[go: up one dir, main page]

JPS6374222A - Semiconductor optical transmitter - Google Patents

Semiconductor optical transmitter

Info

Publication number
JPS6374222A
JPS6374222A JP61220229A JP22022986A JPS6374222A JP S6374222 A JPS6374222 A JP S6374222A JP 61220229 A JP61220229 A JP 61220229A JP 22022986 A JP22022986 A JP 22022986A JP S6374222 A JPS6374222 A JP S6374222A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
output
optical spectrum
semiconductor laser
peltier element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61220229A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideyo Higuchi
樋口 英世
Kazutomi Yoshida
吉田 一臣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP61220229A priority Critical patent/JPS6374222A/en
Publication of JPS6374222A publication Critical patent/JPS6374222A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Communication System (AREA)

Abstract

PURPOSE:To eliminate a problem of the reliability of a Peltier element by controlling the temperature of a semiconductor laser by the Peltier element when a spectral half value width or peak wavelength of a monitor light of the semiconductor laser is at the outside of preset range in advance by the temperature change so as to reduce the operating time of Peltier element. CONSTITUTION:One of a rear face light 21 of the semiconductor laser LD1 branched by a half mirror 5 is received by a photo diode PD 3 and an APC circuit 10 controls a drive current of the LD 1 so as to make an output current of the PD 3 constant. The spectral half value width DELTAlambda is measured from the other of the light 21 by an optical spectrum analyzer 6 and the value is outputted digitally to a temperature control section 7. The temperature control section 7 controls the peltier element 4 to control the temperature of the LD 1 when the output of the optical spectrum analyzer 6 is at the outside of the preset range due to the temperature change thereby controlling the output of the optical spectrum, analyzer 6 within the preset range. Thus, the spectral half value width DELTAlambda does not exceed the allowable value and the drive time of the Peltier element 4 is decreased to reduce the load.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、長距離・大容量光通信に適する半導体光伝
送装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor optical transmission device suitable for long-distance, large-capacity optical communication.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

半導体レーザ(以下LDと略す)は一般に一定出力(例
えば5mW)で使用されるが、しきい値電流の温度依存
性が顕著であるため、一定電流で駆動されている状態で
は温度変動(ヒートシンクの温度変動)により光出力が
顕著に変動する。このため、実使用に際してLDはA 
P C(A uton+aticP ower Con
trol)回路またはA T C(A utomati
eT eo+perature Control)回路
付で使用されろことがほとんどである。
Semiconductor lasers (hereinafter abbreviated as LD) are generally used with a constant output (for example, 5 mW), but because the temperature dependence of the threshold current is significant, temperature fluctuations (heat sink temperature fluctuations), the light output fluctuates significantly. Therefore, in actual use, the LD
P C (Auto+aticPower Con
(trol) circuit or ATC (automatic
In most cases, it is used with an eTeo+perature control) circuit.

第3図(a)は、例えばInGaAsPLDの一般カタ
ログに記載されているAPC回路を有する半導体光伝送
装置を示すブロック図、第3図(b)は、例えばNEC
技報1θ85年、38巻(No、 2 )、86ページ
に記載されているATC回路を有する半導体光伝送装置
を示すブロック図である。
FIG. 3(a) is a block diagram showing a semiconductor optical transmission device having an APC circuit described in, for example, a general catalog of InGaAsPLD, and FIG.
1 is a block diagram showing a semiconductor optical transmission device having an ATC circuit described in Technical Report 1θ85, Volume 38 (No. 2), Page 86. FIG.

これらの図において、1はファブリ・ペロー型(F−P
型)のLD、2はヒートシンク、3は前記LD1の裏面
光を受光するモニクフォトグイオ−ド(以下モニタPD
と略す)、4はベルチェ素子、1oはA20回路、11
はATCu路、2゜は前記LDIの前面光、21は前記
LDIの裏面光(モニタ光)である。
In these figures, 1 is of the Fabry-Perot type (F-P
2 is a heat sink, and 3 is a monitor photodiode (hereinafter referred to as monitor PD) that receives the backside light of the LD1.
), 4 is a Bertier element, 1o is an A20 circuit, 11
is the ATCu path, 2° is the front light of the LDI, and 21 is the back light (monitor light) of the LDI.

次にそれぞれの動作について説明する。Next, each operation will be explained.

第3図(a)の構成では周囲温度が変動し、ヒートシン
ク2の温度が変動してLDIのしきい値電流が変動して
もモニタPD3の受光出力、すなわち裏面光21の強度
が一定となるように、APC回路10がLDlの駆動電
流を制御する。F−P型のLDIでは両方のへき開面か
ら出射される出力光、すなわち前面光2oと裏面光21
の強度は比例している。したがって、APC回路1oの
動作時には前面光20の強度(これは一般に光ファイバ
への入射光として使用される)も一定(例えば5 m 
W )に保たれる。
In the configuration shown in FIG. 3(a), even if the ambient temperature fluctuates, the temperature of the heat sink 2 fluctuates, and the threshold current of the LDI fluctuates, the light reception output of the monitor PD 3, that is, the intensity of the back surface light 21, remains constant. As such, the APC circuit 10 controls the drive current of LD1. In the F-P type LDI, output light is emitted from both cleavage planes, that is, front light 2o and back light 21.
The strength of is proportional. Therefore, during operation of the APC circuit 1o, the intensity of the front light 20 (which is generally used as the input light to the optical fiber) is also constant (e.g. 5 m
W) is maintained.

第3図(b)の構成では周囲温度が変動してもLDlの
しきい値電流が変動しないように、ATC@路11が、
熱電対またはサーミスタにより検出されたヒートシンク
2の温度が一定値(例えば室温)となるように、ベルチ
ェ素子4に流れる電流値を制御する。したがって、例え
ば室温で前面光20の強度が5rnWの場合、周囲温度
が変動してもLDlのしきい値電流は一定となり、前面
光20の強度は5mWのまま一定に保たれる。
In the configuration of FIG. 3(b), the ATC@path 11 is configured such that the threshold current of LDl does not change even if the ambient temperature changes.
The current value flowing through the Vertier element 4 is controlled so that the temperature of the heat sink 2 detected by the thermocouple or thermistor becomes a constant value (for example, room temperature). Therefore, for example, when the intensity of the front light 20 is 5 rnW at room temperature, the threshold current of LD1 remains constant even if the ambient temperature changes, and the intensity of the front light 20 remains constant at 5 mW.

そして、一定出力状態では、光通信用F−1)型のLD
lのスペクトルは一般に第4図(a)のような形状をし
ており、数本の縦モードが立っている。
In a constant output state, F-1) type LD for optical communication
The spectrum of 1 generally has a shape as shown in FIG. 4(a), with several longitudinal modes.

室Q、5mW出力時には、スペクトル半値幅Δλ(ピー
ク波長の172の強度となるスペクトルの広がり)が2
〜3nm程度となる。
At chamber Q and 5 mW output, the spectral half-width Δλ (the spread of the spectrum with an intensity of 172 of the peak wavelength) is 2.
~3 nm.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上記のような従来の半導体光伝送装置では、LDlがA
PC駆動される場合、温度とともに動作電流(一定光出
力、例えば5mW出力を与える電流値)が変化するので
、第5図に示すようにスペクトル半値幅Δλがある温度
(電流)で突然大きくなることがある。第4図(b)、
(C)は第5図のb点、0点におけるスペクトル形状を
示している。
In the conventional semiconductor optical transmission device as described above, LDl is A
When a PC is driven, the operating current (current value that provides a constant optical output, for example, 5 mW output) changes with temperature, so as shown in Figure 5, the spectral half-width Δλ suddenly increases at a certain temperature (current). There is. Figure 4(b),
(C) shows the spectrum shape at point b and point 0 in FIG.

第5図の0点のようにスペクトル半値幅Δλが大キ<ナ
ルのは、温度(電流)上昇とともにピーク波長が長波長
側に移るときの波長の飛びが大きい、すなわち縦モード
本数の飛びが大きい場合であることが多い。また、温度
下降の場合にも第5図のd点のように、スペクトル半値
幅Δλが大きくなることがある。
When the spectral half-width Δλ is large (as at point 0 in Figure 5), there is a large wavelength jump when the peak wavelength shifts to longer wavelengths as the temperature (current) rises, that is, there is a large jump in the number of longitudinal modes. This is often the case. Furthermore, when the temperature decreases, the spectral half-width Δλ may increase as shown at point d in FIG. 5.

長距離・大容量光通信ではLDlの波長の広がり、すな
わちスペクトル半値幅Δλが大きいと伝送媒体となる光
ファイバの分散特性により信号間の干渉が起こるため、
伝送距離、変調速度が制限されるようになる。数10 
Km、 50Mb/sec以上の伝送では、スペクトル
半値幅2λの許容値は数nmとなる。仮に許容値を4.
5nnとすると、第5図のC′点、d点の温度ではスペ
クトル半値幅Δλは許容値を超え、使用不可となる問題
点があった〇 一方、LDlがATC駆動される場合には、LD1自体
の温度が一定であるので動作電流も一定となり、固定さ
れている温度でスペクトル半値幅Δλが許容値を超えて
いる場合以外は、第5図の0点、d点の温度で使用不可
となる問題点は生じない。しかし、一般にベルチェ素子
4を駆動するには、アンペアオーダの大きな電流が必要
であり、また、現状ではベルチェ素子4自体の寿命(信
頼性)が、LDlに比べて必ずしも明らかにはなってい
ないので、これを用いるのは信頼性上の問題点があった
In long-distance, high-capacity optical communications, if the wavelength spread of LDl, that is, the spectral half-width Δλ, is large, interference between signals will occur due to the dispersion characteristics of the optical fiber that is the transmission medium.
Transmission distance and modulation speed will be limited. number 10
For transmission of Km, 50 Mb/sec or more, the permissible value of the spectral half-width 2λ is several nanometers. If the allowable value is set to 4.
5nn, the spectral half-width Δλ exceeds the allowable value at the temperatures of points C' and d in FIG. Since the temperature of LD1 itself is constant, the operating current is also constant, and unless the spectral half width Δλ exceeds the allowable value at the fixed temperature, it cannot be used at the temperature of point 0 and point d in Figure 5. This problem does not arise. However, in general, driving the Beltier element 4 requires a large current on the order of amperes, and currently the lifespan (reliability) of the Beltier element 4 itself is not necessarily clear compared to that of the LDl. However, using this method had reliability problems.

この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、スペクトル半値幅の異常増大を防ぐことができる
半導体光伝送装置を得ろことを目的とする。
The present invention has been made to solve these problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor optical transmission device that can prevent an abnormal increase in the spectral half-width.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明に係る半導体光伝送装置は、半導体レーザの温
度を変化させろためのベルチェ素子と、半導体レーザの
モニタ光のスペクトル半値幅またはピーク波長を測定す
る光スペクトラムアナライザと、この先スペクトラムア
ナライザの出力が温度変化によりあらかじめ設定された
範囲外となったときにベルチェ素子を駆動して半導体レ
ーザの温度を制御し、光スペクトラムアナライザの出力
をあらかじめ設定された範囲内におさまるようにする温
度制御部とを備えたものである。
The semiconductor optical transmission device according to the present invention includes a Vertier element for changing the temperature of a semiconductor laser, an optical spectrum analyzer for measuring the spectral half-width or peak wavelength of the monitor light of the semiconductor laser, and an optical spectrum analyzer for measuring the spectral half width or peak wavelength of the monitor light of the semiconductor laser. It is equipped with a temperature control section that controls the temperature of the semiconductor laser by driving a Vertier element when the temperature of the semiconductor laser falls outside the preset range due to a change, and keeps the output of the optical spectrum analyzer within the preset range. It is something that

〔作用〕[Effect]

この発明においては、温度変化により半導体レーザのモ
ニタ光のスペクトル半値幅またはピーク波長があらかじ
め設定された範囲外となったときに、温度制御部がベル
チェ素子を駆動して半導体レーザの温度を制御し、半導
体レーザの出力光のスペクトル半値幅またはピーク波長
をあらかじめ設定された範囲内におさまるようにする。
In this invention, when the spectral half-width or peak wavelength of the semiconductor laser monitor light falls outside a preset range due to a temperature change, the temperature control section drives the Vertier element to control the temperature of the semiconductor laser. , the spectral half width or peak wavelength of the output light of the semiconductor laser is made to fall within a preset range.

〔実施例〕〔Example〕

第1図(a)はこの発明の半導体光伝送装置の一実施例
を示すブロック図である。この図において、第4図(a
)、(b)と同一符号は同一部分を示し、5はハーフミ
ラ−16は光スペクトラムアナライザ、7は温度制御部
である。
FIG. 1(a) is a block diagram showing an embodiment of a semiconductor optical transmission device of the present invention. In this figure, Figure 4 (a
) and (b) indicate the same parts, 5 is a half mirror, 16 is an optical spectrum analyzer, and 7 is a temperature controller.

また、第1図(b)は第1図(a)における温度制御部
7の構造の一実施例を示すブロック図である。この図に
おいて、第1図(a)と同一符号は同一部分を示し、3
oは条件判定用のコンピュータ、31はD/A変換器、
32,33はそれぞれスペクトル半値幅Δλの許容レベ
ルに対応する基準電圧(図示せず)が接続された電圧比
較回路(オペアンプ回M) 、34.35はスイッチ用
のトランジスタである。
Moreover, FIG. 1(b) is a block diagram showing an example of the structure of the temperature control section 7 in FIG. 1(a). In this figure, the same reference numerals as in Fig. 1(a) indicate the same parts, and 3
o is a computer for determining conditions; 31 is a D/A converter;
Reference numerals 32 and 33 are voltage comparison circuits (op-amp circuits M) to which reference voltages (not shown) corresponding to the permissible level of the spectral half-width Δλ are connected, and 34 and 35 are switching transistors.

次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.

まず、ハーフミラ−5により分岐された裏面光21の一
方はモニタPD3により受光され、APC回路10はモ
ニタPD3の出力電流が一定になるようにLDlの駆動
電流を制御する。これは、第3図(a)に示した従来の
APC回路10の動作と同様であるが、分岐された裏面
光21の他方は光スペクトラムアナライザ6に入射し、
ここでスペクトル半値幅2λが測定され、値がディジタ
ルで温度制御部7へ出力される(スペクトル半値幅Δλ
の値が出力できる光スペクトラムアナライザ6は市販さ
れており、例えば安藤電気社製AQ−1425型、AD
VANTEST社製TQ−8345型等がある)。温度
制御部7では条件判定用のコンピュータ3oが、スペク
トル半値幅2λが温度上昇とともに大きくなっているか
、温度下降とともに太き(なっているかを判定する。例
えば第5図において、LDlがイの状態にあるか、口の
状態にあるかを判定する。イの状態にある場合、条件判
定用のコンピュータ30は光スペクトラムアナライザ6
の出力をそのままD/A変191.器31に出力し、電
圧比較回路32はD/A変換器31の出力とスペクトル
半値幅Δλの許容レベルに対応する基準電圧とを比較し
、D/A変換器31の出力が大きい場合にトランジスタ
34をオンとし、ベルチェ素子4を駆動してヒートシン
ク2の温度を下げる。
First, one of the back lights 21 branched by the half mirror 5 is received by the monitor PD3, and the APC circuit 10 controls the drive current of the LD1 so that the output current of the monitor PD3 is constant. This is similar to the operation of the conventional APC circuit 10 shown in FIG. 3(a), but the other side of the branched back light 21 enters the optical spectrum analyzer 6,
Here, the spectral half-width 2λ is measured, and the value is digitally output to the temperature control section 7 (spectral half-width Δλ
The optical spectrum analyzer 6 that can output the value of
(There are models such as TQ-8345 manufactured by VANTEST). In the temperature control unit 7, a computer 3o for condition determination determines whether the spectral half-width 2λ increases as the temperature rises or becomes thicker as the temperature decreases.For example, in FIG. If it is in the state A, the computer 30 for condition determination uses the optical spectrum analyzer 6.
The output of 191. is directly converted to D/A. The voltage comparator circuit 32 compares the output of the D/A converter 31 with a reference voltage corresponding to the permissible level of the spectral half-width Δλ, and if the output of the D/A converter 31 is large, the voltage comparator circuit 32 34 is turned on, the Bertier element 4 is driven, and the temperature of the heat sink 2 is lowered.

また、口の状態にある場合、条件判定用のコンピュータ
30は光スペクトラムアナライザ6の出力にマイナスを
付けたものをD/A変換器31に出力し、電圧比較口v
7533はD/A変換器31の出力と基準電圧とを比較
し、D/A変換器31の出力が小さい場合にトランジス
タ35をオンとし、ベルチェ素子4を駆動してヒートシ
ンク2の温度を上げる。
In addition, when the condition is in the mouth state, the computer 30 for condition determination outputs the output of the optical spectrum analyzer 6 with a minus added to the D/A converter 31, and outputs the output of the optical spectrum analyzer 6 to the D/A converter 31.
7533 compares the output of the D/A converter 31 with a reference voltage, turns on the transistor 35 when the output of the D/A converter 31 is small, drives the Vertier element 4, and raises the temperature of the heat sink 2.

すなわち、この発明では、ヒートシンク2の温度が、例
えば第5図のイと口の間になるようにベルチェ素子4が
駆動されるので、スペクトル半値幅Δλは許容値を超え
ることはなく、また、ベルチェ素子4の駆動時間も短く
負荷が軽くなるので、信頼性上の問題が極めて少なくな
る。
That is, in this invention, since the Bertier element 4 is driven so that the temperature of the heat sink 2 is, for example, between A and N in FIG. 5, the spectral half-value width Δλ does not exceed the permissible value, Since the driving time of the Beltier element 4 is short and the load is light, reliability problems are extremely reduced.

なお、上記実施例では、光スペクトラムアナライザ6が
スペクトル半値幅Δλを測定し、電圧比較回路32,3
3がスペクトル半値幅Δλとその許容レベルに対応する
基準電圧とを比較してベルチェ素子4を駆動し、LDl
のヒートシンク2の温度を制御する場合について述べた
が、光スペクトラムアナライザ6のピーク波長^の測定
値を出力させ、これが許容範囲内になるか否かによって
ベルチェ素子4を駆動し、ヒートシンク2の温度を制御
してピーク波長λを制御することも同様に可能である。
In the above embodiment, the optical spectrum analyzer 6 measures the spectral half width Δλ, and the voltage comparison circuits 32, 3
3 compares the spectral half-width Δλ with a reference voltage corresponding to its permissible level to drive the Bertier element 4, and the LDl
As described above, the temperature of the heat sink 2 is controlled by outputting the measured value of the peak wavelength ^ of the optical spectrum analyzer 6, and driving the Vertier element 4 depending on whether this is within the allowable range. It is also possible to control the peak wavelength λ by controlling λ.

第2図は5mW出力時のピーク波長λの温度依存性を示
す図である。1300nm帯にピークがあるLDlのピ
ーク波・長^は、一般に0,4r+rn/℃程度の温度
依存性を示す。したがって、この場合室温において、ピ
ーク波長λ=1302nm(a点)のLDIのピーク波
長久を1300±b囲内におさめるには、b点と0点で
ペルチェ素子4を動作させ、LDlのヒートシンク2の
温度を約7℃から約32℃の間におさめなければならな
い0 〔発明の効果〕 この発明は、以上説明したとおり、半導体レーザのモニ
タ光のスペクトル半値幅またはピーク波長が温度変化に
よりあらかじめ設定された範囲外となったときにペルチ
ェ素子によって半導体レーザの温度を制御するので、ス
ペク)・ル半値幅またはピーク波長が許容値を超えるこ
とがなくなり、長距離・大容量光通信が可能である。ま
た、ペルチェ素子の動作時間は極めて短いので、ペルチ
ェ素子の信頼性上の問題もなくなるという効果がある。
FIG. 2 is a diagram showing the temperature dependence of the peak wavelength λ when outputting 5 mW. The peak wavelength and length of LDl, which has a peak in the 1300 nm band, generally exhibits a temperature dependence of about 0.4r+rn/°C. Therefore, in this case, in order to keep the peak wavelength length of LDI with peak wavelength λ = 1302 nm (point a) within the range of 1300±b at room temperature, the Peltier element 4 is operated at point b and point 0, and the heat sink 2 of LDl is operated. The temperature must be kept between about 7°C and about 32°C. [Effects of the Invention] As explained above, the present invention provides a method in which the spectral half-width or peak wavelength of the monitor light of a semiconductor laser is set in advance by temperature changes. Since the temperature of the semiconductor laser is controlled by a Peltier element when the temperature exceeds the specified range, the half-width or peak wavelength of the spectrum does not exceed the allowable value, making long-distance, high-capacity optical communication possible. Furthermore, since the operation time of the Peltier element is extremely short, there is an effect that there is no problem with the reliability of the Peltier element.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(a)、(b)はこの発明の半導体光伝送装置の
一実施例および温度制御部の構造の一実施例を示すブロ
ック図、第2図はピーク波長の温度依存性を示す図、第
3図(a)、(b)は従来のAPC回路を有する半導体
光伝送装置および従来のATC回路を有する半導体光伝
送装置を示すブロック図、第4図はスペクトル半値幅を
説明する図、第5図はスペクトル半値幅の温度依存性を
示す図である。 図において、1はLD、2はと−トシンク、3はモニタ
PD、4はペルチェ素子、5はハーフミラ−16は光ス
ペクトラムアナライザ、7は温度制御部、iQはAPC
回路、20は前面光、21は裏面光である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 1(外2名) 第1図 第2図 第3図 (a)  ’    (b) 第4図 1300nm 300nm 第5図 一動(IC) 手続補正N(自発) 特許庁長官殿             (き1、事件
の表示   特願昭81−220229号2、発明の名
称   半導体光伝送装置3、補正をする者 さ 5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (1)明細書第2頁12行のrI nGaASPLD」
を、「三菱I nGaAsP−LDJと補正する。 (2)同じく第5頁11行の150 M b / s 
ec」を、r500Mb/5ecJと補正する。 (3)同じく第7頁14行の「第4図」を、「第3図」
と補正する。 以上
FIGS. 1(a) and (b) are block diagrams showing one embodiment of the semiconductor optical transmission device of the present invention and one embodiment of the structure of the temperature control section, and FIG. 2 is a diagram showing the temperature dependence of the peak wavelength. , FIGS. 3(a) and 3(b) are block diagrams showing a semiconductor optical transmission device having a conventional APC circuit and a semiconductor optical transmission device having a conventional ATC circuit, FIG. 4 is a diagram explaining the spectral half-width, FIG. 5 is a diagram showing the temperature dependence of the spectral half-width. In the figure, 1 is an LD, 2 is a sink, 3 is a monitor PD, 4 is a Peltier element, 5 is a half mirror, 16 is an optical spectrum analyzer, 7 is a temperature controller, and iQ is an APC.
In the circuit, 20 is a front light, and 21 is a back light. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts. Agent Masu Oiwa 1 (2 others) Figure 1 Figure 2 Figure 3 (a) ' (b) Figure 4 1300nm 300nm Figure 5 1 action (IC) Procedural amendment N (voluntary) Dear Commissioner of the Japan Patent Office ( 1. Indication of the case Japanese Patent Application No. 81-220229 2. Name of the invention: Semiconductor optical transmission device 3. Name of the person making the amendment 5. Column 6 for detailed explanation of the invention in the specification to be amended, Contents of the amendment ( 1) "rI nGaASPLD" on page 2, line 12 of the specification.
"Correct with Mitsubishi InGaAsP-LDJ. (2) 150 Mb/s also on page 5, line 11
ec'' is corrected to r500Mb/5ecJ. (3) Similarly, “Figure 4” on page 7, line 14, has been changed to “Figure 3”.
and correct it. that's all

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 半導体レーザのモニタ光を検出して前記半導体レーザの
出力光が一定になるように駆動電流を制御する構成の半
導体光伝送装置において、前記半導体レーザの温度を変
化させるためのペルチェ素子と、前記半導体レーザのモ
ニタ光のスペクトル半値幅またはピーク波長を測定する
光スペクトラムアナライザと、この光スペクトラムアナ
ライザの出力が温度変化によりあらかじめ設定された範
囲外となったときに前記ペルチェ素子を駆動して前記半
導体レーザの温度を制御し、前記光スペクトラムアナラ
イザの出力を前記あらかじめ設定された範囲内におさま
るようにする温度制御部とを備えたことを特徴とする半
導体光伝送装置。
A semiconductor optical transmission device configured to detect a monitor light of a semiconductor laser and control a drive current so that the output light of the semiconductor laser is constant, comprising: a Peltier element for changing the temperature of the semiconductor laser; an optical spectrum analyzer that measures the spectral half-width or peak wavelength of the laser monitor light; and an optical spectrum analyzer that drives the Peltier element to detect the semiconductor laser when the output of the optical spectrum analyzer goes outside a preset range due to temperature change. a temperature control unit that controls the temperature of the optical spectrum analyzer so that the output of the optical spectrum analyzer falls within the preset range.
JP61220229A 1986-09-17 1986-09-17 Semiconductor optical transmitter Pending JPS6374222A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61220229A JPS6374222A (en) 1986-09-17 1986-09-17 Semiconductor optical transmitter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61220229A JPS6374222A (en) 1986-09-17 1986-09-17 Semiconductor optical transmitter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6374222A true JPS6374222A (en) 1988-04-04

Family

ID=16747909

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61220229A Pending JPS6374222A (en) 1986-09-17 1986-09-17 Semiconductor optical transmitter

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6374222A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03162029A (en) * 1989-11-20 1991-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Outdoor optical transmitter
JPH09186654A (en) * 1995-12-28 1997-07-15 Nec Corp Light transmission circuit
JPH10271094A (en) * 1997-03-27 1998-10-09 Nec Corp Optical amplifier

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03162029A (en) * 1989-11-20 1991-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Outdoor optical transmitter
JPH09186654A (en) * 1995-12-28 1997-07-15 Nec Corp Light transmission circuit
JPH10271094A (en) * 1997-03-27 1998-10-09 Nec Corp Optical amplifier

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6212210B1 (en) Control method and apparatus for stabilizing optical wavelength
US5781572A (en) Optical wavelength stabilizing system
US6229833B1 (en) Laser diode protecting circuit and laser driving current control circuit
US20090080904A1 (en) Optical transmitting apparatus and setting-value determining method
US6583926B1 (en) Optical amplifiers with age-based pump current limiters
US20090003843A1 (en) Optical transmitter and method for control the same
JPH0821747B2 (en) Optical transmission device
US7106978B2 (en) Optical module, optical transmission apparatus, WDM optical transmission device, and method for stabilizing laser wavelength
US8116637B2 (en) Optical transmitter with a chirp managed laser diode automatically adjusting emission wavelength thereof and its adjusting method
US20030053169A1 (en) Optical transmitter, WDM optical transmission device and optical module
JP2008227401A (en) Optical transmitter
JP3795762B2 (en) Optical output control circuit
JP2018014473A (en) Method for controlling optical transceiver
JPS6374222A (en) Semiconductor optical transmitter
US10673205B2 (en) Wavelength tunable laser module and method of controlling wavelength thereof
US20150116801A1 (en) Single longitudinal mode diode laser module with external resonator
KR100725687B1 (en) Compensation device for temperature characteristics of laser diode in optical communication system
KR100236832B1 (en) Transmission apparatus and implementation method having wavelength stabilizer in wavelength division multiplexing
JP2007329212A (en) Optical transmitter, and optical transmitting method
US6826210B2 (en) Power control circuit for laser diode having wavelength compensation
US20230134115A1 (en) Wavelength stabilizer and optical module including same
JP2000077766A (en) Light source
JP6270351B2 (en) Optical transceiver and optical transceiver control method
JP2002314187A (en) Laser diode module and optical transmitter
JP2003152271A (en) Wavelength control method of semiconductor laser, optical transmitter, and wdm optical transmission unit