and accordingly, the initial address XX of the second bank is determined to be 512 KB added to the initial address DRAMRAM of the DRAM (step S4).
한편, 상기와 같이 첫번째 뱅크의 메모리 크기가 결정되면, 두번째 뱅크의 메모리 크기를 확인해야 하는데, 우선 두번째 뱅크의 초기 어드레스(XX)에 임의의 수(5AF0)를 입력한다(단계 S5). 그리고, 두번째 뱅크의 초기 어드레스(XX)에 입력되어 있는 데이타를 다시 읽어 상기 단계(단계 S5)에서 입력한 데이타(5AF0)와 일치하는 지를 확인한다(단계 S6).On the other hand, when the memory size of the first bank is determined as described above, the memory size of the second bank should be checked. First, an arbitrary number 5AF0 is input to the initial address XX of the second bank (step S5). Then, the data inputted to the initial address XX of the second bank is read again to confirm whether it matches the data 5AF0 input in the step (step S5) (step S6).
만일 일치하지 않으면 두번째 뱅크에 메모리가 없다는 것으로, 두번째 뱅크에 어드레스가 존재하지 않기 때문에 입력되는 데이타가 소멸된 것이다. 따라서, 두번째 뱅크의 초기 어드레스(XX) 값이 디램의 전체 메모리가 된다.If it does not match, there is no memory in the second bank, and the input data is destroyed because no address exists in the second bank. Thus, the initial address XX of the second bank becomes the entire memory of the DRAM.
상기 단계(S6)에서 일치하게 되면 두번째 뱅크에 메모리가 존재하는 것으로, 그 초기 어드레스(XX)를 저장해 둔다(단계 S7). 그리고 나서, 두번째 뱅크의 초기 어드레스가 저장되어 있는 값(YY)에서 부터 두번째 뱅크에 장착될 수 있는 가장 최소의 메모리 크기인 512KB 만큼의 어드레스를 증가시키면서 임의의 데이타(5AF0)를 입력한다(단계 S8). 상기 단계(S8)에서 데이타(5AF0)를 입력한 어드레스(YY)를 다시 읽어 입력되어 있는 데이타와 입력한 데이타(5AF0)가 일치하는지를 확인한다(단계 S9). 만일 일치하게 되면 메모리가 존재하는 것으로 다시 상기 단계들(S8,S9)를 반복한다. 만일 일치하지 않으면 상기 단계(S8)에서 증가된 어드레스(YY) 상위에는 더 이상 메모리가 존재하지 않는 것으로 상기 단계(S8)에서 증가된 어드레스(YY)가 전체 메모리 크기가 된다.If it matches in step S6, a memory exists in the second bank, and the initial address XX is stored (step S7). Then, random data 5AF0 is inputted from the value YY in which the initial address of the second bank is stored, increasing the address by 512 KB, which is the smallest memory size that can be loaded in the second bank (step S8). ). In step S8, the address YY to which the data 5AF0 is input is read again to confirm whether the input data and the input data 5AF0 match (step S9). If they match, the steps (S8, S9) are repeated again with the memory present. If it does not match, there is no more memory above the address YY increased in step S8, and the address YY increased in step S8 becomes the total memory size.
이로써 디램의 전체 메모리 크기를 자동으로 인식할 수 있게 된다.This will automatically recognize the total memory size of the DRAM.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 따르면, 디램의 전체 메모리 크기를 자동으로 인식 가능하게 되어 꼭 필요한 메모리 크기 만을 사용할 수 있게 되고, 또한 그에 따른 특별한 세팅이 필요 없게 된다.As described above, according to the present invention, the entire memory size of the DRAM can be automatically recognized so that only the memory size necessary can be used, and accordingly, no special setting is required.
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