KR0115558Y1 - Transformer protection apparatus - Google Patents
Transformer protection apparatusInfo
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Abstract
트랜스의 측면에 다이오드 몸체를 본딩처리하여 트랜스의 발열을 해결하는 트랜스 발열 보호 장치가 개시되는바, 이는 트랜스의 소정 측면에 다이오드 몸체를 본딩처리하고 트랜스가 소정 온도 이상으로 상승되면 발생하는 다이오드의 온도 드리프트 현상을 이용하여 인버터의 동작을 중지시킴으로써, 소프트적으로 트랜스의 발열을 정확하게 감지하여 트랜스가 포화되는 것을 방지하면서 가격을 다운시키고 신뢰성을 높일 수 있다.Trans heating protection device for solving the heat generation of the transformer by bonding the diode body on the side of the transformer is disclosed, which is the temperature of the diode generated when the diode body is bonded to the predetermined side of the transformer and the transformer rises above a predetermined temperature By stopping the operation of the inverter by using the drift phenomenon, it is possible to softly detect the heat generated by the transformer and prevent the transformer from saturation, thereby reducing the price and increasing the reliability.
Description
제 1 도는 종래의 트랜스 발열 보호 장치를 나타낸 사시도.1 is a perspective view showing a conventional transformer heat protection device.
제 2 도는 이 고안에 따른 트랜스 발열 보호 장치를 나타낸 사시도.2 is a perspective view showing a trans heat protection device according to the present invention.
제 3 도는 상기 제 2 도의 다이오드를 이용하여 트랜스의 발열을 감지하는 회로의 일실시예도이다.3 is a diagram illustrating an example of a circuit for detecting heat generation of a transformer using the diode of FIG. 2.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
T1 : 트랜스 D1 : 다이오드T1: transformer D1: diode
Q1 : 트랜지스터 COMP1 : 비교기Q1: Transistor COMP1: Comparator
R1~R3 : 저항 ZD1 : 제너 다이오드R1 ~ R3: Resistor ZD1: Zener Diode
D1 : 다이오드D1: diode
이 고안은 인버터에 사용되는 트랜스의 발열 보호 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 트랜스의 측면에 다이오드 몸체(Body)를 본딩처리함으로써, 정확하게 트랜스의 발열을 감지하여 인버터의 동작을 제어하는 트랜스 발열 보호 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a heat generating protection device of a transformer used in an inverter, and more particularly, by bonding a diode body on the side of a transformer, a transformer heat protection that accurately detects heat generation of a transformer and controls the operation of the inverter. Relates to a device.
일반적으로 인버터는 액정 디스플레이 소자(Liquid Crystal Display ; 이하, LCD라 칭함.)를 구동하기 위한 회로인데, 내부온도 상승 및 장시간 사용으로 트랜스의 온도가 상승되면 LCD의 밝기가 어두워진다.In general, the inverter is a circuit for driving a liquid crystal display (hereinafter, referred to as LCD), and the brightness of the LCD becomes dark when the temperature of the transformer rises due to an increase in the internal temperature and a long time use.
따라서, LCD의 밝기가 어두워지는 것을 방지하기 위하여 트랜스의 발열을 처리해야 한다.Therefore, in order to prevent the brightness of the LCD from darkening, the heat of the transformer must be treated.
제 1 도는 이러한 종래의 트랜스 발열 보호 장치를 나타낸 사시도이다.1 is a perspective view showing such a conventional transformer heat protection device.
제 1 도를 보면, 트랜스(T1)의 온도 상승을 억제하기 위하여 트랜스(T1)에 방열판(100)을 부착하여 트랜스(T1)의 발열을 해결하였다.Referring to FIG. 1, in order to suppress the temperature rise of the transformer T1, the heat sink 100 is attached to the transformer T1 to solve the heat generation of the transformer T1.
여기서, 상기 방열판(100)은 알루미늄 또는 동판 히트 싱크(Heat Sink ; H/S)로 이루어진다.Here, the heat sink 100 is made of aluminum or copper heat sink (H / S).
이때, 방열판(100)과 프린트 회로 기판(Print Circuit Board ; 이하, PCB라 칭함.)간에는 납땜(Soldering) 핀(101)을 이용하여 상호 결합시킨다.In this case, the heat sink 100 and the printed circuit board (hereinafter referred to as PCB) are bonded to each other by using a soldering pin 101.
그러나, 상기된 제 1 도는 방열판(100) 이외에도 트랜스(T1)로부터의 열을 효율적으로 방열판(100)에 전달하고 절연하기 위하여 절연막이 필요해 코스트가 상승하는 문제점이 있었다.However, FIG. 1 has a problem in that cost is increased because an insulating film is required to efficiently transfer and insulate the heat from the transformer T1 to the heat sink 100 in addition to the heat sink 100.
이 고안은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 이 고안의 목적은 트랜스의 측면에 다이오드 몸체를 본딩처리하여 트랜스가 소정 온도 이상으로 상승되면 인버터의 동작을 중지시킴으로써, 적은 비용으로 트랜스가 포화(Saturation)되는 것을 방지하는 트랜스 발열 보호 장치를 제공함에 있다.The present invention is to solve the above problems, the object of the present invention is to bond the diode body on the side of the transformer to stop the operation of the inverter when the transformer rises above a predetermined temperature, the transformer is saturated at a low cost ( It is to provide a trans heat generating protection device to prevent saturation).
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 이 고안에 따른 트랜스 발열보호 장치의 특징은, 트랜스의 소정 측면에 다이오드 몸체를 본딩처리하는 방열 수단과, 상기 트렌스가 소정 온도 이상으로 상승되어 상기 다이오드에 온도 드리프트 현상이 일어나면 인버터의 동작을 중지시키는 제어 수단으로 구성되는 점에 있다.A feature of the transformer heat protection device according to the present invention for achieving the above object is a heat dissipation means for bonding the diode body to a predetermined side of the transformer, and the transformer is raised above a predetermined temperature temperature drift phenomenon in the diode This occurs in that the control means for stopping the operation of the inverter.
이하, 이 고안에 따른 트랜스 발열 보호 장치의 바람직한 일실시예에 대하여 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a preferred embodiment of a trans heat protection device according to the present invention will be described in detail.
제 2 도는 이 고안에 따른 트랜스 발열 보호 장치를 나타낸 사시도로서, 트랜스(T1)의 소정 측면에 다이오드(D1)의 몸체를 본딩처리한다.2 is a perspective view showing a transformer heat protection device according to the present invention, in which a body of the diode D1 is bonded to a predetermined side surface of the transformer T1.
이때, 상기 다이오드(D1)의 양 핀을 인버터 회로가 설계되는 PCB에 상호 결합시킨다.At this time, both pins of the diode D1 are coupled to the PCB on which the inverter circuit is designed.
제 3 도는 상기 제 2 도의 다이오드(D1)를 이용하여 트랜스의 발열을 감지하고, 인버터의 동작을 제어하는 회로도이다.FIG. 3 is a circuit diagram of detecting heat generation of a transformer by using the diode D1 of FIG. 2 and controlling the operation of an inverter.
제 3 도를 보면, 비교기(COMP1)의 반전단(-)에는 제너다이오드(ZD1)가 연결되어 기준 전압을 제공하고, 비반전단(+)에는 상기 제 2 도의 다이오드(D1)의 애노드가 연결된다.3, a zener diode ZD1 is connected to an inverting terminal (-) of a comparator COMP1 to provide a reference voltage, and an anode of the diode D1 of FIG. 2 is connected to a non-inverting terminal (+). .
이때, 상기 다이오드(D1)의 캐소드는 그라운드와 결합되어 있다.At this time, the cathode of the diode D1 is coupled to ground.
또한, 상기 비교기(COMP1)의 전원단과 비반전단(+)이 저항(R1)을 통해 연결된다. 그리고, 상기 비교기(COMP1)의 출력단에는 병렬 연결된 저항(R2,R3)을 통해 PNP 타입의 트랜지스터(Q1)가 연결되고, 상기 트렌지스터(Q1)의 에미터단에는 인버터의 입력 전압(Vin)단이 연결된다.In addition, the power terminal and the non-inverting terminal (+) of the comparator COMP1 are connected through the resistor R1. A PNP type transistor Q1 is connected to the output terminal of the comparator COMP1 through a resistor R2 and R3 connected in parallel, and an input voltage Vin terminal of the inverter is connected to the emitter terminal of the transistor Q1. do.
이때, 상기 인버터의 입력 전암(Vin)단은 상기 저항(R2)을 통해 비교기(COMP1)의 전원단에도 연결된다.At this time, the input pre-arm (Vin) terminal of the inverter is also connected to the power terminal of the comparator COMP1 through the resistor R2.
이와같이 구성된 이 고안은 트랜스(T1)의 소정 측면에 본딩처리된 다이오드(D1) 때문에 비교기(COMP1)의 비반전단(+)의 전위(Vp)가 다이오드(D1)가 없을때보다 0.6V가 높다.In this configuration, the potential Vp of the non-inverting terminal (+) of the comparator COMP1 is 0.6 V higher than the absence of the diode D1 due to the diode D1 bonded to a predetermined side of the transformer T1.
따라서, 트랜스(T1)가 정상 상태일때 즉, 상기 트랜스(T1)의 소정 측면에 본딩처리된 다이오드(D1)가 오프되었을때 상기 비교기(COMP1)는 하이 신호를 출력한다.Accordingly, the comparator COMP1 outputs a high signal when the transformer T1 is in a normal state, that is, when the diode D1 bonded to a predetermined side of the transformer T1 is turned off.
그리고, 상기 비교기(COMP1)가 하이 신호를 출력하면 트랜지스터(Q1)는 턴오프되므로 인버터에는 아무런 영향도 미치지 않게 되어 인버터는 정상동작한다.When the comparator COMP1 outputs a high signal, the transistor Q1 is turned off, so that the inverter has no influence on the inverter, and thus the inverter operates normally.
한편, 트랜스(T1)의 온도가 상승되어 다이오드(D1)의 온도 드리프트(Drift) 현상이 일어나면 다이오드(D1)가 온되면서 비교기(COMP1)의 비반전단(+)의 전위(Vp)는 다이오드(D1)를 통해 그라운드로 바이패스된다.On the other hand, when the temperature of the transformer T1 rises and a temperature drift occurs in the diode D1, the diode D1 is turned on, and the potential Vp of the non-inverting terminal (+) of the comparator COMP1 is the diode D1. Is bypassed to ground.
따라서, 비반전단(+)의 전위(Vp)가 반전단(-)의 제너다이오드(ZD1)보다 낮아지게 되어, 비교기(COMP1)는 로우 신호를 출력한다.Therefore, the potential Vp of the non-inverting stage (+) becomes lower than the zener diode ZD1 of the inverting stage (-), so that the comparator COMP1 outputs a low signal.
상기 비교기(COMP1)가 로우 신호를 출력하면 트랜지스터(Q1)는 턴온되고, 상기 트랜지스터(Q1)가 턴온되면 인버터의 입력전압(Vin)이 트랜지스터(Q1)를 통해 그라운드로 바이패스되므로 인버터의 동작이 중지된다.When the comparator COMP1 outputs a low signal, the transistor Q1 is turned on. When the transistor Q1 is turned on, the input voltage Vin of the inverter is bypassed to the ground through the transistor Q1. Is stopped.
따라서, 트랜스(T1)는 더이상의 온도 상승이 없게되므로 포화되지 않게 된다.Thus, the transformer T1 is no longer saturated, since there is no further rise in temperature.
이상에서와 같이 이 고안에 따른 트랜스 발열 보호 장치에 의하면, 트랜스의 소정 측면에 다이오드 몸체를 본딩처리하여 트랜스가 소정 온도 이상으로 상승되면 발생하는 다이오드의 온도 드리프트 현상을 이용하여 인버터의 동작을 중지시킴으로써, 소프트적으로 트랜스의 발열을 정확하게 감지하여 트랜스가 포화되는 것을 방지하면서 가격을 다운시키고 신뢰성을 높이는 효과가 있다.As described above, according to the transformer heating protection device according to the present invention, the diode body is bonded to a predetermined side of the transformer to stop the operation of the inverter by using the temperature drift phenomenon of the diode generated when the transformer rises above a predetermined temperature. In addition, by softly detecting the heat generated by the transformer, the transformer can be prevented from saturation, thereby reducing the price and increasing the reliability.
Claims (2)
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1994
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