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JPS649752B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS649752B2
JPS649752B2 JP58210369A JP21036983A JPS649752B2 JP S649752 B2 JPS649752 B2 JP S649752B2 JP 58210369 A JP58210369 A JP 58210369A JP 21036983 A JP21036983 A JP 21036983A JP S649752 B2 JPS649752 B2 JP S649752B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
diffraction grating
laser device
plane
semiconductor laser
Prior art date
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Application number
JP58210369A
Other languages
English (en)
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JPS60101990A (ja
Inventor
Haruhisa Takiguchi
Shinji Kaneiwa
Kaneki Matsui
Mototaka Tanetani
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP58210369A priority Critical patent/JPS60101990A/ja
Priority to US06/666,979 priority patent/US4658403A/en
Priority to DE8484113356T priority patent/DE3482935D1/de
Priority to EP84113356A priority patent/EP0141420B1/en
Publication of JPS60101990A publication Critical patent/JPS60101990A/ja
Publication of JPS649752B2 publication Critical patent/JPS649752B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/067—Fibre lasers
    • H01S3/0675—Resonators including a grating structure, e.g. distributed Bragg reflectors [DBR] or distributed feedback [DFB] fibre lasers
    • H—ELECTRICITY
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    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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Description

【発明の詳細な説明】 ＜技術分野＞ 本発明は、単一縦モードで発振する分布帰還形
または分布ブラツグ反射形の半導体レーザ素子に
関するものである。
＜従来技術＞ 光フアイバを利用した大容量で長距離の光伝送
システムにおける信号光源あるいは計測作業にお
ける測定用光出力装置等として半導体レーザ装置
を利用する場合には、半導体レーザ装置は単一縦
モードで発振する動作特性を有することが望まし
い。縦モードを単一化した半導体レーザ素子構造
として従来最も優れているものは、活性領域もし
くは活性領域に近接して光伝播方向に周期的な凹
凸形状の回折格子を形成し、この回折格子と光を
結合させることにより回折格子のピツチと半導波
路内部での光伝播速度により決定される一定波長
のレーザ発振を得る構造であるといわれている。
この構造は、回折格子を特定の波長の光のみ反射
する反射器として用いる分布ブラツグ反射形と、
特定の波長の光について帰還を得る分布帰還形と
に大別される。
従来の分布帰還形半導体レーザ素子の構造につ
いて第１図及び第２図とともに説明する。第１図
はInGaAsP系半導体レーザ素子の斜視図であり、
第２図は第１図の回折格子部分の拡大図である。
結晶成長面側に周期的な凹凸形状を形成した
（001）面のｎ型InP基板１上にｎ型InGaAsPの光
ガイド層２、ｎ型InP緩衝層（クラツド層）３、
ノンドープInGaAsP活性層４、ｐ型InPクラツド
層５、ｐ型InGaAsPキヤツプ層６、SiO2から成
る電流狭窄用絶縁層７が順次積層され、これら積
層体を挾むようにｐ側電極８とｎ側電極９が被着
形成されている。また劈開面（110）及び（１１
０）面でレーザ光を出力する光射出面１０，１１
が構成される。回折格子は光射出面１０，１１と
平行方向に成形され、光射出面１０，１１間で一
定ピツチの波状配列体を形成している。回折格子
の面１２は一般に（111）Ａ面である。
上記構造の分布帰還形半導体レーザ素子は、発
光領域となる導波路内に設けられた回折格子が特
定の波長の光のみを選択的に反射することを利用
して単一縦モード発振を得るものである。しかし
ながら、ｐ側電極８が両方の光射出面１０，１１
間にわたつて連続的に形成されていると、回折格
子によつて反射されない波長成分の不要光は、両
方の光射出面１０，１１を共振端面とし、この端
面間で反射されて多重往復運動するいわゆるフア
ブリペロー共振器作用により光増幅されることと
なり、このため回折格子により定まる波長以外の
光も誘導放射の条件を満たして発振することとな
る。従つて、従来は上述のフアブリペロー共振器
作用による発振を抑制するために、共振端面１
０，１１間で電極を切除してキヤリアの注入され
ない不通領域１３を形成する構造が採用されてい
た。このような構造とすることにより、不通領域
１３で電流が流れず回折格子によつて反射されな
かつた光はこの部分で減衰され、これによつてフ
アブリペロー共振モードによる発振を抑制するこ
とができる。しかしながら、光を減衰させる光吸
領域を形成するという構造では、発光領域と吸収
領域の識別が困難で作業性に欠けることや光を完
全に減衰することができないのでフアブリペロー
共振モードの発振を充分に防止することができな
い等の欠点を有している。ところで回折格子の面
１２，１２′は通常（111）Ａ、（１１１）Ａ面で
構成される。InP等のせん亜鉛鉱型結晶では表面
エネルギーが｛111｝Ａ＞｛001｝＞｛011｝の順に大
きいので、回折格子形成後光ガイド層２以後の結
晶成長過程で高温中に回折格子を形成した結晶を
放置すると、（111）Ａ、（１１１）Ａ面が現われ
た周期的凸凹形状から漸次（001）面が現われ、
極端な場合には周期的凸凹形状が全く消失するこ
とがある。
以上詳述したように、従来の分布帰還形レーザ
素子は、フアブペロー共振モードが完全に抑制さ
れないこと及び回折格子が結晶成長前の高温保持
中に消失する可能性があること等の問題点を有し
ていた。
＜発明の目的＞ 本発明は、上述の問題点に鑑み、分布帰還形ま
たは分布ブラグ反射型等の回折格子を有する半導
体レーザ素子の導波路構造に技術的手段を駆使し
てフアブリペロー共振モードを抑制し、製作過程
での回折格子の消失を防止した新規有用な半導体
レーザ素子を提供することを目的とする。
＜実施例＞ 第３図乃至第６図は本発明の１実施例を示す半
導体レーザ素子の構成図で、第３図は平面図、第
４図は第３図のＡ−A′断面図、第５図は同Ｂ−
B′断面図、第６図は同Ｃ−C′断面図である。結晶
成長面が（001）面であるｎ形InP基板１４の成
長面に第３図の破線列で示す対角線方向の矩形領
域おみに周期的な凹凸形状による回折格子が形成
され、その格子方向は光射出面２４，２５から
45゜傾いた方向となるように設定されている。尚、
光射出面２４，２５は（110）、（１１０）とする。
回折格子の面２３，２３は（011）、（０１１）面
となるように化学腐食剤（例えばHBr：
CH3COOH＝１：１）が選定され、エツチング
処理によつて回折格子が形成される。InP基板１
４上には液相エピタキシヤル成長法で順次ｎ形−
InGaAsPガイド層１５、ｎ形−InP緩衝層（クラ
ツド層）１６、ノンドープInGaAsP活性層１７、
ｐ形−InPクラツド層１８、ｐ形−InGaAsPキヤ
ツプ層１９が積層成長されている。緩衝層１６は
活性層１７で発生した光を一部回折格子に漏らす
作用をする。次に、第３図に示す実線で囲まれた
部分を除いてその外方部で基板１４に達するまで
各成長層１５，１６，１７，１８，１９をエツチ
ング除去し、その後エツチング除去部をｐ型−
InP埋込層２１及びｎ型−InP埋込層２２の積層
体で充填し、キヤツプ層１９にｐ側電極２０、基
板１４にｎ側電極２０′を形成することにより、
レーザ素子が作製されている。このレーザ素子構
造は第３図に破線列で示した領域に形成された光
共振用回折格子を有する光導波路と、光射出面２
４，２５にその先端が現われかつ光射出面２４，
２５に直交するとともに回折格子を有する光導波
路とも交差する２つの光導波路とより構成されて
いる。こののうち、回折格子を有し対角線方向に
延びる光導波路がレーザ光の発光領域となり、そ
の他の２つの光導波路が互いに光軸の異なる光取
り出し用の光導波路となる。
回折格子を有する光導波路は第４図に示す回折
格子の面２３，２３′が表面エネルギー最小の
（011）、（01１）面で形成されており、従つて結晶
成長過程での高温保持に際してもこの回折格子が
変形又は消失することはない。一方、光取り出し
用の導波路は一方の端が劈開法で形成された光射
出面に現われているが、他方の端はそれぞれ回折
格子を有する光導波路で終つており、フアブリペ
ロー共振器を形成していない。従つて、フアブリ
ペロー共振モードの発振は完全に抑制される。
上記構造の半導体レーザ素子に電極２０，２
０′を介してキヤリアを注入すると、活性層より
しみ出した光が回折格子と光結合し、活性層１７
の回折格子を有する光導波路で回折格子の中を波
が往復して共振し、レーザ発振動作が開始され
る。この光導波路内の光は端部で連結されている
一対の光取出用導波路を介して光射出面２４，２
５よりレーザ光として放射される。光取出用導波
路は光軸をずらせて左右に１対設けられているた
め、従来の分布帰還形レーザでは困難であつた出
力監視用光を得ることができる。
上記実施例は分布帰還型の構造について説明し
たが、これを分布ブラツグ反射型の構造に適用す
ることは容易である。また、InGaAsP系の埋め
込み形レーザ素子以外に他のGaAlAs系
GaAlAsSb系その他の半導体材料を用いた横モー
ドのための種々の導波構造を有するレーザ素子に
適用可能である。
＜発明の効果＞ 以上詳説した如く本発明によればフアブリペロ
ー共振モードを完全に抑制しながら２方向よりレ
ーザ光を出力させることができ、また製作に際し
ての高温保持工程でも回折格子の消失がなく製作
歩留りが向上する。更に作業性も良好で信頼性の
高いレーザ素子を量産することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の分布帰還形半導体レーザ素子の
斜視図である。第２図は第１図の要部拡大図であ
る。第３図は本発明の１実施例を説明する半導体
レーザ素子の平面図である。第４図は第３図のＡ
−A′断面図である。第５図は第３図のＢ−B′断
面図である。第６図は第３図のＣ−C′断面図であ
る。 １４……InP基板、１５……ガイド層、１６…
…緩衝層、１７……活性層、１８……クラツド
層、１９……キヤツプ層、２０……ｐ側電極、２
０′……ｎ側電極、２１……ｐ型埋込層、２２…
…ｎ型埋込層、２３，２３′……回折格子の面、
２４，２５……光射光面。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 一方の光射出面に略々垂直に連結された第１
    の光取出用導波路と、他方の光射出面に略々垂直
    に連結されかつ前記第１の光取出用導波路とは光
    軸が異なる第２の光取出用導波路と、光共振のた
    めの周期的な回折格子と光結合しかつ素子内部で
    前記第１及び第２の光取出用導波路の端部に連結
    された光発生用導波路と、をそれぞれ半導体基板
    上に配設して成ることを特徴とする半導体レーザ
    素子。 ２ 半導体基板が（001）面、光射出面が（110）
    及び（１１０）面、光発生用導波路が〔010〕方
    向に設定された特許請求の範囲第１項記載の半導
    体レーザ素子。 ３ 回折格子が周期的な凹凸形状の波で形成さ
    れ、波の腹面が｛110｝面に設定された特許請求
    の範囲第１項又は第２項記載の半導体レーザ素
    子。
JP58210369A 1983-11-08 1983-11-08 半導体レ−ザ素子 Granted JPS60101990A (ja)

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JP58210369A JPS60101990A (ja) 1983-11-08 1983-11-08 半導体レ−ザ素子
US06/666,979 US4658403A (en) 1983-11-08 1984-10-31 Optical element in semiconductor laser device having a diffraction grating and improved resonance characteristics
DE8484113356T DE3482935D1 (de) 1983-11-08 1984-11-06 Halbleiterlaservorrichtung.
EP84113356A EP0141420B1 (en) 1983-11-08 1984-11-06 Semiconductor laser device

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JPS60101990A JPS60101990A (ja) 1985-06-06
JPS649752B2 true JPS649752B2 (ja) 1989-02-20

Family

ID=16588216

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EP (1) EP0141420B1 (ja)
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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62144378A (ja) * 1985-12-18 1987-06-27 Sony Corp 分布帰還覆半導体レ−ザ−
US4914667A (en) * 1987-01-21 1990-04-03 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Hybrid laser for optical communications, and transmitter, system, and method
JPH073909B2 (ja) * 1987-09-08 1995-01-18 三菱電機株式会社 半導体レーザの製造方法
US5231642A (en) * 1992-05-08 1993-07-27 Spectra Diode Laboratories, Inc. Semiconductor ring and folded cavity lasers
US5337328A (en) * 1992-05-08 1994-08-09 Sdl, Inc. Semiconductor laser with broad-area intra-cavity angled grating
IL118209A0 (en) * 1996-05-09 1998-02-08 Yeda Res & Dev Active electro-optical wavelength-selective mirrors and active electro-optic wavelength-selective filters
US6936839B2 (en) * 1996-10-16 2005-08-30 The University Of Connecticut Monolithic integrated circuit including a waveguide and quantum well inversion channel devices and a method of fabricating same
US6849866B2 (en) * 1996-10-16 2005-02-01 The University Of Connecticut High performance optoelectronic and electronic inversion channel quantum well devices suitable for monolithic integration
US6031243A (en) * 1996-10-16 2000-02-29 Geoff W. Taylor Grating coupled vertical cavity optoelectronic devices
US6122299A (en) * 1997-12-31 2000-09-19 Sdl, Inc. Angled distributed reflector optical device with enhanced light confinement
WO2000054377A1 (en) 1999-03-08 2000-09-14 Optigain, Inc. Side-pumped fiber laser
US6556611B1 (en) * 1999-05-10 2003-04-29 Princeton Lightwave, Inc. Wide stripe distributed bragg reflector lasers with improved angular and spectral characteristics
US7167615B1 (en) 1999-11-05 2007-01-23 Board Of Regents, The University Of Texas System Resonant waveguide-grating filters and sensors and methods for making and using same
US7247892B2 (en) * 2000-04-24 2007-07-24 Taylor Geoff W Imaging array utilizing thyristor-based pixel elements
US6479844B2 (en) 2001-03-02 2002-11-12 University Of Connecticut Modulation doped thyristor and complementary transistor combination for a monolithic optoelectronic integrated circuit
US6904198B2 (en) * 2002-01-22 2005-06-07 Douglas Raymond Dykaar Device for coupling light into the fiber
US7332752B2 (en) * 2002-10-25 2008-02-19 The University Of Connecticut Optoelectronic circuit employing a heterojunction thyristor device to convert a digital optical signal to a digital electrical signal
US6873273B2 (en) * 2002-10-25 2005-03-29 The University Of Connecticut Photonic serial digital-to-analog converter employing a heterojunction thyristor device
US6954473B2 (en) 2002-10-25 2005-10-11 Opel, Inc. Optoelectronic device employing at least one semiconductor heterojunction thyristor for producing variable electrical/optical delay
US6841795B2 (en) * 2002-10-25 2005-01-11 The University Of Connecticut Semiconductor devices employing at least one modulation doped quantum well structure and one or more etch stop layers for accurate contact formation
US6995407B2 (en) * 2002-10-25 2006-02-07 The University Of Connecticut Photonic digital-to-analog converter employing a plurality of heterojunction thyristor devices
US7556976B2 (en) * 2002-10-25 2009-07-07 The University Of Connecticut Method of fabricating semiconductor devices employing at least one modulation doped quantum well structure and one or more etch stop layers for accurate contact formation
US7333733B2 (en) * 2002-10-25 2008-02-19 The University Of Connecticut Optoelectronic clock generator producing high frequency optoelectronic pulse trains with variable frequency and variable duty cycle and low jitter
US7776753B2 (en) * 2002-10-25 2010-08-17 University Of Connecticut Method of fabricating semiconductor devices employing at least one modulation doped quantum well structure and one or more etch stop layers for accurate contact formation
US6853014B2 (en) * 2002-10-25 2005-02-08 The University Of Connecticut Optoelectronic circuit employing a heterojunction thyristor device that performs high speed sampling
US7015120B2 (en) * 2002-10-25 2006-03-21 The University Of Connecticut Method of fabricating semiconductor devices employing at least one modulation doped quantum well structure and one or more etch stop layers for accurate contact formation
US6974969B2 (en) 2003-01-13 2005-12-13 The University Of Connecticut P-type quantum-well-base bipolar transistor device employing interdigitated base and emitter formed with a capping layer
US6841806B1 (en) * 2003-06-24 2005-01-11 The University Of Connecticut Heterojunction thyristor-based amplifier
US6977954B2 (en) * 2003-07-25 2005-12-20 University Of Connecticut Semiconductor laser array device employing modulation doped quantum well structures
US7333731B2 (en) * 2004-04-26 2008-02-19 The University Of Connecticut Multifunctional optoelectronic thyristor and integrated circuit and optical transceiver employing same
US7385230B1 (en) 2005-02-08 2008-06-10 The University Of Connecticut Modulation doped thyristor and complementary transistor combination for a monolithic optoelectronic integrated circuit
WO2009133631A1 (en) * 2008-04-30 2009-11-05 Nec Corporation Tunable laser source using intracavity laser light outcoupling and module containing the same
CN108110605B (zh) * 2017-06-23 2020-06-30 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种硅基激光器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5763881A (en) * 1980-10-04 1982-04-17 Ikuo Suemune One-dimensional oscillation controlling device in lateral distribution feedback type semiconductor laser
JPS5810882A (ja) * 1981-07-14 1983-01-21 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> 分布帰還形半導体レ−ザ
JPS5858784A (ja) * 1981-10-05 1983-04-07 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> 分布帰還形半導体レ−ザ
US4464762A (en) * 1982-02-22 1984-08-07 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Monolithically integrated distributed Bragg reflector laser

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