JPWO2007114076A1 - 導電性基板の製造方法および導電性基板 - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献1に記載の銅箔をエッチングする方法は、非常に精度の高いメッシュ形状を得るには優れた方法であるが、通常、銅箔を貼り合わせる工程、フォトリソグラフィー工程、エッチング工程などの収率が悪く、各工程の製品ロスが発生しやすい。特に、エッチング工程では有害な廃液が発生するなど環境面での問題も多い。更に、素材として銅箔を用い、かつその後、銅箔をエッチングして透過性を上げようとすると、エッチングによって銅箔の多くの部分を溶かし出して廃液にする必要があり、素材リサイクルの面でも問題が多い。
本発明における金属微粒子の大きさは特に限定されるものではないが、数平均粒子径が0.001〜5.0μmであることが好ましい。金属微粒子の数平均粒子径がこの範囲を超えると金属層を網目状に形成しにくいことがある。金属微粒子の数平均粒子径は、好ましくは0.001〜2.0μmであり、より好ましくは0.002〜1.5μmであり、特に好ましくは、0.002〜0.2μmである。数平均粒子径が0.001μmより小さい場合には、金属微粒子同士の連続的な接触が途切れる場合が多くなり、その結果、十分な導電性が得られない場合がある。数平均粒子径が5.0μmよりも大きい場合には、後述する本発明における有機溶媒で処理する工程、次いで酸で処理する工程により導電性を高める効果が得られにくくなり、十分な導電性が得られない場合がある。金属微粒子層に含まれる金属微粒子の粒径分布は大きくても、小さくてもよく、粒径が不揃いであっても、均一であってもよい。金属微粒子に用いられる金属としては、特に限定されず、白金、金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、ビスマス、コバルト、鉄、アルミニウム、亜鉛、錫などが挙げられる。1種の金属が用いられてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
各実施例、比較例で作成した導電性基板の特性の測定方法および効果の評価方法は次のとおりである。
金属微粒子を分散させた溶液を銅メッシュ上に滴下して、透過型電子顕微鏡(H−7100FA型、(株)日立製作所製)で観察することにより金属微粒子の数平均粒子径を求めた。100個の金属微粒子の粒径を測定し、その平均値を数平均粒子径とした。
導電性基板の金属微粒子層を電界放射走査電子顕微鏡(JSM−6700F型、日本電子(株)製)を用いて観察し、網目の形状や網目部分の幅を観察した。また、導電性基板の断面を切り出してから、その断面を同様に電界放射走査電子顕微鏡にて観察し、網目部分の厚みを観察した。
導電性基板の金属微粒子層の導電性は、表面比抵抗により測定した。表面比抵抗の測定は、常態(23℃、相対湿度65%)において24時間放置後、その雰囲気下で、JIS−K−7194に準拠した形で、ロレスタ−EP(三菱化学株式会社製、型番:MCP−T360)を用いて実施した。単位は、Ω/□である。なお、本測定器は1×106Ω/□以下が測定可能である。表面比抵抗が10Ω/□以下であればAとして導電性良好とし、10Ω/□より大きい場合はBとして導電性は不良とした。
全光線透過率は、常態(23℃、相対湿度65%)において、導電性基板を2時間放置した後、スガ試験機(株)製全自動直読ヘイズコンピューター「HGM−2DP」を用いて測定した。3回測定した平均値を該導電性基板の全光線透過率とした。全光線透過率が50%以上であれば透明性は良好である。なお、基板の片面のみに金属微粒子層を積層している導電性基板の場合、金属微粒子層を積層した面側より光が入るように導電性基板を設置した。全光線透過率が75%以上であればAAとして透明性により優れるとし、50%以上75%未満であればAとして透明性良好とし、50%未満はBとして透明性不良とした。
耐モアレ現象は、プラズマディスプレイとして、松下電器産業株式会社製「ハイビジョンプラズマディスプレイ」TH−42PHD7を用いて、画像が映し出されている画面の前で、画面と導電性基板が概ね平行になるようにして基板を持ち、画面と基板面が概ね平行の状態を保ちながら基板を360°回転させ、回転中にモアレ現象が発現するか否かを目視で観察することで評価した。モアレが観察されないものが良好である。なお、基板の片面のみにランダム網目層を積層している場合、ランダム網目層を積層していない面側がディスプレイ画面に対向するように導電性基板を持った。
(金属微粒子層形成溶液1)
金属微粒子層形成溶液1として、銀微粒子層形成溶液である藤倉化成株式会社製XA−9053を用いた。銀微粒子の数平均粒子径は0.04μmであった。
金属微粒子層形成溶液2として、有機溶媒に銀微粒子が分散した銀微粒子層形成自己組織化溶液であるCima NanoTech社製CE103−7を用いた。銀微粒子の数平均粒子径は0.08μmであった。
金属微粒子層形成溶液3として、銀微粒子層形成溶液であるCima NanoTech社製CE102−2を用いた。
二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、ルミラー(登録商標)U94)の片面に金属微粒子層形成溶液1を、スクリーン印刷により、ランダムな網目状に印刷した。そして印刷した金属微粒子層形成溶液1を150℃で1分間乾燥することで、銀微粒子層をランダムな網目状に積層した積層基板を得た。網目の線厚み2μm、線幅50μmであった。
25℃の5N(5mol/L)の塩酸(ナカライテスク(株)製、5N−塩酸)で処理した以外は実施例1と同様にして導電性基板を得た。このフィルムの表面比抵抗は5Ω/□であり、全光線透過率は70%であった。耐モアレ現象評価の結果、モアレ現象が発現しなかった。
40℃の5N(5mol/L)の塩酸(ナカライテスク(株)製、5N−塩酸)で処理した以外は実施例1と同様にして導電性基板を得た。このフィルムの表面比抵抗は5Ω/□であり、全光線透過率は70%であった。耐モアレ現象評価の結果、モアレ現象が発現しなかった。
40℃の2N(2mol/L)の塩酸(ナカライテスク(株)製、2N−塩酸)で処理した以外は実施例1と同様にして導電性基板を得た。このフィルムの表面比抵抗は5Ω/□であり、全光線透過率は70%であった。耐モアレ現象評価の結果、モアレ現象が発現しなかった。
50℃の97%(約18mol/L)の硫酸(石津製薬(株)製、硫酸97%試薬特級)に5秒間浸けた以外は実施例1と同様にして導電性基板を得た。このフィルムの表面比抵抗は5Ω/□であった。本実施例では、酸処理によりポリエチレンテレフタレートフィルムの白化が生じ、全光線透過率は50%であった。耐モアレ現象評価の結果、モアレ現象が発現しなかった。
片面に親水化処理を行った二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、ルミラー(登録商標)U46)の親水化処理層上に金属微粒子層形成溶液2を塗布してから25℃で10分間経過させ、ランダムな網目状に銀微粒子層を積層し、その後、150℃で2分間処理した。
25℃の5N(5mol/L)の塩酸(ナカライテスク(株)製、5N−塩酸)で処理した以外は実施例6と同様にして導電性基板を得た。このフィルムの表面比抵抗は4Ω/□であり、全光線透過率は80%であった。耐モアレ現象評価の結果、モアレ現象が発現しなかった。
40℃の5N(5mol/L)の塩酸(ナカライテスク(株)製、5N−塩酸)で処理した以外は実施例6と同様にして導電性基板を得た。このフィルムの表面比抵抗は4Ω/□であり、全光線透過率は80%であった。耐モアレ現象評価の結果、モアレ現象が発現しなかった。
40℃の2N(2mol/L)の塩酸(ナカライテスク(株)製、2N−塩酸)で処理した以外は実施例6と同様にして導電性基板を得た。このフィルムの表面比抵抗は4Ω/□であり、全光線透過率は80%であった。耐モアレ現象評価の結果、モアレ現象が発現しなかった。
50℃の97%(約18mol/L)の硫酸(石津製薬(株)製、硫酸97%試薬特級)に5秒間浸けた以外は実施例6と同様にして導電性基板を得た。このフィルムの表面比抵抗は4Ω/□であった。本実施例では、酸処理によりポリエチレンテレフタレートフィルムの白化が生じ、全光線透過率は50%であった。耐モアレ現象評価の結果、モアレ現象が発現しなかった。
線厚み3μm、線幅50μm、ピッチ300μmの格子状に網目を印刷した以外は実施例1と同様にして基板を作成した。このフィルムの表面比抵抗は5Ω/□であり、全光線透過率は70%であった。耐モアレ現象評価の結果、モアレ現象が発現した。
片面に親水化処理を行った二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、ルミラー(登録商標)T60)の親水化処理層上に金属微粒子層形成溶液3を塗布してから25℃で10分間経過させ、ランダムな網目状に銀微粒子層を積層し、その後、120℃で1分間処理した。次に、フィルムごと、25℃のアセトン(ナカライテスク(株)製、特級)に30秒間浸け、フィルムを取り出し、25℃で3分間乾燥させた。続いて、フィルムごと25℃の0.1N(0.1mol/L)の塩酸(ナカライテスク(株)製、N/10−塩酸)に2分間浸け、フィルムを取り出し、水洗した後、120℃で1分間乾燥した。このフィルムの表面比抵抗は7Ω/□であり、全光線透過率は80%であった。耐モアレ現象評価の結果、モアレ現象が発現しなかった。
片面に親水化処理を行った二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、ルミラー(登録商標)U46)の親水化処理層上に金属微粒子層形成溶液2を塗布してから25℃で10分間経過させ、ランダムな網目状に銀微粒子層を積層し、その後、150℃で2分間処理して基板を作成した。このフィルムの表面比抵抗は100Ω/□であり、全光線透過率は80%であった。耐モアレ現象評価の結果、モアレ現象が発現しなかった。
片面に親水化処理を行った二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、ルミラー(登録商標)U46)の親水化処理層上に金属微粒子層形成溶液2を塗布してから25℃で10分間経過させ、ランダムな網目状に銀微粒子層を積層し、その後、150℃で2分間処理した。
片面に親水化処理を行った二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、ルミラー(登録商標)U46)の親水化処理層上に金属微粒子層形成溶液2を塗布してから25℃で10分間経過させ、ランダムな網目状に銀微粒子層を積層し、その後、150℃で2分間処理した。
Claims (12)
- 基板の少なくとも片面に、網目状に金属微粒子層が積層された導電性基板の製造方法において、前記金属微粒子層を有機溶媒で処理する工程、次いで酸で処理する工程を有することを特徴とする導電性基板の製造方法。
- 前記金属微粒子層の酸による処理が、前記導電性基板を酸の溶液に浸す、および/または前記導電性基板に酸の溶液を塗布することである、請求項1に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記金属微粒子層の酸による処理において、40℃以下の酸の溶液で処理する、請求項1に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記金属微粒子層の酸による処理において、10mol/L以下の酸の溶液で処理する、請求項1に記載の導電性基板の製造方法。
- 金属微粒子、金属酸化物微粒子、および有機金属化合物から選ばれる少なくとも1種を溶媒に分散または溶解させた溶液を用いて前記金属微粒子層を積層する、請求項1に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記溶液が前記基板上で網目形状に自己組織化する溶液である、請求項5に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記金属微粒子層に含有される金属微粒子の数平均粒子径が0.2μm以下である、請求項1に記載の導電性基板の製造方法。
- 金属微粒子層を有機溶媒で処理する工程、次いで酸で処理する工程により、該金属微粒子層の表面比抵抗を10Ω/□以下にする、請求項1に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記基板が熱可塑性樹脂フィルムである、請求項1に記載の導電性基板の製造方法。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板。
- 全光線透過率が50%以上である、請求項10に記載の導電性基板。
- 請求項10に記載の導電性基板を用いたプラズマディスプレイ用電磁波シールド基板。
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