KR0132774B1

KR0132774B1 - 전자식 전화기

Info

Publication number: KR0132774B1
Application number: KR1019890017213A
Authority: KR
Inventors: 반 돈겐 프레데릭; 베르나르 에밀 쥬엥 필립; 요하네스 마리아 시예베르스 페트루스
Original assignee: 에프. 제이. 스미트; 필립스 일렉트로닉스 엔. 보
Priority date: 1988-11-30
Filing date: 1989-11-27
Publication date: 1998-04-25
Also published as: NL8802945A; AU622594B2; US4953207A; EP0372616B1; AU4567889A; EP0372616A1; DE68914417T2; DE68914417D1; KR900008808A; JPH02189052A

Abstract

내용 없음.

Description

전자식 전화기

제1도는 본 발명에 따른 공급 회로의 한 실시예를 도시하는 도면.

＊도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

L1 : 제1접속점 L2 : 제2접속점

V1 : 제1전압원 V1 : 제1전압원

O1,O2 : 출력단자 T1,T2,T3,T4 : 트랜지스터

본 발명은 전자식 전화기에 관한 것으로서, 이 전화기는 전화선에 대한 제1 및 제2접속점, 전송회로 및 주변 회로에 대한 공급 회로를 구비하는데, 상기 전송회로(Transmission circuit)는 제1저항에 의해 상기 제1접속점에 결합된 제1주전극과 상기 제2접속점에 결합된 제2주전극을 가진 트랜지스터를 그 송신 출력단에 포함하고 있으며, 상기 공급회로(supply circuit)는 제1트랜지스터의 제1주전극에 결합된 제1출력 단자와 제2트랜지스터의 제2주전극이 제2접속점에 결합되고 제2주전극이 상기 공급회로의 제2출력 단자에 결합된 제2트랜지스터, 연산 증폭기의 출력이 제2트랜지스터의 게이트 전극에 결합된 연산 증폭기 및 제2트랜지스터의 제1주전극과 연산 증폭기의 제1입력 사이에 삽입된 제1전압원을 포함하고 있다.

네델란드 왕국, 아인드호펜에서 1987년 10월에 발표된 에프.반 동엔(F.Van Dongen)에 의한 필립스 중앙 응용 실험보고서 제ETT 8707호의 TEA-1081 : 전자식 전화기에서의 주변 회로에 대한 공급 집적 회로(A supply IC for peripheral Circuits in Electronic telephone Sets), 특히 이 보고서의 R38페이지의 제A11도로부터 비슷한 공급회로를 가진 전자식 전화기가 알려져 있다. 이 종래 기술의 공급 회로는 상업적으로 이용가능한 IC TEA 1081을 포함하고 있으며, 또한 TEA 1060족의 상업상 이용가능한 IC가 될 수도 있는 전송 회로와 병렬로 공급회로가 접속될 수 있도록 상기 IC의 내부 저항,(Rs)과 조합하여 유도성 입력 임피던스 (L=CL RL RS)를 제공하는 외부 콤포넌트로서의 캐패시터(CL)와 저항(RL)을 포함하고 있다.

이 IC족의 설명을 위해, 네덜란드왕국, 아인드호펜에서 Designers' Guide의 1987년 7월에 발표된, P.J.M 시버스 (P.J.M. Sijbers)에 의한 필립스 중앙 응용 실험 보고서 TEA 1060족, 전자식 전화기를 위한 다기능 음성/전송 집적 회로(TEA 1060 family, Versatile Speech/Transmission ICs for Electronic Telephone Sets)를 참조한다.

종래 기술의 공급 회로는 다음의 특징을 갖고 있다. 공급 회로에 의해 소비되는 dc전류가 제한되지 않으며, 이로 인하여, 전화선에 의해 공급되는 특정 전류에 의해 전력이 공급될 때, 제1트랜지스터를 통하는 dc전류가 원하는 송신 레벨(마이크로폰 신호)을 실현하기에는 너무 낮아지게 되고 전송 회로의 송신 출력단의 안정화 기능이 상실되는 그런 크기에 도달될 수도 있다. 이와 달리, 전송 회로의 제1트랜지스터를 통한 dc 전류는 약 10mA가 되어야 하며, 따라서, 최소한 전화선 전류(예를 들어, 15mA)와 함께 매우 작은 입력 dc 전류(예를 들어, 4mA)가 공급 회로에 대해 유지되게 된다. 후자의 입력 dc전류는 자연적으로 공급 회로의 출력으로부터 취해지는 전력뿐만 아니라 전화선상의 ac전압 신호에도 의존하며, 결과적으로 특정 요구 출력 전력 레벨에서 4mA 를 초과할 수도 있다.

본 발명의 목적은, 전술한 특징을 갖지 않고, 제1트랜지스터의 제2주 전극이 연산 증폭기의 제2입력에 결합되고 또한 제2저항에 의해 제2접속점에도 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 서두에서 언급된 형태의 장치를 제공하는 것이다.

전술한 방책의 결과로서, 상기 공급 회로는 인공 유도체로서 작동하지 않고 전력 분할기로서 작동한다. 또한 송신 신호(send signal)를 발생한다.

전술한 방책으로 실현되는 장점은 어떠한 전송 조건 하에서도 주변 회로에 대한 공급 전류가 증대되고, 전송 회로의 송신 출력단은 제1트랜지스터를 통한 전류의 결핍으로 인해 작동하지 않게 될 수 없고, 안정화 기능이 유지되며, 또한 제1트랜지스터에서 비교적 매우 낮은 dc전류로 라인상의 충분한 신호 레벨이 실현될 수 있다는 것이다.

만일 제안된 공급 회로에 TEA 1081이 사용되면, 종래 기술 회로와의 기본적인 차이점은 외부 캐패시터 및 저항 대신에 오직 외부 저항(제2저항)만이 사용되게 된다는 사실이다.

이제 본 발명은 본 발명에 따른 공급 회로의 실시예를 나타내는 첨부 도면을 참조하여 기술되게 된다.

첨부 도면은, 전화선에 대한 제1및 제2접속점(L1,L2) 뿐만 아니라, 그 송신 출력단(OS)에서 에미터가 dc전류 특성의 슬로프를 조정하기 위한 제1저항을 통해 제1접속점(L1)에 제1주전극으로서 결합되고 콜렉터가 제2접속점(L2)에 제2주전극으로서 결합된 제1트랜지스터를 포함하고 있는 TEA 1064로서 설계된 상업상 이용가능한 집적회로가 될 수도 있는 집적 회로(ICI)를 구비하고 있는 전자식 전화기의, 예를들어 TDA 7050으로서 설계되고 상업상 이용가능한 집적 회로와 집적 메모리 회로등의 집적 확성기 증폭 회로(integrated loudspeaker amplifier circuit)와 같은 주변 회로(도시 생략)에 전화선(도시 생략)으로부터 전력을 공급하기 위한 회로를 도시하고 있다. 상기 공급 회로는 제1트랜지스터(T1)의 에미터에 결합되어 있는 제1출력단자(01)를 갖고 있으며, 또한 에미터가 제1주전극으로서 직접 또는 제3저항(R3)을 통해 제2접속점(L2)에 결합되어 있고, 콜렉터가 제2주전극으로서 상기 공급 회로의 제2출력단자(02)에 결합되어 있는 제2트랜지스터를 포함하고 있다. 상기 공급 회로는 또한 그 게이트 전극으로서 제2트랜지스터(T2)의 베이스에 결합된 출력을 가진 연산 증폭기(A1)와, 상기 연산 증폭기(A1)의 제1출력과 제2트랜지스터(T2)의 에미터 사이에 삽입되어 있는 제1전압원(V1)을 포함하고 있다. 상기 제2트랜지스터(T2)의 에미터와 접속점(L2) 사이의 어떤 직접 연결을 고려하지 않고는 지금까지 기술된 공급회로는 종래 기술의 회로와 일치하지만, 본 공급회로는 집적 공급 회로(IC2)를 포함할 수도 있는데, 이 회로(IC2)는 도면에 오직 부분적이고 개략적으로 도시되어 있지만, 예를 들어 상업상 이용가능한 TEA 1081로 지정된 집적 회로가 될 수도 있다.

본 발명의 특징은 제안된 공급회로에서, 제1트랜지스터(T1)의 콜렉터가 연산 증폭기(A1)의 제2입력에 결합되고, 또한 제2저항(R2)을 통해 제2접속점(L2)에 결합되고 있다는 것이다.

지금까지 언급된 종래 기술의 집적 회로의 단자 기준을 이용하여, 집적 공급 회로(IC2)의 정극성 단자(LN)는 정극성 접속점(L2)에 직접 결합되며, 집적 전송 회로(IC1)의 정극성 라인 단자(LN)는 저항(R2)을 통해 정극성 접속점(L2)에 결합된다. 상기 집적 전송 회로(IC1)의 부극성 라인 단자(VEE)는 부극성 접속점(L1)에 직접 결합되고, 집적 공급 회로(IC2)의 부극성 라인 단자(VN)는 dc전류 특성의 슬로프를 조정하기 위한 (IC1) 단자(SLPE)에 결합되는데, 다르게 말하면, 저항(R1)을 통해 부극성 접속점(L1)에 결합된다고 할 수 있다. 공급 단자(VCC)는 저항 (RO)에 의해 정극성 접속점(L2)에 결합되고 캐패시터(CO)에 의해 분리된다. 상기 저항(RO)을 통해 흐르는 공급 전류는(I1)으로 언급된다. 집적 전송 회로(IC1)의 송신 출력단(OS)과 관련하여 마이크로폰 M 이 도시되어 있다. 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 처리된 마이크로폰 신호를 수신한다. 또한 상기 트랜지스터(T1)는 전압 안정화 회로(도시 생략)에 포함된다. 집적 전송 회로(IC2)의 정극성 라인 단자(LN)는 집적 공급 회로(IC2)의 단자(IF)에 결합된다. 전자기 겸용성의 관점에서, 다른 캐패시터가 상기 라인 단자 (LN)와 (IC1)의 (VEE)사이에 삽입될 수도 있다. 마지막으로, 집적 공급 회로(IC2)의 출력 단자(QS)는 제안된 공급 회로의 출력(O2)에 결합되며, 반면에 단자(O1)는 dc전류 특성의 슬로프를 조정하기 위한 IC1단자 (SLE)와 IC2 의 부극성 라인 단자(VN)에 결합된다.

전류(I0-I1)와 동일한 전류(I2)는 저항(R2)과 IC2의 단자(LN)의 접합부로 흐르는데, 저항(R2)를 통해 흐르는 전류는(I3)로 지정되고 IC2에서 흐르는 전류는 I4 로 지정된다. 만일 저항(R2)이 0이면 전류(I3)는 일정하다. 이것은 저항(R2)과는 병렬로, 제1전압원(V1)과 연산 증폭기(A1)의 입력 전압이 직렬로 접속되어 있기 때문에 나타나는 현상이며, 이때 입력 전압은 연산 증폭기(A1)가 트랜지스터(T2)와 저항(R2)을 피드백 루프에 포함되어 0으로 유지된다. 만일 저항(R3)이 0이 아니면, 저항(R3)양단에는 전류(I2)에 의존하는 전압 강하가 있게되고 이로 인해 전류(I3)가 일정하지 않고 전류(I2)에 따라 변화하게 된다. 이것은 다음의 공식으로 표현될 수 있다.

R3·I4+U1 = R2·I3 ... (1)

I2 = I3+I4 ... (2)

여기서 U1은 전압원(V1)의 전압이며, (I2)=I0-I1,

말하자면, 라인 전류에서 UC1의 공급 전류를 뺀 것이다.

공식(1)과 (2)를 결합하면, 전류(I3,I4)에 대해 다음식이 성립한다.

...... (3)

...... (4)

수치적인 예로서, I2=20mA(여기서, I1=1mA, R3=20 Ohms, R2=500 Ohms, U1=0.5V)로 가정될 수 있다. 이 경우에 I3=1.7mA이고 I4=18.3mA인데, 이것은 전류(12)의 91.4%가 저항(R3)을 통해 흐른다는 것을 의미한다. 12=40mA이면 14=37.5mA이고 그래서 전류(I2)의 93.8％가 저항(R3)을 통해 흐른다. 보다 일반적으로 말하면, 전류 효율이 보다 높은 라인 전류(I0)에 따라 증가하게 된다는 것이다. 이론적으로 말하면, 이것은 또한 저항(R3)의 감소에 대해서도 유지된다는 것이다. 만일 R3=0이면, 수치상1mA인 정전류(I3)가 지금까지 관찰된 바와같이 저항(R2)을 통해 흐르게 된다.

바람직하게도 상기 집적 회로(IC2)는 전압원(V1) 이외에도, 도면에서 점선으로 도신된 제2전압원(V2)을 더 포함하는데, 이 전압원은 제1전압원(V1)의 정전압(U1)과 동일한 정전압(U2)을 공급한다. 특히, 상기 제2전압원(V2)은 제1전압원(V1)이 접속된 입력이 아닌 연산 증폭기(A1)의 입력과 트랜지스터(T1)의 콜렉터 사이에 삽입되어 있다. 지금까지 관찰된 바와 같이, 연산 증폭기(A1)의 입력 단자상의 직류 전압은 0이며, 이에 따라 실제적으로 전압원(V1과 V2)이 직렬로 배열되어 반대의 극을 갖고 있으며, 그 결과 이 직렬 구성의 네트 전압이 0볼트가 되게 되는데, 이것은 두 전압(U1 및 U2)이 동일하기 때문이다. 방정식 (3)과 (4)를 참조하면, 이와같은 제2전압원(V2)이 사용될 때, 동일한 2개의 상수항(즉 U1/(R2+R3))이 이들 공식으로부터 소거된다는 것을 알게된다. 또한 전압(U1)에서의 변화로 인한 원하지 않는 전력 분포가 동일한 성향의 U2에서의 변화에 의해 보상되고, 온도 변화에 따른 변화가 고려될 수도 있다. 이 보상은 두 전압원(V1 및 V2)이 동일한 집적 회로에서 형성되기 때문에 실현된다.

전류(I3)는 비교적 낮은 값을 갖도록 선택될 수 있는데, 이는 IC1에 내부 바이어스 전류(약 0.5mA)를 공급하기에 충분하다. 만일 IC1의 단자 (LN 과 VEE) 사이의 임피던스가 무한하면, 단자(LN)에서는 ac전류 신호가 없게 된다. 그러나 상기 EMC 캐패시터가 필요할 경우, 이것은 더이상 사실이 아니고, I3는 최대 라인 신호 및 최대 신호 주파수에 대해 약 2mA가 되어야 한다. 14mA의 최소 전류 레벨(I2)로 전류(I4)에 있어서, 12mA가 유지되는데, 이것은 종래 기술의 공급회로에서의 상기 4mA에 비해 상당한 개선이다.

지금까지 제안된 공급 회로의 dc전류 작용이 기술되었기 때문에, 이제 ac전류 작용이 기술되게 된다. 만일 R3=0이면, d.c.전류(I3)는 저항(R2)을 통해 연속적으로 흐르고, 트랜지스터(T1)를 통해 흐르는 ac전류는 없으며, 모든 ac전류가 트랜지스터(T2)를 통해 흐르게 된다. 다시 말하면, 트랜지스터(T2)가 트랜지스터(T1)으로부터 변조주파수를 모방하게 된다. (R3)≠0일 때는 다음과 같이 된다.

R2·i3 = R3·i4 ... (5)

이것은 지금까지 주어진 수치 예에 따라 ac전류(i2)의 오직 4%만이 트랜지스터(T1)를 통해 흐르게 된다는 것을 의미한다. 저항(R3)이 0이 아니고 저항(R2)보다 훨씬 작을 때 조차도, 트랜지스터(T2)는 실제적으로 트랜지스터(T1)로부터 변조 주파수를 모방하게 된다. 전체 송신 전류(i = i3 = i2)가 저항(R1)을 통해 흐르지만, 전류(i3)는 저항(R2)와 트랜지스터(T1)를 통해 흐르고, 전류(i4)는 저항(R3)과 트랜지스터(T2) 및 출력단자(01,02)사이에 결함된 캐패시터(C1)를 통해 흐른다.

송신 신호에 대해, 공급 회로는 IC1의 단자 LN 과 SLPE 사이에서 낮은 임피던스를 나타낸다. 수신 신호에 대해서는 공급 회로를 포함하는 IC1의 송신 출력단(OS)이 비교적 고저항이 되는데, 이것은 단자 SLPE 에서의 전압이 변조되지 않거나 거의 변조되지 않기 때문이다. IC1의 단자 LN 과 VEE 사이의 임피던스는 오직 저항(RO)에 의해 모든 의도 및 목적을 위해 형성된다.

저항(R3)이 제한된 공급 회로에 포함되어 있다고 하고, 만일 공급 회로의 최대 출력전류가 특정 값보다 작다면, 입력 전류(I4)는 저항(R2)과 병렬로 전자 제너 다이오드를 배열함으로써 제한 될 수 있는데, 이 다이오드는 IC2의 단자 N 과 IF 사이의 최대 전압 강하를 제한한다. 제너전압에 대해서는, 최대 전류(I4)와 저항(R3)의 곱인 저항(R3) 양단의 최대 허용 전압 강하 및 제1전압원(V1)의 전압(U1)의 합계와 동일하게 되는 것이 수용된다. 만일 제너 전압이 형성되면, 이용가능한 전류(I4)의 일부가 제너 다이오드를 통해 흐르게 된다.

상기 전자 제너 다이오드는 도면에서 점선으로 도시되어 있으며, 저항(R2)은 부분 저항(R2a 및 R2b)의 직렬 배열을 포함하고 있다. 제3트랜지스터(T3, 여러 개별 트랜지스터의 병렬 구성이 될 수도 있음)는 게이트 전극으로서의 그 베이스로 부분 저항(R2a와 R2b)의 접합부에 결합되며, 주전극으로서의 그 콜렉터와 에미터로, 부분저항(R2a 및 R2b)의 자유 단부 또는 제2접속점과 IC1의 단자 LN에 각각 결합된다. 저항(R3)이 없으면, 이 해결책은 저항 (R2)을 통해 흐르는 전류가 일정하게 되고 전류(I4)와 관련이 없기 때문에 불가능하게 된다.

도면에는 또한, 스위치 증폭기(A2)와 제4트랜지스터(T4)를 포함하고 있으며 라인 신호가 출력 단자(01,02)상의 전압 이하로 강하할 때 왜곡을 피하기 위해 필요한 소위, 텀블러(tumbler)스위치 회로가 도시되어 있다. 이 경우에 연산 증폭기(A1)와 트랜지스터(T2)의 베이스사이의 직접 연결은 차단되고, 연산 증폭기(A1)의 출력은 스위치 증폭기(A2)의 입력에 결합되며, 상기 트랜지스터(T2)의 베이스는 상기 증폭기(A2)의 출력중 한 출력에 결합된다. 제4트랜지스터(T4)의 제1주전극으로서의 에미터는 제2트랜지스터(T2)의 에미터에 결합되고, 제4트랜지스터(T4)의 게이트 전극으로서의 베이스는 스위치 증폭기(A2)의 제2출력에 결합되며, 제4트랜지스터(T4)의 제2주전극으로서의 콜렉터는 IC2의 단자(VN)에 결합된다. 만일 접속점(L2)에서의 전압이 출력 단자(02)에서의 전압 이하로 강하하도록 증폭기(A2)가 동작하고 있으면, 제4트랜지스터(T4)는 도통되게 되고 제2트랜지스터(T2)는 차단되며, 이로 인해 단자(VN)로부터의 전류, 즉 저항(R1)을 통해 흐르는 전류가 배출된다. 상기 트랜지스터(T2 및 T4)는 이들 트랜지스터를 통해 흐르는 전류의 합이 일정하게 되도록 제어되며, 캐패시터(C1)는 단자 01과 02 사이의 전압의 연속성을 제공하게 된다.

마지막으로, 제너 다이오드(DZ)와 같은 전압 안정화기는 예를들어 3V 내지 6V의 범위내에 있는 공급 회로의 출력 전압을 제한한다.

본 발명은 새로운 전자식 전화기를 제공할뿐만 아니라, 새로운 집적 회로를 제공하는데, 여기에는 종래 기술의 회로에서와 같이, 트랜지스터(T2)와 제1전압원(V1) 및 연산 증폭기(A1)가 포함되지만, 제3저항(R3)이 생략되고 또한 제2전압원(V2)이 포함될 수도 있으며, 또는 트랜지스터(T2)와 전압원(V1 및 V2)과 연산 증폭기(A1)가 제3저항(R3)과 함께 포함되어 있다. 제3저항(R3)이 없이 집적 회로를 이용할 때에도, 제3저항(R3)이 IC2 외부, 공급 회로내에 포함될 수도 있으며, 따라서 단자(SLPE)없는 전송 회로(IC1)를 갖는 이 집적 회로를 이용하는 선택권을 만들어준다. 이때 IC2의 단자 (VN)는 IC1의 단자 VEE 에 접속되는 반면, 제2저항(R2)을 통해 캐패시터를 접속하는 것이 필요하다.

이 경우에, 트랜지스터(T1)를 이용하여 전송을 위한 변조가 재실행되지만, 새로운 집적 회로가 종래 기술의 전송 회로와 함께 사용될 수 있다는 장점도 있다.

Claims

전화선용 제1및 제2접속점과 제1저항에 의해 제1접속점에 결합된 제1주전극과 제2접속점에 결합된 제2주전극을 갖고 있는 제1트랜지스터를 그 전송 츨력단에서 포함하는 전송 회로를 구비하고, 또한 제1트랜지스터의 제1주전극에 결합된 제1출력 단자, 그 제1주전극이 제2접속점에 결합되고 제2주전극이 공급 회로의 제2출력 단자에 결합되어 있는 제2트랜지스터 및 그 출력이 제2트랜지스터의 게이크 전극에 결합된 연산 증폭기를 포함하고 있는 주변 회로에 대한 공급회로를 구비하며, 또한 상기 제2트랜지스터의 제1주전극과 상기 연산증폭기의 제1입력 사이에 삽입된 제1전압원을 구비하고 있는 전자식 전화기에 있어서, 상기 제1트랜지스터의 제2주전극이 연산 증폭기의 제2입력에 결합되고 또한 제2저항 에 의해 제2접속점에도 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 전자식 전화기.
제1항에 있어서, 제1트랜지스터의 제2주전극과 연산 증폭기의 제2입력사이에 상기 제1전압원과 동일한 전압을 제공하는 제2전압원이 포함되어 있으며, 이들 두 전압원이 동일한 극성의 단자를 가진 연산 증폭기의 각 입력에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자식 전화기.
제1항에 있어서, 제2트랜지스터의 제1주전극과 제2단자 사이에 제3저항이 삽입되어 있는 것을 특징으로 하는 전자식 전화기.
제2항에 있어서, 제2트랜지스터의 제1주전극과 제2접속점사이에 제3저항이 삽입되어 있는 것을 특징으로 하는 전자식 전화기.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2저항이 직렬로 구성된2개의 부분저항을 포함하고 있으며, 상기 공급 회로는 그 게이트 전극이 상기 부분 저항 및 주 전극 사이의 접합부에 또는 상기 부분 저항의 자유 단부에 각각 결합되어 있는 적어도 하나의 제3트랜지스터를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 전자식 전화기.
제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 공급 회로가 스위치 증폭기 및 제4트랜지스터를 포함하고 있으며, 상기 연산 증폭기의 출력은 스위치 증폭기에 의해 제2트랜지스터의 게이트 전극에 결합되고, 제4트랜지스터의 제1주전극은 제2트랜지스터의 제1주전극에 결합되어 있으며, 제4트랜지스터의 제2주전극은 제1트랜지스터의 제1주전극에 결합되고, 제4트랜지스터의 게이트 전극은 공급 회로의 제2출력단자와 제2접속점사이의 전압차에 응답하여, 제2및 제4트랜지스터를 선택적으로 구동시키는 스위치 증폭기의 출력에 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 전자식 전화기.
제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 공급 회로의 출력 단자에 전압 안정화기가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자식 전화기.
제1항 내지 제4항중 어느 한 항에서 청구된 바와같은 전자식 전화기용 집적 회로에 있어서, 상기 집적 회로가 제2트랜지스터, 제1전압원 및 연산 증폭기를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 전자식 전화기용 집적 회로.
제2트랜지스터, 제1전압원 및 연산 증폭기를 구비하는 제2항에서 청구된 바와같은 전자식 전화기용 집적 회로에 있어서, 상기 집적 회로가 제2트랜지스터의 제1주전극과 제2접속점사이에 삽입된 제3저항 및 제2전압원을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 전자식 전화기용 집적 회로.