KR0139513B1 - 반도체 장치 - Google Patents
반도체 장치Info
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- KR0139513B1 KR0139513B1 KR1019920001164A KR920001164A KR0139513B1 KR 0139513 B1 KR0139513 B1 KR 0139513B1 KR 1019920001164 A KR1019920001164 A KR 1019920001164A KR 920001164 A KR920001164 A KR 920001164A KR 0139513 B1 KR0139513 B1 KR 0139513B1
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- impurity region
- conductivity type
- region
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/37—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells the capacitor being at least partially in a trench in the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
- H10B12/038—Making the capacitor or connections thereto the capacitor being in a trench in the substrate
- H10B12/0385—Making a connection between the transistor and the capacitor, e.g. buried strap
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
Claims (3)
- 반도체 장치에 있어서,주면상의 제 1 전도형 제 1 불순물 영역과 상기 제 1 불순물 영역상에 형성된 제 2 전도형 제 2 불순물 영역을 가지는 반도체 기판과,상기 제 2 불순물 영역에 형성된 제 1 전도형 소스 및 드레인 영역을 가지는 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터와,기억 전극, 상기 기억 전극을 둘러싸고 있는 용량성 절연막과, 상기 용량성 절연막의 소정의 상부 부분을 제외하고 용량성 절연막을 둘러싸는 제 1 전도형 불순물 층을 포함하는 트렌치 캐패시터을 구비하며,상기 트렌치 캐패시터는 상기 제 2 불순물 영역을 통과하도록 상기 반도체 기판의 제 2 불순물 영역의 면상에 제공되고,상기 트렌치 캐패시터의 불순물 층은 상기 소스 및 드레인 영역중 하나의 영역에 제 2 전도형 불순물 층을 통해 접속되고, 상기 제 2 전도형 불순물 층은 절연막을 통해 기억 전극에 대향되며,상기 기억 전극은 용량성 절연막의 측벽 개구를 통해 소스 및 드레인 영역중 하나의 영역에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 트렌치 캐패시터는 소정 깊이만큼 반도체 장치의 제 1 불순물 영역으로 연장되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 반도체 장치에 있어서,주면상에 제 1 전도형 제 1 불순물 영역이 선택적으로 제공되고, 상기 제 1 불순물 영역상에 제 2 전도형 제 2 불순물 영역이 제공된 반도체 기판과,상기 제 2 불순물 영역에 형성된 제 1 전도형의 제 3 및 제 4 불순물 영역이 되는 소스 및 드레인 영경르 가지는 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터와,상기 제 3 불순물 영역에 접속된 접촉부를 가지고, 제 2 불순물 영역을 지나도록 제 2 불순물 영역의 면에 제공된 트렌치 캐패시터와,상기 접촉부를 제외하고 트렌치 캐패시터의 내부 벽면상에 제공된 용량성 절연막과,상기 접촉부를 제외하고 트렌치 캐패시터의 내부 벽면상에서 접촉부에 근접한 부분에 제공된 절연막과,상기 용량성 절연막을 커버하기 위해 형성되고, 상기 접촉부에서 제 3 불순물 영역에 접속된 전도체와,상기 제 3 불순물 영역으로부터 분리된 부분에서 용량성 절연막을 둘러싸고, 제 1 전도형이 되는 제 5 불순물 영역과,제 3 및 제 5 불순물 영역과 접촉하며, 제 2 전도형이 되는 제 6 불순물 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
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