JPS6391818A - ヨ−ク型磁気抵抗効果薄膜ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ヨーク型磁気抵抗効果薄膜ヘッドに関し、更
に詳しくは、ヘッドギャップ部からヨークにより磁束を
磁気抵抗効果素子（以下ＭＲＩＡ子と略す）に導き、そ
のＭＲ素子にて磁気信号を電気抵抗の変化にＩＩＰＡシ
、磁気記録媒体に記録された信号を再生ずる薄膜ヘッド
に関する。

従来技術 従来のヨーク型磁気抵抗効果１１１１１ヘツドの一例を
第５ＷＪおよび第６ｖ！Ｊに示す、なお、図面化の都合
上、特に垂直方向の寸法を水平方向の寸法より大きく誇
張して績いである。

コ０）ａ−９１ＪＩＴａ気抵抗効ＪＫｉｌｌｊｌ”　７
　Ｆ　５１　ニｍいて、上１１ｉ−り５２と下側ヨーク
５３の間にヘッドギャップ部５４が形成され、そのヘッ
ドギャップ部５４にスペーシングＳを介して磁気記録媒
体Ｍが接すると、その磁気記録媒体Ｍに記録された信号
に応じた磁束がヨーク５２，５３．５５によってＭＲ素
子５６に導かれる。

ＭＲ素子の磁化容易軸は通宝長手方向に選ばれその電気
抵抗は磁束により変化するので、リード導体５７．５８
を介して電気抵抗の変化を読み出せば、磁気記録媒体Ｍ
に記録された信号を再生できる。

この再生時の直線性を改善するために、ＭＲｓ子５６に
沿ってバイアス磁界形成用導体５９が形成されている。

また、バルクハウゼンノイズを抑制するために、高保持
力強磁性！ｆｆ６０．６１がＭＲ素子５６の両端に形成
され、強磁性結合せしめられている。

このように高保持力強磁性膜６０．６１とＭＲ素子５６
の強磁性結合によりバルクハウゼンノイズを抑制する技
術は、たとえば特開昭６０−５９５１８号公報に開示さ
れている。

従来技術の問題点 上記従来のヨーク型磁気抵抗効果薄膜へフド５１では、
ＭＲ素子５６の両端に設けた高保持力強磁性膜６０．６
１によってＭＲ素子５６の長手方向に弱磁界を印加し、
これによりＭＲ素子５６を単磁区状態として、バルクハ
ウゼンノイズを抑制している。従って、高保持力強磁性
膜６０．６１によってＭＲ素子５６に弱磁界を好適に印
加することがＭ要となるが、これには２つの問題点があ
る。

その第１は、高保持力強磁性膜６０．６１からの距離に
よって弱磁界の大きさが異なることである。即ち、ＭＲ
素子５６の端部では弱磁界が太きくなり、中央部では小
さくなるという不均一を生じる問題点がある。

その第２は、高保持力強磁性膜６０．６１の磁束がヨー
ク５２．５５に漏洩することである。即ち、：？−り５
２，５５は、Ｍ　ＲＺ子５６　ニアｆｉナルように設け
られているため、高保持力強磁性膜６０．６１による磁
束がこれらヨーク５２．５５を通り、ＭＲ素子５６を通
る弱磁界が減少してしまう問題点がある。

これらの問題点は、磁気記録媒体Ｍのトラック中が小さ
く、従ってヨーク５２の巾Ｗが小さい場合には、無視し
得る程度で、実用上充分にバルクハウゼンノイズを抑制
することができた。

しかしながら、磁気記録媒体Ｍのトラック中が大きくな
り、従ってヨーク５２，５５の巾が大きくなると、上記
問題点は無視出来なくなり、バルクハウゼンノイズを充
分に抑制することが出来なくなる問題を生じている。

発明の目的 本発明の目的とするところは、磁気記録媒体のトラック
中が大きな場合でも有効にバルクハウゼンノイズを抑制
することが出来るヨーク型磁気抵抗効果薄膜ヘッドを提
供することにある。

発明の構成 本発明のヨーク型磁気抵抗効果薄膜ヘッドは、高保持力
強磁性体を磁気抵抗効果素子に強磁性結合せしめてバル
クハウゼンノイズを抑制すると共に、ヨークにてヘッド
ギャップ部から磁気抵抗効果素子に磁束を導くようにし
たヨーク型磁気抵抗効果薄膜ヘッドにおいて、磁気抵抗
効果素子側のヨーク中をヘッドギヤ、プ部例のヨーク巾
よりも狭くしたことを構成上の特徴とするものである。

作用 ヘッドギャップ部側のヨーク中は、磁気記録媒体におけ
るトラック中に適合させるべきなので、トラック中が大
きくなればそれに従って大きくする必要がある。

ところが、磁気抵抗効果素子側のヨーク中は、ヘッドギ
ャップ部側のヨーク中と同じ巾である必要はないので、
トラック中が大きくなっても小さな巾にすることができ
る。

そうすると、それに合わせて、高保持力強磁性体間の間
隔を小さくできるから、距離による弱磁界の大きさの差
（不均一）を無視することができ、上述した第１の問題
点が解決され、好適にバルクハウゼンノイズを抑制する
ことができる。

一方、高保持力強磁性体の間隔は比較的大きな間隔とし
、磁気抵抗効果素子側のヨーク中をそれに比べて小さく
すれば、高保持力強磁性体とヨークの間に大きな磁気的
空隙が形成される。このため、ヨーク側への磁束の漏洩
が減少し、上記第２の問題点が解消される。従って、好
適にバルクハウゼンノイズを抑制することができる。

実施例 以下、図に示す実施例に基づいて本発明を更に詳しく説
明する。ここに第１図は本発明の一実施例のヨーク型磁
気抵抗効果Ｎ膜ヘッドの模式的斜視図、第２図は第１図
に示す実施例の模式的平面図、第３図は本発明の他の実
施例の第１図相当図、第４図は第３図に示す実施例の模
式的平面図である、なお、図に示す実施例により本発明
が限定されるものではない。

第１図に示すヨーク型磁気抵抗効果薄換ヘッド１におい
て、上側ヨーク２および５は、膜厚０．５〜２．０μｍ
のパーマロイ膜で形成され、ヘッドギャップ部４１１の
巾Ｗｌは磁気記録媒体Ｍのトランク巾に適合した巾とさ
れ、一方、ＭＲ素子６　Ｉｌｌの巾Ｗ、は前記Ｗ！より
も小さな巾とされている。

Ｗｌとしては例えば１００μｍであり、Ｗ２としては例
えば５０μｍである。なお、図面化の都合上、特に垂直
方向の寸法を水平方向の寸法より大きく誇張して描いて
あり、これは第３図も同様である。

下側ヨーク３は、例えば多結晶ＮｉＺｎフェライト基板
や、単結晶または多結晶ＭｎＺｎフェライト基板の如き
高透磁率磁性体にて形成されている。

上側ヨーク２と下側ヨーク３の間に形成されるヘッドギ
ャップ部４の空隙長さｇは、記録波長が最小０．５μｍ
程度であるので、例えば０．２〜０．３μｍに設定され
る。

ＭＲ素子６は、例えば膜厚２００〜１０００人のＮｉ−
ＦｅやＮｉ−Ｃｏの如き強磁性体の薄膜で形成され、そ
の長手方向の長さとしては例えば１６０μｍであり、巾
は例えば３０μｍである。

リード導体７．８は、例えば膜厚１０００〜２０００人
のＡ　ｌ　−Ｃｕ　ｍＷにて形成されている。その巾は
例えば２０μｍである。

高保持力強磁性膜１０．１１は、例えば１’ＱＩ”２１
０００〜２０００人のＣｏ−Ｐ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｎ１−Ｃ
ｏ−Ｐ等で形成されており、良好な４電性を有するので
ＭＲ素子６とリード導体７．８の間に形成されている。

そして、上側ヨーク２，５の近傍まで延設されているが
、ＭＲ素子６側のヨーク中Ｗ、が狭くされているため、
高保持力強磁性膜１０．１１の間隔も小さくなっている
。その間隔は、例えば６０μｍである。

ＭＲ素子６および高保持力強磁性膜１０．１１は、その
長手方向に、例えば１０ｋＯ，程度の磁界を印加するこ
とにより着Ｌｔされている。

バイアス磁界形成用導体９は、例えばｆｆ（１：１００
０〜２０００人のＡβ−Ｃｕ膜にて形成されている。そ
の巾は例えば５０μｍである。

このヨーク型磁気抵抗効果薄膜ヘッド１によれば、磁気
記録媒体Ｍのトラ、り巾が大きな場合でも高保持力強磁
性膜１０．１１の間隔を小さくできるので、ＭＲ素子６
のどの部分にも好適に弱磁界が印加され、バルクハウゼ
ンノイズを良好に抑制することができる。

第３図および第４図は本発明の他の実施例のヨーク型磁
気抵抗効果薄膜ヘッド２１を示すものである。

このヨーク型磁気抵抗効果薄膜へフド２１において、高
保持力強磁性膜３０．３１以外の構成要素は、上記実施
例の薄膜ヘッド１の構成要素と同様であり同じ参照番号
を付している。

高保持力強磁性膜３０．３１が上記実施例の薄膜ヘッド
１の高保持力強磁性膜１０．１１と異なる点は、上側ヨ
ーク２，５の近傍には延設されていないことである。

この結果、高保持力強磁性膜３０．３１とヨーク２．５
の間隔Ｃが大きくなり、例えば３５μｍである。

そこで、高保持力強磁性膜３０．３１による磁束がヨー
ク２．５へ漏洩することが防止され、ＭＲ素子６に良好
に弱磁界が印加されるようになる。

従って、好適にバルクハウゼンノイズを抑制することが
できる。

変形実施例としては、先の実施例の薄膜ヘッド１におい
て、リード導体７．８を高保持力強磁性１９１０．１１
に重なるように延設したものが挙げられる。

また、他の実施例としては、指数関数的な曲線でヨーク
中が変化するようなヨーク２，５の形状としたものが挙
げられる。

発明の効果 本発明によれば、高保持力強磁性体を磁気抵抗効果素子
に強磁性結合せしめてバルクハウゼンノイズを抑制する
と共に、ヨークにてヘッドギャップ部から磁気抵抗効果
素子に磁束を導くようにしたヨーク型磁気抵抗効果薄膜
ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子側のヨーク中をヘッ
ドギャップ部ＩＩ＋のヨーク巾よりも狭くしたことを特
徴とするヨーク型磁気抵抗効果薄膜ヘッドが提供され、
これにより磁気記録媒体のトランク巾が大きくなった場
合においても良好にバルクハウゼンノイズを抑制できる
ようになる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のヨーク型磁気抵抗効果薄膜
ヘッドの模式的斜視ズ、第２図は第１図に示す実施例の
模式的平面図、第３図は本発明の他の実施例の第１図相
当図、第４図は第３図に示す実施例の模式的平面図、第
５図は従来のヨーク型磁気抵抗効果薄膜ヘッドの一例の
模式的平面図、第６図は第５図に示す従来例の模式的斜
視図である。 （符号の説明） １．２１・・・ヨーク型磁気抵抗効果ｉ膜ヘッド２．５
・・・上側ヨーク ３・・・下側ローフ ４・・・ヘッドギャップ部 ６・・・磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）７．８・・・リ
ード導体 ９・・・バイアス磁界形成用導体 １０．１１・・・高保持力強磁性膜 ３０．３１・・・高保持力強磁性膜 Ｗ１・・・ヘンドギャップ部側のヨーク中ｗ２・・・磁
気抵抗効果素子側のヨーク中Ｓ・・・スペーシング Ｍ・・・磁気記録媒体。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、高保持力強磁性体を磁気抵抗効果素子に強磁性結合
   せしめてバルクハウゼンノイズを抑制すると共に、ヨー
   クにてヘッドギャップ部から磁気抵抗効果素子に磁束を
   導くようにしたヨーク型磁気抵抗効果薄膜ヘッドにおい
   て、磁気抵抗効果素子側のヨーク巾をヘッドギ ャップ部側のヨーク巾よりも狭くしたことを特徴とする
   ヨーク型磁気抵抗効果薄膜ヘッド。