JPS6410812B2 - - Google Patents
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- JPS6410812B2 JPS6410812B2 JP10419380A JP10419380A JPS6410812B2 JP S6410812 B2 JPS6410812 B2 JP S6410812B2 JP 10419380 A JP10419380 A JP 10419380A JP 10419380 A JP10419380 A JP 10419380A JP S6410812 B2 JPS6410812 B2 JP S6410812B2
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶分子を初期状態(未励起状態)で
ホモジニアス配向状態にしておくことが必要な液
晶表示装置に使用可能な、初期のホモジニアス配
向を良質にする手段を施した液晶挾持基板に関す
るものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides means for improving the quality of initial homogeneous alignment, which can be used in liquid crystal display devices that require liquid crystal molecules to be homogeneously aligned in an initial state (unexcited state). This invention relates to a liquid crystal holding substrate.
従来このような液晶分子の初期状態におけるホ
モジニアス配向を良好にする手段として、基板上
に酸化珪素等の斜方蒸着膜を形成する方法や各種
表面処理剤、有機高分子等の膜を形成し、その膜
をラビング処理する方法等が知られている。しか
しこれら公知の方法にはそれぞれ以下に述べるよ
うな欠点があつた。 Conventionally, as a means to improve the homogeneous alignment of liquid crystal molecules in the initial state, methods include forming an obliquely vapor-deposited film of silicon oxide or the like on a substrate, forming a film of various surface treatment agents, organic polymers, etc. A method of rubbing the film is known. However, each of these known methods has drawbacks as described below.
すなわち、酸化珪素等の斜方蒸着膜は液晶物質
の種類によつて配向能に差があり全く配向しない
ような液晶物質も存在する。これは液晶の温度特
性あるいは電気光学特性を改善するために各種の
液晶を混合して使用する場合に非常に大きな障害
となる。また各種表面処理剤、有機高分子等の膜
を形成してその膜をラビング処理する方法では膜
の耐熱性が低いために、素子組立時の加熱によつ
て膜が劣化し、配向性が低下する等の欠点をもつ
ものがほとんどで、配向規制力の耐熱性がよいの
はポリイミド等の耐熱性有機高分子膜に限られて
いた。しかしながら、これらの公知のポリイミド
系高分子膜は、その基板面との接着性がわるいた
めにラビング処理の際に塗膜に部分的に膜はがれ
が生じ、そのためにドメインが発生する等の配向
不良がおこる欠点があつた。 That is, the orientation ability of an obliquely vapor deposited film such as silicon oxide differs depending on the type of liquid crystal material, and there are some liquid crystal materials that do not provide orientation at all. This is a very serious problem when using a mixture of various liquid crystals to improve the temperature characteristics or electro-optical characteristics of the liquid crystal. In addition, in the method of forming a film of various surface treatment agents, organic polymers, etc. and then rubbing the film, the heat resistance of the film is low, so the film deteriorates due to heating during device assembly, resulting in a decrease in orientation. Most of them have drawbacks such as smearing, etc., and only heat-resistant organic polymer films such as polyimide have good heat resistance of orientation regulating force. However, these known polyimide polymer films have poor adhesion to the substrate surface, resulting in partial peeling of the coating during rubbing, resulting in poor orientation such as the formation of domains. There was a drawback that this occurred.
本発明者らは従来技術の上記の欠点をなくすべ
く検討した結果本発明に至つた。すなわち本発明
は、どの様な液晶物質であつても液晶の分子軸を
基板面に対し平行にかつ基板面の特性方向に配向
させ、かつこの液晶配向規制力が耐熱性に優れ、
なおかつ対ラビング性を向上させたことによつて
液晶表示素子組立に制限を与えず経時的に安定で
長寿命かつ高性能の液晶表示装置を提供するもの
である。 The present inventors conducted studies to eliminate the above-mentioned drawbacks of the prior art, and as a result, they arrived at the present invention. That is, the present invention allows the molecular axis of liquid crystal to be aligned parallel to the substrate surface and in the characteristic direction of the substrate surface, regardless of the liquid crystal material, and this liquid crystal alignment regulating force has excellent heat resistance.
Furthermore, by improving the resistance to rubbing, it is possible to provide a liquid crystal display device that is stable over time, has a long life, and has high performance without imposing restrictions on the assembly of liquid crystal display elements.
本発明は、液晶挾持基板上の液晶に面する側に
電極を設け、該基板及び電極上に、カルボン酸無
水物、ジアミンおよび一般式
(式中Rは二価の炭化水素基、R1,R2は一価
の炭化水素基を示す。)で示されるジアミノシラ
ン(以下、ジアミノシランとする)を反応させて
得られるポリアミド酸を脱水閉環して得られるポ
リイミドシラン系高分子被膜を形成してなる液晶
挾持基板に関する。 In the present invention, an electrode is provided on the side facing the liquid crystal on a liquid crystal holding substrate, and a carboxylic acid anhydride, a diamine and a general formula (In the formula, R is a divalent hydrocarbon group, and R 1 and R 2 are monovalent hydrocarbon groups.) The present invention relates to a liquid crystal holding substrate formed with a polyimide silane polymer coating obtained by dehydration and ring closure.
本発明で用いるポリイミドシラン系高分子の前
駆体であるポリアミド酸はカルボン酸無水物、ジ
アミン及びジアミノシランの反応により合成され
る。これらの反応は無水条件下、好ましくは50℃
またはそれ以下の温度で行なわれる。 Polyamic acid, which is a precursor of the polyimidosilane polymer used in the present invention, is synthesized by the reaction of carboxylic acid anhydride, diamine, and diaminosilane. These reactions are carried out under anhydrous conditions, preferably at 50°C.
or at a lower temperature.
カルボン酸無水物、ジアミンおよびジアミノシ
ランの反応割合は、カルボン酸無水物のモル数と
ジアミンおよびジアミノシランのモル数とを等モ
ルとすることが好ましい。この反応は、ジメチル
フオルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルスルフオキシド、N―メチルピロリドン等の溶
剤の存在下で行なわれる。 The reaction ratio of the carboxylic anhydride, diamine and diaminosilane is preferably such that the number of moles of the carboxylic acid anhydride is equal to the number of moles of the diamine and diaminosilane. This reaction is carried out in the presence of a solvent such as dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, N-methylpyrrolidone, or the like.
カルボン酸無水物としては、たとえばピロメリ
ツト酸無水物、2,3,6,7―ナフタレンテト
ラカルボン酸無水物、3,3′,4,4′―ジフエニ
ルテトラカルボン酸無水物、1,2,5,6―ナ
フタレンテトラカルボン酸無水物、2,2′,3,
3′―ジフエニルテトラカルボン酸無水物、チオフ
エン―2,3,4,5―テトラカルボン酸無水
物、2,2―ビス(3,4―ビスカルボキシフエ
ニル)プロパン無水物、3,4―ジカルボキシフ
エニルスルホン無水物、ベリレン―3,4,9,
10―テトラカルボン酸無水物、ビス(3,4―ジ
カルボキシフエニル)エーテル無水物、3,3′,
4,4′―ベンゾフエノンテトラカルボン酸無水物
などが用いられる。 Examples of the carboxylic anhydride include pyromellitic anhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic anhydride, 3,3',4,4'-diphenyltetracarboxylic anhydride, 1,2, 5,6-naphthalenetetracarboxylic anhydride, 2,2',3,
3'-diphenyltetracarboxylic anhydride, thiophene-2,3,4,5-tetracarboxylic anhydride, 2,2-bis(3,4-biscarboxyphenyl)propane anhydride, 3,4- Dicarboxyphenylsulfone anhydride, berylene-3,4,9,
10-tetracarboxylic anhydride, bis(3,4-dicarboxyphenyl)ether anhydride, 3,3',
4,4'-benzophenonetetracarboxylic anhydride and the like are used.
ジアミンとしては、たとえばm―フエニレンジ
アミン、p―フエニレンジアミン、m―キシレン
ジアミン、p―キシレンジアミン、4,4′―ジア
ミノジフエニルエーテル、4,4′―ジアミノジフ
エニルメタン、3,3′―ジメチル―4,4′―ジア
ミノジフエニルメタン、3,3′,5,5′―テトラ
メチル―4,4′―ジアミノジフエニルメタン、
2,2′―ビス(4―アミノフエニル)プロパン―
4,4′―メチレンジアニリン、ベンジジン、4,
4′―ジアミノジフエニルスルフイド、4,4′―ジ
アミノジフエニルスルホン、1,5―ジアミノナ
フタレン、3,3′―ジメチルベンジジン、3,
3′―ジメトキシベンジジン、2,4―ビス(β―
アミノ―tert―ブチル)トルエン、ビス(4―β
―アミノ―tert―ブチルフエニル)エーテル、
1,4―ビス(2―メチル―4―アミノベンチ
ル)ベンゼンなどが用いられる。 Examples of the diamine include m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, m-xylenediamine, p-xylenediamine, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3 '-Dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3',5,5'-tetramethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane,
2,2'-bis(4-aminophenyl)propane
4,4'-methylene dianiline, benzidine, 4,
4'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 1,5-diaminonaphthalene, 3,3'-dimethylbenzidine, 3,
3′-dimethoxybenzidine, 2,4-bis(β-
Amino-tert-butyl)toluene, bis(4-β
-amino-tert-butylphenyl) ether,
1,4-bis(2-methyl-4-aminobentyl)benzene and the like are used.
本発明においては一般式
(式中Rは二価の炭化水素基、R1,R2は一価
の炭化水素基を示す。)で示されるジアミノシラ
ンが用いられ、その例としては、ジ(アミノプロ
ポキシ)ジメチルシラン等のジ(アミノアルコキ
シ)ジアルキルシラン、ジ(アミノエトキシ)ジ
フエニルシラン等のジ(アミノアルコキシ)ジア
リルシラン、ジ(アミノフエノキシ)ジエチルシ
ラン等のジ(アミノフエノキシ)ジアルキルシラ
ン、ジ(アミノフエノキシ)ジフエニルシラン等
のジ(アミノフエノキシ)ジアリルシラン、ジ
(アミノエトキシ)メチルフエニルシラン等のジ
(アミノアルコキシ)アルキルアリルシランなど
がある。 In the present invention, the general formula (In the formula, R is a divalent hydrocarbon group, and R 1 and R 2 are monovalent hydrocarbon groups.) Diaminosilanes represented by the formula are used, examples of which include di(aminopropoxy)dimethylsilane, etc. di(aminoalkoxy)dialkylsilane such as di(aminoalkoxy)dialkylsilane, di(aminoethoxy)diphenylsilane, di(aminophenoxy)dialkylsilane such as di(aminophenoxy)diethylsilane, di(aminophenoxy) such as di(aminophenoxy)diphenylsilane, etc. ) diallylsilanes, di(aminoalkoxy)alkylarylsilanes such as di(aminoethoxy)methylphenylsilane, etc.
上記のカルボン酸無水物、ジアミンおよびジア
ミノシランは耐熱性の点からいずれも芳香族系の
化合物を用いることが好ましい。 It is preferable to use aromatic compounds as the above-mentioned carboxylic acid anhydride, diamine, and diaminosilane from the viewpoint of heat resistance.
上記のカルボン酸無水物、ジアミンおよびジア
ミノシランは、それぞれ二種以上併用してもよ
い。 Two or more of the above carboxylic acid anhydrides, diamines, and diaminosilanes may be used in combination.
上記のジアミノシランは、例えばジクロルシラ
ンとヒドロキシルアミンとをテトライソプロポキ
シチタン等のチタンのアルコキサイドを触媒とし
て反応させて得られる。 The above diaminosilane is obtained, for example, by reacting dichlorosilane and hydroxylamine using a titanium alkoxide such as tetraisopropoxytitanium as a catalyst.
ジアミノシランは、接着性と耐熱性及び安定性
の関係からジアミンおよびジアミノシランの総量
に対して0.1〜50モル%とすることが好ましい。 The amount of diaminosilane is preferably 0.1 to 50 mol% based on the total amount of diamine and diaminosilane from the viewpoint of adhesiveness, heat resistance, and stability.
上記ポリアミド酸の基板及び電極上への塗布
は、該ポリアミド酸をジメチルフオルムアミド、
ジメチルアセトアミド、ジメチルスルフオキシ
ド、N―メチルピロリドン等の0.01〜40重量%溶
液として、これをデイツプ法、スピンナ法、スプ
レー法、印刷法、刷毛塗り法などにより塗布して
行なわれる。塗布後100℃〜400℃好ましくは250
℃〜350℃で加熱処理してポリアミド酸を脱水閉
環してポリイミドシラン系高分子被膜が得られ
る。 Coating the above polyamic acid onto the substrate and electrodes involves coating the polyamic acid with dimethylformamide,
A 0.01 to 40% by weight solution of dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, N-methylpyrrolidone, etc. is applied by a dip method, spinner method, spray method, printing method, brush coating method, or the like. 100℃~400℃ after application preferably 250℃
A polyimide silane-based polymer coating is obtained by heat-treating at a temperature of .degree. C. to 350.degree. C. to dehydrate and ring-close the polyamic acid.
以下、実施例及び比較例により本発明を具体的
に説明する。 Hereinafter, the present invention will be specifically explained with reference to Examples and Comparative Examples.
実施例
N―メチルピロリドンの中でジ(アミノプロポ
キシ)ジフエニルシラン0.1モル、4,4′―ジア
ミノジフエニルエーテル0.9モル及び3,3′4,
4′―ベンゾフエノンテトラカルボン酸無水物1.0
モルを縮合して得られたポリイミドシラン系高分
子の前駆体であるポリアミド酸の15重量%N―メ
チルピロリドン溶液をスピンナを用いて酸化イン
ジウムの電極が形成されたガラス基板に塗布し
た。塗布後300℃で1時間加熱閉環させポリイミ
ドシラン系高分子被膜を1000Åの厚さに形成し
た。その後該被膜を一定方向にガーゼでラビング
処理を行なつたが、ポリイミドシラン系高分子被
膜にはがれは生じなかつた。また上記のラビング
処理したポリイミドシラン系高分子被膜を有する
基板の一対を用いて液晶表示セルを作製したとこ
ろ、配向性は非常に良好であつた。Example 0.1 mol of di(aminopropoxy)diphenylsilane, 0.9 mol of 4,4'-diaminodiphenyl ether and 3,3'4,
4'-Benzophenonetetracarboxylic anhydride 1.0
A 15% by weight N-methylpyrrolidone solution of polyamic acid, which is a precursor of a polyimidosilane polymer obtained by condensing moles, was applied using a spinner to a glass substrate on which an indium oxide electrode was formed. After coating, ring closure was performed by heating at 300° C. for 1 hour to form a polyimide silane polymer film with a thickness of 1000 Å. Thereafter, the coating was rubbed with gauze in a certain direction, but no peeling occurred in the polyimide silane polymer coating. Furthermore, when a liquid crystal display cell was produced using a pair of substrates having the above-mentioned rubbed polyimide silane polymer film, the alignment was very good.
上記の実施例において使用したジ(アミノプロ
ポキシ)ジフエニルシランは次の方法により合成
した。ジフエニルジクロルシラン(信越化学製
KBM202)122.2gとプロパノールアミン75.1g
を両者の総量に対して0.1重量%のテトライソプ
ロポキシチタンを触媒として70℃で30分反応させ
た。ついで85℃に昇温して反応副生物のメタノー
ルを除去し、生成物のジ(アミノプロポキシ)ジ
フエニルシランを得た。 Di(aminopropoxy)diphenylsilane used in the above examples was synthesized by the following method. Diphenyldichlorosilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical)
KBM202) 122.2g and propanolamine 75.1g
were reacted at 70°C for 30 minutes using 0.1% by weight of tetraisopropoxytitanium based on the total amount of both as a catalyst. The temperature was then raised to 85°C to remove methanol, a reaction by-product, to obtain di(aminopropoxy)diphenylsilane as a product.
比較例
N―メチルピロリドン中で、4,4′―ジアミノ
ジフエニルエーテル1.0モルと3,3′4,4′―ベン
ゾフエノンテトラカルボン酸無水物1.0モルとを
縮合して得られたポリイミドの前駆体であるポリ
アミド酸の15重量%N―メチルピロリドン溶液を
上記実施例と同様の方法で処理してポリイミドの
被膜を1000Åの厚さに形成した。その後上記実施
例とまつたく同様にしてラビング処理を行なつた
ところ、部分的に基板からはがれが生じた。また
上記のラビング処理したポリイミド被膜を有する
基板の一対を用いて液晶表示セルを作製したとこ
ろ、部分的に配向不良が観測された。Comparative Example: Polyimide obtained by condensing 1.0 mol of 4,4'-diaminodiphenyl ether and 1.0 mol of 3,3'4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid anhydride in N-methylpyrrolidone. A 15% by weight N-methylpyrrolidone solution of polyamic acid as a precursor was treated in the same manner as in the above example to form a polyimide film with a thickness of 1000 Å. Thereafter, when a rubbing process was performed in the same manner as in the above embodiment, some peeling occurred from the substrate. Furthermore, when a liquid crystal display cell was produced using a pair of substrates having the above-mentioned rubbed polyimide film, poor alignment was observed in some parts.
実施例および比較例に示すとおり、ポリイミド
シラン系高分子被膜は基板に対する非常に優れた
接着性を示し、あらゆるラビング処理条件に耐え
ることができる。また液晶配向規制力の耐熱性が
きわめて優れているため、液晶素子組立に制限を
与えず経時的に安定で長寿命かつ、高特性の液晶
表示装置を提供することができる。 As shown in the Examples and Comparative Examples, the polyimide silane polymer coating exhibits very good adhesion to the substrate and can withstand all kinds of rubbing treatment conditions. Furthermore, since the heat resistance of the liquid crystal alignment regulating force is extremely excellent, it is possible to provide a liquid crystal display device that is stable over time, has a long life, and has high characteristics without imposing restrictions on the assembly of liquid crystal elements.
Claims (1)
け、該基板及び電極上に、カルボン酸無水物、ジ
アミンおよび一般式 (式中Rは二価の炭化水素基、R1,R2は一価
の炭化水素基を示す。)で示されるジアミノシラ
ンを反応させて得られるポリアミド酸を脱水閉環
して得られるポリイミドシラン系高分子被膜を形
成してなる液晶挾持基板。[Claims] 1. An electrode is provided on the side facing the liquid crystal on a liquid crystal holding substrate, and a carboxylic acid anhydride, a diamine and a general formula are provided on the substrate and the electrode. (In the formula, R is a divalent hydrocarbon group, and R 1 and R 2 are monovalent hydrocarbon groups.) Polyimide silane obtained by dehydrating and ring-closing polyamic acid obtained by reacting diaminosilane represented by the formula A liquid crystal holding substrate formed with a polymer film.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10419380A JPS5729029A (en) | 1980-07-28 | 1980-07-28 | Liquid crystal sandwiching substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10419380A JPS5729029A (en) | 1980-07-28 | 1980-07-28 | Liquid crystal sandwiching substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5729029A JPS5729029A (en) | 1982-02-16 |
JPS6410812B2 true JPS6410812B2 (en) | 1989-02-22 |
Family
ID=14374140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10419380A Granted JPS5729029A (en) | 1980-07-28 | 1980-07-28 | Liquid crystal sandwiching substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5729029A (en) |
Families Citing this family (2)
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---|---|---|---|---|
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WO2023228613A1 (en) * | 2022-05-24 | 2023-11-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Polyimide, method for producing imide compound, and method for producing recycled polyimide |
Family Cites Families (4)
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JPS54101338A (en) * | 1978-01-26 | 1979-08-09 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display body |
JPS5949562B2 (en) * | 1979-07-06 | 1984-12-04 | 株式会社日立製作所 | liquid crystal display element |
JPS56111833A (en) * | 1980-02-08 | 1981-09-03 | Sharp Corp | Liquid-crystal display element |
-
1980
- 1980-07-28 JP JP10419380A patent/JPS5729029A/en active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPS5729029A (en) | 1982-02-16 |
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