JPS6366533A - 強誘電性液晶パネル - Google Patents
強誘電性液晶パネルInfo
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- JPS6366533A JPS6366533A JP21222386A JP21222386A JPS6366533A JP S6366533 A JPS6366533 A JP S6366533A JP 21222386 A JP21222386 A JP 21222386A JP 21222386 A JP21222386 A JP 21222386A JP S6366533 A JPS6366533 A JP S6366533A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は表示装置に係わり、特に強誘電性液晶パネルに
関わるものである。
関わるものである。
従来の技術
従来の技術を以下、図面を用いて説明する。
まず強誘電性液晶自体について説明する。
第３図は強誘電性液晶分子の模式図である。強誘電性液
晶は通常、スメクチック液晶と呼ばれる、層構造を有す
る液晶である。分子は層の垂線方向に対してθだけ１ｌ
Ｊｔいた構造を取っている。また通常、強誘電性液晶は
ラセミ体でない光学活１）な液晶分子によって構成され
ている。
晶は通常、スメクチック液晶と呼ばれる、層構造を有す
る液晶である。分子は層の垂線方向に対してθだけ１ｌ
Ｊｔいた構造を取っている。また通常、強誘電性液晶は
ラセミ体でない光学活１）な液晶分子によって構成され
ている。
第３図に示すように強誘電性液晶分子は分子の長軸に垂
直な方向に自発分極となる永久双極子モーメントを有し
ており、カイラルスメクチックＣ相においては第３図の
円錐形（以下コーンと■丁ぶ）の外側を自由に動くこと
ができる。またコーンの中心点Ｏより液晶分子に対して
下したベクトルをＣダイレクタ−と呼ぶ、カイラルスメ
チフクＣ相ではこのＣダイレクタ−はコーンの外側を自
由に動くことができる。第３図において３１は液晶分子
、３２は永久双罹子、３３はＣダイレクタ−１３４はコ
ーン、３５は層構造、３６は層法線方向、３７は傾き角
θを示している。また強誘電性液晶分子は不斉原子を有
しているため通常ねじれｌを有している。このねじれ構
造を第４図に示す。
直な方向に自発分極となる永久双極子モーメントを有し
ており、カイラルスメクチックＣ相においては第３図の
円錐形（以下コーンと■丁ぶ）の外側を自由に動くこと
ができる。またコーンの中心点Ｏより液晶分子に対して
下したベクトルをＣダイレクタ−と呼ぶ、カイラルスメ
チフクＣ相ではこのＣダイレクタ−はコーンの外側を自
由に動くことができる。第３図において３１は液晶分子
、３２は永久双罹子、３３はＣダイレクタ−１３４はコ
ーン、３５は層構造、３６は層法線方向、３７は傾き角
θを示している。また強誘電性液晶分子は不斉原子を有
しているため通常ねじれｌを有している。このねじれ構
造を第４図に示す。
第４図において４１は液晶分子、４２は永久双極子モー
メント、４３はねじれの周期を表すピッチ（Ｌ）、４４
は層構造、４５は層の法線方向、４６は１頃き角θを表
す０強誘電性液晶パネルのセル厚（ｄ）がピンチより厚
いとき（ｄ＞Ｌ）、通常、強誘電性液晶はセル基板表面
の影響がセル中央部まで及ばないため、ねじれ構造を持
った状態で存在する。しかしセル厚がピンチより小さい
とき（ｄ ＜ ｌ、）ねじれ構造は基板表面の力でほど
かれ第４図のような分子が基板表面と平行にな、つた二
つの領域が現れる。この二つの９Ｍ域は分子の持つ永久
双極子モーメントがそれぞれ反対の方向を向いているも
のであり、一方は紙面裏から表方向へもう一方は紙面表
から裏方向へ向いている。これはそれぞれ層法線に対す
る分子の傾き角に対応している。
メント、４３はねじれの周期を表すピッチ（Ｌ）、４４
は層構造、４５は層の法線方向、４６は１頃き角θを表
す０強誘電性液晶パネルのセル厚（ｄ）がピンチより厚
いとき（ｄ＞Ｌ）、通常、強誘電性液晶はセル基板表面
の影響がセル中央部まで及ばないため、ねじれ構造を持
った状態で存在する。しかしセル厚がピンチより小さい
とき（ｄ ＜ ｌ、）ねじれ構造は基板表面の力でほど
かれ第４図のような分子が基板表面と平行にな、つた二
つの領域が現れる。この二つの９Ｍ域は分子の持つ永久
双極子モーメントがそれぞれ反対の方向を向いているも
のであり、一方は紙面裏から表方向へもう一方は紙面表
から裏方向へ向いている。これはそれぞれ層法線に対す
る分子の傾き角に対応している。
第５図において５１は液晶分子、５２は紙面裏方向から
表方向を向いている永久双極子モーメント、５３は紙面
表方向から裏方向を向いている永久双極子モーメント、
５４は層構造、５５は層法線方向、５６は傾き角を表し
ている。
表方向を向いている永久双極子モーメント、５３は紙面
表方向から裏方向を向いている永久双極子モーメント、
５４は層構造、５５は層法線方向、５６は傾き角を表し
ている。
次に強誘電性液晶の動作原理について図を用いて説明す
る。このように強誘電性液晶セルにビ。
る。このように強誘電性液晶セルにビ。
チがセル厚よりも大きな強誘電性液晶（ｄ＜Ｌ）を封入
すると第５図のような二つの９Ｊ￥域を持つ状態となる
。このとき紙面裏方向から表方向に電界を印加すると永
久双極子モーメントは全て電界の方向に向き第６図ａの
ように分子が全て十〇の傾き角を持った状態となる。こ
のような状態で偏光板の偏光子（Ｐ）の偏光軸方向を分
子の長軸方向に検光子（Ａ）の偏光軸方向を分子の短軸
方向に平行にすると（第６図（８１参照）偏光子（Ｐ）
を通過した直線偏光は複屈折を受けずに透過し検光子（
）〜）により遮られ暗状態が得られる。また電界を逆方
向に印加すると第６図すのように分子が全て一〇の傾き
を持つ状態となり偏光子を通過した直線偏光は複屈折効
果により検光子を通り抜は凹状πが得られる。
すると第５図のような二つの９Ｊ￥域を持つ状態となる
。このとき紙面裏方向から表方向に電界を印加すると永
久双極子モーメントは全て電界の方向に向き第６図ａの
ように分子が全て十〇の傾き角を持った状態となる。こ
のような状態で偏光板の偏光子（Ｐ）の偏光軸方向を分
子の長軸方向に検光子（Ａ）の偏光軸方向を分子の短軸
方向に平行にすると（第６図（８１参照）偏光子（Ｐ）
を通過した直線偏光は複屈折を受けずに透過し検光子（
）〜）により遮られ暗状態が得られる。また電界を逆方
向に印加すると第６図すのように分子が全て一〇の傾き
を持つ状態となり偏光子を通過した直線偏光は複屈折効
果により検光子を通り抜は凹状πが得られる。
以上のように電界の正負により明暗の状態をそれぞれ得
ることができる。またこのようにセル厚がピッチより小
さいセル（ｄ＜Ｌ）においては通常ねしれ構造がほどけ
ているため電界を取り除いた後も分子はそのままの状態
でいるというメモリー効果が生じるといわれている。第
６図（ａｌ、 （ｂｌにおいて６１は電界の方向、６２
は分子の永久双桟子モーメント、６３は面構Ｊ告、６４
は（嘆き角θ、６５は偏光子（Ｐ）、検光子（Ａ）の偏
光軸をそれぞれ表している。（文献：福山、竹添、近藷
：強誘電性液晶を使っ六二高速ディスプレイ、オプトロ
ニクス、９合、６４頁、１９８３年）しかしながら上記
のようなメモリ一方式では大面積の強誘電性液晶パネル
の場合、全ての範囲で同様なメモリー特性を示す必要が
有り、セル基板表面を微妙に制御する必要がある。その
ため最近、新しいメモリ一方式としてセル基板の表面に
よるメモリ・−ではな（強誘電性液晶材料の持つ常誘電
異方性（Δε）を利用する方式が提案されている。
ることができる。またこのようにセル厚がピッチより小
さいセル（ｄ＜Ｌ）においては通常ねしれ構造がほどけ
ているため電界を取り除いた後も分子はそのままの状態
でいるというメモリー効果が生じるといわれている。第
６図（ａｌ、 （ｂｌにおいて６１は電界の方向、６２
は分子の永久双桟子モーメント、６３は面構Ｊ告、６４
は（嘆き角θ、６５は偏光子（Ｐ）、検光子（Ａ）の偏
光軸をそれぞれ表している。（文献：福山、竹添、近藷
：強誘電性液晶を使っ六二高速ディスプレイ、オプトロ
ニクス、９合、６４頁、１９８３年）しかしながら上記
のようなメモリ一方式では大面積の強誘電性液晶パネル
の場合、全ての範囲で同様なメモリー特性を示す必要が
有り、セル基板表面を微妙に制御する必要がある。その
ため最近、新しいメモリ一方式としてセル基板の表面に
よるメモリ・−ではな（強誘電性液晶材料の持つ常誘電
異方性（Δε）を利用する方式が提案されている。
この方式はΔεの負（、ｊε〈０）の強誘電性液晶材料
を用いてその常誘電異方性と電界との相互作用により、
強制的にメモリー性をもたせるものである。此のΔεの
効果によるメモリー効果は通常、ＡＣスタビ゛ライズ効
果と呼ばれている。
を用いてその常誘電異方性と電界との相互作用により、
強制的にメモリー性をもたせるものである。此のΔεの
効果によるメモリー効果は通常、ＡＣスタビ゛ライズ効
果と呼ばれている。
（参考文献）ジェイ、エム、ギアリイ、、 １９８５ニ
ス アイ ディー インターナショナル ダイジェスト
オプ テクニカル ペーパー ｐｐ。
ス アイ ディー インターナショナル ダイジェスト
オプ テクニカル ペーパー ｐｐ。
１２８ （Ｊ、Ｍ、Ｇｅａｒｙ、＋ １９８５３１０
ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ斜め蒸着法はネマチック液
晶の配向法として従来、一部で用いられていたが現在は
ラビング法が主流を占めている。斜め蒸着法についζ図
を用いて説明する。
ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ斜め蒸着法はネマチック液
晶の配向法として従来、一部で用いられていたが現在は
ラビング法が主流を占めている。斜め蒸着法についζ図
を用いて説明する。
斜め蒸着法の実際のやり方を第７図に示す、真空状態と
なる蒸着釜（ペルジャー）内に蒸着源があり、それは電
流を流すことにより加熱することができるようになって
いる。セル基板は基板垂線方向から蒸着方向に対してθ
だけ傾けてセットされる。７１はペルジャー、７２はセ
ル基板、７３は蒸着源、７４は傾き角θ、斜め蒸着を行
うことによって表面には第８図に示すようなカラム状の
小さな突起８１が無数に存在する構造ができる。
なる蒸着釜（ペルジャー）内に蒸着源があり、それは電
流を流すことにより加熱することができるようになって
いる。セル基板は基板垂線方向から蒸着方向に対してθ
だけ傾けてセットされる。７１はペルジャー、７２はセ
ル基板、７３は蒸着源、７４は傾き角θ、斜め蒸着を行
うことによって表面には第８図に示すようなカラム状の
小さな突起８１が無数に存在する構造ができる。
これは通常、セルフシャドウィングと呼ばれる効果によ
り生じるものと言われている。この時、傾き角θ８２を
変化させることによりネマチンク液晶分子の配向に違い
が生じる。このことについて図面を用いて説明する。
り生じるものと言われている。この時、傾き角θ８２を
変化させることによりネマチンク液晶分子の配向に違い
が生じる。このことについて図面を用いて説明する。
（１）蒸着角度（θ）７５度〜８５度のとき、θが７５
度〜８５度のとき第９図＋０１に示すように液晶分子は
蒸着方向にその分子長軸方向（ｎ）１）１を平行に配向
する。このため液晶分子はプレチルト角を１５度から３
０度程度有するとされている。
度〜８５度のとき第９図＋０１に示すように液晶分子は
蒸着方向にその分子長軸方向（ｎ）１）１を平行に配向
する。このため液晶分子はプレチルト角を１５度から３
０度程度有するとされている。
（２） 蒸着角度（θ）〜６０度のとき、θが〜６０
度のとき第９図（ｂｌに示すように液晶分子は蒸着方向
にその分子長軸方向を垂直に配向する。このときプレチ
ルト角は約０度である。
度のとき第９図（ｂｌに示すように液晶分子は蒸着方向
にその分子長軸方向を垂直に配向する。このときプレチ
ルト角は約０度である。
これらの蒸着角度の違いによる配向の違いは表面のカラ
ム構造に対して分子がどの方向に配列したとき最も弾性
変形のエネルギーが小さくてすむかに依存していると言
われている。
ム構造に対して分子がどの方向に配列したとき最も弾性
変形のエネルギーが小さくてすむかに依存していると言
われている。
スメクチック液晶、あるいは強誘電性液晶において配向
方法に斜め蒸着法が用いられた例は２〜３ある。しかし
、それらはセル厚が厚い状態（〜７μｍ以上）で用いて
おり、完全なメモリー性などについて電圧−輝度曲線（
Ｂ−Ｖ曲線）などは測定しておらず、またプレチルト角
の表示装置としての有用性についても殆ど言及していな
い。
方法に斜め蒸着法が用いられた例は２〜３ある。しかし
、それらはセル厚が厚い状態（〜７μｍ以上）で用いて
おり、完全なメモリー性などについて電圧−輝度曲線（
Ｂ−Ｖ曲線）などは測定しておらず、またプレチルト角
の表示装置としての有用性についても殆ど言及していな
い。
斜め蒸着の参考文献：■ダブリュ、アルバック、エム、
ボイクス、イー、ギイヨン；蒸着膜上の不マチフク相と
スメクチック相の配向、アブライフド フィジフクス
レータ−１２５巻 ９号＋１）４７９頁 １９７４年（
Ｗ、 Ｕｒｂａｃｈ、 Ｍ。
ボイクス、イー、ギイヨン；蒸着膜上の不マチフク相と
スメクチック相の配向、アブライフド フィジフクス
レータ−１２５巻 ９号＋１）４７９頁 １９７４年（
Ｗ、 Ｕｒｂａｃｈ、 Ｍ。
Ｂｏｉｘ＋ ａｎｄ Ｅ、 Ｇｕｙｏｎ ；Ａｌ
ｉｇｎｍｅｎｔ ｏｆｎｅｍａｔｉｃｓ ａｎｄ ｓｍ
ｅｃｔｉｃｓ ｏｎ ｅｖａｐｏｒａｔｅｄ ｆｔ１
ｍ５゜Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ、 ＶＯＬ、 ２５． Ｎａ９、
ＩＰ、 ４７９ Ｎｏｖｅｍｂｅｒ １９７４） 、
■上木勉、岩崎泰部、吉野勝己、犬石嘉雄；スメチノク
強誘電性液晶の電気光学的性質（２）、第４回液晶討論
会 予稿集（１９７８年）講演番号３Ｒ１３゜ 発明が解決しようとする問題点 上記のようにたとえば斜方蒸着により基板表面より傾き
角（プレチルト角）を存する強誘電性液晶パネルでは常
誘電異方性（Δε）を利用しようとすると分子が大きな
プレチルト角をもつ場合、Δεは負ではＡＣスクビライ
ズは効果がない、そのためメモリー効果は生じず視認性
の良い強誘電性液晶パネルが得られないという問題点が
あった。
ｉｇｎｍｅｎｔ ｏｆｎｅｍａｔｉｃｓ ａｎｄ ｓｍ
ｅｃｔｉｃｓ ｏｎ ｅｖａｐｏｒａｔｅｄ ｆｔ１
ｍ５゜Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ、 ＶＯＬ、 ２５． Ｎａ９、
ＩＰ、 ４７９ Ｎｏｖｅｍｂｅｒ １９７４） 、
■上木勉、岩崎泰部、吉野勝己、犬石嘉雄；スメチノク
強誘電性液晶の電気光学的性質（２）、第４回液晶討論
会 予稿集（１９７８年）講演番号３Ｒ１３゜ 発明が解決しようとする問題点 上記のようにたとえば斜方蒸着により基板表面より傾き
角（プレチルト角）を存する強誘電性液晶パネルでは常
誘電異方性（Δε）を利用しようとすると分子が大きな
プレチルト角をもつ場合、Δεは負ではＡＣスクビライ
ズは効果がない、そのためメモリー効果は生じず視認性
の良い強誘電性液晶パネルが得られないという問題点が
あった。
問題点を解決するための手段
強誘電性液晶パネルにおいて大きなプレチルト角を強誘
電性液晶分子が有する場合、」εを正にすることでＡＣ
スタビライズ効果を発揮させメモリー効果を有する視認
性の良好な強誘電性液晶パネルを提供するものである。
電性液晶分子が有する場合、」εを正にすることでＡＣ
スタビライズ効果を発揮させメモリー効果を有する視認
性の良好な強誘電性液晶パネルを提供するものである。
作用
常誘電異方性が正である強誘電性液晶材料を用いること
でプレチルト角が大きな表面構造を有する強誘電性液晶
パネルにおいてΔＣとの相互作用で強制的にメモリー効
果を持つような強誘電性液晶パネルを提供するものであ
る。
でプレチルト角が大きな表面構造を有する強誘電性液晶
パネルにおいてΔＣとの相互作用で強制的にメモリー効
果を持つような強誘電性液晶パネルを提供するものであ
る。
実施例
本発明の一実施例の強誘電性液晶パネルについて図面を
用いて詳細に説明する。
用いて詳細に説明する。
まずプレチルト角の大きな強誘電性液晶パネルを作成す
るために従来の技術で述べた斜め蒸着法を用いたその行
い方は第７図の構成を用いた。
るために従来の技術で述べた斜め蒸着法を用いたその行
い方は第７図の構成を用いた。
本実施例で行った斜め蒸着法を詳しく説明する。
蒸着源としてタンタルボードを用い、蒸着物質として一
酸化ケイ素（Ｓ ｉ Ｏ）を用いた。基板はガラス基板
上に導電性インジウム・スズ酸化物を蒸Ｚ＋、ナー１、
ｔ’ｆ’＋ （Ｔ Ｔｎ３１Ｈ）、Ｃ田ｌ、ｓ ｆ
−７Ａ” 芙ｆｆ＋ ＋’Ｆ 叶８５度と６０度の両方
を用いた。蒸着速度は約２０人／ｓｅｃ、膜厚は基板垂
直方向からの厚さで約３５００人とした。
酸化ケイ素（Ｓ ｉ Ｏ）を用いた。基板はガラス基板
上に導電性インジウム・スズ酸化物を蒸Ｚ＋、ナー１、
ｔ’ｆ’＋ （Ｔ Ｔｎ３１Ｈ）、Ｃ田ｌ、ｓ ｆ
−７Ａ” 芙ｆｆ＋ ＋’Ｆ 叶８５度と６０度の両方
を用いた。蒸着速度は約２０人／ｓｅｃ、膜厚は基板垂
直方向からの厚さで約３５００人とした。
このように斜め蒸着を行ったＩＴＯ基板を用いて強誘電
性液晶パネルを作成した。斜め蒸着セルの構成を第１０
図に示す。
性液晶パネルを作成した。斜め蒸着セルの構成を第１０
図に示す。
第１０図において、１０１はガラス基板、１０２はＩＴ
ｏ層とそのうえの斜め蒸着層、１０３は強誘電性液晶層
、１０４はセル厚調整のためのスペーサー、１０５は蒸
着方向の組合せ方を示す。上下基板の蒸着方向は上下で
反平行となるようにした。実験に用いた強誘電性液晶材
料はエステル系の温度範囲が０度〜５８度まで強誘電性
を示す液晶材料を用いて行った。下に用いた強誘電性液
晶の相転移温度を示す。
ｏ層とそのうえの斜め蒸着層、１０３は強誘電性液晶層
、１０４はセル厚調整のためのスペーサー、１０５は蒸
着方向の組合せ方を示す。上下基板の蒸着方向は上下で
反平行となるようにした。実験に用いた強誘電性液晶材
料はエステル系の温度範囲が０度〜５８度まで強誘電性
を示す液晶材料を用いて行った。下に用いた強誘電性液
晶の相転移温度を示す。
Ｃｒ −ＳｍＣ傘 → Ｓ＋ＩＩＡ −＝
Ｃｈ −１ｓ。
Ｃｈ −１ｓ。
〜０℃ ５８℃ ８２℃ ９５℃、：こで、
Ｏｒ ＝結晶相 ＳｍＣ＊ ：スメクチックＣカイラル相ＳｍＡ ：ス
メクチックＡ相 Ｃｈ ：コレステリック相 Ｉｓｏ ：等方性液体 また、この液晶の複屈折異方性（Δｎ）はセナルモン型
コンペンセイクーを用いて測定したところ０．１４であ
った。常誘電異方性（−ε）の測定はヒユーレットパフ
カード社製ＬＣＲメーター）（ＨＰ４９１２Ａ）を用い
て、平行配向、垂直配向の各々のセルの容量を測定する
ことにより求めた。用いた強誘電性液晶のΔεは＋３で
あった。
Ｏｒ ＝結晶相 ＳｍＣ＊ ：スメクチックＣカイラル相ＳｍＡ ：ス
メクチックＡ相 Ｃｈ ：コレステリック相 Ｉｓｏ ：等方性液体 また、この液晶の複屈折異方性（Δｎ）はセナルモン型
コンペンセイクーを用いて測定したところ０．１４であ
った。常誘電異方性（−ε）の測定はヒユーレットパフ
カード社製ＬＣＲメーター）（ＨＰ４９１２Ａ）を用い
て、平行配向、垂直配向の各々のセルの容量を測定する
ことにより求めた。用いた強誘電性液晶のΔεは＋３で
あった。
配向方法は前述の斜め蒸着セルに液晶注入後、１００度
までパネルを加熱し等方性液体とした後、ゆっくりと徐
冷する（０．６度／ｍ１ｎ）ことによりスメクチックＣ
カイラル相のモノドメインを得た。
までパネルを加熱し等方性液体とした後、ゆっくりと徐
冷する（０．６度／ｍ１ｎ）ことによりスメクチックＣ
カイラル相のモノドメインを得た。
セル厚は３μｎ１とした。プレチルト角の測定は強誘電
性液晶状態のプレチルト角は測定しにくいのでネマチッ
ク液晶を用いた。測定法はヌルキャパシタンス法と呼ば
れる方法で行った。この結果、８５度蒸着セルのプレチ
ルト角は約２５度であることがわかった。
性液晶状態のプレチルト角は測定しにくいのでネマチッ
ク液晶を用いた。測定法はヌルキャパシタンス法と呼ば
れる方法で行った。この結果、８５度蒸着セルのプレチ
ルト角は約２５度であることがわかった。
次にこのパネルを用いて電圧−透過率曲線（以下、Ｂ−
Ｖ曲線とする）を測定した。Ｂ−Ｖ曲線の測定に用いた
光学実験系を第１）図に示す、第１）図において光ａＸ
Ｚより発せられた白色光は偏光子１）２を通り液晶セル
１）３に直線偏光として入射した後、検光子１）４を通
って集光レンズ１）５によって集光され光電子倍増管１
）６で恣知され、ストレージオシロ１）７によりＢ−■
曲線として測定される。なお液晶セルにはプログラマブ
ルバルスジエネレーク−１）８により任意の波形を加え
ることができるようにした。
Ｖ曲線とする）を測定した。Ｂ−Ｖ曲線の測定に用いた
光学実験系を第１）図に示す、第１）図において光ａＸ
Ｚより発せられた白色光は偏光子１）２を通り液晶セル
１）３に直線偏光として入射した後、検光子１）４を通
って集光レンズ１）５によって集光され光電子倍増管１
）６で恣知され、ストレージオシロ１）７によりＢ−■
曲線として測定される。なお液晶セルにはプログラマブ
ルバルスジエネレーク−１）８により任意の波形を加え
ることができるようにした。
このような測定系を用いてＡＣスタビライズ効果を検討
した。結果を第１図および第２図に示す。
した。結果を第１図および第２図に示す。
ここで第１図は蒸着角度が８５度、第２１２は６０度の
強誘電性液晶パネルである。第１図を用いて説明する。
強誘電性液晶パネルである。第１図を用いて説明する。
第１図（ａ）は印加電圧波形を示しており、第１図［ｂ
ｌは対応する輝度変化を表している。
ｌは対応する輝度変化を表している。
印加波形としてはパルス高さ＝２５Ｖ、幅１．０ＩＩＩ
ｓのパルスに引き’ｆｉｂき、＋２０ ’、’、ＴｊＵ
０．２ ｍｓの日のパルス印加後、＋２０ｖ、幅０．
２製のＡＣ連続パルス（１秒間）が印加されるような電
圧波形を用いた。このときパルス幅１． ０Ｌ１）！１
のパルスは強誘電性液晶分子の傾きの方向を決めるいわ
ゆる１択パルスであり、幅０．２ＬＬのＡＣ連続パルス
はＡＣスタビライズ効果を誘起する常誘電異方性（Δε
）に関わるものである。
ｓのパルスに引き’ｆｉｂき、＋２０ ’、’、ＴｊＵ
０．２ ｍｓの日のパルス印加後、＋２０ｖ、幅０．
２製のＡＣ連続パルス（１秒間）が印加されるような電
圧波形を用いた。このときパルス幅１． ０Ｌ１）！１
のパルスは強誘電性液晶分子の傾きの方向を決めるいわ
ゆる１択パルスであり、幅０．２ＬＬのＡＣ連続パルス
はＡＣスタビライズ効果を誘起する常誘電異方性（Δε
）に関わるものである。
第１図の８５度蒸着の場合、＋２５■の選択パルスが印
加された時、輝度は３２％と明状態を示し、後のＡＣｉ
ｌ続パルスによって輝度はそのままに保たれており、−
２５■の逆方向の選択パルスにより暗状態（輝度０．５
％）に分子の方向を変化させ、またＡＣ連続パルスによ
りこの状態を保持している。このように大きなプレチル
ト角を有する強誘電性液晶パネルでは常誘電異方性（Δ
ε）が正の’Ａｆｔｔ性液晶材性液用材料ことで良好な
メモリー効果が得られることがわかる。
加された時、輝度は３２％と明状態を示し、後のＡＣｉ
ｌ続パルスによって輝度はそのままに保たれており、−
２５■の逆方向の選択パルスにより暗状態（輝度０．５
％）に分子の方向を変化させ、またＡＣ連続パルスによ
りこの状態を保持している。このように大きなプレチル
ト角を有する強誘電性液晶パネルでは常誘電異方性（Δ
ε）が正の’Ａｆｔｔ性液晶材性液用材料ことで良好な
メモリー効果が得られることがわかる。
次に第２図のｗ着角度が６０度のセルについて同様な実
りをｊテっだ。第２１佃）は印加電圧波形をている。第
２図より選択パルスにより輝度は３０％、０．５％と明
、暗状態は得られているがＡＣ連続パルスによるメモリ
ー効果は見られていない。
りをｊテっだ。第２１佃）は印加電圧波形をている。第
２図より選択パルスにより輝度は３０％、０．５％と明
、暗状態は得られているがＡＣ連続パルスによるメモリ
ー効果は見られていない。
これは６０度蒸着ではプレチルト角が殆ど０度に近いた
めΔεは分子が基板表面上から立とうとする方向の力と
して動くためであろうと考えられる。
めΔεは分子が基板表面上から立とうとする方向の力と
して動くためであろうと考えられる。
このようにプレチルト角の小さな強誘電性液晶パネルに
はこの効果は小さいため通常、１０度以上のプレチルト
角が必要であると考えられる。またこれらの効果はΔε
の大きさに非常に影響される小さいΔεではこのような
効果はみられず少なくとも＋３以上は必要と考えられる
。
はこの効果は小さいため通常、１０度以上のプレチルト
角が必要であると考えられる。またこれらの効果はΔε
の大きさに非常に影響される小さいΔεではこのような
効果はみられず少なくとも＋３以上は必要と考えられる
。
発明の効果
本発明はプレチルト角が大きな強誘電性液晶パネルにお
いて常誘電異方性（Δε）が正の強誘電性液晶材料を用
いればＡＣスタビライズ効果の強い良好なメモリーを有
する表示品位の良好な強誘電性液晶パネルを提供するも
のである。
いて常誘電異方性（Δε）が正の強誘電性液晶材料を用
いればＡＣスタビライズ効果の強い良好なメモリーを有
する表示品位の良好な強誘電性液晶パネルを提供するも
のである。
第１図は８５度斜め蒸着を行った強誘電性液晶パネルの
ＡＣスタビライズ効果を示すだめの電圧波形と輝度の関
係を表すグラフ、第２図は６０度斜め蒸着を行った強誘
電性液晶パネルのＡＣスクビライズ効果を示すための電
圧波形と輝度の関係を表すグラフ、第３図は強誘電性液
晶分子の構成図、第４図は強誘電性液晶のねじれ構造を
表す模式図、第５図は強誘電性液晶の薄いセル厚のパネ
ルでねじれ構造がほどけた状態を表す模式図、第６図は
薄いセル厚の強誘電性液晶パネルにおいての動作原理を
表す模式図、第７図は薄石装置および蒸着方法を示す模
式図、第８１′２Ｉは庁、１め蒸着を行ったときの表面
状態を表す模式図、第９図（ａｌ、 ［ｔｌｌは蒸着方
向を変えたときの液晶分子の配向方向を表す模式図、第
１Ｏ図は実施例のＢ−Ｖ曲線測定に用いた光学系の模式
図、第１）図は実施例で用いた斜め蒸着した強誘電性液
晶パネルの構成図である。 ８２・・・・・・斜方蒸着の角度を表す、９１・・・・
・・斜方蒸着による分子の配向を示す。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名筆 １ 図 第 ２ 図 ｆｆ’ ５ 図 第 ６ 図 第 ７ 図 第８図 第９図 第１０図 第１） 図
ＡＣスタビライズ効果を示すだめの電圧波形と輝度の関
係を表すグラフ、第２図は６０度斜め蒸着を行った強誘
電性液晶パネルのＡＣスクビライズ効果を示すための電
圧波形と輝度の関係を表すグラフ、第３図は強誘電性液
晶分子の構成図、第４図は強誘電性液晶のねじれ構造を
表す模式図、第５図は強誘電性液晶の薄いセル厚のパネ
ルでねじれ構造がほどけた状態を表す模式図、第６図は
薄いセル厚の強誘電性液晶パネルにおいての動作原理を
表す模式図、第７図は薄石装置および蒸着方法を示す模
式図、第８１′２Ｉは庁、１め蒸着を行ったときの表面
状態を表す模式図、第９図（ａｌ、 ［ｔｌｌは蒸着方
向を変えたときの液晶分子の配向方向を表す模式図、第
１Ｏ図は実施例のＢ−Ｖ曲線測定に用いた光学系の模式
図、第１）図は実施例で用いた斜め蒸着した強誘電性液
晶パネルの構成図である。 ８２・・・・・・斜方蒸着の角度を表す、９１・・・・
・・斜方蒸着による分子の配向を示す。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名筆 １ 図 第 ２ 図 ｆｆ’ ５ 図 第 ６ 図 第 ７ 図 第８図 第９図 第１０図 第１） 図
Claims (4)
- （１）液晶層と前記液晶層を挟持するように配置した少
なくとも一枚は透明である複数の基板と、前記液晶層に
電圧印加が行えるように前記基板に付設した電圧印加手
段とを具備した液晶パネルにおいて前記パネル内の少な
くとも一方の基板表面に対して強誘電性液晶が１０以上
の傾き角を有し、かつ強誘電性液晶材料が正の誘電異方
性を有することを特徴とする強誘電性液晶パネル。 - （２）傾き角を付ける手段として斜め方向から無機物質
を蒸着したことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
記載の強誘電性液晶パネル。 - （３）誘電異方性が少なくとも＋３以上であることを特
徴とする特許請求の範囲第（１）項または第（２）項の
いずれかに記載の強誘電性液晶パネル。 - （４）液晶層の厚み５μｍ以下であることを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項、第（２）項または第（３）
項のいずれかに記載の強誘電性液晶パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61212223A JPH0795162B2 (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 強誘電性液晶パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61212223A JPH0795162B2 (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 強誘電性液晶パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6366533A true JPS6366533A (ja) | 1988-03-25 |
| JPH0795162B2 JPH0795162B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=16618985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61212223A Expired - Fee Related JPH0795162B2 (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 強誘電性液晶パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0795162B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0402944A3 (en) * | 1989-06-16 | 1992-05-27 | Seiko Instruments Inc. | Light addressed liquid crystal light valve |
| US5223963A (en) * | 1991-02-13 | 1993-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Chiral smectic liquid crystal device with different pretilt angles in pixel and non-pixel areas |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62161122A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-17 | Citizen Watch Co Ltd | 強誘電性液晶素子 |
-
1986
- 1986-09-09 JP JP61212223A patent/JPH0795162B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62161122A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-17 | Citizen Watch Co Ltd | 強誘電性液晶素子 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0402944A3 (en) * | 1989-06-16 | 1992-05-27 | Seiko Instruments Inc. | Light addressed liquid crystal light valve |
| US5223963A (en) * | 1991-02-13 | 1993-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Chiral smectic liquid crystal device with different pretilt angles in pixel and non-pixel areas |
| US5321537A (en) * | 1991-02-13 | 1994-06-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing chiral smectic liquid crystal device including masking areas between electrodes, rubbing, removing mask, and rubbing again |
| US5612802A (en) * | 1991-02-13 | 1997-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Chiral smectic liquid crystal device having alignment film over electrodes being different and having different pretilt from alignment film between electrodes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0795162B2 (ja) | 1995-10-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |