KR0124138B1 - Coating solution for formation of coating and use thereof - Google Patents
Coating solution for formation of coating and use thereofInfo
- Publication number
- KR0124138B1 KR0124138B1 KR1019940006931A KR19940006931A KR0124138B1 KR 0124138 B1 KR0124138 B1 KR 0124138B1 KR 1019940006931 A KR1019940006931 A KR 1019940006931A KR 19940006931 A KR19940006931 A KR 19940006931A KR 0124138 B1 KR0124138 B1 KR 0124138B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- coating
- coating liquid
- film
- less
- Prior art date
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 239
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 231
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 165
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 112
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 78
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 78
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 33
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 29
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 claims abstract description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 239000013522 chelant Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 115
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 63
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 42
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 29
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 28
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 17
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 15
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 14
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- -1 halogen ions Chemical class 0.000 description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- HHUIAYDQMNHELC-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].O=[Si]=O Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].O=[Si]=O HHUIAYDQMNHELC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 10
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 7
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 7
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 7
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 7
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 7
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 7
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003729 cation exchange resin Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 6
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 5
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 4
- 239000003957 anion exchange resin Substances 0.000 description 4
- 150000001449 anionic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- ZIWYFFIJXBGVMZ-UHFFFAOYSA-N dioxotin hydrate Chemical compound O.O=[Sn]=O ZIWYFFIJXBGVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 229910001412 inorganic anion Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 3
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 3
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 150000002891 organic anions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 3
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEURYMNEOXJUSP-UHFFFAOYSA-N C(CCC)O[Hf](OCCCC)OCCCC Chemical compound C(CCC)O[Hf](OCCCC)OCCCC YEURYMNEOXJUSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000006558 Dental Calculus Diseases 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- ANBBXQWFNXMHLD-UHFFFAOYSA-N aluminum;sodium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Na+].[Al+3] ANBBXQWFNXMHLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- IOUCSUBTZWXKTA-UHFFFAOYSA-N dipotassium;dioxido(oxo)tin Chemical compound [K+].[K+].[O-][Sn]([O-])=O IOUCSUBTZWXKTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- 239000002895 emetic Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- 229910001388 sodium aluminate Inorganic materials 0.000 description 2
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJAIMBYNTXNOCN-UHFFFAOYSA-N 3,6-dibromo-1h-indole Chemical compound BrC1=CC=C2C(Br)=CNC2=C1 PJAIMBYNTXNOCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 4-(2-naphthalen-1-ylethylamino)-4-oxobutanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCNC(=O)CCC(=O)O)=CC=CC2=C1 CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJICSIOHTZMUNE-UHFFFAOYSA-N CCCCCCCCO[Ti](OCCCCCCCC)(OC(C)C)OC(C)C Chemical compound CCCCCCCCO[Ti](OCCCCCCCC)(OC(C)C)OC(C)C XJICSIOHTZMUNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 206010048669 Terminal state Diseases 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910001420 alkaline earth metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001479 atomic absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N chembl402140 Chemical compound Cl.C1=2C=C(C)C(NCC)=CC=2OC2=C\C(=N/CC)C(C)=CC2=C1C1=CC=CC=C1C(=O)OCC VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- OMRDZQXXMYCHBU-UHFFFAOYSA-N ethanol;propan-1-ol Chemical compound CCO.CCCO OMRDZQXXMYCHBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- AQBLLJNPHDIAPN-LNTINUHCSA-K iron(3+);(z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound [Fe+3].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O AQBLLJNPHDIAPN-LNTINUHCSA-K 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 229940050906 magnesium chloride hexahydrate Drugs 0.000 description 1
- DHRRIBDTHFBPNG-UHFFFAOYSA-L magnesium dichloride hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Mg+2].[Cl-].[Cl-] DHRRIBDTHFBPNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSCKTBJJRVPGKM-UHFFFAOYSA-N octan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCCCCCC[O-].CCCCCCCC[O-].CCCCCCCC[O-].CCCCCCCC[O-] KSCKTBJJRVPGKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N octyltriethoxysilane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003493 octyltriethoxysilane Drugs 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 238000003918 potentiometric titration Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- 125000001880 stiboryl group Chemical group *[Sb](*)(*)=O 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N tetrapropan-2-yl silicate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- GYZQBXUDWTVJDF-UHFFFAOYSA-N tributoxy(methyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](C)(OCCCC)OCCCC GYZQBXUDWTVJDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/40—Additives
- C09D7/60—Additives non-macromolecular
- C09D7/61—Additives non-macromolecular inorganic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/24—Electrically-conducting paints
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/40—Additives
- C09D7/66—Additives characterised by particle size
- C09D7/67—Particle size smaller than 100 nm
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
- H01B3/20—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances liquids, e.g. oils
- H01B3/22—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances liquids, e.g. oils hydrocarbons
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 피막 형성용 코팅액 및 표시 패널과 같은 것에 대한 상기 코팅액의 이용에 관한 것이다. 코팅액은 아세틸아세토나토 킬레이트의 부분가수 분해물, 알콕시실란의 가수 분해물 및 금속 알콕시드의 부분 가수분해물중에서 선택된 적어도 1종 이상의 기재 및 미립자 무기 화합물로 구성되어 있으며, 코팅액 내에 함유된 모든 고체 내용물 100g당 이온 농도가 10mmol이하임을 특징으로 한다. 상기 코팅액으로부터 얻은 피막을 입힌 피복 기판은 전기적 물성, 광학적 물성 및 기계적 물성이 탁월하다.The present invention relates to the use of the coating liquid for such things as a coating liquid for film formation and a display panel. The coating solution is composed of at least one substrate and particulate inorganic compound selected from a partial hydrolyzate of acetylacetonato chelate, a hydrolyzate of alkoxysilane and a partial hydrolyzate of metal alkoxide, and the ions per 100 g of all solid contents contained in the coating solution. It is characterized by a concentration of 10 mmol or less. The coated substrate obtained from the coating solution is excellent in electrical, optical and mechanical properties.
Description
제1도는 분해능(分解能)을 측정하는 데에 사용되는 바 차트(Bar chart)이다.1 is a bar chart used to measure resolution.
제2도는 분해능을 측정하는 데에 사용되는 장치를 나타낸다.2 shows the apparatus used to measure the resolution.
본 발명은 우수한 항반사성과 대전방지 효과를 가진 피막을 형성할 수 있는 코팅액, 그의 제조방법 및 기판위에 1종 또는 2종의 코팅액으로 형성된 피막을 단층 또는 다층으로 적층하여 입힌 기판(基板)에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 본 발명은 단분산 상태에 있는 무기 화합물의 미립자들을 함유하고 있는 피막을 형성할 수 있는 1종 또는 2종의 코팅액과 그의 제조방법 및 기판 위에 상기의 피막이 형성되어 있는 피복기판에 관한 것이다. 더욱이, 본 발명은 기판에 대한 부착성이 뛰어나고 피막의 표면의 평탄성(smoothness)이 우수할 뿐만 아니라, 물과 알칼리성 저항물질에 대한 내구성이 뛰어난 투명도 전도성(電導性) 피막을 형성 할 수 있는 코팅액과 기판위에 상기의 피막이 형성되어 있는 피복 기판 및 표시장치(display unit)에 관한 것이다.The present invention relates to a coating liquid capable of forming a film having excellent antireflection and antistatic effect, a method for manufacturing the same, and a substrate coated by laminating a film formed of one or two coating liquids on a substrate in a single layer or multiple layers. will be. More specifically, the present invention relates to one or two coating liquids capable of forming a film containing fine particles of an inorganic compound in a monodisperse state, a method for producing the same, and a coated substrate on which the film is formed on a substrate. will be. Furthermore, the present invention provides a coating liquid which is excellent in adhesion to a substrate and excellent in smoothness of the surface of the film, and can form a transparent conductive film having excellent durability against water and alkaline resistant materials. A coating substrate and a display unit in which said film is formed on a board | substrate.
통상적으로, 무기 화합물의 미립자와 기질(matrix)로 이루어진 피막을 형성하기 위한 코팅액은 유리판이나 플라스틱판과 같은 기판의 표면에 피막을 형성하여 향반사상과 대전방지성과 같은 다양한 기능을 더해주기 위해 사용되어 왔다.In general, a coating liquid for forming a film composed of inorganic particles and a matrix is used to form a film on the surface of a substrate such as a glass plate or a plastic plate to add various functions such as antireflection and antistatic properties. come.
예를 들면, 음극선과 표시 패널, 형광성 표시판, 플라즈마 표시 장치, 액정 표시 장치 등의 표면에, 외광(外光)의 반사와 정전하를 방지하기 위하여, 항반사성과 대전방지성을 가진 투명한 피막을 형성하는 방법과 상기 투명한 피막을 형성하는데 사용되는 코팅액은 이미 알려져 있다(일본공개특허 제15445/1989호, 제298301/1989호 및 제78946/1991호 참고).For example, a transparent film having antireflection and antistatic properties may be formed on surfaces of cathode ray, display panel, fluorescent display panel, plasma display device, liquid crystal display device, etc. to prevent reflection of external light and electrostatic charge. The method of forming and the coating liquid used to form the transparent coating are already known (see Japanese Patent Laid-Open Nos. 15445/1989, 298301/1989 and 78946/1991).
일본공개특허제193971/1998호에는 산화주석이나 산화인듐과 같은 전도성 입자와: 알콕시실란(alkoxysilane)과 같은 유기실리콘 화합물로 이루어진 전색제(展色劑:기질)로 이루어진 전도성 피막을 형성하기 위한 코팅액이 기재되어 있다.Japanese Laid-Open Patent No. 193971/1998 discloses a coating liquid for forming a conductive film composed of a conductive particle such as tin oxide or indium oxide and a colorant consisting of an organosilicon compound such as alkoxysilane. It is described.
일본공개특허 제54613/1989호와 국제 공개 제WO 89/03114호 및 제WO 90/02157호에서, 본 출원인들은 전도성 피막을 형성하는데 사용되는 코팅액으로 전도성 물질과: 알콕시실란과 아세틸아세토나토 킬레이트를 부분적으로 가수분해시켜 얻은 생성물, 예를 들어 비스(아세틸아세토나토)디알콕시지르코늄으로 이루어진 기질을 물과 유기용매로 이루어진 혼합용매와의 혼합물의 형태로된 코팅액을 제안하였으며, 또한 기판의 표면에 상기 코팅액으로부터 얻은 전도성 피막을 입힌 기판을 제안하였다.In Japanese Patent Laid-Open Publication No. 554613/1989 and WO 89/03114 and WO 90/02157, the present applicants have applied a coating liquid for forming a conductive coating with a conductive material: alkoxysilane and acetylacetonato chelate. A coating solution in the form of a mixture of a product obtained by partially hydrolyzing, for example, a mixed solvent consisting of water and an organic solvent, of a substrate consisting of bis (acetylacetonato) dialkoxyzirconium, is also proposed. A substrate coated with a conductive coating obtained from a coating solution is proposed.
그러나, 무기 화합물의 미립자를 함유하고 있는 피막을 형성하는데 사용되는 상기의 통상의 코팅액을 사용하여 기판에 피막을 형성하는데에는, 아무리 무기 화합물의 미립자들이 코팅액 내에 단분산 상태로 존재한다하더라도, 피막을 형성하는 과정중에 일부 무기 화합물의 미립자들이 응집하여 무기 화합물의 미립자들이 단분자 상태로 존재하고 있는 원하는 피막을 얻을 수 없다.However, in forming a film on a substrate using the above-mentioned conventional coating liquid used to form a film containing the fine particles of the inorganic compound, no matter how the fine particles of the inorganic compound exist in the coating liquid in a monodisperse state, During the formation process, the fine particles of some inorganic compounds aggregate to obtain a desired film in which the fine particles of the inorganic compound exist in the monomolecular state.
일부 무기 화합물의 미립자들이 응집되어 있는 피막은 그의 항반사성과 대전 방지성 및 내인찰성(耐引擦性)과 같은 기계적 물성이 불량해질 뿐만 아니라, 부분적으로 응집된 입자들이 반점의 형태로 나타나 점결함(點缺陷)이 발생하기 쉬우며, 더욱이 무기 화합물의 미립자들이 단분산 상태로 존재하는 피막에 비하여 지문 등에 의한 얼룩이 생기기 쉬운 결점을 갖고 있다.The film in which the fine particles of some inorganic compounds are aggregated not only has poor mechanical properties such as antireflection, antistatic and anti-friction resistance, but also partially agglomerated particles appear in the form of spots. Iii) is more likely to occur, and furthermore, there is a drawback that stains due to fingerprints or the like are more likely to occur than the film in which the fine particles of the inorganic compound exist in a monodisperse state.
상기와 같은 상황하에서, 본 발명자들은 무기 화합물의 미립자들로 이루어진 코팅액에서 발생하기 쉬운 무기 화합물 입자들의 응집이 일어날 염려가 없고, 코팅액으로부터 피막을 형성하는 과정중에 발생하기 쉬운 무기 화합물 입자들의 응집에 대한 염려가 없는 코팅액을 제공할 목적으로 광범위하고도 철저하게 연구해왔다. 나아가, 본 발명자들은 무기화합물의 미립자들이 단부자 상태로 존재하는 피막을 입힌 기판을 제공할 목적으로 광범위하고도 철저하게 연구해 왔다. 그 결과, 본 발명자들은 코팅액 내에 존재하는 소량의 양이온들과 음이온들이 코팅액내에서 및 피막을 형성하는 과정중에 발생하는, 무기 화합물의 미립자들의 응집에 중요한 요인으로서 작용한다는 것을 발견하게 되었다.Under the above circumstances, the present inventors have no fear of agglomeration of the inorganic compound particles which are likely to occur in the coating liquid consisting of the fine particles of the inorganic compound, and the inventors are concerned about the aggregation of the inorganic compound particles which are likely to occur during the process of forming a film from the coating liquid. Extensive and thorough research has been conducted to provide a coating solution without concern. Furthermore, the present inventors have studied extensively and thoroughly for the purpose of providing a coated substrate in which the fine particles of the inorganic compound are present in the terminal state. As a result, the inventors have found that a small amount of cations and anions present in the coating liquid act as an important factor in the aggregation of the fine particles of the inorganic compound, which occurs in the coating liquid and during the process of forming the film.
상술한 바와 같이, 통상적인 코팅액에 대한 발명자들의 분석에 의하면, 무기 화합물의 콜로리드 용액과 같은 무기 화합물의 미립자들의 분산액에서 입자들을 안정화시키기 위해 일반적으로 알칼리금속을 첨가하기 때문에, 일부 코팅액들은 일반적으로 나트륨 이온(Na+)과 같은 이온들이 무기 화합물의 미립자의 분산액에 함유되어 있다. 더욱이, 피막 형성용 코팅액에서 기질로 사용되고 있는 아세틸아세토나토 킬레이트와 알콕시실란 또는 금속 알콕시드를 부분적으로 가수분해시켜 얻은 생성물을 제조하는데 산이나 암모니아수를 사용하기 때문에, 그 결과로서 알칼리금속, 암모늄 및 다양한 다가 금속 이온과 같은 양이온: 할로겐 이온, 황산이온, 질산이온, 인산이온과 같은 무기 음이온 및 /또는 포름산, 아세트산과 같은 유기 음이온들이 기질을 함유하고 있는 반응용액 내에 존재하게 된다. 따라서, 무기 화합물 미립자의 부산액 및/또는 기질용액으로 만들어진 대부분의 코팅액은 코팅액에 함유되어 있는 전체 고체 내용물 100g당 수십미리몰 이상의 농도의 이온들을 함유하고 있다. 이러한 고농도의 이온들을 함유하고 있는 코팅액에서의 무기 화합물 미립자의 분산 상태는 반드시 양호할 수가 없으며, 각각의 코팅액내에 단분산 상태로 있는 무기 화합물 미립자들은 코팅액이 만들어진 후에 점차적으로 응집되기 쉽다. 더욱이, 일부 무기 화합물 미립자의 응집은 이러한 고농도의 이온들을 함유하고 있는 통상의 코팅액을 입힌 기판에 형성되어 있는 피막에서도 관찰된다. 상기 코팅액으로 만든 피막은 무기 화합물 미립자들이 응집함으로 인하여 막 두께가 비균일해지면 혼탁해질 수도 있다.As described above, the inventors' analysis of conventional coating liquids shows that some coating liquids are generally added because alkali metals are generally added to stabilize the particles in dispersions of fine particles of inorganic compounds, such as colloidal solutions of inorganic compounds. Ions such as sodium ions (Na +) are contained in the dispersion of the fine particles of the inorganic compound. Furthermore, since acid or ammonia water is used to prepare a product obtained by partial hydrolysis of acetylacetonato chelate and alkoxysilane or metal alkoxide, which are used as substrates in the coating liquid for coating, as a result, alkali metals, ammonium and various Cations such as polyvalent metal ions: inorganic anions such as halogen ions, sulfate ions, nitrate ions and phosphate ions and / or organic anions such as formic acid and acetic acid are present in the reaction solution containing the substrate. Thus, most coating solutions made from by-products and / or substrate solutions of fine particles of inorganic compounds contain ions at concentrations of several tens of millimoles or more per 100 g of the total solid content contained in the coating solution. The dispersion state of the inorganic compound fine particles in the coating liquid containing such high concentration of ions cannot necessarily be good, and the inorganic compound fine particles in the monodisperse state in each coating liquid tend to gradually aggregate after the coating liquid is made. Moreover, aggregation of some inorganic compound fine particles is also observed in a film formed on a substrate coated with a conventional coating liquid containing such high concentrations of ions. The coating made of the coating liquid may become cloudy when the film thickness becomes nonuniform due to aggregation of the inorganic compound fine particles.
본 발명자들은, 만약 피막 형성용 코팅액에 함유되어 있는 상기 양이온과 음이온들의 농도를 특정 수준이하로 제한한다면, 코팅액 내의 무기 화합물 미립자들의 분산 상태가 양호해지고, 뿐만 아니라 이러한 코팅액으로 형성된 피막내에서의 무기 화합물 미립자의 단분산 상태가 양호하게 유지될 수 있음을 발견하였다. 본 발명은 이러한 발견을 토대로 하여 완성되었다.The inventors have found that if the concentration of the cations and anions contained in the coating solution for coating formation is below a certain level, the dispersion state of the inorganic compound fine particles in the coating solution becomes good, as well as the inorganic in the coating film formed from such coating solution. It has been found that the monodisperse state of the compound fine particles can be maintained well. The present invention has been completed based on this finding.
본 발명은 종래 기술의 상기와 같은 결점을 극복하기 위한 것이며, 따라서 본 발명의 목적은 유리기판, 플라스틱기판, 금속기판 및 세라믹기판과 같은 기판위에 단분산 상태로 무기 화합물 미립자를 함유하고 있는 피막을 형성 할수 있는 코팅액을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 상기의 코팅액의 제조방법을 제공하는 것이다.The present invention is to overcome the above-mentioned drawbacks of the prior art, and therefore an object of the present invention is to provide a film containing inorganic compound fine particles in a monodisperse state on substrates such as glass substrates, plastic substrates, metal substrates and ceramic substrates. It is to provide a coating liquid that can be formed. Another object of the present invention is to provide a method for preparing the coating solution.
본 발명의 또다른 목적은 기판위에 상기의 피막을 입힌 것으로서, 특히 항반사성과 대전방지성이 탁월한 피복 기판을 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a coated substrate having the above coating on the substrate, and particularly excellent in antireflection and antistatic properties.
본 발명의 또 다른 목적은 특정의 입자 크기 분포를 갖는 전도성 입자와 특정의 분자량 분포를 갖는 알콕시실란의 부분 가수분해물로 이루어진 코팅액: 기판에 대한 부착성이 우수하고 피복의 표면이 균일하며 또한 내구성이 탁월한 피막을 형성할 수 있는 상기의 코팅액을 유리판이나 플라스틱판과 같은 투명한 기판에 입힘으로써 얻은 피복기판: 상기한 피복 기판의 제조방법: 및 상기 피막을 포함하고 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a coating liquid comprising conductive particles having a specific particle size distribution and partial hydrolyzate of an alkoxysilane having a specific molecular weight distribution: excellent adhesion to a substrate, uniform coating surface and durability A coating substrate obtained by coating the above-described coating liquid capable of forming an excellent coating on a transparent substrate such as a glass plate or a plastic plate. The manufacturing method of the above-described coating substrate: and a display device including the coating film.
본 발명에 의한 피막 형성용 코팅액은 무기 화합물 미립자와: 아세틸아세토나토 킬레이트의 부분 가수분해물, 알콕시실란의 부분 가수 분해물 및 금속 알콕시드의 부분 가수분해물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종의 기질을 물 및/또는 유기용매에 분산시키거나 용해시킨 것이다.The coating solution for forming a film according to the present invention comprises at least one substrate selected from the group consisting of inorganic compound microparticles: partial hydrolyzate of acetylacetonato chelate, partial hydrolyzate of alkoxysilane and partial hydrolyzate of metal alkoxide. And / or dispersed or dissolved in an organic solvent.
상기한 코팅액은 코팅액 내에 함유된 모든 고체 내용물 100g당 10mmol(미리몰)이하의 농도로 이온들을 함유하고 있다.The coating solution contains ions at a concentration of 10 mmol or less per 100 g of all solid contents contained in the coating solution.
본 발명에 따른 피막 형성용 코팅액에 사용 할 수 있는 무기 화합물 미립자들은 하기와 같은 입자 구성으로 이루어진 전도성 입자들이 바람직하며:The inorganic compound fine particles that can be used in the coating liquid for forming a film according to the present invention are preferably conductive particles having the following particle composition:
(a) 평균 입자 크기가 50mm이하이고,(a) the average particle size is 50 mm or less,
(b) 입자 크기가 각각 60nm이하인 입자들이 5중량%이며,(b) 5% by weight of particles each having a particle size of 60 nm or less,
(c) 입자 크기가 각각 10nm이하인 입자들이 5중량%이고,(c) 5% by weight of particles each having a particle size of 10 nm or less,
(d) 입자크기가 각각 100nm이상인 입자들이 15중량%이하이다.(d) The particles each having a particle size of 100 nm or more are 15% by weight or less.
및 본 발명에서 사용할 수 있는 기질로는 하기와 같은 분자량 구성으로 이루어진 알콕시실란의 부분 가수분해물인 것이 바람직하다:And the substrate usable in the present invention is preferably a partial hydrolyzate of an alkoxysilane having the molecular weight configuration as follows:
(1) 평균 분자량이 1,500~10,000이고,(1) the average molecular weight is 1,500 to 10,000,
(2) 분자량이 3,000이하인 폴리머가 50중량%이하이며,(2) 50 wt% or less of polymer having molecular weight of 3,000 or less,
(3) 분자량 10,000이상인 폴리머가 20중량%이하이다.(3) The polymer having a molecular weight of 10,000 or more is 20% by weight or less.
상기 코팅액은 무기 화합물 미립자의 분산액중 어느 하나와, 기질용액 및 이들을 혼합하여 만든 코팅액을 양이온 및/또는 음이온 제거 처리 공정을 거치므로써 코팅액내의 이온농도가 코팅액에 함유되어 있는 모든 고체 내용물의 100g당 10mmol이하가 되도록 하므로써 제조할 수 있다.The coating solution is 10 mmol per 100 g of all the solid contents of all the solid content of the coating liquid by any one of the dispersion of the inorganic compound fine particles, the substrate solution and the coating solution made by mixing them through a cation and / or anion removal process It can manufacture by making it become the following.
본 발명의 다른 측면에 의한, 피복 기판은 기판과 그위에 상기의 코팅액을 입혀서 형성한 단층 또는 다층으로 적층한 피막으로 구성되어 있다.According to another aspect of the present invention, a coated substrate is composed of a substrate and a film laminated in a single layer or multiple layers formed by coating the coating solution thereon.
상기한 피복 기판은 피막 형성용 코팅액을 기판에 입혀서 미경화(未硬化)피막을 형성하고 미경화 피막을 가열하여 경화시키므로써 제조할 수 있다.The coated substrate can be prepared by coating a coating liquid for film formation on the substrate to form an uncured coating, and curing the uncured coating by heating.
본 발명의 또 다른 측면에 의한 표시 장치는, 그것의 외부 표면위에 피막 형성용 상기한 코팅액을 입혀서 형성된 투명한 전도성 피막을 가지고 있는 표시 패널을 포함하고 있다.A display device according to another aspect of the present invention includes a display panel having a transparent conductive film formed by applying the above-described coating liquid for film formation on its outer surface.
상기 표시 장치와 렌즈와 같은 기판위에 형성된 피막을 갖고 있는 피복 기판들은 항반사성과 항대전효과에서 탁월할 뿐만 아니라 기판에 대한 부착성이 뛰어나고 내구성 또한 뛰어나다.The coated substrates having a film formed on the substrate such as the display device and the lens are not only excellent in antireflection and antistatic effect, but also excellent in adhesion to the substrate and excellent in durability.
이하, 본 발명에 따른 피막 형성용 코팅액과 그의 제조방법 및 피복기판을 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the coating liquid for forming a film according to the present invention, a manufacturing method thereof, and a coated substrate will be described in more detail.
피막 형성용 코팅액Coating liquid for film formation
먼저, 본 발명에 따른 코팅액에 대해 설명한다.First, the coating liquid according to the present invention will be described.
본 발명의 코팅액은 무기 화합물 미립자와 기질을 물 및/또는 유기용매에 분산시키거나 용해시킨 형태로 함유하고 있다.The coating liquid of the present invention contains the inorganic compound fine particles and the substrate in the form of being dispersed or dissolved in water and / or an organic solvent.
본 발명의 코팅액에 분산되어 있는 무기 화합물 미립자들의 예로는 미세 이산화규소,산화티탄(부분적으로 환원된 산화티탄도 포함된다), 산화지르코늄, 산화알루미늄, 산화세륨, 산화철, 산화텅스텐, 산화주석 및 산화안티몬과 같은 무기 산화물의 미립자와, 미세 불화마그네슘, 불화칼륨 및 불화규소칼슘과 같은 불화물 미립자를 포함한다.Examples of the inorganic compound fine particles dispersed in the coating liquid of the present invention include fine silicon dioxide, titanium oxide (including partially reduced titanium oxide), zirconium oxide, aluminum oxide, cerium oxide, iron oxide, tungsten oxide, tin oxide and oxidation Fine particles of an inorganic oxide such as antimony and fine particles of fluoride such as fine magnesium fluoride, potassium fluoride and calcium fluoride.
더욱이, 본 발명에서는 상기한 많은 무기 화합물 또는 상기한 입자들의 혼합물로 구성된 혼합인자들을 무기 화합물 미립자로 사용할 수 있다.Moreover, in the present invention, mixing factors composed of many of the above-described inorganic compounds or mixtures of the above-mentioned particles can be used as the inorganic compound fine particles.
본 발명에서, 기판 표면에 주어진 기능에 따라서, 코팅액에 분산시킬 무기 화합물 미립자의 크기와 형태를 선정할 수 있으며 1종 이상의 무기 화합물 미립자들을 코팅액에 첨가할 수 있다.In the present invention, depending on the function given on the surface of the substrate, the size and shape of the inorganic compound fine particles to be dispersed in the coating liquid can be selected and one or more inorganic compound fine particles can be added to the coating liquid.
예를 들면, 무기 화합물 미립자로서 이산화규소 미립자를 함유한 코팅액을 입힘으로써 정교하지만 고르지 않은 피막을 형성시킬 수 있으며 이로써 정교한 비평탄성에 기인하여 기판 표면에서의 반사를 줄일수 있다. 한편, 무기 화합물 미립자로서, 안티몬이나 불소등을 소량 첨가한 산화주석, 주석(ITO)을 소량 첨가한 산화인듐 및 산화안티몬에서 선택된 전도성 무기 산화물 미립자를 함유하고 있는 코팅액을 기판에 입히으로써 전도성 피막을 형성할 수 있다.For example, by coating a coating liquid containing silicon dioxide fine particles as the inorganic compound fine particles, an elaborate but uneven coating can be formed, thereby reducing reflection on the substrate surface due to fine non-flatness. On the other hand, as the inorganic compound fine particles, a conductive coating is formed by coating a substrate with a coating liquid containing conductive inorganic oxide fine particles selected from tin oxide added with a small amount of antimony or fluorine, indium oxide added with a small amount of tin (ITO), and antimony oxide. Can be formed.
기판 위에 형성된 피막의 굴절율은 코팅액 내에 함유된 무기 화합물 미립자나 다수의 무기 화합물 미립자들을 배합한 형태를 선정함으로써 조절할 수 있다. 예를 들면, 굴절율과 투명도가 높은 피막은, 무기 화합물 미립자로서 산화티탄, 산화세륨, 산화철 등을 사용함으로써 얻을 수 있다. 반면에, 굴절율과 표면 반사율이 낮은 피막은 무기 화합물 미립자로서 불화마그네슘, 불화칼슘등을 사용함으로써 얻을 수 있다.The refractive index of the film formed on the substrate can be adjusted by selecting the form in which the inorganic compound fine particles contained in the coating liquid or a plurality of inorganic compound fine particles are blended. For example, a film having high refractive index and high transparency can be obtained by using titanium oxide, cerium oxide, iron oxide, or the like as the inorganic compound fine particles. On the other hand, a film having a low refractive index and a low surface reflectance can be obtained by using magnesium fluoride, calcium fluoride, or the like as the inorganic compound fine particles.
또한, 표면 반사율이 낮은 피막은, 본 출원인에 의해 이전에 출원된 일본특허 출원 제 91650/1992호에서 밝혀진 바와 같이, 미립자 산화물을 비실리카 금속성분을 걸러내기 위해 산으로 처리하여 제조한 다공성 미립자 산화물을 무기 화합물 미립자로 사용하여 얻을 수 있다.In addition, the film having a low surface reflectance is a porous particulate oxide prepared by treating the particulate oxide with an acid to filter out the non-silica metal component, as disclosed in Japanese Patent Application No. 91650/1992 filed previously by the present applicant. Can be obtained using the inorganic compound fine particles.
본 발명에 사용하는 미립자 무기 화합물로서 평균 입자 크기가 3~300nm인 것이 바람직하다. 피막이 평탄해야 하고 견고해야 하고, 또 미립자 무기 화합물이 결정질이거나 비결정질의 전도성 미립자 무기 산화물일때에는, 평균 입자 크기가 3~100mn의 범위에 있는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 기판 표면에 항반사성을 부여하기 위해 무기 화합물 미립자를 사용하는 경우에는, 입자의 평균 크기가 40~300nm의 범위에 있는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 더욱이, 입자의 크기가 되도록이면 균일하게 입자 크기의 변동계수[(표준편차/평균입자크기)×100]가 30% 이하, 바람직하게는 20% 이하, 더욱 바람직하게는 10%이하인 무기 화합물 미립자가 좋다.It is preferable that average particle size is 3-300 nm as a fine particle inorganic compound used for this invention. When the film should be flat and firm, and the particulate inorganic compound is crystalline or amorphous conductive particulate inorganic oxide, it is preferable to use an average particle size in the range of 3 to 100 mn. When using inorganic compound microparticles | fine-particles in order to provide antireflective property to a board | substrate surface, it is preferable to use the thing in which the average size of particle | grains exists in the range of 40-300 nm. Furthermore, the inorganic compound fine particles having a uniform particle size variation coefficient ((standard deviation / average particle size) × 100] of 30% or less, preferably 20% or less, and more preferably 10% or less are uniformly dispersed. good.
본 발명의 코팅액은 아세틸아세토나토 킬레이트, 알콕시실란 및 금속 알콕시드를 부분적으로 가수 분해시켜서 얻은 생성물들로부터 선택된 적어도 1종의 기질을 함유하고 있다.The coating solution of the present invention contains at least one substrate selected from products obtained by partial hydrolysis of acetylacetonato chelate, alkoxysilane and metal alkoxide.
본 발명에서 기질로 사용되는 상기한 아세틸아세토나토 킬레이트의 부분 가수분해물은 아세틸아세톤 리간드를 갖고 있는 킬레이트 화합물로서 하기의 일반식(1)에 의해 표현되는 화합물의 농축물이다:The partial hydrolyzate of acetylacetonato chelate, used as a substrate in the present invention, is a chelating compound having an acetylacetone ligand and is a concentrate of the compound represented by the following general formula (1):
상기 식중에서, a+b는 2~4: a는 0~3: b는 1~4이고: R은 -CnH2n(n은 3~4)이고: X는 -CH3,-OCH3, -C2H5또는-OC2H5이며: M1은 주기율표이 IB족, IIA 및 B족, ⅢA 및 B족, ⅣA 및 B족, ⅤA 및 B족, ⅥA족, ⅦA족 및 ⅧA족의 원소이거나 바니딜기(VO)이다. 이원소들과 바니딜기의 바람직한 조합과 a,b는 하기의 표 1에 나타낸다.Wherein a + b is 2-4: a is 0-3: b is 1-4: R is -C n H 2n (n is 3-4): X is -CH 3 , -OCH 3 , -C 2 H 5 or -OC 2 H 5 : M 1 is a periodic table of Groups IB, IIA and B, IIIA and B, IVA and B, VA and B, VIA, VIA and VI It is an element or vanidyl group (VO). Preferred combinations of binary elements and vanidyl groups and a, b are shown in Table 1 below.
아세틸아세토나토 킬레이트 화합물의 예로는, 디부톡시비스(아세틸아세토나토)지르코늄(dibutoxybis(acetylacetonato)zirconium, 트리부톡시모노(아세틸아세토나토)지르코늄(tributoxymono(acetylacetonato)zirconium), 비스(아세틸아세토나토)납(bis(acetylacetonato)lead), 트리스(아세틸아세토나토)철(tris(acetylacetonato)iron), 디부톡시비스(아세틸아세토나토)하프늄(dibutoxybis(acetylacetonato)hafnium), 모노(아세틸아세토나토)트리부톡시하프늄(mono(acetylacetonato)tributoxyhafnium)이 있다.Examples of acetylacetonato chelate compounds include dibutoxybis (acetylacetonato) zirconium, tributoxy mono (acetylacetonato) zirconium, and bis (acetylacetonato) lead. (bis (acetylacetonato) lead), tris (acetylacetonato) iron, dibutoxybis (acetylacetonato) hafnium, mono (acetylacetonato) tributoxyhafnium (mono (acetylacetonato) tributoxyhafnium).
알콕시실란의 부분 가수분해물은 가수분해성이 있는 모든 알콕시실란으로부터 얻을 수 있다. 그러나 본 발명에서, 바람직한 부분 가수분해물로는 하기 일반식에 의해 표현되는 알콕시실란으로부터 얻어진 것이다.Partial hydrolysates of alkoxysilanes can be obtained from all alkoxysilanes which are hydrolyzable. However, in the present invention, preferred partial hydrolyzates are those obtained from alkoxysilanes represented by the following general formula.
R nSi(OR )R nSi (OR )
상기 일반식 R 과 R 는 각각 아릴기(aryl group), 아크릴기(acrylic group), 비닐기(vinyl group) 및 탄소수가 1~8인 알킬기 및 일반식 -CHOCmH(m은 1~4사이의 정수, n은 0~3사이의 정수)로 표현되는 치환기에서 선택된 치환기를 나타낸다.General Formula R And R Are an aryl group, an acrylic group, a vinyl group, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and a general formula -CHOCmH (m is an integer between 1 and 4, n is 0 to 3). And an substituent selected from the substituents represented by (integer between).
상기 일반식에 의해 표현되는 알콕시실란의 예로는, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라이소프로폭시실란, 테트라부톡시실란, 테트라옥톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 메틸트리부톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 및 비닐트리메톡시실란이 있다.Examples of the alkoxysilane represented by the above general formula include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetraisopropoxysilane, tetrabutoxysilane, tetraoctoxysilane, methyltrimethoxysilane and methyltriethoxysilane , Dimethyldimethoxysilane, methyltributoxysilane, octyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, and vinyltrimethoxysilane.
금속 알콕시드의 부분 가수분해물도 기질로서 사용할 수 있다. 금속 알콕시드의 부분 가수분해물은 하기의 일반식으로 표현되는 화합물의 농축물이다.Partial hydrolysates of metal alkoxides can also be used as substrates. The partial hydrolyzate of the metal alkoxide is a concentrate of the compound represented by the following general formula.
M (OR)M (OR)
상기 식중에서, M 는 금속원자를 나타내며: R은 알킬기 또는 -CHO(m은 3~10사이의 정수)를 나타내며, n은 M 의 원자가에 해당하는 정수이다.In the above formula, M Represents a metal atom: R represents an alkyl group or -CHO (m is an integer between 3 and 10) and n is M An integer corresponding to the valence of.
이것들로부터 선택된 농축물을 단독으로 또는 배합하여 사용할 수 있다. 상기 일반식에서 M 는 금속 원자이기만 하면 특별히 한정되지는 않는다. 그러나, 바람직하게는, 베릴륨(Be), 알루미늄(Al), 스칸듐(Sc), 티탄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 철(Fe), 니켈(Ni), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 비소(As), 셀렌(Se), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오브(Nb), 인듐(In), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 텔루륨(Te), 하프늄(Hf), 탄탈(Ta), 세륨(Ce) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택하는 것이 좋다.The concentrates selected from these can be used alone or in combination. M in the formula Is not particularly limited as long as it is a metal atom. However, preferably, beryllium (Be), aluminum (Al), scandium (Sc), titanium (Ti), vanadium (V), chromium (Cr), iron (Fe), nickel (Ni), zinc (Zn) , Gallium (Ga), germanium (Ge), arsenic (As), selenium (Se), yttrium (Y), zirconium (Zr), niobium (Nb), indium (In), tin (Sn), antimony (Sb) It is preferable to select from the group consisting of tellurium (Te), hafnium (Hf), tantalum (Ta), cerium (Ce) and copper (Cu).
가수분해성이 있는 금속 알콕시드의 예로는 테트라부톡시지르코늄, 테트라옥틸옥시티타늄 및 디이소프로폭시-디옥틸옥시티타늄이 있다.Examples of hydrolyzable metal alkoxides are tetrabutoxyzirconium, tetraoctyloxytitanium and diisopropoxy-dioctyloxytitanium.
아세틸아세토나토 킬레이트 화합물, 알콕시실란 및 금속 알콕시드의 부분 가수분해물은 통상적 방법에 의해, 예를 들면, 가수분해능을 갖고 있는 아세틸 아세토나토 킬레이트 화합물, 알콕시실란 및 금속 알콕시드 중에서 선택한 1종 이상의 화합물을 메탄올이나 에탄올 같은 알코올과 혼합한 후, 그 혼합물에 물과 산또는 알카리를 첨가함으로서 얻을 수 있다. 상기한 방법에 의한 부분 가수 분해물을 제조함에 있어서, 평균 분자량이 약 1,500~10,000, 바람직하게는 2,000~7,000(폴리스틸렌으로 환산하여)으로 조절된 부분 가수분해물이 균일한 두께를 갖는 피막을 얻을 수 있다는 점에서 바람직하다.The partial hydrolyzate of the acetylacetonato chelate compound, the alkoxysilane and the metal alkoxide may be prepared by conventional methods, for example, at least one compound selected from hydrolyzable acetyl acetonato chelate compounds, alkoxysilanes and metal alkoxides. After mixing with an alcohol such as methanol or ethanol, it can be obtained by adding water and acid or alkali to the mixture. In the preparation of the partial hydrolyzate by the above method, the partial hydrolyzate adjusted to an average molecular weight of about 1,500 to 10,000, preferably 2,000 to 7,000 (in terms of polystyrene) can obtain a film having a uniform thickness. It is preferable at the point.
본 발명의 코딩액을 제조하기 위해 함께 혼합하는 기질(M)에 대한 미립자 무기 화합물(F)의 적절한 혼합비는 코팅액으로부터 형성된 피막에 부여해야 할 물성과 상태에 따라 달라지는 것이지 특별히 한정되는 것은 아니다. 그러나, 각각의 구성성분의 산화물로 환산하면, F/M는 중량비로 0.05~7사이인 것이 바람직하다.The appropriate mixing ratio of the particulate inorganic compound (F) to the substrate (M) to be mixed together to prepare the coding liquid of the present invention depends on the physical properties and conditions to be applied to the coating formed from the coating liquid, but is not particularly limited. However, in terms of oxides of the respective components, the F / M is preferably between 0.05 and 7 by weight ratio.
특히, 평균 입자 크기가 40~300nm, 바람직하게는 80~200nm인 미립자 실리카와 같은 미립자 무기 화합물(F)과 기질(M)을 F/M이 중량비로 1~5이 되도록 함유하고 있는 코팅액으로부터 형성된 피막은 항반사성이 탁월하고, 혼탁하지 않으면 내인찰성이 우수하다. 표시 영상위에 색음영(色陰影)이 없는 칼라 음극선관(color cathode-ray)은 항반사성 막으로서 칼라 음극선관의 면판(面板)의 표면에 상기한 피막을 형성함으로써 얻을 수 있다.In particular, it is formed from a coating liquid containing a particulate inorganic compound (F) and a substrate (M) such as particulate silica having an average particle size of 40 to 300 nm, preferably 80 to 200 nm so that the F / M is 1 to 5 by weight. The film is excellent in antireflection, and excellent in corrosion resistance unless it is cloudy. Color cathode-rays without color shading on the display image can be obtained by forming the above-described coating on the surface of the face plate of the color cathode ray tube as an antireflective film.
더욱이, 전도성과 항반사성이 모두 탁월한 피막은 기질과 상기한 미립자 이산화규소와 미립자 전도성 무기 산화물을 함께 함유한 코팅액으로부터 형성될 수 있다. 또한 전도성과 항반사성이 모두 우수한 상기의 피막은, 먼저 미립자 무기 산화물과 기질을 함유한 코팅액을 기판에 입혀서 전도성 피막을 기판에 형성하고, 이어서 미립자 이산화규소와 기질을 함유한 코팅액을 그위에 입힘으로써 전도성 피막위에 항반사성 막을 형성함으로써 형성할 수 있다.Moreover, a coating excellent in both conductivity and antireflection can be formed from a coating liquid containing both a substrate and the above-mentioned particulate silicon dioxide and particulate conductive inorganic oxide. In addition, the coating having excellent conductivity and antireflection can be formed by first coating a substrate with a coating liquid containing particulate inorganic oxide and a substrate to form a conductive coating on the substrate, and then coating a coating liquid containing particulate silicon dioxide and a substrate thereon. It can be formed by forming an antireflective film on the conductive film.
본 발명에서는 하기와 같은 입자 크기 분포를 갖는 투명한 전도성 입자들:In the present invention, transparent conductive particles having a particle size distribution as follows:
(a) 평균 입자 크기가 50nm이하, 바람직하게는 5~30nm이고,(a) the average particle size is 50 nm or less, preferably 5 to 30 nm,
(b) 입자 크기가 각각 60nm이하인 입자들이 60중량%이상, 바람직하게는 80중량% 이상이며,(b) particles having a particle size of 60 nm or less, respectively, of at least 60% by weight, preferably at least 80% by weight,
(c) 입자 크기가 각각 10nm이하인 입자들이 5중량%이상, 바람직하게는 20중량%이상이고,(c) particles having a particle size of 10 nm or less, respectively, of at least 5% by weight, preferably at least 20% by weight,
(d) 입자크기가 각각 10nm이상인 입자들이 15중량%이하, 바람직하게는 5중량%이하이다.(d) The particles each having a particle size of 10 nm or more are 15% by weight or less, preferably 5% by weight or less.
을 미립자 무기 화합물로 함유하고,Containing as a particulate inorganic compound,
하기와 같은 분자량 분포를 갖는 알콕시실란의 부분 가수 분해물:Partial hydrolysates of alkoxysilanes having the molecular weight distribution as follows:
(1) 평균 분자량이 1,500~10,000, 바람직하게는 2,500~7,500이고,(1) the average molecular weight is 1,500 to 10,000, preferably 2,500 to 7,500,
(2) 분자량이 3,000이하인 폴리머가 50중량%이하, 바람직하게는 20중량%이하이며,(2) the polymer having a molecular weight of 3,000 or less is 50% by weight or less, preferably 20% by weight or less,
(3) 분자량 10,000이상인 폴리머가 20중량%이하, 바람직하게는 10중량%이하이다.(3) The polymer having a molecular weight of 10,000 or more is 20% by weight or less, preferably 10% by weight or less.
올 기질로 함유한 코팅액을 입힘으로써, 전도성 뿐만 아니라 기판에 대한 부착성과 내구성이 뛰어난 코팅을 얻을 수 있다. 상기한 피막을 형성함에 있어서, F[미립자 무기 화합물(전도성 입자)]/M(기질)의 중량비가 0.5~5의 범위인 것이 바람직하다.By coating the coating liquid containing all substrates, a coating having excellent conductivity as well as adhesion to the substrate and durability can be obtained. In forming said film, it is preferable that the weight ratio of F [particulate inorganic compound (conductive particle)] / M (substrate) is 0.5-5.
본 발명의 코팅액에서, 물 또는 유기 용매가 분산매로 사용된다.In the coating liquid of the present invention, water or an organic solvent is used as the dispersion medium.
유기용매는 미립자 무기 화합물과 기질을 완전히 녹이거나 분산시킬수 있는 것들 중에서 선택된다. 이러한 유기용매의 예로는 메탄올, 에탄올 프로판올 및 부탄올과 같은 알코올류: 메틸셀로솔브(methyl cellosolve)와 에틸셀로솔브(ethyl cellosolve)와 같은 에틸렌글리콜에테르류: 에틸렌글리콜과 프로필렌글리콜과 같은 글리콜류: 메틸아세테이트, 에틸아세테이트 및 메틸락테이트와 같은 에스테르류: 아세톤과 메틸에틸케톤과 같은 케톤류: 및 부틸에테르와 테트라 히드로퓨란과 같은 에테르류와 있다.The organic solvent is selected from among those capable of completely dissolving or dispersing the particulate inorganic compound and the substrate. Examples of such organic solvents include alcohols such as methanol, ethanol propanol and butanol: ethylene glycol ethers such as methyl cellosolve and ethyl cellosolve: glycols such as ethylene glycol and propylene glycol. Esters such as methyl acetate, ethyl acetate and methyl lactate; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; and ethers such as butyl ether and tetra hydrofuran.
본 발명의 코팅액에서, 미립자 무기 화합물과 기질의 전체 농도는 0.1~30중량%, 특히 0.5~20중량%인 것이 바람직하다.In the coating liquid of the present invention, the total concentration of the particulate inorganic compound and the substrate is preferably 0.1 to 30% by weight, particularly 0.5 to 20% by weight.
더욱이, 본 발명의 코팅액에서는 코팅액에 함유된 알칼리 금속이온, 암모늄 이온 및 다가의 금속이온과 같은 양이온: 무기산과 같은 무기음이온: 및 포름산과 아세트산과 같은 유기음이온의 전체 농도는 코팅액에 함유되어 있는 전체 고체 내용물의 100g에 대해 10mmol이하이어야 하는 것은 필수조건이다.Moreover, in the coating liquid of the present invention, the total concentration of cations such as alkali metal ions, ammonium ions and polyvalent metal ions contained in the coating liquid: inorganic anions such as inorganic acids: and organic anions such as formic acid and acetic acid is determined by the total concentration of the coating liquid. It is a requirement to be less than 10 mmol for 100 g of solid content.
코팅액의 이온 농도가 코팅액에 함유된 모든 고체 내용물의 100g에 대해 10mmol이하로 감소될 때, 코팅액에 함유되어 있는 미립자 무기 화합물의 분산 상태가 탁월해지고 실제적으로 어떠한 입자도 응집하지 않는 코팅액을 얻을 수 있다. 이 코팅액에 함유되어 있는 미립자 무기 화합물의 단분산 상태는 피막을 형성하는 과정중에도 유지된다. 결과적으로, 미립자 무기 화합물을 단분산 상태로 함유하는 피막을 기판표면위에 형성할 수 있다. 즉, 코팅액에 함유되어 있는 모든 고체 내용물 100g에 대해 10mmol이하의 농도로 이온을 함유하고 있는 코팅액을 기판에 입혀서 얻은 피막에서는 어떤 입자의 응집도 관찰되지 않으며, 따라서 무기 화합물 입자들의 응집에 의해서 생기는 점결함과 불균일한 막 두께와 같은 문제가 없는 피막을 기판 위에 형성할 수 있다.When the ion concentration of the coating liquid is reduced to 10 mmol or less with respect to 100 g of all the solid contents contained in the coating liquid, it is possible to obtain a coating liquid which is excellent in the dispersion state of the particulate inorganic compound contained in the coating liquid and practically does not aggregate any particles. . The monodisperse state of the particulate inorganic compound contained in this coating liquid is maintained even during the process of forming the film. As a result, a film containing the particulate inorganic compound in a monodisperse state can be formed on the substrate surface. That is, no agglomeration of particles is observed in the coating obtained by coating the substrate with a coating solution containing ions at a concentration of 10 mmol or less with respect to 100 g of all the solid contents contained in the coating solution. A film without problems such as nonuniform film thickness can be formed on the substrate.
본 발명의 코팅액에서 미립자, 무기 화합물이 단분산 상태로 유지되는 이유는 코팅액에서 극히 낮은 이온 농도가 입자표면의 데바이 길이(Debye length)를 증가시켜서 입자들간의 상호 반발력을 증대시킴으로써 입자들이 원하는 분산상태로 유지될 수 있기 때문인 것으로 추정된다.The reason why the fine particles and the inorganic compound are kept in the monodisperse state in the coating liquid of the present invention is that the extremely low ion concentration in the coating liquid increases the Debye length of the particle surface, thereby increasing the mutual repulsive force between the particles, thereby causing the particles to have a desired dispersion state. It is assumed that this can be maintained.
여기에서 사용한 '본 발명의 코팅액의 이용농도'라는 용어는 코팅액에 함유되어 있는 암모늄이온, 알칼리금속이온 및 다가의 금속이온과 같은 양이온들: 할로겐음이온과 무기산음이온과 같은 무기음이온 : 및 포름산 이온과 아세트산음이온과 같은 유기음이온들을 합한 전체농도를 의미한다.As used herein, the term 'concentration of the coating liquid of the present invention' refers to cations such as ammonium ions, alkali metal ions and polyvalent metal ions contained in the coating liquid: inorganic anions such as halogen anions and inorganic anions: and formic acid ions. It means the total concentration of organic anions such as acetate anion.
여기에서 사용한, 코팅액에 존재하는 이온들이란 용어는 코팅액의 용매내에서 단리(簞籬)된 형태로 존재하는 것을 뿐만 아니라 미립자 무기 화합물과 기질 등에 흡착 또는 부착되어 있는 이온들을 모두 의미한다.As used herein, the term ions present in the coating solution means not only present in isolated form in the solvent of the coating solution, but also all the ions adsorbed or attached to the particulate inorganic compound and the substrate.
본 발명에서, 이온 농도는 다음의 방법으로 측정하여 계산한다.In the present invention, the ion concentration is measured and calculated by the following method.
먼저, 코팅액을 약 100~110℃의 온도에서 건조시켜서 얻은 고체 내용물의 중량을 측정한다.First, the weight of the solid content obtained by drying a coating liquid at the temperature of about 100-110 degreeC is measured.
따라서, 코팅액에 함유되어 있는 고체 내용물의 총중량을 얻게 된다.Thus, the total weight of the solid contents contained in the coating liquid is obtained.
고체 내용물을 산(acid)등에 완전히 녹인다. 용액내에 함유된 알칼리금속과 알칼리토금속 이온들의 양을 원자흡광 분광법(atomic absorption spectrometry)에 의해 측정하고, 다른 금속 이온들의 양은 방출분광 분석법(emission spectral analysis:ICP)에 의해 측정한다. 따로, 전위차 적정법(potentiometric titration)으로 코팅액을 직접 분석하여 암모늄 이온과 음이온의 양을 측정한다.The solid contents are completely dissolved in acid or the like. The amount of alkali metal and alkaline earth metal ions contained in the solution is measured by atomic absorption spectrometry, and the amount of other metal ions is measured by emission spectral analysis (ICP). Separately, the coating solution is analyzed directly by potentiometric titration to determine the amount of ammonium ions and anions.
상기와 같이 하여 결정된 고체 내용물과 이온의 총량으로부터, 고체 내용을 100g에 대한 이온의 농도를 계산한다.From the total amount of solid contents and ions determined as described above, the concentration of ions relative to 100 g of the solid contents is calculated.
피막 형성용 코팅액의 제조방법Manufacturing method of coating liquid for film formation
이하, 본 발명에 따른 코팅액을 제조하는 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method for producing a coating liquid according to the present invention will be described.
본 발명의 코팅액에 대한 예비용액은 일반적으로 예정된 양의 미립자 무기화합물과 기질을 증류수나 알코올과 같은 유기용매, 및 그들의 혼합용매속에 분산시키거나 용해시켜서 제조한다. 이 과정에서, 미립자 무기 화합물과 기질의 전구물질인 가수분해성 화합물을 용매에 용해시켜 혼합한후, 가수분해성 물질을 부분적으로 가수분해시킴으로써 예비 용액을 제조할 수 있다.The preliminary solution for the coating liquid of the present invention is generally prepared by dispersing or dissolving a predetermined amount of the particulate inorganic compound and the substrate in an organic solvent such as distilled water or alcohol, and a mixed solvent thereof. In this process, the preliminary solution may be prepared by dissolving the particulate inorganic compound and the hydrolyzable compound, which is a precursor of the substrate, in a solvent and mixing the mixture, followed by partially hydrolyzing the hydrolyzable material.
예비용액을 제조한 이후, 또는 예비 용액을 제조하는 과정 중의 적절한 단계에서, 탈이온화 반응을 실시하여 그 결과로 얻은 코팅액의 이온 농도가 코팅액에 함유되어 있는 모든 고체 내용물 100g에 대해 10mmol 이하가 되도록 한다.After preparing the preliminary solution, or at an appropriate stage in the preparation of the preliminary solution, the deionization reaction is carried out so that the resulting ion concentration of the coating solution is 10 mmol or less for 100 g of all the solid contents contained in the coating solution. .
코팅액에 첨가해야 할 미립자 무기 화합물은 분말 형태이거나 또는 물과 같은 용매에 분산시킨 졸(sol)의 형태일수도 있다.The particulate inorganic compound to be added to the coating liquid may be in powder form or in the form of a sol dispersed in a solvent such as water.
분말을 분산시킬 때에, 미립자 무기 화합물을 기질과 혼합하고 샌드밀(sand mill)등을 사용하여 균일하게 분산시킨다. 다른 방법으로는, 물과 같은 분산매에 미립자 무기 화합물을 균일하게 분산시킨 후, 얻은 분산액을 기질과 함께 혼합함으로써 코팅액을 제조할 수 있다. 이 경우에는, 미립자 무기 화합물의 분산액과 기질 둘다 먼저 탈이온화시킬 수 있다.When dispersing the powder, the particulate inorganic compound is mixed with the substrate and uniformly dispersed using a sand mill or the like. Alternatively, the coating liquid can be prepared by uniformly dispersing the particulate inorganic compound in a dispersion medium such as water, and then mixing the obtained dispersion with a substrate. In this case, both the dispersion and the substrate of the particulate inorganic compound can first be deionized.
특정의 평균 입자 크기와 입자 크기 분포를 가진 상기한 전도성 입자들은, 평균 입자 크기와 그것의 입자 크기 분포가 상기한 특정 범위안에 들어갈때까지 적절한 수단을 사용하여 분쇄하고 /또는 통상의 전도성입자를 분급시켜서 얻을 수 있다.The above-mentioned conductive particles having a specific average particle size and particle size distribution are ground using appropriate means and / or classifying conventional conductive particles until the average particle size and its particle size distribution fall within the above-mentioned specific ranges. You can get it by
전도성 입자들의 평균입자크기와 입자 크기 분포를 조절하기 위한 분쇄 및 /또는 분급은 그들의 분말 상태 또는 졸 상태에 대해 실시 할 수 있다. 상기한 분쇄 및/또는 분급은 피막 형성용 코팅액에 제조하기 전이나 이후에 실시 할수 있다.Grinding and / or classification to control the average particle size and particle size distribution of the conductive particles can be performed on their powder or sol state. Said grinding and / or classification can be carried out before or after the preparation in the coating liquid for film formation.
특정의 평균 분자량과 분자량 분포를 가진 상기한 알콕시실란의 부분 가수분해물은 질산, 염산 또는 아세트산과 같은 산 존재하에 예를 들어, 물과 알코올의 혼합용액에서 알콕시실란을 가수분해시키는 방법에 의해 얻어질수 있다.Partial hydrolysates of the above-mentioned alkoxysilanes having a particular average molecular weight and molecular weight distribution can be obtained by a method of hydrolyzing the alkoxysilane in a mixed solution of water and alcohol, for example, in the presence of an acid such as nitric acid, hydrochloric acid or acetic acid. have.
상기한 알콕시실란의 가수분해는 하기와 같은 조건에서 실시하는 것이 바람직하다.It is preferable to perform hydrolysis of said alkoxysilane on condition of the following.
산/이산화규소(SiO)=0.001~0.05(wt/wt)Acid / silicon dioxide (SiO) = 0.001 ~ 0.05 (wt / wt)
물/이산화규소(SiO)=4~16(mol/mol)Water / silicon dioxide (SiO) = 4 ~ 16 (mol / mol)
여기에서, 이산화규소는 이산화규소로 환산한 알콕시실란의 양을 의미한다. 기질 용액과 미립자 무기 화합물의 졸(sol)을 탈이온화시켜 모든 고체 내용물 100g에 대한 이온농도가 10mmol이하가 되게 하여 제조한 코팅액은 일반적으로 더 이상의 탈이온화 반응은 필요하지 않다.Here, silicon dioxide means the quantity of the alkoxysilane converted into silicon dioxide. Coatings prepared by deionizing the sol of the substrate solution and the particulate inorganic compound such that the ionic concentration for 100 g of all solid contents is 10 mmol or less generally do not require any further deionization reaction.
그러나, 준비된 코팅액의 이온 농도가 코팅액에 함유된 모든 고체 내용물 100g에 대해 10mmol을 초과할 경우에는, 이온 농도를 모든 고체 화합물 100g에 대해 10mmol이하로 줄이기 위해 코팅액을 탈이온화시킨다.However, if the ion concentration of the prepared coating liquid exceeds 10 mmol for 100 g of all solid contents contained in the coating liquid, the coating liquid is deionized to reduce the ion concentration to 10 mmol or less for 100 g of all solid compounds.
탈이온화 방법은, 결과적으로 피막 형성용 코팅액의 이온 농도가 코팅액에 함유된 모든 고체 내용물 100g에 대해 10mmol이하가 되도록만 한다면 특별하게 한정되는 것은 아니다. 그러나, 바람직한 탈이온화 방법으로는, 코팅액용 전구물질인 미립자 무기 화합물의 분산액 및/또는 기질 용액 또는 이들로부터 제조된 코팅액을 양이온 교환 수지 및/또는 음이온 교환수지에 접촉시키는 방법과 분산액 및/또는 용액, 또는 코팅액을 한외여과막으로 걸러내는 방법이 있다.The deionization method is not particularly limited as long as the resultant ion concentration of the coating liquid for forming a film is 10 mmol or less with respect to 100 g of all the solid contents contained in the coating liquid. However, preferred deionization methods include a method and a dispersion and / or a solution of contacting a cation exchange resin and / or an anion exchange resin with a dispersion and / or substrate solution of a particulate inorganic compound as a precursor for a coating solution or a coating solution prepared therefrom. Or filtering the coating liquid with an ultrafiltration membrane.
상기한 양이온 및/또는 음이온 교환 수지에 접촉시키는 방법은 분산액 및/또는 용액 또는 코팅액을 양이온이나 음이온 교환수지 또는 그들의 혼합 수지를 채워넣은 컬럼에 적어도 1회 통과시킴으로써 실시될 수 있다. 다른 방법으로는, 분산액 및/또는 용액 또는 코팅액에 양이온 및/또는 음이온 교환 수지를 첨가한후, 적당한 시간 동안 교반시켜서 실시할수도 있다.The above method of contacting the cation and / or anion exchange resin can be carried out by passing the dispersion and / or solution or coating liquid through at least one time through a column filled with a cation or anion exchange resin or a mixed resin thereof. Alternatively, the cation and / or anion exchange resin may be added to the dispersion and / or the solution or the coating solution, followed by stirring for a suitable time.
피복 기판Coated substrate
이제, 본 발명의 피복 기판에 대해 설명한다.Now, the coating substrate of this invention is demonstrated.
본 발명의 피복 기판은 유기, 플라스틱, 금속 및 세라믹등으로 만들어진 판이나 막과 같은 기판과, 그위에 입혀져 있는 상기한 코팅액으로 형성된 피막으로 이루어져 있다.The coated substrate of the present invention is composed of a substrate such as a plate or film made of organic, plastic, metal, ceramic, or the like, and a film formed of the above-described coating liquid coated thereon.
상기한 피막을 적어도 1종의 미립자 무기 화합물과 기질로 이루어진 코팅액으로 형성된 단층의 피막이거나 또는 상기한 단층의 피막과 상기의 미립자 무기 화합물과 기질에 의해 부여되는 기능과 다른 기능을 부여할수 있는 미립자 무기화합물을 함유하고 있는 코팅액으로 형성된 다른 피막을 상기의 피막위에 적층시켜서 이루어진 라이네이트 피막(다층으로 적충한 피막)일 수 있다. 이들 피막들은 각각 다양한 기능을 가진 보호성 피막을 그위에 입힐 수 있다.The above-mentioned coating is a single-layer coating formed of a coating liquid composed of at least one particulate inorganic compound and a substrate, or a particulate inorganic which can impart a function different from the function imparted by the coating of the single-layer and the particulate inorganic compound and the substrate. It may be a linate coating (multilayer coating) formed by laminating another coating formed of a coating liquid containing a compound on the coating. These coatings may each be coated on a protective coating having various functions.
최상부에 있는 피막은, 피막에 함유되어 있는 미립자 무기 화합물의 종류와 기질에 대한 미립자 무기 화합물의 비율에 따라서, 전동성이나 고굴절율 또는 저굴절율 및 항반사성 효과등의 특성을 갖는다.The coating on the top has characteristics such as rolling property, high refractive index or low refractive index, and antireflective effect, depending on the type of the particulate inorganic compound contained in the coating and the ratio of the particulate inorganic compound to the substrate.
상기한 바에서 알수 있듯이, 본 발명의 피복 기판들은 전도성 피막을 가진 기판, 원하는 반사율을 가진 피복 기판, 항반사성을 가진 기판 및 전도성과 항반사성 모두가 탁월한 피복 기판을 포함한다.As can be seen from the foregoing, the coated substrates of the present invention include a substrate having a conductive coating, a coating substrate having a desired reflectance, a substrate having antireflection, and a coating substrate excellent in both conductivity and antireflection.
상기한 기판들 중에, 전도성 피막을 가진 피막의 바람직한 표면 저항(surface resistivity)은 단위면적당 10 ∼10 이고 그것의 바람직한 예로는, 외부표면 위에 투명한 전도성 피막을 가지고 있는 음극선관의 면판(face plate)과, 원본과 접촉하게 되는 표면 위에 투명한 전도성 피막을 가지고 있는 복사기의 압반(壓盤)유리가 있다.Among the substrates described above, the preferred surface resistivity of the coating with the conductive coating is 10 per unit area. To 10 And a preferred example thereof is a face plate of a cathode ray tube having a transparent conductive film on its outer surface and a platen glass of a copier having a transparent conductive film on the surface which comes into contact with the original.
항반사성 피막을 가지고 있는 기판에 관해서는, 반사율이 1%를 초과하지 않도록 제조하는 것이 좋으며 그것의 바람직한 예로는, 내외부 표면에 형성되어 있는 투명한 항반사성 피막을 가지고 있는 렌즈나 음극선관의 면판 등과 같은 투명한 기판을 포함한다.For a substrate having an antireflective coating, it is preferable to manufacture it so that the reflectance does not exceed 1%. A preferable example thereof is a lens having a transparent antireflective coating formed on the inner and outer surfaces, or a face plate of a cathode ray tube. It includes a transparent substrate.
이러한 항반사성 피막의 예로는 표면이 정교하면서 매끄럽지 않은 피막과, 투명한 기질과 기질의 굴절율보다 낮은 굴절율을 가진 입자들을 함유하고 있는 피막, 굴절율이 높은 피막과 그 위에 굴절율이 낮은 피막을 배열하여 이루어진 라미네이트 피막을 포함하고 있다.An example of such an antireflective coating is a laminate formed by arranging a film having a fine surface and a smooth surface, a film containing a transparent substrate and particles having a refractive index lower than that of the substrate, a film having a high refractive index and a film having a low refractive index thereon. It contains a film.
본 발명의 피복 기판은 네사(NESA)막이 형성되어 있는 유리와 같은 종래의 기능성 피막을 입힌 기판과 그것의 피막위에 적층시킨 본 발명의 코팅액으로 형성된 피막으로 이루어진 라미네이트로 이용된다.The coated substrate of the present invention is used as a laminate consisting of a substrate coated with a conventional functional coating such as glass on which a NESA film is formed and a coating formed of the coating liquid of the present invention laminated on the coating.
본 발명의 피복 기판의 피막은 소량의 염료나 색소를 함유할 수도 있다. 이런 피복 기판에서는, 피막은 피막 내에 함유되어 있는 염료나 색소에 따라서 특정한 파장을 가진 광선을 흡수하게 되며, 그 결과 예를 들면, 피복 기판으로 이루어진 음극선관 위에서의 상대비(象對比)를 개선할 수 있다.The coating of the coating substrate of the present invention may contain a small amount of dyes and pigments. In such a coated substrate, the coating absorbs light having a specific wavelength depending on the dye or dye contained in the coating, and as a result, for example, the relative ratio on the cathode ray tube made of the coating substrate can be improved. Can be.
본 발명에서는, 미립자 무기 화합물로서, 특정의 평균입자 크기와 입자 크기 분포를 가진 전도성 입자들과, 특정의 평균 분자량과 분자량 분포를 가진 기질로 이루어진, 상기한 코팅액으로 만들어진 투명한 전도성 피막은, 입자의 응집으로 인한 표면의 비균일성과 입자 사이의 틈(구멍 또는 작은 틈)이 없는, 평탄하고 조밀한 막이다.In the present invention, as the particulate inorganic compound, the transparent conductive film made of the above-mentioned coating liquid, which consists of conductive particles having a specific average particle size and particle size distribution, and a substrate having a specific average molecular weight and molecular weight distribution, It is a flat and dense film without surface nonuniformity due to agglomeration and no gaps (pores or small gaps) between particles.
여기에서 사용된 평탄성이란 용어는 표면의 불균일성 및 거칠음이 없는 것 뿐만 아니라 입자 사이의 틈이 없는 조밀성을 의미하는 것이다.The term flatness as used herein means not only no surface irregularities and roughness, but also denseness without gaps between particles.
따라서, 투명한 전도성 피막을 가진 상기한 기판은 투명도와 둔탁도와 같은 광학적 특성 및 경도(硬度)가 모두 우수할 뿐만 아니라 대기 중의 산이나 알칼리 또는 고온 및 습기에 대해 내구성이 개선되고, 피막과 기판사이의 부착력이 개선되었으며 또한 탁월한 내오염성(耐汚染性)을 가지고 있다. 여기에서 사용된 내오염성(耐汚染性)이란 용어는 피막의 표면이 오염되지 않으며, 만약 오염되었다하더라도 쉽게 오염물질을 제거할 수 있는 것과 같은 피막의 특성을 의미한다.Therefore, the above-mentioned substrate having a transparent conductive film not only has excellent optical properties and hardness, such as transparency and dull turbidity, but also improves durability against atmospheric acids, alkalis, high temperature and moisture, Adhesion is improved and also has excellent stain resistance. As used herein, the term "pollution resistance" refers to the characteristics of a film such that the surface of the film is not contaminated and, if contaminated, can be easily removed.
투명한 전도성 기판은 단위 면적당 103∼1010의 표면 저항율, 1% 이하의 둔탁도를 가지고 있으며, 기판의 표면위에 상기한 투명 전도성 피막을 형성시킨 후에 임의적으로 투명한 전도성 피막위에 투명한 보호막을 형성시켜서 얻을 수 있다.Transparent conductive substrates are 103 to 1010 per unit area It has a surface resistivity of 1, and has a dull turbidity of 1% or less, and can be obtained by forming a transparent protective film on an optionally transparent conductive film after forming the transparent conductive film on the surface of the substrate.
더욱이, 피막을 형성하는 과정 동안 후술하게 될 비형광 처리(nonglare treatment)를 실시함으로써, 40~90%의 광택도를 보여주고 표면 저항율은 비형광 처리를 하지 않았을때와 같은, 투명도 전도성 기판을 얻을 수 있다.Furthermore, by performing nonglare treatment, which will be described later during the film formation process, a transparent conductive substrate can be obtained, which shows glossiness of 40 to 90% and surface resistivity as in the case of non-fluorescence treatment. Can be.
본 발명에 따른 피복 기판의 두께는 0.05~0.7㎛가 바람직하다.As for the thickness of the coating substrate which concerns on this invention, 0.05-0.7 micrometer is preferable.
본 발명의 피복 기판은 우선, 유리나 플라스틱과 같은 기판의 표면에 침적(浸績), 스피너(spinner), 분무기, 롤 코우더(roll. coater), 윤전 인쇄등의 방법으로 상기한 코팅액을 입히고, 이후에 실온 ~90℃의 온도에서 기판의 표면 위에 형성된 코팅액을 건조시키며, 마지막으로 건조시킨 층을 100℃이상의 온도에서 가열하여 경화시킴으로써 얻을 수 있다.The coated substrate of the present invention is first coated with the above-described coating liquid on the surface of a substrate such as glass or plastic by a method such as deposition, spinner, sprayer, roll coater, rotoprinting, or the like. Thereafter, the coating liquid formed on the surface of the substrate is dried at a temperature of room temperature ˜90 ° C., and finally, the dried layer may be obtained by heating and curing at a temperature of 100 ° C. or more.
나아가 본 발명에서는, 상기의 본 발명의 효과를 분명하게 갖고 있는 피복기판을 하기의 방법에 의해 제조할 수 있다.Furthermore, in the present invention, a coated substrate having the above-described effects of the present invention can be produced by the following method.
상술한 바와 같이, 상기한 피막을 입히는 단계 후에 건조 단계후에, 또는 건조 단계중에, 미경화 상태로 있는 피막을 가시광선보다 파장이 짧은 전자기파를 조사하거나 경화반응을 촉진시킬 수 있는 기체상에 노출시킨다.As described above, after the drying step after the coating step or during the drying step, the uncured film is exposed to a gas phase capable of irradiating electromagnetic waves having a wavelength shorter than visible light or promoting a curing reaction.
가열하기 이전에 미경화 상태의 피막을 조사하는데에 사용되는 전자기파의 예로는 자외선 조사, 전자빔, X-선 및 감마선 조사가 있다. 실제 자외선 조사가 바람직한다. 예를 들면, 미경화 상태의 피막은 자외선 조사원으로서 약 250nm와 360nm에서 최대 광도를 가지며, 광도가 10mW/㎠이상, 바람직하게는 100mW/㎠이상인 수은등으로부터 방출되는 에너지 유량(energy flux)이 100mJ/㎠이상, 바람직하게는 1000mJ/㎠이상인 자외선을 사용하여 조사한다.Examples of electromagnetic waves used to irradiate uncured coatings prior to heating include ultraviolet radiation, electron beams, X-rays and gamma rays. Actual ultraviolet irradiation is preferred. For example, the uncured coating has a maximum luminous intensity at about 250 nm and 360 nm as an ultraviolet irradiation source, and has an energy flux of 100 mJ / m emitted from a mercury lamp having a luminous intensity of 10 mW / cm 2 or more, preferably 100 mW / cm 2 or more. Irradiation is carried out using ultraviolet light of at least 2 cm 2, preferably at least 1000 mJ / cm 2.
가열하기 이전에 미경화상태의 피막의 경화반응을 촉진시킬 수 있는 기체의 예로는 암모니아와 오존이 있다.Examples of gases that can accelerate the curing reaction of uncured coatings prior to heating are ammonia and ozone.
예를 들면, 피막의 경화를 촉진시키기 위한 처리는, 미경화 상태의 피막을 상기한 바와 같이, 기체의 농도가 100~10,000ppm, 바람직하게는 1000~10,000ppm인 활성기체 상에 1~60분 동안 노출시킴으로써 실시된다.For example, the treatment for promoting hardening of the film is performed for 1 to 60 minutes on an uncured film on an active gas having a gas concentration of 100 to 10,000 ppm, preferably 1000 to 10,000 ppm, as described above. By exposing.
경화를 촉진시키기 위한 상기한 처리법은 기질의 중합 뿐만 아니라 피막에 남아 있는 수분과 용매의 증발을 가속화시킨다. 결과적으로, 이후의 가열 단계에서 적용되는 가열온도나 시간과 같은 열적인 경화조건들을 완화시킬 수 있다.The above treatments for promoting curing accelerate the evaporation of the solvent and the water remaining in the coating as well as the polymerization of the substrate. As a result, thermal curing conditions such as heating temperature or time applied in subsequent heating steps can be alleviated.
본 발명에서, 표면에 수 많은 미세한 돌기부와 함몰부를 가진 피막들을 입힌 비형광성의 투명한 피복 기판은 유리나 플라스틱과 같은 기판의 표면을 약 40~90℃의 온도까지 먼저 예열시킨 후에 상기한 온도 범위를 유지하면서, 예열된 표면 위에 코팅액을 분사시키고, 이어서 피막을 가열하여 경화시켜서 얻을 수 있다. 투명한 피복 기판을 상기한 과정에 의해 제조할 때, 피막의 외견상의 표면 평탄성은 다소 약화되지만 피복 기판의 항오염성과 내구성에는 전혀 변화가 없다.In the present invention, the non-fluorescent transparent coated substrate coated with coatings having a large number of fine protrusions and depressions on the surface maintains the above temperature range after first preheating the surface of the substrate such as glass or plastic to a temperature of about 40 to 90 ° C. It can be obtained by spraying the coating liquid onto the preheated surface, followed by heating and curing the coating. When the transparent coated substrate is produced by the above-described procedure, the apparent surface flatness of the coating is somewhat weakened, but there is no change in the antifouling properties and durability of the coated substrate.
경화를 촉진시키기 위한 상기의 처리 과정은 열처리 경화 이전에 선행되어 실시 될 수 있다.The above process for promoting hardening may be carried out prior to heat treatment hardening.
상기한 과정에 의해 제조한 피막위에 형성시킬 수 있는 투명한 보호성 피막은 피막을 제조하는 과정과 동일한 적용, 건조 및 가열 과정등을 실시하여 성공적으로 형성할 수 있다. 경화를 촉진시키기 위한 상기의 처리 과정 및/또는 피막의 표면에 비형광성을 주기 위한 처리과정은 투명한 보호성 피막을 형성하는 과정중에도 실시될 수 있다.The transparent protective film that can be formed on the film prepared by the above process can be successfully formed by performing the same application, drying and heating process as the process of manufacturing the film. The above treatment process for promoting hardening and / or treatment for imparting non-fluorescence on the surface of the coating may be carried out during the process of forming a transparent protective coating.
투명한 보호성 피막을 형성하는 데에 사용되는 코팅액은 바람직하게는, 본 발명에 사용되는 상기한 기질만으로 이루어져 있거나 또는 그 기질과 함께 피복 기판에 원하는 기능을 더해주기 위해 적합한 미립자 무기 화합물로 이루어져 있다.The coating liquid used to form the transparent protective coating is preferably composed of only the above-mentioned substrate used in the present invention or, together with the substrate, of a particulate inorganic compound suitable for adding a desired function to the coated substrate.
상기한 투명 보호성 피막의 바람직한 두께는 약 0.5㎛이하이다.The preferable thickness of the above-mentioned transparent protective film is about 0.5 micrometer or less.
투명한 전도성 피복 기판을 구비하고 있는 표시장치(Display unit)Display unit having a transparent conductive coating substrate
본 발명의 표시 장치는 음극선관(cathode-ray tube:CRT), 형광성 표시관(fluorescent character display tube:FIP), 플라즈마 표시 장치(plasma display:PDP) 및 액정표시장치(liquid crystal display:LCD)와 같이 전기적으로 영상을 표시 할 수 있는 장치이며, 그것의 외부 표면에 투명한 전도성 피막이 입혀져 있는 표시 패널(display panel)을 포함하고 있다. 즉, 본 발명의 표시장치는 투명한 전도성 피복 기판으로서, 투명한 전도성 피막을 가지고 있는 표시 패널을 구비하고 있다.The display device of the present invention comprises a cathode-ray tube (CRT), a fluorescent character display tube (FIP), a plasma display (PDP) and a liquid crystal display (LCD); Likewise, it is a device capable of displaying an image electrically and includes a display panel on which a transparent conductive film is coated on its outer surface. That is, the display device of the present invention is a transparent conductive coating substrate and includes a display panel having a transparent conductive film.
상기의 투명한 전도성 피막은 본 발명의 다양한 형태의 코팅액들중에서, 투명한 전도성 피막을 형성할 수 있는 상기 코팅액을 입힘으로써 만들어질 수 있다.The transparent conductive film can be made by coating the coating liquid, which can form a transparent conductive film, among the various types of coating liquids of the present invention.
이렇게 하여 얻은 표시 패널은, 투명도 전도성 피막을 가지고 있으며 전도성, 평탄성, 내구성, 피막과 기판간의 부착성 및 내오염성이 모두 우수하다. 투명한 전도성 피막을 가지고 있는 이 표시패널을 통해 출력된 영상의 분해능(resolving power)은 높은 수준으로 유지될 수 있다.The display panel thus obtained has a transparent conductive film and is excellent in conductivity, flatness, durability, adhesion between the film and the substrate, and stain resistance. The resolving power of an image output through this display panel having a transparent conductive film can be maintained at a high level.
부수적으로, 본 발명에서 사용되는 투명한 전도성 피막을 갖춘 모든 표시패널은 단위 면적당 103∼1010Ω/㎤사이의 표면 저항값을 가진다. 비형광 처리를 하지 않은 피막이 경우에는 1%이하의 둔탁도와 70bar/㎝이상의 분해능을 나타낸다.Incidentally, all display panels with a transparent conductive film used in the present invention have a surface resistance value between 103 and 1010 mW / cm 3 per unit area. In the case of the non-fluorescent coating, the film exhibits a dull turbidity of 1% or less and a resolution of 70 bar / cm or more.
여기에서, 분해능은 하기와 같은 방법으로 측정된다.Here, the resolution is measured by the following method.
제1도에서 보는 바와 같이, 바2의 1cm당 수(數)를 새겨 놓은 바 챠트(bar chart) 1을 피막이 형성되어 있지 않은 시험 표시 패널의 한쪽 면에 붙여 놓았으며, 상기한 패널은 제2도에 나타낸 시험장치 4에 상기한 바 차트를 붙여 놓은 면이 시험 장치 4의 내부에 위치하게끔 설치하였다. 내부 벽이 흰색으로 되어 있는 시험장치 4에는 형광등(20W)2개가 시험 표시 패널의 위치로부터 50cm 떨어진 거리에서 30cm의 간격을 유지하여 횡방향으로 배열되어 있다. 이러한 경우에, 사용되는 바 차트는 1cm당 작은 수를 갖는 바들에서 1cm당 더 큰수를 갖는 바들로 연속적으로 변화되며, 시각적 관찰에 의해 확인될 수 있는 바 차트내의 1cm당 바의 최고 수가 분해능으로 받아들여진다.As shown in FIG. 1, bar chart 1, which engraved the number of bars 2 per centimeter, was pasted on one side of the test display panel where the film was not formed. The surface on which the above bar chart was pasted on the test apparatus 4 shown in the figure was installed so as to be located inside the test apparatus 4. In the test apparatus 4 whose inner wall is white, two fluorescent lamps 20W are arranged in the transverse direction with a distance of 30 cm at a distance of 50 cm from the position of the test display panel. In this case, the bar chart used is continuously changed from bars with a small number per centimeter to bars with a larger number per centimeter, with the highest number of bars per centimeter in the bar chart that can be confirmed by visual observation being taken with resolution. Is brought in.
본 발명의 표시 장치에서, 표시 패널의 빛 반사율은 전도성 입자들과 함께 표시 패널의 외부 표면에서의 굴절율을 조절하고 보호성 막을 더 형성하기 위해 티탄 산화물과 지르코늄 산화물 입자와 같은 미립자 화합물을 함유하는 투명한 전도성 피막을 형성함으로써, 또 투명한 전도성 피막의 표면에서의 굴절율을 조절하기 위해 불화마그네슘(MgF2)과 불화칼슘(CaF2) 입자와 같은 미립자 화합물을 함유하는 보호성 막을 형성함으로써, 1% 이하로 감소 시킬수 있다. 즉, 표시 스크린(display screen)의 표면에서의 빛 반사율을 감소시켜서 표시 패널에서 나타나는 상을 더욱 쉽게 관찰할 수 있다.In the display device of the present invention, the light reflectance of the display panel, together with the conductive particles, is transparent to contain particulate compounds such as titanium oxide and zirconium oxide particles to control the refractive index at the outer surface of the display panel and further form a protective film. It can be reduced to less than 1% by forming a conductive film and by forming a protective film containing particulate compounds such as magnesium fluoride (MgF 2) and calcium fluoride (CaF 2) particles to control the refractive index on the surface of the transparent conductive film. have. That is, by reducing the light reflectance on the surface of the display screen, an image appearing on the display panel can be more easily observed.
따라서, 본 발명의 표시 장치에서는, 예를 들어 표시 패널의 전도성 피막위에 특별한 보호성 막을 형성함으로써, 표시 스크린 빛 반사율이 감소되는 등의 다양한 잇점을 얻을 수 있다.Therefore, in the display device of the present invention, for example, by forming a special protective film on the conductive film of the display panel, various advantages can be obtained such that the display screen light reflectance is reduced.
본 발명에 따르면, 단분산 상태로 미립자 무기 화합물을 함유하고 있는 피막은 미립자 무기 화합물과 기질로 이루어져 있는 코팅액을 유리, 플라스틱, 금속 및 세라믹 등의 기판위에 입힘으로써 제조할 수 있다. 더욱이, 코팅액 내에 함유된 미립자 무기 화합물의 종류와 사용된 기질에 대한 미립자 무기 화합물의 비율을 변화시킴으로써, 피막의 둔탁도가 감소되고 투명도, 내인찰성 및 피막의 기판에 대한 부착성이 증진될 뿐만 아니라, 피막은 전도성 및/또는 항반사성과 원하는 굴절율과 같은 다양한 기능을 가질 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 코팅액을 입힘으로써, 피막내에서 미립자 무기 화합물은 단분산 상태로 유지될 수 있으며, 균일한 두께의 평평한 피막을 얻을 수 있으며 또한 코팅액에 함유된 미립자 무기 화합물의 양이 감소되더라도, 종래의 코팅액으로 만들어진 피막의 기능에 필적하는 전도성과 항반사성 등의 기능을 갖는 피막을 만들 수 있다.According to the present invention, the film containing the particulate inorganic compound in a monodisperse state can be produced by coating a coating liquid composed of the particulate inorganic compound and the substrate on a substrate such as glass, plastic, metal, ceramic, or the like. Furthermore, by varying the type of particulate inorganic compound contained in the coating liquid and the ratio of the particulate inorganic compound to the substrate used, the film has a dull turbidity and enhanced transparency, abrasion resistance, and adhesion of the film to the substrate. The coating can have various functions such as conductivity and / or antireflection and the desired refractive index. In addition, by coating the coating liquid according to the present invention, the particulate inorganic compound in the coating can be maintained in a monodisperse state, a flat film having a uniform thickness can be obtained, and even if the amount of the particulate inorganic compound contained in the coating liquid is reduced. It is possible to produce a film having functions such as conductivity and antireflection that is comparable to that of a film made of a conventional coating liquid.
게다가, 상기와 같은 방법으로 기판위에 형성된 모든 피막은 입자 사이의 틈이나 작은 구멍이 거의 또는 완전히 없기 때문에, 극히 조밀하며 따라서, 내약품성(耐藥品性)과 내열성이 우수하며, 손등에 의한 얼룩에 대해서도 안전성이 우수하여 손등에 의한 얼룩의 양이 극히 적다.In addition, all the films formed on the substrate in the above-described manner are extremely dense because there are little or no gaps or small pores between the particles, and therefore are excellent in chemical resistance and heat resistance, and are prevented from staining by the back of the hand. Also excellent in safety, the amount of stains on the back of the hand is extremely small.
우수한 성질을 가진 피막을 형성할 수 있는 상기의 코팅액은, 본 발명에 의한 코팅액을 제조하는 과정에 의해 용이하고도 명백하게 제조되어질 수 있다.The above coating liquid capable of forming a film having excellent properties can be easily and clearly prepared by the process of preparing the coating liquid according to the present invention.
본 발명에 의한 피복 기판의 제조 과정에서, 가열하기 전에 미경화 상태에서 가시광선보다 파장이 짧은 전자기파를 피막에 조사하거나 특정 기체 상에 노출시키는 등의, 경화를 촉진하기 위한 처리 과정을 실시함으로써, 열적 경화 조건들을 완화시킬 수 있다.In the manufacturing process of the coated substrate according to the present invention, thermally by performing a treatment process for promoting hardening, such as irradiating the film with a wavelength shorter than visible light in the uncured state or exposing it onto a specific gas before heating. Curing conditions can be relaxed.
본 발명의 피복 기판은, 기판 위에 우수한 성질을 가진 상기한 피막을 형성함으로 인하여 음극선관이나 액정 표시 장치등의 표시 패널 및 카메라 렌즈 등으로 사용하기에 적합하다.The coated substrate of the present invention is suitable for use as a display panel such as a cathode ray tube, a liquid crystal display device, a camera lens, etc., by forming the above-described film having excellent properties on the substrate.
본 발명의 표시 장치는, 우수한 성능을 갖는 투명한 전도성 피막을 그 표면에 입혀져 있는 상기 표시 패널을 표시 장치를 설치함으로써, 나쁜 환경하에서도 오랜 기간동안 표시 스크린에서 대전 방지성 효과와 전자기 차단 효과를 유지할 수 있다. 따라서, 표시 스크린 위에 오물이나 먼지가 쌓이는 일이 적어지며 오랜 기간 동안 집적회로(IC)가 손상되거나 기능이 저하되는 일이 일어나지 않는다.The display device of the present invention maintains an antistatic effect and an electromagnetic shielding effect on a display screen for a long time even in a bad environment by providing the display device with the display panel coated with a transparent conductive film having excellent performance on its surface. Can be. Therefore, dirt and dust accumulate less on the display screen, and the integrated circuit IC is not damaged or its function is deteriorated for a long time.
덧붙여, 투명한 전도성 피막이 형성되어 있는 상기 표시 패널을 통해서 관찰되는 표시 영상의 분해능을 높은 수준으로 유지 할 수 있어서 본 발명의 표시장치는 깨끗한 영상을 보증할 수 있다.In addition, since the resolution of the display image observed through the display panel on which the transparent conductive film is formed can be maintained at a high level, the display device of the present invention can guarantee a clean image.
이하, 본 발명을 다음의 실시예를 참고로 하여 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명의 범위가 여기에 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the scope of the present invention is not limited thereto.
[실시예 1~8 및 비교예 1][Examples 1-8 and Comparative Example 1]
A. 기질 용액 M1~M5의 제조A. Preparation of Substrate Solutions M1 to M5
표 2에 나타낸 바와 같이, 다양한 평균분자량, 고체 함유량, 이온 농도를 갖는 기질 용액 M1~M5을 전구물질로서 에틸실리케이트 28(SiO2:28중량%), 에틸실리케이트 40(SiO2:40중량%), 디부톡시비스(아세틸아세토나토)지르코늄(Zr(AA)2(OBu)2:ZrO2:10중량%), 및 티타늄테트라이소프로폭시드(Ti(OC3H7)4: TiO2:10중량%)를 증류수, 에탄올 및 35% 염산으로 이루어진 혼합용매내에서 가수 분해시켰고 임의적으로 탈이온화처리를 행하였다.As shown in Table 2, the substrate solutions M1 to M5 having various average molecular weights, solid contents, and ion concentrations were used as precursors, ethyl silicate 28 (SiO 2 : 28 wt%), ethyl silicate 40 (SiO 2 : 40 wt%). , Dibutoxybis (acetylacetonato) zirconium (Zr (AA) 2 (OBu) 2 : ZrO 2 : 10% by weight), and titanium tetraisopropoxide (Ti (OC 3 H 7 ) 4 : TiO 2 : 10 % By weight) was hydrolyzed in a mixed solvent consisting of distilled water, ethanol and 35% hydrochloric acid and optionally deionized.
탈이온화처리는 각각의 기질 용액을 양쪽성 이온교환수지(미쯔비시 화학공업주식회사에서 제조한 Diaion SMNUPB)와 혼합하여 교반시킨 후, 기질 용액으로부터 이온교환수지를 제거함으로써 행하였다.The deionization treatment was performed by mixing and stirring each substrate solution with an amphoteric ion exchange resin (Diaion SMNUPB manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and then removing the ion exchange resin from the substrate solution.
* : (mmol/고체성분 100g)*: (mmol / solid content 100g)
B.무기화합물 교질 용액(sol)F1~F8의 제조B. Preparation of inorganic compound colloidal solution (sol) F1 ~ F8
(1)안티본이 도핑된 (소량 첨가된) 전도성 산화주석 교질 용액 F1의 제조(1) Preparation of an Antibon-doped (small amount) conductive tin oxide colloidal solution F1
주석산칼륨 333g과 타르타르산안티모닐칼륨(tartar emetic) 69.5g을 증류수 1019g에 녹여서 주석산칼륨과 타르타르산안티모닐칼륨의 수용액을 얻었다.333 g of potassium stannate and 69.5 g of tartar emetic potassium (tartar emetic) were dissolved in 1019 g of distilled water to obtain an aqueous solution of potassium stannate and potassium antimonyl tartarate.
증류수 1876g에 이 수용액 전체를 합하여 농축 질산 용액을 첨가하여 혼합물의 pH를 10으로 조정하면서 50℃에서 12시간동안 가열하였다. 이렇게 하여 안티본을 함유한 산화주석 수화물을 얻었다.The whole of this aqueous solution was combined with 1876 g of distilled water, and the concentrated nitric acid solution was added and heated at 50 ° C. for 12 hours while adjusting the pH of the mixture to 10. In this way, the tin oxide hydrate containing an antibone was obtained.
안티본을 함유한 산화주석 수화물을 한외 여과시켜 반응혼합물로부터 분리시켰다.The tin oxide hydrate containing the antibones was separated from the reaction mixture by ultrafiltration.
여과된 고형물을 증류수로 씻은 다음, 550℃의 대기중에서 가열하여 전도성 안티본이 도핑된 산화주석 분말을 얻었다.The filtered solid was washed with distilled water and then heated in an atmosphere of 550 ° C. to obtain a tin oxide powder doped with a conductive anti-bone.
전도성 안티본이 도핑된 산화주석 400g을 수산화칼륨 40g을 함유한 수용액 1600g을 가하였고, 샌드 밀로 5시간동안 30℃에서 분쇄시켜서, 전도성 안티본이 도핑된 산화주석 교질용액을 얻었다.400 g of the conductive anti-bone doped tin oxide was added 1600 g of an aqueous solution containing 40 g of potassium hydroxide, and ground in a sand mill at 30 ° C. for 5 hours to obtain a tin oxide colloidal solution doped with the conductive anti-bone.
얻은 용액은 전술한 기질 용액의 탈이온화 처리방법과 동일한 방법으로 탈이온화 처리하여 표 3에 제시되어 있는 평균 입자 크기, 고체 함유량, 이온 농도를 갖는 전도성 안티본이 도핑된 산화주석 교질 용액을 얻었다.The obtained solution was subjected to deionization in the same manner as the deionization treatment of the substrate solution described above to obtain a tin oxide colloidal solution doped with a conductive anti-bone having an average particle size, solid content, and ion concentration shown in Table 3.
(2)이산화규소 교질용액(F2)의 제조(2) Preparation of silicon dioxide colloidal solution (F2)
이산화 규소 교질용액(Catalysts Chemicals 공업주식회사에서 제조된 SI-200P)을 오토클레이브(auto clave)안에서 200℃에서, 3시간 가열하였고, 양쪽성 이온교환수지로 처리하였다. 표 3에 지시되어 있는 평균 입자 크기, 고체 함유량, 이온 농도를 갖는 이산화 규소 교질용액 얻었다.Silicon dioxide colloidal solution (SI-200P manufactured by Catalyss Chemicals Industrial Co., Ltd.) was heated in an autoclave at 200 ° C. for 3 hours and treated with an amphoteric ion exchange resin. Silicon dioxide colloidal solution having an average particle size, solid content, and ion concentration indicated in Table 3 was obtained.
(3)산화티탄 교질용액의 제조(F3)(3) Preparation of titanium oxide colloidal solution (F3)
산화티탄 교질용액(Catalysts Chemicals 공업주식회사에서 제조된 PW-1010)을 상기한 양쪽성 이온교환수지로 처리하였다. 표 3에 지시되어 있는 평균 입자 크기, 고체 함유량, 이온 농도를 가지는 산화티탄 교질용액을 얻었다.Titanium oxide colloidal solution (PW-1010 manufactured by Catalysts Chemicals, Inc.) was treated with the amphoteric ion exchange resin described above. A titanium oxide colloidal solution having an average particle size, solid content, and ion concentration as indicated in Table 3 was obtained.
(4)불화마그네슘 교질 용액의 제조(F4)(4) Preparation of magnesium fluoride colloidal solution (F4)
염화마그네슘 6수화물 508.3g을 증류수 12500g에 용해시켜서 얻은 수용액과 불화칼륨 2수화물 470.7g을 증류수 12500g에 용해시켜 얻은 수용액을 동시에 증류수 25000g에 6시간에 걸쳐서 가하였다. 이렇게 하여 불화마그네슘 교질용액을 얻었다. 이 불화마그네슘 교질용액은 2시간동안 90℃에서 시효처리하였고 상기한 양쪽성 이온교환수지로 처리하였다. 이렇게 하여 표 3에 제시된 평균 입자 크기, 고체함유량, 이온 농도를 갖는 불화마그네슘 교질용액을 얻었다.An aqueous solution obtained by dissolving 508.3 g of magnesium chloride hexahydrate in 12500 g of distilled water and an aqueous solution obtained by dissolving 470.7 g of potassium fluoride dihydrate in 12500 g of distilled water were simultaneously added to 25000 g of distilled water over 6 hours. Thus, magnesium fluoride colloidal solution was obtained. This magnesium fluoride colloidal solution was aged at 90 ° C. for 2 hours and treated with the amphoteric ion exchange resin described above. This gave a magnesium fluoride colloidal solution having the average particle size, solids content, and ion concentration shown in Table 3.
(5)이산화규소 교질용액의 제조(F5)(5) Preparation of silicon dioxide colloidal solution (F5)
이산화규소 교질용액(Catalysts Chemicals 공업주식회사에서 제조된 SI-45P)을 양쪽성 이온교환수지로 처리하였다. 이렇게 하여 표 3에 지시되어 있는 평균 입자 크기, 고체 함유량, 이온 농도를 갖는 이산화규소 교질용액(F5)을 얻었다.Silicon dioxide colloidal solution (SI-45P manufactured by Catalyss Chemicals Industrial Co., Ltd.) was treated with an amphoteric ion exchange resin. Thus, silicon dioxide colloidal solution (F5) having an average particle size, solid content, and ion concentration indicated in Table 3 was obtained.
(6)이산화규소-산화알루미늄 교질용액의 제조(F6)(6) Preparation of silicon dioxide-aluminum oxide colloidal solution (F6)
평균 입자 크기가 5nm인 이산화규소를 20중량% 함유하고 있는 이산화규소 교질 용액 20g과 증류수 380g의 혼합물(pH 10.5)을 80℃로 가열하였다. 이어서 이산화규소를 1.5중량% 함유하고 있는 수용성 규산나트륨 1800g과 산화알루미늄을 0.5중량% 함유하고 있는 수용성 알루미늄산나트륨 1800g을 동시에 혼합물에 가하였다. 상기한 수용액을 가하는 동안 반응혼합물의 온도는 80℃로 유지시켰다. 혼합이 끝난 후에, 반응 혼합물을 실온으로 냉각시켰으며 평균 입자 크기가 20nm이며, 이산화규소/산화알루미늄의 몰비가 5.1인 이산화규소-산화 알루미늄 산화물의 교질용액을 얻었다. 이 교질용액을 양이온 교환 수지로 처리하였고, 교질 용액의 pH는 8로 조정하였다. 0.1% 수용성 아세트산 용액 10ℓ를 상기한 용액 2kg에 점진적으로 가해서 이산화규소-산화알루미늄 산화물 입자로부터 부분적으로 알루미늄을 걸러내었다. 이렇게 하여 얻은 교질용액에 증류수를 첨가하였고, 교질 용액에 녹아 있는 알루미늄은 한외 여과시켜 분리하였다. 이렇게 하여 SiO/AlO몰비가 50인 이산화규소-산화알루미늄 산화물의 교질용액을 얻었다. 이 교질 용액은 오토클레이브에서 200℃, 3시간동안 가열하였고 상기한 기질 용액의 탈이온화처리와 같은 방법으로 탈이온화 시켰다. 이렇게 하여 얻은 표 3에 제시된 평균 입자 크기, 고체 함류량, 이온 농도를 갖는 이산화 규소-산화알루미늄 산화물의 교질 용액(F6)을 얻었다.A mixture (pH 10.5) of 20 g of silicon dioxide colloidal solution containing 20 wt% of silicon dioxide having an average particle size of 5 nm and 380 g of distilled water was heated to 80 ° C. Subsequently, 1800 g of water-soluble sodium silicate containing 1.5% by weight of silicon dioxide and 1800 g of water-soluble sodium aluminate containing 0.5% by weight of aluminum oxide were simultaneously added to the mixture. The temperature of the reaction mixture was maintained at 80 ° C. while adding the above aqueous solution. After mixing was completed, the reaction mixture was cooled to room temperature, and a colloidal solution of silicon dioxide-aluminum oxide having an average particle size of 20 nm and a mole ratio of silicon dioxide / aluminum oxide of 5.1 was obtained. This colloidal solution was treated with cation exchange resin, and the pH of the colloidal solution was adjusted to 8. Ten liters of a 0.1% aqueous acetic acid solution was gradually added to 2 kg of the above solution to partially filter out aluminum from the silicon dioxide-aluminum oxide particles. Distilled water was added to the colloidal solution thus obtained, and aluminum dissolved in the colloidal solution was separated by ultrafiltration. Thus, a colloidal solution of silicon dioxide-aluminum oxide having a SiO / AlO molar ratio of 50 was obtained. This colloidal solution was heated in an autoclave at 200 ° C. for 3 hours and deionized in the same manner as the deionization treatment of the substrate solution described above. The colloidal solution (F6) of silicon dioxide-aluminum oxide having the average particle size, solid content, and ion concentration shown in Table 3 thus obtained was obtained.
(7)이산화규소-산화알루미늄 교질용액(F7)의 제조(7) Preparation of silicon dioxide-aluminum oxide colloidal solution (F7)
이산화규소를 1.5중량% 함유하고 있는 수용성 규산 나트륨 1800g과 산화알루미늄을 1.4중량% 함유하고 있는 수용성 알루미늄산나트륨 1800g을 동시에 80℃로 가열된 0.1% 수산화나트륨 수용액 400g에 가하였다. 상기한 수용액을 가하는 동안 반응혼합물의 온도는 80℃로 유지시켰다. 혼합이 끝난 후에, 반응 혼합물을 실온으로 냉각시켰으며 평균 입자 크기가 80nm이며, 이산화규소/산화알루미늄의 몰비가 0.6인 이산화규소-산화 알루미늄 산화물의 교질용액을 얻었다. 이 교질용액을 양이온 교환 수지로 처리하였고, 교질 용액의 pH는 10.5로 조정하였다. 이산화규소를 2중량% 함유하고 있는 규산용액 300g을 6시간동안 상기한 교질 용액 1.5kg에 첨가하였으며, 교질 용액의 온도가 80℃로 유지되는 동안 교질 용액내의 이산화규소-산화알루미늄 산화물 입자의 표면 처리에 영향을 미친다. 이어서 0.01N의 수용성 염산 용액 30를 상기한 용액에 점진적으로 가해서 이산화규소-산화알루미늄 산화물 입자로부터 부분적으로 알루미늄을 걸러내었다. 이렇게 하여 얻은 교질 용액에 증류수를 첨가하였고, 교질 용액에 녹아 있는 알루미늄은 한외 여과시켜 분리하였다. 이렇게 하여 SiO2/Al2O3몰비가 30인 이산화규소-산화알루미늄 산화물의 교질용액을 얻었다. 이 교질 용액은 오토클레이브에서 200℃, 3시간동안 가열하였고 상기한 기질 용액의 탈이온화처리와 같은 방법으로 탈이온화 시켰다. 이렇게 하여 얻은 표 3에 제시된 평균 입자 크기, 고체 함유량, 이온 농도를 갖는 이산화규소-산화알루미늄 산화물 교질 용액(F7)을 얻었다.1800 g of water-soluble sodium silicate containing 1.5% by weight of silicon dioxide and 1800 g of water-soluble sodium aluminate containing 1.4% by weight of aluminum oxide were simultaneously added to 400 g of 0.1% sodium hydroxide aqueous solution heated to 80 ° C. The temperature of the reaction mixture was maintained at 80 ° C. while adding the above aqueous solution. After mixing was completed, the reaction mixture was cooled to room temperature, and a colloidal solution of silicon dioxide-aluminum oxide having an average particle size of 80 nm and a mole ratio of silicon dioxide / aluminum oxide of 0.6 was obtained. This colloidal solution was treated with cation exchange resin and the pH of the colloidal solution was adjusted to 10.5. 300 g of the silicic acid solution containing 2% by weight of silicon dioxide was added to 1.5 kg of the colloidal solution described above for 6 hours, and the surface treatment of the silicon dioxide-aluminum oxide oxide particles in the colloidal solution while maintaining the temperature of the colloidal solution at 80 ° C. Affects. Followed by 30 N aqueous hydrochloric acid solution 30 Was gradually added to the above solution to partially filter aluminum from the silicon dioxide-aluminum oxide particles. Distilled water was added to the colloidal solution thus obtained, and aluminum dissolved in the colloidal solution was separated by ultrafiltration. In this way, a colloidal solution of silicon dioxide-aluminum oxide having a SiO 2 / Al 2 O 3 molar ratio of 30 was obtained. This colloidal solution was heated in an autoclave at 200 ° C. for 3 hours and deionized in the same manner as the deionization treatment of the substrate solution described above. Thus obtained silicon dioxide-aluminum oxide oxide colloidal solution (F7) having the average particle size, solid content, and ion concentration shown in Table 3 was obtained.
(8)안료가 분산된 교질 용액(F8)의 제조(8) Preparation of colloidal solution (F8) in which pigment was dispersed
증류수 300g에 티타늄블랙(이시하라 상교 가부시끼가이샤의 제품) 100g과 이산화규소 교질 용액(Catalysts Chemical 공업주식회에서 제조한 SI-30) 30g을 분산시켜서 얻은 분산액을 3시간동안 샌드 밀에서 분쇄시켰다. 이렇게 하여 얻은 분산액을 증류수로 고체 함유량이 5중량%로가 희석시킨 후, 양쪽성 이온교환수지로 처리하였고, 한외 여과막으로 걸러 정제하였다. 이렇게 하여 얻은 표 3에 제시되어 있는 평균 입자 크기, 고체 함유량, 이온 농도를 갖는 안료 분산 교질 용액을 얻었다.The dispersion obtained by dispersing 100 g of titanium black (manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.) and 30 g of silicon dioxide colloidal solution (SI-30 manufactured by Catalyss Chemical Co., Ltd.) in 300 g of distilled water was ground in a sand mill for 3 hours. The dispersion thus obtained was diluted with distilled water to 5% by weight of solids, treated with an amphoteric ion exchange resin, and filtered through an ultrafiltration membrane. Thus obtained pigment dispersed colloidal solution having the average particle size, solid content, and ion concentration shown in Table 3 was obtained.
C. 피막 형성용 코팅액의 제조C. Preparation of Coating Liquid
상기한 기질용액 M1~M5와 무기 화합물 교질 용액 F1~F8을 다양한 비율로 함께 혼합하였고, 다양한 희석제로 희석하여 다양한 고체 함유량을 갖는 피막 형성용 코팅액을 제조하였다. F/M비와 이온농도는 표4에 제시된 바와 같다.The substrate solutions M1 to M5 and the inorganic compound colloidal solutions F1 to F8 were mixed together at various ratios, and diluted with various diluents to prepare a coating solution for forming a film having various solid contents. F / M ratios and ion concentrations are shown in Table 4.
[실시예 9~16 및 비교예 2][Examples 9-16 and Comparative Example 2]
Ⅰ. 피복 기판의 제조I. Fabrication of Cover Substrate
표 5에 제시된 것처럼, 피복 기판은 실시예 1~8 및 비교예 1에서 제조한 코팅액을 사용하여 기판으로 사용된 유리판의 표면에 단일 또는 이중의 투명한 피막을 형성함으로써 제조하였다.As shown in Table 5, the coated substrate was prepared by forming a single or double transparent coating on the surface of the glass plate used as the substrate using the coating liquids prepared in Examples 1-8 and Comparative Example 1.
코팅층의 형성은 다음과 같이 실행하였다.Formation of the coating layer was carried out as follows.
(1) 코팅방법: 스피너(spinner)(1) Coating Method: Spinner
실시예 18의 두 번째 층 형성시의 스피너의 회전주파수는 100rpm이었다.The spinner's rotational frequency when forming the second layer of Example 18 was 100 rpm.
첫번째층(기판 위에): 100rpm, 60sec1st layer (on substrate): 100 rpm, 60 sec
두번째층(상부층): 200rpm, 60secSecond layer (upper layer): 200rpm, 60sec
(2) 코팅온도: 실온(2) Coating temperature: room temperature
(3) 가열조건: 160℃, 30분(3) Heating condition: 160 ℃, 30 minutes
Ⅱ. 피복 기판의 평가II. Evaluation of Cover Substrate
상기에서 제조한 피복처리된 기판 각각에 대하여 다음의 평가를 실시하였다.The following evaluation was performed about each of the coated substrates produced above.
(a)막두께의 불균일 정도, 점결함(a) Nonuniformity of film thickness, point defect
피복처리된 기판 각각에 대하여, 막두께의 불균일 정도와 점결합을 시각적 조사를 위한 조명기를 사용하여 표면을 바꾸는 동안 시각적으로 검사하였다.For each of the coated substrates, the degree of non-uniformity of the film thickness and the point bonding were visually inspected during the surface change using an illuminator for visual inspection.
(b) 곤탁도(haze)(b) haze
피복 처리된 기판 각각의 피막의 표면의 곤탁도는 하제 컴퓨터(haze computer: 슈가 시겐끼사 제품)를 사용하여 측정하였다.The turbidity of the surface of each film of the coated substrate was measured using a haze computer (manufactured by Sugar Shigenki Co., Ltd.).
(c) 반사도(c) reflectivity
피복처리된 기판 각각의 피막 표면에 550nm 파장의 빛을 5°기울렸을때의 반사도는 가시광선 영역 또는 자외선용 분광기를 사용하여 측정하였다.The reflectance at the time of tilting 5 degrees of light of 550 nm wavelength on the film surface of each coated substrate was measured using the visible region or the ultraviolet spectrometer.
(d)면저항(d) sheet resistance
피복처리된 기판 각각의 피막의 면저항은 면저항계를 이용하여 측정하였다.The sheet resistance of each film of the coated substrate was measured using a sheet resistance meter.
(e)막강도(e) film strength
사무실용 지우게를 피복처리된 기판 각각의 피막의 표면에 놓고, 11g의 하중에서 200회 마찰시켰다. 이어서 코팅이 벗겨졌는지 안벗겨졌는지 시각적으로 검사하였다.An office eraser was placed on the surface of each coating of the coated substrate and rubbed 200 times at a load of 11 g. The coating was then visually inspected for peeling or not peeling off.
(f) 끓음 저항(f) boiling resistance
피복처리된 기판 각각을 끓는 물에 30분 담근 후에 코팅이 벗겨졌는지 안벗겨졌는지를 시각적으로 검사하였다.Each coated substrate was immersed in boiling water for 30 minutes and then visually inspected to see if the coating was peeled off or not.
실시예 17 및 18Examples 17 and 18
기판으로 14인치의 음극선관용 판을 사용한다는 점과 피막 형성시 조건을 다음과 같이 하였다는 것을 제외하고는 실시예 9와 같은 방법으로 제조하였다.A substrate was prepared in the same manner as in Example 9 except that a 14-inch cathode ray tube plate was used as a substrate and the conditions for forming the film were as follows.
(1) 코팅방법: 스피너(spinner) 200rpm, 60sec(1) Coating Method: Spinner 200rpm, 60sec
(2) 코팅온도: 실온(2) Coating temperature: room temperature
(3) 가열조건: 160℃, 30분(3) Heating condition: 160 ℃, 30 minutes
결과는 표 5와 같다.The results are shown in Table 5.
* 보호 피막을 형성하기 위한 코팅액으로, 에탄올 900g에 기질 M1 용액 100g이 희석되어 있다.* A coating solution for forming a protective film, in which 100 g of the substrate M1 solution is diluted in 900 g of ethanol.
[실시예 19~26 및 비교예 3,4]Examples 19 to 26 and Comparative Examples 3 and 4
D. M∼M기질용액의 제조D. Preparation of M-M Substrate Solution
에틸실리케이트 28(SiO28중량%) 또는 에틸실리케이트 40(SiO40중량%)을 유기용매, 증류수 및 산의 혼합용매에 첨가하여 표 6에 제시되어 있는 조건에서 가수분해시켰다. 이렇게 하여 기질 용액 M6~M12를 얻었다. 기질 용액 M1~M5를 준비할때와 동일한 방법으로 탈이온화 처리하였다.Ethyl silicate 28 (28 wt% SiO) or ethyl silicate 40 (40 wt% SiO) was added to the mixed solvent of organic solvent, distilled water and acid and hydrolyzed under the conditions shown in Table 6. In this way, substrate solutions M6 to M12 were obtained. Deionization treatment was performed in the same manner as in preparing the substrate solutions M1 to M5.
E. 전도성 안티몬이 도핑된 산화주석 교질용액 F9~F13의 제조E. Preparation of Tin Oxide Colloidal Solutions F9 to F13 Doped with Conductive Antimony
(1) 전도성 안티몬이 도핑된 산화주석 교질용액 F9는 상기한 전도성 안티몬이 도핑된 산화주석 교질용액 F1과 동일하고, 전술한 방법과 동일한 방법으로 제조하였으며, 표7에 제시되어 있는 평균 입자 크기와 입자 크기 분포를 가지고 있다.(1) Tin oxide colloidal solution F9 doped with conductive antimony was prepared in the same manner as described above with the tin oxide colloidal solution F1 doped with conductive antimony, and was prepared in the same manner as described above. Has a particle size distribution.
(2) 전도성 안티몬이 도핑된 산화주석 교질 용액 F10은 산화주석 수화물을 제조할 때 pH가 8.5로 조정되었다는 점을 제외하고는 위의 (1)항과 동일한 방법으로 제조하였다.(2) Tin oxide colloidal solution F10 doped with conductive antimony was prepared in the same manner as in (1) above except that the pH was adjusted to 8.5 when tin oxide hydrate was prepared.
(3) 전도성 안티몬이 도핑된 산화주석 F11은 (2)항과 동일한 방법으로 제조하였으며, 얻은 산화주석 수화물의 분산액을 한외 여과시킨 후, 세척하고, 5중량%의 과산화수소수(HO) 수용액 300g을 첨가하여, 100℃에서 30분간 가열시킨 후 오토클레이브로의 옮겨서 2시간동안 300℃로 가열하여 제조하였다.(3) Tin oxide F11 doped with conductive antimony was prepared in the same manner as in (2), and the obtained dispersion of tin oxide hydrate was filtered through ultrafiltration and washed, and 300 g of 5% aqueous hydrogen peroxide (HO) solution was added. The mixture was added and heated at 100 ° C. for 30 minutes and then transferred to an autoclave and heated to 300 ° C. for 2 hours.
(4) 전도성 안티몬이 도핑된 산화주석 교질 용액 F12는 3시간동안의 샌드 밀에서 분쇄시키고 원심 분리기(5000rpm, 1시간)에서 분리를 실시하였다는 점을 제외하고는 상기 (1)항과 동일한 방법으로 제조하였다.(4) The same method as in (1) above, except that the tin oxide colloidal solution F12 doped with conductive antimony was ground in a sand mill for 3 hours and separated in a centrifuge (5000 rpm, 1 hour). It was prepared by.
(5) 전도성 안티몬이 도핑된 산화주석 교질 용액 F13은 수산화칼륨 10g을 함유한 샌드밀안의 밀링내의 수산화칼륨 수용액을 제외하고는 상기 (1)항과 동일한 방법으로 제조하였다.(5) A tin oxide colloidal solution F13 doped with conductive antimony was prepared in the same manner as in (1) above except that an aqueous potassium hydroxide solution in milling in a sand mill containing 10 g of potassium hydroxide was used.
F. 투명한 전도성 피막 형성용 코팅액의 제조F. Preparation of Coating Liquid for Forming Transparent Conductive Film
상기한 기질 용액 M6~M12: 상기한 전도성 안티본이 도핑된 산화주석 교질용액 F9~F13: 및 유기용매 및/또는 증류수의 혼합용매(희석액)을 함께 혼합하고 이어서 pH를 조절하기 위해 산을 첨가하여 표8에 제시되어 있는 투명한 전도성 피막을 형성하기 위한 코팅액을 얻었다.The substrate solution M6 to M12: the tin oxide colloidal solution F9 to F13 doped with the above-described conductive anti-bone: and the mixed solvent (diluent) of the organic solvent and / or distilled water were mixed together, and then acid was added to adjust the pH. The coating liquid for forming the transparent conductive film shown in Table 8 was obtained.
* : (로다민 6G(Rhodamine 6G) : 006중량%)*: (Rhodamine 6G: 006% by weight)
** : 디부톡시비스(아세틸아세토나토)지르코늄(10g)**: Dibutoxybis (acetylacetonato) zirconium (10g)
[실시예 27~34와 비교예 6~8][Examples 27-34 and Comparative Examples 6-8]
투명 전도성 피막이 입혀져 있는 표시패널(Display Panel)의 제조Manufacturing of Display Panels with Transparent Conductive Coatings
표 8에 제시되어 있는 것과 같은 실시예 19~26, 비교예 3~5에 의해 얻은 코팅액 각각을 임의적으로 정해져 있는 온도에서 예열하거나 또는 하지 않았으며, 표 9에 제시된 조건하에서, 투명한 전도성 피막이 입혀져 있는 표시 패널을 얻음으로써, 음극선관용 표시소자(14인치)에 응용할수 있다.Each of the coating liquids obtained in Examples 19 to 26 and Comparative Examples 3 to 5 as shown in Table 8 was not preheated at a predetermined temperature or not, and under the conditions shown in Table 9, a transparent conductive film was coated. By obtaining a display panel, it can apply to the display element (14 inches) for cathode ray tubes.
코팅조건과 신속한 가공을 위한 처리조건은 다음과 같다.Coating conditions and processing conditions for rapid processing are as follows.
분사: 스프레인 시스템(주) (Spraying System Co)사의 분사기Injection: Injector of Spraying System Co.
1A 노즐, 1.5㎏/㎠의 공기압력, 20ml/min의 공급속도, 1분간 공급1A nozzle, air pressure of 1.5㎏ / ㎠, feed rate of 20ml / min, feed for 1 minute
스핀너: 100rpm, 30secSpinner: 100rpm, 30sec
자외선 조사: 수은등, 500mW/㎠ 6000mjUV irradiation: mercury lamp, 500mW / ㎠ 6000mj
암모니아 처리: 1000ppm NH종기 분위기에서 5분간Ammonia treatment: 5 minutes at 1000 ppm NH boil atmosphere
투명 전도성 피복처리된 표시 패널에 대한 평가Evaluation of Transparent Conductive Coated Display Panel
제조한 투명 전도성 피막이 입혀져 표시패널 각각은 다음의 평가 방법에 의해 평가하였다. 결과는 표 10과 같다.The prepared transparent conductive film was coated, and each of the display panels was evaluated by the following evaluation method. The results are shown in Table 10.
* : 건조시킨 후 및 보호성 용액을 입힌 후 자외선 처리*: UV treatment after drying and after applying protective solution
** : 건조시킨 후 암모니아 기체로 분리**: dried and separated by ammonia gas
곤탁도(Haze) ; 실시예 9~18에서와 같은 방법으로 행하였다.Haze; It carried out in the same manner as in Examples 9-18.
광택도(Glossiness) ; JIS K7105-81에 의하여 실시하였다. (측정각: 6°)Glossiness; It carried out by JISK7105-81. (Measurement angle: 6 °)
면저항 ; 실시예 9~18에서와 같은 방법으로 행하였다.Sheet resistance; It carried out in the same manner as in Examples 9-18.
막강도 ; 사부실용 지우개를 막위에 대고 1kg의 하문으로 200회 왕복 마찰시킨다. 마찰전후의 광택도 차이(G)와 마찰전후의 면 저항비를 결정한다.Membrane strength; Put the four-thread eraser on the membrane and reciprocate 200 times with 1kg of Xiamen. Glossiness difference before and after friction G) and the surface resistance ratio before and after friction are determined.
끓음저항 ; 끓는 물에 30,60분간 담근 후와 담그기 전의 코팅된 패널의 광택도와 면저항을 비교한다.Boiling resistance; Compare the glossiness and sheet resistance of the coated panels after soaking in boiling water for 30 to 60 minutes and before soaking.
내오염성(Stain resistance) ; 연필강도 6B~9H의 연필로 1kg의 하쪽으로 선을 긋는다. 에탄올에 적셔진 게이지로 연필 자국을 가볍게 닦는다. 10번 닦은 후에, 여전히 보이는 자국의 연필강도를 오염저항의 척도로 삼는다.Stain resistance; Draw a line down 1kg with a pencil with a pencil strength of 6B-9H. Gently wipe the pencil marks with a gauge immersed in ethanol. After 10 wipes, use the pencil strength of the visible marks as a measure of contamination resistance.
분해능(해상력) : 전술한 방법에 의해 평가한다.Resolution (resolution): It evaluates by the method mentioned above.
표 10에 분명히 나타난 것처럼, 본 발명에 의한 코팅용액으로부터 형성된 투명전도성 코팅막은, 막강도, 면저항실험을 거친 후에도 광택도와 면저항에 있어서 변화가 거의 나타나지 않았다. 게다가, 그것들은 오염저항에 있어서도 또한 뛰어났다. 한편, 작은 평균 분자량을 갖는 표시 패널은 단위면적당 5X1111Ω 정도의 면저항을 보였다.As is apparent from Table 10, the transparent conductive coating film formed from the coating solution according to the present invention showed little change in glossiness and sheet resistance even after the film strength and sheet resistance test. In addition, they were also excellent in pollution resistance. On the other hand, the display panel having a small average molecular weight showed a sheet resistance of about 5X1111kPa per unit area.
전도성 입자의 가치없는 부분에 절연층을 형성하는 이유는, 전도성 입자의 표면에서 기질의 낮은 분자량을 갖는 성분이 결합하는 현상 때문이다. 그러나, 본 발명에서는 그러한 현상이 일어나지 않아서, 매우 안정한 면저항을 보이는 피막을 얻을 수 있었다.The reason why the insulating layer is formed on the non-valued portion of the conductive particles is due to the phenomenon that the components having the low molecular weight of the substrate bind on the surface of the conductive particles. However, in the present invention, such a phenomenon did not occur, and a film showing a very stable sheet resistance could be obtained.
Claims (11)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940006931A KR0124138B1 (en) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | Coating solution for formation of coating and use thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940006931A KR0124138B1 (en) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | Coating solution for formation of coating and use thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950029321A KR950029321A (en) | 1995-11-22 |
KR0124138B1 true KR0124138B1 (en) | 1997-11-20 |
Family
ID=19380333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940006931A KR0124138B1 (en) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | Coating solution for formation of coating and use thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR0124138B1 (en) |
-
1994
- 1994-04-01 KR KR1019940006931A patent/KR0124138B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR950029321A (en) | 1995-11-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR960002743B1 (en) | Coating solution for forming transparent conductive coating and the process for preparing the same | |
EP1887059B1 (en) | DISPERSION CONTAINING HOLLOW SiO2, COATING COMPOSITION, AND SUBSTRATE WITH ANTIREFLECTION COATING FILM | |
US6296943B1 (en) | Method for producing composite sol, coating composition, and optical element | |
JP5558414B2 (en) | Method for manufacturing antireflection laminate | |
JP5064649B2 (en) | Anti-reflection laminate | |
JP4330661B2 (en) | Tantalum oxide-based inorganic polymer material having high refractive index and mechanical wear resistance, process for producing the same, and optical material containing the polymer | |
JP4224646B2 (en) | Method for producing multilayer optical material using cross-linking / densification by exposure to ultraviolet light and optical material produced by said method | |
EP1886972A1 (en) | PROCESS FOR PRODUCING DISPERSION OF HOLLOW FINE SiO2 PARTICLES, COATING COMPOSITION, AND SUBSTRATE WITH ANTIREFLECTION COATING FILM | |
JPH0625603A (en) | Coating composition | |
WO1990002157A1 (en) | Coating fluid for forming transparent conductive ceramic coating, base material coated with transparent conductive ceramic and production thereof, and application of base material coated with transparent conductive ceramic | |
EP2138462A1 (en) | Sol of surface-coated titanium oxide, process for producing the same, and coating composition containing the same | |
KR20070120580A (en) | Optical Coatings | |
EP0119331B1 (en) | Transparent material having antireflective coating | |
GB2288184A (en) | Coating composition | |
KR102237333B1 (en) | Liquid composition for forming low-refractive film | |
WO2004050560A1 (en) | Modified stannic oxide sol, stannic oxide-zirconium oxide composite sol, coating composition and optical member | |
JP2967944B2 (en) | Coating solution for forming transparent film, substrate with film and liquid crystal display cell | |
KR0124138B1 (en) | Coating solution for formation of coating and use thereof | |
JP3514065B2 (en) | Laminate and manufacturing method thereof | |
JPH06212125A (en) | Coating fluid, its production, and coated base material | |
JPH05107403A (en) | High refractivity conductive film or low reflective anti-static film and manufacture thereof | |
US5578377A (en) | Colored thin film-forming coating solution and colored thin film obtained by such coating solution | |
JPH1149532A (en) | Low reflection glass article and its production | |
JP3391972B2 (en) | Film forming method | |
JPH07326308A (en) | Coating liquid for forming colored thin film and colored thin film obtained by the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19940401 |
|
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 19940401 Comment text: Request for Examination of Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 19970430 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 19970821 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 19970924 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 19970924 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20000915 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20010920 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20020904 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20030916 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20040910 Year of fee payment: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20040910 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20060810 |