JPS6373606A - 厚膜インダクタの製造方法 - Google Patents
厚膜インダクタの製造方法Info
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- JPS6373606A JPS6373606A JP21733186A JP21733186A JPS6373606A JP S6373606 A JPS6373606 A JP S6373606A JP 21733186 A JP21733186 A JP 21733186A JP 21733186 A JP21733186 A JP 21733186A JP S6373606 A JPS6373606 A JP S6373606A
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Landscapes
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
専有面積が小さくかつインダクタンスの大きな厚膜イン
ダクタを得るため、基板上にあらかじめ形成した導体層
をレーザにて切削しその上に誘電体層を形成し、さらに
その上に同様のレーザにて切削した導体パターンを形成
し、これを繰り返して複数層積層して形成した厚膜イン
ダクタである。
ダクタを得るため、基板上にあらかじめ形成した導体層
をレーザにて切削しその上に誘電体層を形成し、さらに
その上に同様のレーザにて切削した導体パターンを形成
し、これを繰り返して複数層積層して形成した厚膜イン
ダクタである。
本発明は、厚膜形成法により基板上に複数層積層してな
る厚膜インダクタ (インダクタンスを導入する目的で
用いられるコイル等の巻線)を製造する方法に関する。
る厚膜インダクタ (インダクタンスを導入する目的で
用いられるコイル等の巻線)を製造する方法に関する。
厚膜形成法により基板上に厚膜インダクタを形成するに
は、従来は、第5図に示すように、厚膜インダクタのパ
ターンPをスクリーンマスク(図示せず)にて基板上に
印刷して形成していた。
は、従来は、第5図に示すように、厚膜インダクタのパ
ターンPをスクリーンマスク(図示せず)にて基板上に
印刷して形成していた。
上記のような従来の方法によると、通常の厚膜でスクリ
ーン印刷の可能なパターン幅は約0.15〜0.2籠で
あり、インダクタを形成する場合においてもこれがパタ
ーン幅として限界であり、そのインダクタンスにも限界
があった。そこで、本発明では、混成集積回路に対する
小型、高密度化の要求にともなって、専有面積が小さく
かつインダクタンスの大きな厚膜インダクタを得ること
を目的とする。
ーン印刷の可能なパターン幅は約0.15〜0.2籠で
あり、インダクタを形成する場合においてもこれがパタ
ーン幅として限界であり、そのインダクタンスにも限界
があった。そこで、本発明では、混成集積回路に対する
小型、高密度化の要求にともなって、専有面積が小さく
かつインダクタンスの大きな厚膜インダクタを得ること
を目的とする。
本発明によると、基板上に導体層を形成し、該導体層を
レーザにて切削し渦巻状の導体パターンを形成し、その
上に誘電体層を形成し、該誘電体層の上に再び導体層を
形成し、該導体層をレーザにて切削し渦巻状の導体パタ
ーンを形成し、このような工程を繰り返して複数層積層
するとともに各層の渦巻状導体パターンの端部を順次接
続するようしたことを特徴とする厚膜インダクタの製造
方法が提供される。
レーザにて切削し渦巻状の導体パターンを形成し、その
上に誘電体層を形成し、該誘電体層の上に再び導体層を
形成し、該導体層をレーザにて切削し渦巻状の導体パタ
ーンを形成し、このような工程を繰り返して複数層積層
するとともに各層の渦巻状導体パターンの端部を順次接
続するようしたことを特徴とする厚膜インダクタの製造
方法が提供される。
本発明では、基板上にあらかじめ形成した導体層をレー
ザにて切削しているので、渦巻状のパターン幅を大幅に
小さくなり、しかも複数層に積層5ているので、単位面
積あたりのインダクタンスの大きな厚膜インダクタが得
られる。
ザにて切削しているので、渦巻状のパターン幅を大幅に
小さくなり、しかも複数層に積層5ているので、単位面
積あたりのインダクタンスの大きな厚膜インダクタが得
られる。
以下、第1図〜第4図を参照して本発明の実施例につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
第1図は本発明の厚膜インダクタの製造方法による各工
程、第2図は導体パターン、第3図は本発明の厚膜イン
ダクタの形成過程における断面図、第4図は各層間の導
体パターンの接続状態を示したものである。先ず最初、
第1図(a)に示すように、セラミック等の無機質から
なる基板1上に比較的広面積の導体層2を形成する。こ
の導体層2の形成は周知の方法により、例えばスクリー
ン印刷により行ない、印刷後焼成により行う。次に、第
1図(b)に示すように、導体N2上にレーザ光線を照
射することにより、第2図に示すような渦巻き状の導体
パターン3を形成する。この導体パターン3は円形の渦
巻形状であってもよいことは勿論である。4はレーザで
切削された部分を示す。渦巻き状の導体パターン3の始
端部は導体のランド部分5として、また終端部は導体の
ビア部分6として残しておく。次に、第1図(C)に示
すように、渦巻き状の導体パターン3上にガラス材等よ
りなる誘電体層7を形成する。その際適当なマスク等を
用いることにより導体ランド部分5及び導体ビア部分6
上には誘電体層7を形成しないで開けておく。第1図(
d)では、誘電体層7上に再度比較的広面積の2次導体
層12を形成する。この2次導体層12の形成は前記の
1次導体層2の形成と同様な方法で形成することができ
る。
程、第2図は導体パターン、第3図は本発明の厚膜イン
ダクタの形成過程における断面図、第4図は各層間の導
体パターンの接続状態を示したものである。先ず最初、
第1図(a)に示すように、セラミック等の無機質から
なる基板1上に比較的広面積の導体層2を形成する。こ
の導体層2の形成は周知の方法により、例えばスクリー
ン印刷により行ない、印刷後焼成により行う。次に、第
1図(b)に示すように、導体N2上にレーザ光線を照
射することにより、第2図に示すような渦巻き状の導体
パターン3を形成する。この導体パターン3は円形の渦
巻形状であってもよいことは勿論である。4はレーザで
切削された部分を示す。渦巻き状の導体パターン3の始
端部は導体のランド部分5として、また終端部は導体の
ビア部分6として残しておく。次に、第1図(C)に示
すように、渦巻き状の導体パターン3上にガラス材等よ
りなる誘電体層7を形成する。その際適当なマスク等を
用いることにより導体ランド部分5及び導体ビア部分6
上には誘電体層7を形成しないで開けておく。第1図(
d)では、誘電体層7上に再度比較的広面積の2次導体
層12を形成する。この2次導体層12の形成は前記の
1次導体層2の形成と同様な方法で形成することができ
る。
その際、誘電体層7の中央部が開いているので、2次導
体層12の中央部が1次導体層2の導体ビア部分6に接
続される(第3図参照)、ついで、この2次導体層12
上にレーザ光線を照射することにより、前記と同様な渦
巻き状の2次導体パターン13を形成する。その際、こ
の2次導体パターン13の内端が導体ビア部分6を介し
て1次導体パターン3の内端に接続するようにする0次
にこの2次導体パターン13上に2次誘電体層17を形
成する。この場合において、2次導体パターン13の外
端部分16の2次誘電体層17を開いておく。これは、
次の3次導体パターン23 (第4図)の外端と接続す
るためである。このような工程を繰り返して複数層(通
常4〜5層)積層するとともに各層の渦巻状導体パター
ン3 、13.23゜・・・の端部を第4図に示すよう
に導体ビア部分6゜16 、26 、・・・を介して順
次接続することにより本発明の厚膜インダクタを製造す
ることができる。
体層12の中央部が1次導体層2の導体ビア部分6に接
続される(第3図参照)、ついで、この2次導体層12
上にレーザ光線を照射することにより、前記と同様な渦
巻き状の2次導体パターン13を形成する。その際、こ
の2次導体パターン13の内端が導体ビア部分6を介し
て1次導体パターン3の内端に接続するようにする0次
にこの2次導体パターン13上に2次誘電体層17を形
成する。この場合において、2次導体パターン13の外
端部分16の2次誘電体層17を開いておく。これは、
次の3次導体パターン23 (第4図)の外端と接続す
るためである。このような工程を繰り返して複数層(通
常4〜5層)積層するとともに各層の渦巻状導体パター
ン3 、13.23゜・・・の端部を第4図に示すよう
に導体ビア部分6゜16 、26 、・・・を介して順
次接続することにより本発明の厚膜インダクタを製造す
ることができる。
本発明によると、基板上にあらかじめ形成した導体層を
レーザにて切削しているので、渦巻状のパターン幅を大
幅に小さくすることができ、しかも複数層に積層してい
るので、単位面積あたりインダクタンスの大きな厚膜イ
ンダクタを得ることができ、構成集積回路の小型化、高
密度化を実現することができる。
レーザにて切削しているので、渦巻状のパターン幅を大
幅に小さくすることができ、しかも複数層に積層してい
るので、単位面積あたりインダクタンスの大きな厚膜イ
ンダクタを得ることができ、構成集積回路の小型化、高
密度化を実現することができる。
第1図は本発明の厚膜インダクタの製造方法による各工
程を示す図、第2図は導体パターンの平面図、第3図は
本発明の厚膜インダクタの形成過程における断面図、第
4図は各層間の導体パターンの接続状態を示した図、第
5図は従来の厚膜インダクタの製造方法を説明するため
の図である。 ■・・・基板、 2・・・導体層、3・・
・渦巻き状導体パターン、 4・・・レーザ切削部分、 5・・・導体ランド部、6
・・・ビア部、 12・・・2次導体層、13
・・・2次導体パターン。
程を示す図、第2図は導体パターンの平面図、第3図は
本発明の厚膜インダクタの形成過程における断面図、第
4図は各層間の導体パターンの接続状態を示した図、第
5図は従来の厚膜インダクタの製造方法を説明するため
の図である。 ■・・・基板、 2・・・導体層、3・・
・渦巻き状導体パターン、 4・・・レーザ切削部分、 5・・・導体ランド部、6
・・・ビア部、 12・・・2次導体層、13
・・・2次導体パターン。
Claims (1)
- 1、基板(1)上に導体層(2)を形成し、該導体層を
レーザにて切削し渦巻状の導体パターン(3)を形成し
、その上に誘電体層(7)を形成し、該誘電体層の上に
再び導体層(12)を形成し、該導体層をレーザにて切
削し渦巻状の導体パターン(13)を形成し、このよう
な工程を繰り返して複数層積層するとともに各層の渦巻
状導体パターンの端部を順次接続するようしたことを特
徴とする厚膜インダクタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21733186A JPS6373606A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 厚膜インダクタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21733186A JPS6373606A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 厚膜インダクタの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6373606A true JPS6373606A (ja) | 1988-04-04 |
Family
ID=16702503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21733186A Pending JPS6373606A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 厚膜インダクタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6373606A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01189103A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 小型コイル |
JPH0620842A (ja) * | 1992-01-21 | 1994-01-28 | Dale Electronics Inc | レーザ加工された電気部品 |
EP0905720A1 (en) * | 1997-09-17 | 1999-03-31 | Dale Electronics, Inc. | Thick film low value high frequency inductor, and method of making the same |
EP1085538A1 (en) * | 1999-09-14 | 2001-03-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Inductor |
US6317965B1 (en) * | 1997-06-10 | 2001-11-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Noise-cut filter for power converter |
-
1986
- 1986-09-17 JP JP21733186A patent/JPS6373606A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01189103A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 小型コイル |
JPH0620842A (ja) * | 1992-01-21 | 1994-01-28 | Dale Electronics Inc | レーザ加工された電気部品 |
US6317965B1 (en) * | 1997-06-10 | 2001-11-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Noise-cut filter for power converter |
EP0905720A1 (en) * | 1997-09-17 | 1999-03-31 | Dale Electronics, Inc. | Thick film low value high frequency inductor, and method of making the same |
US6201215B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-03-13 | Vishay Dale Electronics, Inc. | Method of making a thick film low value high frequency inductor |
US6215387B1 (en) * | 1997-09-17 | 2001-04-10 | Vishay Dale Electronics, Inc. | Thick film low value high frequency inductor |
US6294756B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-09-25 | Vishay Dale Electronics, Inc. | Thick film low value high frequency inductor, and method of making the same |
US6391526B1 (en) | 1997-09-17 | 2002-05-21 | Vishay Dale Electronics, Inc. | Thick film low value high frequency inductor, and method of making the same |
EP1085538A1 (en) * | 1999-09-14 | 2001-03-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Inductor |
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