KR0136161Y1 - 마운트 헤드 - Google Patents
마운트 헤드 Download PDFInfo
- Publication number
- KR0136161Y1 KR0136161Y1 KR2019960000155U KR19960000155U KR0136161Y1 KR 0136161 Y1 KR0136161 Y1 KR 0136161Y1 KR 2019960000155 U KR2019960000155 U KR 2019960000155U KR 19960000155 U KR19960000155 U KR 19960000155U KR 0136161 Y1 KR0136161 Y1 KR 0136161Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- head
- mount head
- layer
- die bonding
- diamond
- Prior art date
Links
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910001339 C alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
본 고안은 다이 본딩 툴(Die Bonding Tool)용 마운트 헤드(Mount Head)에 관한 것으로, 스테인레스로된 베이스(6)의 일측면에 3단의 적층구조를 갖는 헤드부(10)가 용접결합되어지되, 이 헤드부(10)에 대한 적층구조는 상부방향으로 부터 공업용다이아몬드가 부착된 다이아층(1); 코발트, 카본, 니켈, 은, 티타늄의 합금으로 된 합금층(2); 그리고 초경합금층(3)이 순차적으로 적층·결합되어진 것으로, 헤드부(10)의 상면이 공업용다이아몬드 재질을 갖는 다이아층(1)로 구성되어져 표면(4)이 열에 대한 형태 변형이 발생하지 않고 거의 완벽한 편평도를 유지할 수 있으므로 마운트 헤드(A)의 사용수명을 극대화시킬 수 있도록 한 것임.
Description
제1도는 본 고안에 따른 다이 본딩툴용 마운트 헤드의 결합단면도.
제2도는 본 고안에 따른 마운트헤드가 다이 본딩용 툴에 결합되어진 상태의 결합상태도.
제3도는 본 고안에 따른 다이 본딩툴용 마운트헤드의 다른 실시예를 나타낸것으로, (a)도는 헤드부의 선단테두리가 테이퍼진 형태, (b)도는 헤드부의 상부중앙부에 요홈부가 형성되어진 형태이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
A : 마운트 헤드(Mount Head)
1 : 다이아층 2 : 합금층
3 : 초경 합금층 4 : 표면
5 : 용접층 6 : 베이스
7 : 테이퍼면 8 : 요홈
9 : 다이 본딩툴(Die Bonding Tool) 10 : 헤드부
본 고안은 다이 본딩 툴(Die Bonding Tool)용 마운트 헤드(Mount Head)에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 마운트 헤드의 상부표면을 공업용 다이아 몬드층으로 구성하여 내구성을 증대시킴과 아울러 표면이 열변형되지 않고 장기간 편명도를 유지할 수 있도록 함으로서, 궁극적으로 마운트 헤드의 사용수명을 연장시킬 수 있도록 한 다이 본딩 툴용 마운트 헤드에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 패키지를 제조함에 있어서는, 리드 프레임의 패틀(Paddle)위에 워이퍼로 부터 소정크기로 절단(Saving)된 칩(Chip)을 에폭시 수지(Epoxy Resin)를 통하여 부착·고정시키는 다이어태치 공정과; 칩의 신호연결단자인 패드(Pad)와 리드프레임의 인너리드(Inner Lead)를 본딩툴의 마운트 헤드를 통하여 필름을 융착·접속하여 전기적으로 연결시키는 다이 본딩 공정과; 칩이 고정되는 패들과 인너리드를 포함하는 부분을 에폭시 수지로 몰드(Mold)하는 몰딩공정과; 리드 프레임의 타이바 및 댐바를 절단하여 패키지를 분리하는 트림(Trim)공정과; 회로기판과 결합될 수 있도록 리드를 소정형태로 절곡시키는 포밍(Forming)공정을 통하여 반도체 패키지가 제조되어 진다.
이때, 상기의 다이 본딩공정을 수행함에 있어서는, 본딩툴내에서 발생된 열이 마운트 헤드와 접촉된 칩을 통하여 패드와 인너리드의 접촉면을 고착시키기 위한 필름을 융착시켜 신호연결단자인 리드의 패드와 리드프레임의 인너리드가 상호 결속되게 된다.
그러나, 종래의 마운트 헤드는 그 표면이 텅스텐과 같은 금속재로 제작되었기 때문에 내구성이 떨어질 뿐만 아니라, 본딩툴에서 발생된 열에 의해 표면이 쉽게 열변형되어 편평도가 떨어지게 되는 단점이 있었으며 편평도가 떨어진 마운트 헤드에 의해 제작되어진 반도체 패키지는 신뢰성이 떨어질 수 밖에 없었다.
이에 본 고안은 상기의 문제점을 해소시키기 위해 안출된 것으로, 마운트 헤드의 상부표면을 공업용 다이아몬드층으로 구성하여 내구성을 증대시키고, 표면이 열변형되지 않고 장기간 편평도를 유지하도록 함으로써 사용수명을 배가 시킬 수 있도록 한 다이 본딩 툴용 마운트 헤드를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성시키기 위한 본 고안에 따른 다이 본딩 툴용 마운트 헤드는, 스테인레스로 된 베이스의 일측면에 3단의 적층구조를 갖는 헤드부가 용접결합 되어지되, 이 헤드부의 적층구조는 상부방향으로 부터 공업용 다이아몬드가 부착된 다이아층; 코발트, 카본, 니켈, 은, 티타늄의 합금인 합금층; 그리고 초경합금층이 순차적으로 적층결합되어지고, 그 하단은 은랍을 통한 용접방법으로 베이스가 용접고정된 것에 그 특징이 있다.
이하, 본 고안에 따른 다이 본딩 툴용 마운트 헤드의 구조를 첨부된 예시도면에 의거하여 상세히 설명한다.
예시도면 제1도에 도시된 바와같이, 본 고안은 헤드부(10)의 구조가 칩(미도시)의 상면과 접촉되어지는 다이아층(1)과; 코발트, 카본, 니켈, 은, 티타늄의 합금으로 된 합금층(2)과; 그리고, 탄화텅스텐, 탄화티탄등의 경도가 매우높은 화합물의 분말과 코발트등의 금속분말을 결합체로 사용하여 고압으로 압축하고 금속이 용해되지 않을 정도의 고온으로 소결 형성시킨 초경합금층(3)의 3단 적층 구조를 갖는다.
한편, 상기 다이아층(1)은 순도 99%이상의 공업용 다이아몬드가 적용되어지고, 두께는 약 10마이크론을 유지시키는 한편, 그 표면(4)은 초정밀가공방법의 하나인 방전가공을 통하여 정밀하게 연마되어져 거의 완벽한 편평도를 유지하고 있다.
헤드부(10)의 바닥면인 초경합금층(3)의 저면은 용접층(5)을 매개로 스테인레스(sus 440c)로 된 베이스(6)와 용접결합되어져 있는데, 그 결합방법은 헤드부(10)와 베이스(6)의 양 부재를 700℃이상 가열시킨 상태에서 두부재의 접촉면에 대해 은랍(silver solder)을 주입하여 이들을 상호 접합·고정시키게 된다.
상기 합금층(3)에 포함된 각 금속은 코발트 60%, 카본 30%, 니켈 5%, 은 3%, 티타늄 2%의 배합비율로 되어있으며, 헤드부(10)의 상부면에 위치한 다이아층(1)은 그 테두리 둘레에 대해 예시도면 제3도의 (a)와 같이 테이퍼면(7)을 형성시키고, 또한 (b)도와 같이 마운트 헤드(A)의 표면(4)로 부터 소정깊이의 요홈(8)을 형성시킬 수도 있다.
상기 마운트 헤드(A)는 다이 본딩 툴(9)의 하단에 끼움결합을 통하여 결합되어지며, 다이 본딩 툴(9)내에 장착된 전원 코일(미도시)에서 발생된 열이 마운트 헤드(A) 를 매개로 패들위에 놓여진 칩에 전달되어, 필름이 융착됨으로서 패드와 리드프레임의 인너리드가 접속되게 되는 것이다.
상기와 같이 구성되어진 본 고안에 따른 다이 본딩 툴용 마운트 헤드의 작용 및 효과는 다음과 같다.
본 고안에 따른 마운트 헤드의 특징은 칩과의 접촉이 이루어지는 헤드부(10)의 표면(4)이 공업용 다이아몬드로 구성된 다이아층(1)로 되어진 것에 큰 특징이 있는데, 상기 공업용 다이아몬드는 열에 대한 형태 변형이 거의 발생하지 않고, 경도가 극히 우수하며 또한, 전기에 대한 부도체의 성질을 갖는다.
따라서, 헤드부(10)의 표면(4)이 열에 대한 형태변형이 발생하지 않음에 따라 거의 완벽한 편평도를 장기간 유지할 수 있어 마운트 헤드(A)의 사용수명이 늘어나게 되는 잇점이 있다.
즉 마운트 헤드(A)의 사용수명이 늘어나게 됨에따라 경제적인 잇점외에도 반도체 제조공정의 신뢰성을 높일수가 있게 된다.
또한, 상기 헤드부(10)와 베이스(6)와의 용접방법이 양부재(헤드부, 베이스)를 충분히 예열(예열온도 : 약 700℃)시킨 상태에서 그 접촉면에 대해 은랍을 주입시키는 방법으로 두 부재를 접합시킴으로써 접합작업이 간편하면서도 완벽한 접합효과를 기대할 수가 있다.
그리고 예시도면 제3도에 도시된 바와같이 헤드부(10)의 표면(4) 테두리부 둘레에 테이퍼면(17)을 형성시키게 되면, 상기 표면(4)과 접촉되어지는 칩이 테두리부에 의해 손상되는 일이 발생하지가 않게되며, 표면(4)의 중앙부에 요홈(8)이 형성된 경우에는, 칩에 대한 압착면적이 극소화되어 필름을 융착시킬 부분에만 압착력이 집중됨으로서 접합효율이 높아지게 되는 잇점이 있다.
상기와 같이 본 고안에 따른 다이 본딩 툴용 마운트 헤드는 헤드부(10)의 상면이 공업용다이아몬드 재질로 된 다이아층(1)로 구성되어져 열에 대한 형태변형이 발생하지 않아 거의 완벽한 편평도를 장기한 유지할 수 있으므로, 마운트 헤드(A)의 사용수명을 극대화시킨 매우 유용한 고안인 것이다.
Claims (4)
- 다이 본딩 툴(Die Bonding Tool)의 하단에 결합되어 신호연결단자인 리드의 패드와 리드프레임의 인너리드가 상호 결속되도록 하는 기능이 부여된 다이 본딩 툴용 마운트 헤드(Mount Head)에 있어서, 상기 마운트 헤드(A)는 스테인레스로된 베이스(6)의 일측면에 3단의 적층구조를 갖는 헤드부(10)가 용접결합되어지되, 이 헤드부(10)에 대한 적층구조는 다이아몬드가 부착된 다이아층(1)과; 코발트, 카본, 니켈, 은, 티타늄의 합금으로 된 합금층(2); 그리고 탄화텅스텐, 탄화티탄등의 경도가 매우높은 화합물의 분말과 코발트 등의 금속분말을 결합체로 사용하여 고압으로 압축시킨 초경합금층(3)이 순차적으로 적층결합된 구조로 된 것을 특징으로 하는 다이 본딩 툴용 마운트 헤드.
- 제1항에 있어서, 상기 다이아층(1)의 재질은 공업용다이아몬드인 것을 특징으로 하는 다이 본딩 툴용 마운트 헤드.
- 제1항에 있어서, 상기 다이아층(1)의 상부 테두리둘레에 테이퍼면(7)이 형성된 것을 특징으로 하는 다이 본딩 툴용 마운트 헤드.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 다이아층(1)의 중앙부에 소정깊이의 요홈(8)이 형성되어진 것을 특징으로 하는 다이 본딩 툴용 마운트 헤드.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019960000155U KR0136161Y1 (ko) | 1996-01-09 | 1996-01-09 | 마운트 헤드 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019960000155U KR0136161Y1 (ko) | 1996-01-09 | 1996-01-09 | 마운트 헤드 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970050351U KR970050351U (ko) | 1997-08-12 |
| KR0136161Y1 true KR0136161Y1 (ko) | 1999-02-18 |
Family
ID=19449076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019960000155U KR0136161Y1 (ko) | 1996-01-09 | 1996-01-09 | 마운트 헤드 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0136161Y1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100398776B1 (ko) * | 2001-06-08 | 2003-09-19 | 민응식 | 자동차 압축기 피스톤 볼시트 가공용 절삭공구의 절삭날부제작 방법 |
-
1996
- 1996-01-09 KR KR2019960000155U patent/KR0136161Y1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970050351U (ko) | 1997-08-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7049688B2 (en) | Semiconductor device having a pair of heat sinks and method for manufacturing the same | |
| US7632716B2 (en) | Package for high frequency usages and its manufacturing method | |
| KR20000057810A (ko) | 반도체 장치 | |
| KR0136161Y1 (ko) | 마운트 헤드 | |
| JP2007300059A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US7511382B2 (en) | Semiconductor chip arrangement and method | |
| TWI865823B (zh) | 加熱嘴單元 | |
| JP2011216766A (ja) | 電極部材およびこれを用いた半導体装置 | |
| KR200420897Y1 (ko) | 다이본딩장치용 마운트 헤드 | |
| JP2000232187A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| US7559455B2 (en) | Diebond strip | |
| JP3100738B2 (ja) | Ｉｃカード | |
| JP2699855B2 (ja) | 半導体装置のボンディング方法 | |
| US3448352A (en) | Multiple electrical contact assembly for compression bonded electrical devices | |
| KR0137116Y1 (ko) | 반도체 제조용 스테이지 | |
| WO2024116933A1 (ja) | 半導体装置、および、半導体装置の製造方法 | |
| JPH098185A (ja) | 電子部品冷却構造を備えたパッケージ及びその製造方法 | |
| WO2005091363A1 (ja) | ヒートシンク基板とその製造方法 | |
| KR100262460B1 (ko) | 전력용 반도체 모듈의 스프링 단자 | |
| JPH09219473A (ja) | 電子部品冷却構造を備えたパッケージおよびその製造方法 | |
| KR200420896Y1 (ko) | 반도체 제조용 스테이지 | |
| JPS6140135B2 (ko) | ||
| JP2004246218A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置 | |
| JPH11186428A (ja) | ハーメチックシールカバー | |
| JPS59983A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| UA0108 | Application for utility model registration |
Comment text: Application for Utility Model Registration Patent event code: UA01011R08D Patent event date: 19960109 |
|
| UA0201 | Request for examination |
Patent event date: 19960109 Patent event code: UA02012R01D Comment text: Request for Examination of Application |
|
| UG1501 | Laying open of application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| UE0701 | Decision of registration |
Patent event date: 19980928 Comment text: Decision to Grant Registration Patent event code: UE07011S01D |
|
| REGI | Registration of establishment | ||
| UR0701 | Registration of establishment |
Patent event date: 19981111 Patent event code: UR07011E01D Comment text: Registration of Establishment |
|
| UR1002 | Payment of registration fee |
Start annual number: 1 End annual number: 3 Payment date: 19981102 |
|
| UG1601 | Publication of registration | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20011106 Year of fee payment: 4 |
|
| UR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20011106 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |