JPS6386485A - トンネル型ジヨセフソン接合素子 - Google Patents
トンネル型ジヨセフソン接合素子Info
- Publication number
- JPS6386485A JPS6386485A JP61229535A JP22953586A JPS6386485A JP S6386485 A JPS6386485 A JP S6386485A JP 61229535 A JP61229535 A JP 61229535A JP 22953586 A JP22953586 A JP 22953586A JP S6386485 A JPS6386485 A JP S6386485A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- nbn
- tunnel barrier
- barrier layer
- auxiliary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、トンネル型ジョセフソン接合素子に関する。
（従来の技術）
ジョセフソン接合素子で構成される論理回路や記憶回路
は半導体回路に比べ消費電力が小さく、高速で動作する
という大きな利点を有している。
は半導体回路に比べ消費電力が小さく、高速で動作する
という大きな利点を有している。
回路の集積化に伴ない、こうした利点を最大限に活用で
きるジョセフソン接合素子の開発が求められている。高
速動作のためにジョセフソン接合素子に要求される主な
特性として、ギャップ電圧が大きいこと、接合容量が小
さいこと、サブギャップリーク電流が小さいことがあげ
られる。これらの特性はエネルギーギャップの大きな超
伝導体層、すなわち超伝導転移温度Ｔｃの大きな超伝導
体層と誘電率の小さいトンネル障壁層を用いて、しかも
超伝導体層とトンネル障壁層との間の低Ｔｃまたはノー
マルな性質を示す遷移領域をできるだけ薄くすることに
よって実現される。こうした目的に最適なジョセフソン
接合素子として、超伝導体層にＮｂＮ膜を用い、トンネ
ル障壁層に金属または半導体の酸化膜を用いたものが注
目されている。
きるジョセフソン接合素子の開発が求められている。高
速動作のためにジョセフソン接合素子に要求される主な
特性として、ギャップ電圧が大きいこと、接合容量が小
さいこと、サブギャップリーク電流が小さいことがあげ
られる。これらの特性はエネルギーギャップの大きな超
伝導体層、すなわち超伝導転移温度Ｔｃの大きな超伝導
体層と誘電率の小さいトンネル障壁層を用いて、しかも
超伝導体層とトンネル障壁層との間の低Ｔｃまたはノー
マルな性質を示す遷移領域をできるだけ薄くすることに
よって実現される。こうした目的に最適なジョセフソン
接合素子として、超伝導体層にＮｂＮ膜を用い、トンネ
ル障壁層に金属または半導体の酸化膜を用いたものが注
目されている。
ＮｂＮ膜の場合、各種スパッタ法によりＴｃの高い膜（
Ｔｃ−１５Ｋ）が１００°Ｃ以下の比較的低い基板温度
で得られることから、トンネル障壁層の形成後に超伝導
体層を被着する際にも、超伝導体層とトンネル障壁層と
の熱反応が他の高Ｔｃ超伝導体膜に比べて進行しにくく
、良好な接合特性が期待できる。
Ｔｃ−１５Ｋ）が１００°Ｃ以下の比較的低い基板温度
で得られることから、トンネル障壁層の形成後に超伝導
体層を被着する際にも、超伝導体層とトンネル障壁層と
の熱反応が他の高Ｔｃ超伝導体膜に比べて進行しにくく
、良好な接合特性が期待できる。
従来例として、上田らによって１９８５年に発表された
電子通信学会技術報告のＣＰＭ８５−２７〜１２ページ
の論文などがある。ここで提案されたジョセフソン接合
素子は、第２図に示すように、基板２１上に形成された
ＮｂＮでなる第１の超伝導体層２２と、この第１の超伝
導体層２２上に形成されたトンネル障壁層２３と、この
トンネル障壁層２３を介して第１の超伝導体層２２と対
向して形成されたＮｂＮでなる第２の超伏′２２上に金
属層を被着した後、その表面を酸化を含むガス雰囲気で
熱酸化やプラズマ酸化してトンネル障壁層２３を形成す
る方法は、酸化膜そのものを被着する方法に比べて基板
面内での酸化膜厚の均−性及び制御性が優れていること
から一般によく用いられる。
電子通信学会技術報告のＣＰＭ８５−２７〜１２ページ
の論文などがある。ここで提案されたジョセフソン接合
素子は、第２図に示すように、基板２１上に形成された
ＮｂＮでなる第１の超伝導体層２２と、この第１の超伝
導体層２２上に形成されたトンネル障壁層２３と、この
トンネル障壁層２３を介して第１の超伝導体層２２と対
向して形成されたＮｂＮでなる第２の超伏′２２上に金
属層を被着した後、その表面を酸化を含むガス雰囲気で
熱酸化やプラズマ酸化してトンネル障壁層２３を形成す
る方法は、酸化膜そのものを被着する方法に比べて基板
面内での酸化膜厚の均−性及び制御性が優れていること
から一般によく用いられる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記ジョセフソン接合素子の構造では、
ＮｂＮでなる第１の超伝導体層２２とトンネル障壁層２
３となるＡ１膜が直接接触している。そのため窒化の生
成エネルギーの小さいＡＩがＮｂＮがらＮ原子を奪う反
応が起こり、第１の超伝導体層２２表面に化学量論的組
成よりもＮ原子の少ない低Ｔｃ層またはノーマル層が形
成される。
ＮｂＮでなる第１の超伝導体層２２とトンネル障壁層２
３となるＡ１膜が直接接触している。そのため窒化の生
成エネルギーの小さいＡＩがＮｂＮがらＮ原子を奪う反
応が起こり、第１の超伝導体層２２表面に化学量論的組
成よりもＮ原子の少ない低Ｔｃ層またはノーマル層が形
成される。
このようにして、第１の超伝導体層２２とトンネル障壁
層２３との間の遷移領域が広がる結果、ジョセフソン接
合素子のギャップ電圧が減少するという問題やサブギャ
ップリーク電流が増加するという問題を生じる。また、
トンネル障壁層２３と第２の超ギーが隅の値よりも小さ
いためにＡＩの場合と同じ問題を生じる。
層２３との間の遷移領域が広がる結果、ジョセフソン接
合素子のギャップ電圧が減少するという問題やサブギャ
ップリーク電流が増加するという問題を生じる。また、
トンネル障壁層２３と第２の超ギーが隅の値よりも小さ
いためにＡＩの場合と同じ問題を生じる。
本発明の目的は、このような従来の欠点を取り除いたジ
ョセフソン接合素子を提供することにある。
ョセフソン接合素子を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明によれば、基板上に形成されたＮｂＮでなる第１
の超伝導体層と、この第１の超伝導体層上に形成された
トンネル障壁層、と、このトンネル障壁層を介して前記
第１の超伝導体層と対向して形成されたＮｂＮでなる第
２の超伝導体層とを基本構成要素とするジョセフソン接
合素子において、前記第１の超伝導体層と前記トンネル
障壁層との間または前記トンネル障壁層と前記第２の超
伝導体層との間の少なくとも一方にクーパー対の侵入深
さ以下の膜厚のＳｉまたはＧｅでなる補助層を介在させ
たことを特徴とするジョセフソン接合素子が得られる。
の超伝導体層と、この第１の超伝導体層上に形成された
トンネル障壁層、と、このトンネル障壁層を介して前記
第１の超伝導体層と対向して形成されたＮｂＮでなる第
２の超伝導体層とを基本構成要素とするジョセフソン接
合素子において、前記第１の超伝導体層と前記トンネル
障壁層との間または前記トンネル障壁層と前記第２の超
伝導体層との間の少なくとも一方にクーパー対の侵入深
さ以下の膜厚のＳｉまたはＧｅでなる補助層を介在させ
たことを特徴とするジョセフソン接合素子が得られる。
（作用）
本発明による構造では、ＮｂＮでなる第１の超伝導体層
とトンネル障壁層との間、またはトンネル障壁層とＮｂ
Ｎでなる第２の超伝導体層との間の少なくたは半導体の
方が歯より窒素一原子当り窒化の生成エネルギーが小さ
い場合でも、上記金属または半導体が第１、第２の超伝
導体層からＮ原子を奪う反応は補助層によって防止され
る。また、補助層に用いたＳｉまたはＧｅの窒素一原子
当りの窒化の生成エネルギーがＮｂの値と同等かそれ以
上であるため、第１、第２の超伝導体層と補助層との反
応は進行しにくい。さらに、補助層の膜厚がクーパー対
の侵入深さ以下であることから、プロキシミティ効果に
より第１Ｊ第２の超伝導体材料であるＮｂＮの超伝導特
性が保持され、しかもサブギャップリーク電流の小さい
ジョセフソン接合素子が形成できる。
とトンネル障壁層との間、またはトンネル障壁層とＮｂ
Ｎでなる第２の超伝導体層との間の少なくたは半導体の
方が歯より窒素一原子当り窒化の生成エネルギーが小さ
い場合でも、上記金属または半導体が第１、第２の超伝
導体層からＮ原子を奪う反応は補助層によって防止され
る。また、補助層に用いたＳｉまたはＧｅの窒素一原子
当りの窒化の生成エネルギーがＮｂの値と同等かそれ以
上であるため、第１、第２の超伝導体層と補助層との反
応は進行しにくい。さらに、補助層の膜厚がクーパー対
の侵入深さ以下であることから、プロキシミティ効果に
より第１Ｊ第２の超伝導体材料であるＮｂＮの超伝導特
性が保持され、しかもサブギャップリーク電流の小さい
ジョセフソン接合素子が形成できる。
第１の超伝導体層上に金属または半導体を被着した後、
その酸化、窒化、フッ化のいずれかの化学反応によって
形成されたトンネル障壁層は基板面内での膜厚の均−性
及び制御性が優れている。また、上記化学反応における
酸素、窒素、フッ素一原子当りの生成エネルギーがＳｉ
またはＧｅにおける同一反応の値よりも小さな値をもつ
金属や半導体の化合物を用いることによって補助層とト
ンネル障壁層との反応を大幅に軽減することができる。
その酸化、窒化、フッ化のいずれかの化学反応によって
形成されたトンネル障壁層は基板面内での膜厚の均−性
及び制御性が優れている。また、上記化学反応における
酸素、窒素、フッ素一原子当りの生成エネルギーがＳｉ
またはＧｅにおける同一反応の値よりも小さな値をもつ
金属や半導体の化合物を用いることによって補助層とト
ンネル障壁層との反応を大幅に軽減することができる。
（実施例）
本発明の実施例を図面で参照して詳細に説明する。
このジョセフソン接合素子は第１図に示すように、絶縁
体基板あるいは表面に絶縁体を有する基板１１上に形成
されｍｌ相Ｎでなる第１の超伝導体層１２と、この第１
の超伝導体層１２上に形成されたＳｉまたはＧｅでなる
第１の補助層１３と、この第１の補助層１３上に形成さ
れたトンネル障壁層１４と、このトンネル障壁層１４を
介して第１の補助層１３と対向して形成されたＳｉまた
はＧｅでなる第２の補助層１５と、この第２の補助層１
５上に形成されたＮｂＮでなる第２の超伝導体層１６と
で構成されている。第１、第２の超伝導体層１２．１６
はアルゴン−窒素雰囲気中でＮｂターゲットをスパッタ
して得られた膜厚２０００人のＮｂＮ膜である。この膜
のＴｃは１５〜１６にである。第１、第２の補助Ｒ１３
，１５は膜厚約５０人の電子ビーム蒸着膜である。トン
ネル障壁層１４には、まず数１０人のＡ１膜をスパッタ
した後、その表面を純酸素雰囲気中で熱酸化して形成さ
れたＡＩ酸化膜が用いら°れる。
体基板あるいは表面に絶縁体を有する基板１１上に形成
されｍｌ相Ｎでなる第１の超伝導体層１２と、この第１
の超伝導体層１２上に形成されたＳｉまたはＧｅでなる
第１の補助層１３と、この第１の補助層１３上に形成さ
れたトンネル障壁層１４と、このトンネル障壁層１４を
介して第１の補助層１３と対向して形成されたＳｉまた
はＧｅでなる第２の補助層１５と、この第２の補助層１
５上に形成されたＮｂＮでなる第２の超伝導体層１６と
で構成されている。第１、第２の超伝導体層１２．１６
はアルゴン−窒素雰囲気中でＮｂターゲットをスパッタ
して得られた膜厚２０００人のＮｂＮ膜である。この膜
のＴｃは１５〜１６にである。第１、第２の補助Ｒ１３
，１５は膜厚約５０人の電子ビーム蒸着膜である。トン
ネル障壁層１４には、まず数１０人のＡ１膜をスパッタ
した後、その表面を純酸素雰囲気中で熱酸化して形成さ
れたＡＩ酸化膜が用いら°れる。
本実施例によれば、第１、第２の超伝導体層１２゜１６
とトンネル障壁層１４との間にそれぞれ第１、第２の補
助層１３．１５が設けであるため、第１、第２の超伝導
体層１２．１６とトンネル障壁層１４との反応は第１、
第２の補助層１３．１５によって防止される。また、補
助層に用いたＳＬ、Ｇｅの窒化反応における窒素一原子
当りの生成エネルギーはそれぞｔ′Ｌ−５９，−３，８
ｋｃａｌ／ｍｏｌで、Ｎｂの同一 反応における値−５
６ｋｃａｌ ／ｍｏｌと同等か、それ以上である。その
ため、ＳｉまたはＧｅが超伝導体層のＮｂＮと接触して
いても、ＳｉまたはＧｅがＮｂＮからＮ原子を奪う反応
は進行しにくい。さらに、補助層の膜厚が約５０人と、
クーパー対の侵入深さ以下にされることによりＮｂＮ／
ＮｂＮ接合素子の本来のギャップ電圧を保持し、しかも
サブギャップリーク電流の小さいジョセフソン接合素子
が得られる。
とトンネル障壁層１４との間にそれぞれ第１、第２の補
助層１３．１５が設けであるため、第１、第２の超伝導
体層１２．１６とトンネル障壁層１４との反応は第１、
第２の補助層１３．１５によって防止される。また、補
助層に用いたＳＬ、Ｇｅの窒化反応における窒素一原子
当りの生成エネルギーはそれぞｔ′Ｌ−５９，−３，８
ｋｃａｌ／ｍｏｌで、Ｎｂの同一 反応における値−５
６ｋｃａｌ ／ｍｏｌと同等か、それ以上である。その
ため、ＳｉまたはＧｅが超伝導体層のＮｂＮと接触して
いても、ＳｉまたはＧｅがＮｂＮからＮ原子を奪う反応
は進行しにくい。さらに、補助層の膜厚が約５０人と、
クーパー対の侵入深さ以下にされることによりＮｂＮ／
ＮｂＮ接合素子の本来のギャップ電圧を保持し、しかも
サブギャップリーク電流の小さいジョセフソン接合素子
が得られる。
本実施例でトンネル障壁層１４を形成するために用いた
ＡＩの酸化反応における酸素一原子当りの生成エネルギ
ーは一１３０ｋｃａｌ／ｍｏｌで、Ｓｉ、Ｇｅの同一反
応における値−１０８、−６３ｋｃａｌ／ｍｏｌより大
きな絶対値をもつためＡＩ酸化膜と超伝導体層との反応
も生じない。以上のことから、各層界面で遷移領域の薄
い良好なジョセフソン、接合素子が形成できる。
ＡＩの酸化反応における酸素一原子当りの生成エネルギ
ーは一１３０ｋｃａｌ／ｍｏｌで、Ｓｉ、Ｇｅの同一反
応における値−１０８、−６３ｋｃａｌ／ｍｏｌより大
きな絶対値をもつためＡＩ酸化膜と超伝導体層との反応
も生じない。以上のことから、各層界面で遷移領域の薄
い良好なジョセフソン、接合素子が形成できる。
本実施例では、補助層を第１の超伝導体層１２と゛トン
ネル障壁層１４との間、トンネル障壁層１４と第２の超
伝導体層１６との間の双方に設けたが、成膜条件に応じ
てどちらか一方でもその効果は大きい。特に、トンネル
障壁層１４を金属または半導体の被着後の酸化、窒化ま
たはフッ化によって形成する場合には、第１の超伝導体
層１２とトンネル障壁層１４と＝ＡＩ酸化膜を用いたが
、他の金属や半導体を酸化、窒化またはフッ化の各反応
により形成した絶縁膜、被着した絶縁膜や半導体膜でも
同様な効果が得られる。特にトンネル障壁層１４の構成
原子である金属または半導体の方がＳｉ、Ｇｅよりも上
記各反応に対す・る生成エネルギーが小さい場合にはト
ンネル障壁層１４はより安定である。
ネル障壁層１４との間、トンネル障壁層１４と第２の超
伝導体層１６との間の双方に設けたが、成膜条件に応じ
てどちらか一方でもその効果は大きい。特に、トンネル
障壁層１４を金属または半導体の被着後の酸化、窒化ま
たはフッ化によって形成する場合には、第１の超伝導体
層１２とトンネル障壁層１４と＝ＡＩ酸化膜を用いたが
、他の金属や半導体を酸化、窒化またはフッ化の各反応
により形成した絶縁膜、被着した絶縁膜や半導体膜でも
同様な効果が得られる。特にトンネル障壁層１４の構成
原子である金属または半導体の方がＳｉ、Ｇｅよりも上
記各反応に対す・る生成エネルギーが小さい場合にはト
ンネル障壁層１４はより安定である。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、ＮｂＮでなる超伝
導体層とトンネル障壁層との間にコヒーレンス長以下の
膜厚を有するＳｉまたはＧｅでなる補助層が設けられて
いるため、超伝導体層とトンネル障壁層との反応で生じ
る低Ｔｃ層やノーマル層を介在することなく、ＮｂＮ本
来のギャップ電圧をもち、サブギャップリーク電流の小
さいジョセ７ソン接合素子が得られる。また、Ｓｉ、Ｇ
ｅと比較して、反応の生成エネルギーが小さな金属また
は半導体を酸化、窒化またはフッ化して形成した化合物
をトンネル障壁層に用いることにより、その化学的な安
定性、膜厚の均−性及び制御性がさらに改善されたジョ
セフソン接合素子が得られる。
導体層とトンネル障壁層との間にコヒーレンス長以下の
膜厚を有するＳｉまたはＧｅでなる補助層が設けられて
いるため、超伝導体層とトンネル障壁層との反応で生じ
る低Ｔｃ層やノーマル層を介在することなく、ＮｂＮ本
来のギャップ電圧をもち、サブギャップリーク電流の小
さいジョセ７ソン接合素子が得られる。また、Ｓｉ、Ｇ
ｅと比較して、反応の生成エネルギーが小さな金属また
は半導体を酸化、窒化またはフッ化して形成した化合物
をトンネル障壁層に用いることにより、その化学的な安
定性、膜厚の均−性及び制御性がさらに改善されたジョ
セフソン接合素子が得られる。
第１図は本発明のジョセフソン接合素子を示す断面図、
第２図は従来のジョセフソン接合素子を示す断面図であ
る。 図において、 １１．２１は基板、１２．２２はＮｂＮでなる第１の超
伝導体層、１３はＳｉまたはＧｅでなる第１の補助層、
１４．２３はトンネル障壁層、１５はＳｉまたはＧｅで
なる第２の補助層、１６．２４はＮｂＮでなる第２の超
伝導体層である。
第２図は従来のジョセフソン接合素子を示す断面図であ
る。 図において、 １１．２１は基板、１２．２２はＮｂＮでなる第１の超
伝導体層、１３はＳｉまたはＧｅでなる第１の補助層、
１４．２３はトンネル障壁層、１５はＳｉまたはＧｅで
なる第２の補助層、１６．２４はＮｂＮでなる第２の超
伝導体層である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に形成されたＮｂＮでなる第１の超伝導体層
と、この第１の超伝導体層上に形成されたトンネル障壁
層と、このトンネル障壁層を介して前記第１の超伝導体
層と対向して形成されたＮｂＮでなる第２の超伝導体層
とを基本構成要素とするジョセフソン接合素子において
、前記第１の超伝導体層と前記トンネル障壁層との間ま
たは前記トンネル障壁層と前記第２の超伝導体層との間
の少なくとも一方にクーパー対の侵入深さ以下の膜厚の
ＳｉまたはＧｅでなる補助層を介在させたことを特徴と
するジョセフソン接合素子。 ２、前記トンネル障壁層が金属または半導体の酸化、窒
化、フッ化のいずれかの化学反応により形成された化合
物で、前記化学反応における酸素、窒素、フッ素一原子
当りの生成エネルギーがＳｉまたはＧｅに対する同一反
応よりも小さいことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のジョセフソン接合素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61229535A JPS6386485A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | トンネル型ジヨセフソン接合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61229535A JPS6386485A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | トンネル型ジヨセフソン接合素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6386485A true JPS6386485A (ja) | 1988-04-16 |
| JPH0515314B2 JPH0515314B2 (ja) | 1993-03-01 |
Family
ID=16893691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61229535A Granted JPS6386485A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | トンネル型ジヨセフソン接合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6386485A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DK1339837T3 (da) | 2000-12-07 | 2008-06-09 | Dsm Ip Assets Bv | Prolyl-endoprotease fra Aspergillus Niger |
| BRPI0507485A (pt) | 2004-02-05 | 2007-07-10 | Probiodrug Ag | inibidores novos de glutaminil ciclase |
| ATE554085T1 (de) | 2006-11-30 | 2012-05-15 | Probiodrug Ag | Neue inhibitoren von glutaminylcyclase |
| EA200901140A1 (ru) | 2007-03-01 | 2010-04-30 | Пробиодруг Аг | Новое применение ингибиторов глутаминилциклазы |
| US9181233B2 (en) | 2010-03-03 | 2015-11-10 | Probiodrug Ag | Inhibitors of glutaminyl cyclase |
| US8269019B2 (en) | 2010-03-10 | 2012-09-18 | Probiodrug Ag | Inhibitors |
| JP5945532B2 (ja) | 2010-04-21 | 2016-07-05 | プロビオドルグ エージー | グルタミニルシクラーゼの阻害剤としてのベンゾイミダゾール誘導体 |
| US8530670B2 (en) | 2011-03-16 | 2013-09-10 | Probiodrug Ag | Inhibitors |
| PL3461819T3 (pl) | 2017-09-29 | 2020-11-30 | Probiodrug Ag | Inhibitory cyklazy glutaminylowej |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5990977A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-05-25 | スペリ・コ−ポレ−シヨン | 超伝導トンネルジヤンクシヨン素子 |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP61229535A patent/JPS6386485A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5990977A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-05-25 | スペリ・コ−ポレ−シヨン | 超伝導トンネルジヤンクシヨン素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0515314B2 (ja) | 1993-03-01 |
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