JPS6352030A - 差圧伝送器 - Google Patents
差圧伝送器Info
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- JPS6352030A JPS6352030A JP19686186A JP19686186A JPS6352030A JP S6352030 A JPS6352030 A JP S6352030A JP 19686186 A JP19686186 A JP 19686186A JP 19686186 A JP19686186 A JP 19686186A JP S6352030 A JPS6352030 A JP S6352030A
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- pressure
- diaphragm
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- Pending
Links
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、差圧伝送器に関するものである。
更に詳述すれば過大圧保護機構を有する差圧伝送器に関
するものである。
するものである。
(従来の技術)
第5図は従来より一般に使用されている従来例の構成説
明図である。
明図である。
同図に示された差圧伝送器の受圧部は主として第1部材
18aと第2部材11aとから構成されている。受圧部
の第1部材18aと第2部材11aの外側には可撓性に
富んだ高圧側受圧ダイヤフラムi2aと低圧側受圧ダイ
ヤフラム口aが設けられ、前記受圧部の第1部甘口aと
第2部材11aの面には前記各受圧ダイヤフラム12a
、13aと同形状の波形面が形成されており、それぞれ
の受圧ダイヤフラム12aとHaを前記第1部材lea
と第2部材11aにそれらの外周で溶接接合することに
より、受圧部材と受圧ダイヤプラム間に2つの受圧室、
すなわち高圧側隔離室目aおよび低圧側受圧室ISaが
形成される。受圧部の第1部材11aの他方の面には、
中心ダイヤフラム16aが溶接接合されている。
18aと第2部材11aとから構成されている。受圧部
の第1部材18aと第2部材11aの外側には可撓性に
富んだ高圧側受圧ダイヤフラムi2aと低圧側受圧ダイ
ヤフラム口aが設けられ、前記受圧部の第1部甘口aと
第2部材11aの面には前記各受圧ダイヤフラム12a
、13aと同形状の波形面が形成されており、それぞれ
の受圧ダイヤフラム12aとHaを前記第1部材lea
と第2部材11aにそれらの外周で溶接接合することに
より、受圧部材と受圧ダイヤプラム間に2つの受圧室、
すなわち高圧側隔離室目aおよび低圧側受圧室ISaが
形成される。受圧部の第1部材11aの他方の面には、
中心ダイヤフラム16aが溶接接合されている。
この中心ダイヤフラム目aを溶接した後に第2部材11
aを第1部材111aへその外周部において溶接されて
いる。これにより受圧部材11aと中心ダイヤフラム1
6aの一方の面の間に高圧側隔離室17aが形成される
。この高圧側隔離室17aと前記高圧側受圧室Haは、
第2部材11aのほぼ中央に設けられた第1高圧側導圧
路Haにより連通されている。一方、中心ダイヤフラム
16aの他の面側には、半導体差圧センサアセンブリ
l0fl aを挿入するための凹形状部が第1部材11
1aに形成され、これに半導体差圧センサアセンブリ
10Ilaが嵌合し、かつ溶接接合されている。前記半
導体差圧センサアセンブリ 11aは、半導体差圧セン
サ21a、支持台22a1シール金具23a、セラミッ
ク基板Haおよびハーメチックシールビン2Saで構成
され、前記半導体差圧センサ21aは支持台21aを介
してシール金具23aに溶接されている。このシール金
具23aには半導体差圧センサ21aの電気信号を取出
すためのセラミック基板Haおよびハーメチックシール
ビン25&が固設されている。半導体差圧センサ21a
とセラミック基板24aの電気接続は、図示しないワイ
ヤボンディング等によりなされている。
aを第1部材111aへその外周部において溶接されて
いる。これにより受圧部材11aと中心ダイヤフラム1
6aの一方の面の間に高圧側隔離室17aが形成される
。この高圧側隔離室17aと前記高圧側受圧室Haは、
第2部材11aのほぼ中央に設けられた第1高圧側導圧
路Haにより連通されている。一方、中心ダイヤフラム
16aの他の面側には、半導体差圧センサアセンブリ
l0fl aを挿入するための凹形状部が第1部材11
1aに形成され、これに半導体差圧センサアセンブリ
10Ilaが嵌合し、かつ溶接接合されている。前記半
導体差圧センサアセンブリ 11aは、半導体差圧セン
サ21a、支持台22a1シール金具23a、セラミッ
ク基板Haおよびハーメチックシールビン2Saで構成
され、前記半導体差圧センサ21aは支持台21aを介
してシール金具23aに溶接されている。このシール金
具23aには半導体差圧センサ21aの電気信号を取出
すためのセラミック基板Haおよびハーメチックシール
ビン25&が固設されている。半導体差圧センサ21a
とセラミック基板24aの電気接続は、図示しないワイ
ヤボンディング等によりなされている。
前記半導体差圧センサアセンブリ l0GaをfA1部
材teaに溶接接合することにより形成される第1部材
1eaとの間の高圧側測定室26aは、第1部材に設け
られている高圧(III導圧路28aを介して、前記中
心ダイヤフラム16aと第2部材11aで形成される前
記高圧側隔離室17aと連通されている。
材teaに溶接接合することにより形成される第1部材
1eaとの間の高圧側測定室26aは、第1部材に設け
られている高圧(III導圧路28aを介して、前記中
心ダイヤフラム16aと第2部材11aで形成される前
記高圧側隔離室17aと連通されている。
他方、半導体差圧センサ21aのもう一方の面では、ま
ず半導体差圧センサ21aのダイヤフラムの凹部面と前
記支持台Ha間において低圧側測定室27aを形成し、
この低圧側測定室27aは支持台22aの貫通孔、すな
わち第2の低圧側導圧路23&を介して中心ダイヤフラ
ムIiaの一方の面に連絡するようになっている。さら
に、この中心ダイヤフラム16aと第1部材11a間に
おいてプレート3flaの外周面を第1部材leaの内
周面に溶接し、かつ前記プレート311mの内周面をシ
ール金具23aの外周面と溶接接合されている。これに
より中心ダイヤフラムlSaと第1部材11aおよびプ
レー)3tla間に低圧側隔離窓口aが形成されている
。この低圧側隔離窓口aは前記第2の低圧側導圧路29
aを介して半導体差圧センサHaの前記低圧側測定室2
7aに連通される。さらに低圧側受圧室15aと前記低
圧@隔離室1δaとは、第1部材10a内に設けられて
いる第1の低圧側導圧路Haを介して連通されている。
ず半導体差圧センサ21aのダイヤフラムの凹部面と前
記支持台Ha間において低圧側測定室27aを形成し、
この低圧側測定室27aは支持台22aの貫通孔、すな
わち第2の低圧側導圧路23&を介して中心ダイヤフラ
ムIiaの一方の面に連絡するようになっている。さら
に、この中心ダイヤフラム16aと第1部材11a間に
おいてプレート3flaの外周面を第1部材leaの内
周面に溶接し、かつ前記プレート311mの内周面をシ
ール金具23aの外周面と溶接接合されている。これに
より中心ダイヤフラムlSaと第1部材11aおよびプ
レー)3tla間に低圧側隔離窓口aが形成されている
。この低圧側隔離窓口aは前記第2の低圧側導圧路29
aを介して半導体差圧センサHaの前記低圧側測定室2
7aに連通される。さらに低圧側受圧室15aと前記低
圧@隔離室1δaとは、第1部材10a内に設けられて
いる第1の低圧側導圧路Haを介して連通されている。
なお前述の第2高圧側導圧路28aと第1の低圧側導圧
路21aは受圧部材lQa内で交錯しないように形成さ
れている。
路21aは受圧部材lQa内で交錯しないように形成さ
れている。
前記半導体差圧センサ21aの電気信号は前述の如く、
ハーメチックシールビン25aから取出すことができる
ようになっている。さらにこの電気信号は第1部材le
aの半導体差圧センサ21aの中心線と直角方向に設け
たリード路33aおよび前記プレート38aの切欠部を
通って、接続プリント板34a等により容易に外部に引
き出されている。リード路33aと高圧側測定室26a
および低圧側隔離室18a間のシーリングは前述の如く
、第1部材leaとシール金具23aとの溶接接合なら
びに、第1部甘口aとシール金具Haとプレート3tl
aとの18FA接合により完全に達成されている。
ハーメチックシールビン25aから取出すことができる
ようになっている。さらにこの電気信号は第1部材le
aの半導体差圧センサ21aの中心線と直角方向に設け
たリード路33aおよび前記プレート38aの切欠部を
通って、接続プリント板34a等により容易に外部に引
き出されている。リード路33aと高圧側測定室26a
および低圧側隔離室18a間のシーリングは前述の如く
、第1部材leaとシール金具23aとの溶接接合なら
びに、第1部甘口aとシール金具Haとプレート3tl
aとの18FA接合により完全に達成されている。
かかる構成において形成される各室および各通路のすべ
てが、非圧縮性の流体例えばシリコン油によって満たさ
れる。この油は前記第1の低圧側導圧路LOa、および
第2の高圧倒導圧路28aと分岐している導圧路から注
入されるようになっており、その後評I圭jピン31a
、 32aにより閉寒した後溶接接合し、外気と密月
されている。
てが、非圧縮性の流体例えばシリコン油によって満たさ
れる。この油は前記第1の低圧側導圧路LOa、および
第2の高圧倒導圧路28aと分岐している導圧路から注
入されるようになっており、その後評I圭jピン31a
、 32aにより閉寒した後溶接接合し、外気と密月
されている。
このように構成された差圧発信器において、いずれか一
方の受圧ダイヤフラム12aか13a面に衝撃的な圧力
が印加された場合、まず第1に衝撃圧は受圧室Ha(1
5a)に伝搬し、受圧室14a(lsa)から隔離室1
7a (18a )に伝搬し、その法第2導圧路28a
(29a )を介して測定室Ha (27a )に伝
搬する経路をとる。すなわち、必ず中心ダイヤフラム1
6aで形成される隔離室17a(口a)から二次的に測
定室26a (27a )に伝搬される構成をとってい
るので衝撃圧から半導体差圧センサ21aの誤動作の影
響を十分回避できる。
方の受圧ダイヤフラム12aか13a面に衝撃的な圧力
が印加された場合、まず第1に衝撃圧は受圧室Ha(1
5a)に伝搬し、受圧室14a(lsa)から隔離室1
7a (18a )に伝搬し、その法第2導圧路28a
(29a )を介して測定室Ha (27a )に伝
搬する経路をとる。すなわち、必ず中心ダイヤフラム1
6aで形成される隔離室17a(口a)から二次的に測
定室26a (27a )に伝搬される構成をとってい
るので衝撃圧から半導体差圧センサ21aの誤動作の影
響を十分回避できる。
次に、過大差圧が受圧ダイヤフラム12aおよびHaの
両面で発生した場合、高圧側受圧ダイヤプラム12a1
あるいは低圧側受圧ダイヤフラムHaのどちらか一方が
受圧部材の側面に形成されている面に着座する。一方、
中心ダイアフラム口aは受圧室の体積除去を吸収しても
依然として隔離室17aあるいは18aの側面に着座し
ないように、所定の剛性を有していることになる。この
関係により半導体差圧センサ21aのいずれか一方の面
に過大な流体圧力が封入液を介して伝達されるのが阻止
されるため、半導体差圧センサ21aは破壊することは
ない。
両面で発生した場合、高圧側受圧ダイヤプラム12a1
あるいは低圧側受圧ダイヤフラムHaのどちらか一方が
受圧部材の側面に形成されている面に着座する。一方、
中心ダイアフラム口aは受圧室の体積除去を吸収しても
依然として隔離室17aあるいは18aの側面に着座し
ないように、所定の剛性を有していることになる。この
関係により半導体差圧センサ21aのいずれか一方の面
に過大な流体圧力が封入液を介して伝達されるのが阻止
されるため、半導体差圧センサ21aは破壊することは
ない。
また前述の如く、封入油が満たされている空間および通
路には一切の有機物が介在させることなく、過負荷機能
および、衝撃圧回避機能を具備させることができ、高温
でも有機材料から融出する可塑材などの含有物や、水分
などで半導体差圧センサ21aが劣化したり、封入液の
誘電率が変化することがないため、動作が安定である。
路には一切の有機物が介在させることなく、過負荷機能
および、衝撃圧回避機能を具備させることができ、高温
でも有機材料から融出する可塑材などの含有物や、水分
などで半導体差圧センサ21aが劣化したり、封入液の
誘電率が変化することがないため、動作が安定である。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、このようなものにおいては、たとえば、
高圧側の圧力を第24圧路28aを介してセンサの低圧
側に加えなくてはならない等であるので、導圧路28a
、 29aの加工及び組立が複雑となり高価なものと
なる。
高圧側の圧力を第24圧路28aを介してセンサの低圧
側に加えなくてはならない等であるので、導圧路28a
、 29aの加工及び組立が複雑となり高価なものと
なる。
本発明の目的は、本体ブロックの加工、組立が容易で安
価に作れ、かつ過大圧保護機能を有する差圧伝送器を提
供するにある。
価に作れ、かつ過大圧保護機能を有する差圧伝送器を提
供するにある。
(問題点を解決するための手段)
この目的を達成するめに、本発明は、−面側に凹部の設
けられた第1ブロックと、該第1ブロックの凹部に設け
られた差圧検出素子と、前記第1のブロックの凹部の設
けられた面の反対面を覆い該第1のブロックと第1受圧
室を構成する第1シールダイアフラムと、前記凹部の開
口部を覆って吋記第1ブロックに取付けられ前記差圧検
出素子を支持するプレートと、前記第1ブロックの凹部
面を覆って外周部が該第1ブロックに固定され中央部が
前記プレートに固定され該第1ブロックと第1センター
室を構成するセンターダイアフラムと、該センターダイ
アフラムと第2センター室を構成する第2ブロックと、
該第2ブロックの外側面に周紳部が固定され該第2ブロ
ックと第2受圧室を構成する第2シールダイアプラムと
、前記第1ブロックに設けられ前記第1受圧室と前記凹
部とを連通する第1連通孔と、前記第1ブロックに設け
られ前記第1受圧室と前記第1センター室とを結ぶ第1
接続穴と、前記第2ブロックに設けられ前記第2受圧室
と前記差圧検出素子の一方の入力孔とを連通ずる第2a
通孔と、前記第1受圧室と前記第1i通孔と前記凹部と
前記第1接続大と前記第1センター室とを満す第1封入
液と、前記第2受圧室と前記第2連通孔と前記第2セン
ター室と前記差圧検出素子の一方の入力孔とを満す第2
封入液とを具備してなる差圧伝送器を構成したものであ
る。
けられた第1ブロックと、該第1ブロックの凹部に設け
られた差圧検出素子と、前記第1のブロックの凹部の設
けられた面の反対面を覆い該第1のブロックと第1受圧
室を構成する第1シールダイアフラムと、前記凹部の開
口部を覆って吋記第1ブロックに取付けられ前記差圧検
出素子を支持するプレートと、前記第1ブロックの凹部
面を覆って外周部が該第1ブロックに固定され中央部が
前記プレートに固定され該第1ブロックと第1センター
室を構成するセンターダイアフラムと、該センターダイ
アフラムと第2センター室を構成する第2ブロックと、
該第2ブロックの外側面に周紳部が固定され該第2ブロ
ックと第2受圧室を構成する第2シールダイアプラムと
、前記第1ブロックに設けられ前記第1受圧室と前記凹
部とを連通する第1連通孔と、前記第1ブロックに設け
られ前記第1受圧室と前記第1センター室とを結ぶ第1
接続穴と、前記第2ブロックに設けられ前記第2受圧室
と前記差圧検出素子の一方の入力孔とを連通ずる第2a
通孔と、前記第1受圧室と前記第1i通孔と前記凹部と
前記第1接続大と前記第1センター室とを満す第1封入
液と、前記第2受圧室と前記第2連通孔と前記第2セン
ター室と前記差圧検出素子の一方の入力孔とを満す第2
封入液とを具備してなる差圧伝送器を構成したものであ
る。
(作用)
両シールダイアフラムの外側面に、それぞれ圧力P 、
P が加わると、この圧力は、それぞれ)IL のシールダイアフラム及び封入液を介してセンサの両側
に伝達される。而して、センサより差圧ΔP=PH−P
Lに比例した電気信号が出力される。
P が加わると、この圧力は、それぞれ)IL のシールダイアフラム及び封入液を介してセンサの両側
に伝達される。而して、センサより差圧ΔP=PH−P
Lに比例した電気信号が出力される。
一方、シールダイアフラムの一力に、測定レンジを超え
た過大圧が印加されると、センタダイアプラムが大きく
変位するため、シールダイアフラムが本体ボディに接す
るため、一定以上の過大圧力はセンサに加わることはな
い。
た過大圧が印加されると、センタダイアプラムが大きく
変位するため、シールダイアフラムが本体ボディに接す
るため、一定以上の過大圧力はセンサに加わることはな
い。
センタダイアフラムは測定レンジ内の圧力が加わっでも
、シールダイアフラムが、本体ボディに接しないように
構成されている。
、シールダイアフラムが、本体ボディに接しないように
構成されている。
以下、実施例について説明する。
(実jtA例)
第1図は、本発明の一実施例の構成説明図である。
1は一面側に凹部11の設けられた第1ブロックである
。2は第1ブロックの凹部11に設けられた差圧検出素
子で、この場合は、抵抗式検出素子が用いられている。
。2は第1ブロックの凹部11に設けられた差圧検出素
子で、この場合は、抵抗式検出素子が用いられている。
3は第1ブロック1の凹部11の設けられた面の反対面
を覆い第1ブロック1と第1受圧室31を構成する第1
シールダイアフラムである。12は凹部11の開口部を
覆って第1ブロックlに取付けられ差圧検出素子をチュ
ーブ121を介して支持するプレートである。4は第1
ブロック1の凹部面を覆って周面が第1ブロックlに固
定され中央部がプレート12に固定され第1ブロックl
と第1センター室4Iを構成するセンターダイアフラム
である。5はセンターダイアフラム4の外側にセンター
ダイアフラム4の外周縁部に固定されセンターダイアフ
ラム4と第2センター室42を構成する第2ブロックで
ある。6は第2ブロック悶の外側面に周縁部が固定され
第2ブロック5と第2受圧室6!を構成する第2シール
ダイアフラムである。13は第1ブロック1に設けられ
第1受圧室31と凹部11とを′a通する第1連通孔で
ある。14は第1ブロック1に設けられ第1受圧室31
と第1センター室41とを結ぶ第1接続大である。51
は第2ブロック5に設けられ第2受圧室61と差圧検出
素子2の一方の入力孔21とを連通ずる第2連通孔であ
る。52は第2ブロック5に設けられ第2受圧室61と
第2センター室42とを結ぶw42接続大である。7は
第1受圧室31と第1i!a通孔13と凹部IIと第1
接続穴14と第1センター室41とを満す第1封入液で
ある。8は第2受圧室61と第21!11通孔51と第
2センター室42と差圧検出素子2の一力の入力孔21
とを満す第2封入液である。第1.第2封入液は、この
場合は、シリコンオイルが用いられている。32は第1
シールダイアフラム3を覆い測定圧P が導入される導
圧室321を構成するカバーである。62は第2シール
ダイアフラム6を覆い測定圧P が導入される導圧室6
21を構成するカバ−である。
を覆い第1ブロック1と第1受圧室31を構成する第1
シールダイアフラムである。12は凹部11の開口部を
覆って第1ブロックlに取付けられ差圧検出素子をチュ
ーブ121を介して支持するプレートである。4は第1
ブロック1の凹部面を覆って周面が第1ブロックlに固
定され中央部がプレート12に固定され第1ブロックl
と第1センター室4Iを構成するセンターダイアフラム
である。5はセンターダイアフラム4の外側にセンター
ダイアフラム4の外周縁部に固定されセンターダイアフ
ラム4と第2センター室42を構成する第2ブロックで
ある。6は第2ブロック悶の外側面に周縁部が固定され
第2ブロック5と第2受圧室6!を構成する第2シール
ダイアフラムである。13は第1ブロック1に設けられ
第1受圧室31と凹部11とを′a通する第1連通孔で
ある。14は第1ブロック1に設けられ第1受圧室31
と第1センター室41とを結ぶ第1接続大である。51
は第2ブロック5に設けられ第2受圧室61と差圧検出
素子2の一方の入力孔21とを連通ずる第2連通孔であ
る。52は第2ブロック5に設けられ第2受圧室61と
第2センター室42とを結ぶw42接続大である。7は
第1受圧室31と第1i!a通孔13と凹部IIと第1
接続穴14と第1センター室41とを満す第1封入液で
ある。8は第2受圧室61と第21!11通孔51と第
2センター室42と差圧検出素子2の一力の入力孔21
とを満す第2封入液である。第1.第2封入液は、この
場合は、シリコンオイルが用いられている。32は第1
シールダイアフラム3を覆い測定圧P が導入される導
圧室321を構成するカバーである。62は第2シール
ダイアフラム6を覆い測定圧P が導入される導圧室6
21を構成するカバ−である。
以上の構成において、導圧室01 、62+に圧力PH
2PLが加わると、それぞれ、シールダイアフラム3,
6を介し、到入液7,8を介して差圧検出素子2の両側
に伝達され差圧ΔP=P −Pll L に比例した電気13号が出力される。
2PLが加わると、それぞれ、シールダイアフラム3,
6を介し、到入液7,8を介して差圧検出素子2の両側
に伝達され差圧ΔP=P −Pll L に比例した電気13号が出力される。
一方、シールダイアフラム3,6の一方に、測定レンジ
を超えた過大圧が印加されると、センタダイアフラム4
が大きく変位するため、シールダに イアフラム3,6がブロック1.5’6接するため一定
以上の過大圧力は差圧検出素子2に加わることはない。
を超えた過大圧が印加されると、センタダイアフラム4
が大きく変位するため、シールダに イアフラム3,6がブロック1.5’6接するため一定
以上の過大圧力は差圧検出素子2に加わることはない。
センタダイアフラム4はMWレンジ内の圧力が加わって
もシールダイアフラム3,6がブロック1.5に接しな
いように構成されている。
もシールダイアフラム3,6がブロック1.5に接しな
いように構成されている。
二のようなものにおいては、第5図従来例に示す如く、
複雑な連通管やシールt!!!構、あるいは複雑なま通
孔を設ける必要がなく、各ブロック1゜5を貫通する連
通孔13.14.51.52のみで良いので安価に作る
ことができる。
複雑な連通管やシールt!!!構、あるいは複雑なま通
孔を設ける必要がなく、各ブロック1゜5を貫通する連
通孔13.14.51.52のみで良いので安価に作る
ことができる。
したがって、本体ブロックの加工2組立が容易で、安価
に作れ、かつ過大圧保護機能を有する差圧伝送器が得ら
れる。
に作れ、かつ過大圧保護機能を有する差圧伝送器が得ら
れる。
第2図は本発明の他の実施例の構成説明図である。
本実施例においては差圧検出素子2゛として容蛍形検出
素子が用いられたものである。
素子が用いられたものである。
第3図ないし本第4図は本発明の池の実施例の構成説明
図である。本実施例では、いずれもセンターダイアフラ
ム4を第1ブロック1と第2ブツク5で挟持せずに一力
の第1ブロックlに固定している。これによってカバー
62.32をボルト・ナツト(図示せず)で締めつけた
ときのセンターダイアフラム4の僅かな変形等による伝
送器の出力誤差を小さく抑えることが出来る。
図である。本実施例では、いずれもセンターダイアフラ
ム4を第1ブロック1と第2ブツク5で挟持せずに一力
の第1ブロックlに固定している。これによってカバー
62.32をボルト・ナツト(図示せず)で締めつけた
ときのセンターダイアフラム4の僅かな変形等による伝
送器の出力誤差を小さく抑えることが出来る。
第3図の実施例は第1ブロック1よりも小径のセンター
ダイアフラム4を第1ブロック1に溶接固定したのち、
第1ブロックl及び第2ブロック5をその外径で溶接固
定した例である。
ダイアフラム4を第1ブロック1に溶接固定したのち、
第1ブロックl及び第2ブロック5をその外径で溶接固
定した例である。
また第4図の実施例は第1の凹部11と第2の凹部II
+をもつ第1ブロック1の第2凹部Il+の底部にセン
ターダイアフラム4を固定し、第2の凹部INに第2ブ
ロック5を嵌入して固定したものである。
+をもつ第1ブロック1の第2凹部Il+の底部にセン
ターダイアフラム4を固定し、第2の凹部INに第2ブ
ロック5を嵌入して固定したものである。
なお、前述の実施例においては、差圧検出素子2は抵抗
形検出素子あるいは容量形検出素子が用いられていると
説明したがこれに限ることはなく、要するに差圧が検出
できる素子であればよい。
形検出素子あるいは容量形検出素子が用いられていると
説明したがこれに限ることはなく、要するに差圧が検出
できる素子であればよい。
また、差圧検出素子2はチューブ+21によりプレート
12に支持されていると説明したがチューブ!21はな
くてもよいことは勿論である。
12に支持されていると説明したがチューブ!21はな
くてもよいことは勿論である。
また、接続穴52はなくてもよいことは勿論である。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明は、−面側に凹部の設けら
れた第1ブロックと、該mlブロックの凹部に設けられ
た差圧検出素子と、前記第1のブロックの凹部の設けら
れた面の反対面を覆い該第第1ブロックに取付けられ前
記差圧検出素子を支持するプレートと、前記第1ブロッ
クの凹部面を覆って外周部が該第1ブロックに固定され
中央部が前記プレートに固定され該第1ブロックと第1
センター室を構成するセンターダイアフラムと、該セン
ターダイアフラムと第2センター室を構成する第2ブロ
ックと、該第2ブロックの外側面に周紳部が固定され該
第2ブロックと第2受圧室を構成する第2シールダイア
フラムと、前記第1ブロックに設けられ前記第1受圧室
と前記凹部とを連通ずる第1連通孔と、前記第1のブロ
ックに設けられ前記第1受圧室と前期第1センター室と
を結ぶ第1接続穴と、前記第2ブロックに設けられ前記
第2受圧室と1iiJ記差圧検出素子の一方の入力孔と
を連通ずる第2連通孔と、前記第1受圧室と前記第1連
通孔と1liI記凹部と前記第1接続穴と前記第1セン
ター室とを満す第1封入液と、前記第2受圧室と前記第
2連通孔と前記第2センター室と前記差圧検出素子の一
方の入力孔とを満す第2封入液とを具備してなる差圧伝
送器を構成したので、第3図従来例の如く、?!雑な連
通管やシール機構、あるいは、複雑な連通孔を殺ける必
要がなく、各ブロックを貫通するのみの連通孔のみでよ
い。
れた第1ブロックと、該mlブロックの凹部に設けられ
た差圧検出素子と、前記第1のブロックの凹部の設けら
れた面の反対面を覆い該第第1ブロックに取付けられ前
記差圧検出素子を支持するプレートと、前記第1ブロッ
クの凹部面を覆って外周部が該第1ブロックに固定され
中央部が前記プレートに固定され該第1ブロックと第1
センター室を構成するセンターダイアフラムと、該セン
ターダイアフラムと第2センター室を構成する第2ブロ
ックと、該第2ブロックの外側面に周紳部が固定され該
第2ブロックと第2受圧室を構成する第2シールダイア
フラムと、前記第1ブロックに設けられ前記第1受圧室
と前記凹部とを連通ずる第1連通孔と、前記第1のブロ
ックに設けられ前記第1受圧室と前期第1センター室と
を結ぶ第1接続穴と、前記第2ブロックに設けられ前記
第2受圧室と1iiJ記差圧検出素子の一方の入力孔と
を連通ずる第2連通孔と、前記第1受圧室と前記第1連
通孔と1liI記凹部と前記第1接続穴と前記第1セン
ター室とを満す第1封入液と、前記第2受圧室と前記第
2連通孔と前記第2センター室と前記差圧検出素子の一
方の入力孔とを満す第2封入液とを具備してなる差圧伝
送器を構成したので、第3図従来例の如く、?!雑な連
通管やシール機構、あるいは、複雑な連通孔を殺ける必
要がなく、各ブロックを貫通するのみの連通孔のみでよ
い。
したがって、本発明によれば、本体ブロックの加工、組
立が容易で、安価に作れ、かつ、過大圧保護機能を有す
る差圧伝送器を実現することができる。
立が容易で、安価に作れ、かつ、過大圧保護機能を有す
る差圧伝送器を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の構成説明図、第2図、第3
図、第4図は本発明の他の実施例の構成説明図、第5図
は従来より一般に使用されている従来例の構成説明図。 l・・・第1ブロック、11・・・凹部、II+・・・
第2の凹部、12・・・プレート、+21・・・チュー
ブ、13・・・第1連通孔、14・・・第1接続穴、2
,2゛・・・差圧検出素子、21・・・入力孔、3・・
・第1シールダイアフラム、コト・・第1受圧室、3ト
・・カバー、321・・・導圧室、4・・・センターダ
イアフラム、41・・・第1センター室、42・・・第
2センター室、5・・・第2ブロック、51・・・第2
遣通孔、52・・・第2接続穴、6・・・第2シールダ
イアフラム、51・・・第2受圧室、5ト・・カバー、
621・・・導圧室、7・・・第1封入液、8・・・第
2月人液。 第1図 第2図 第3図 第4図
図、第4図は本発明の他の実施例の構成説明図、第5図
は従来より一般に使用されている従来例の構成説明図。 l・・・第1ブロック、11・・・凹部、II+・・・
第2の凹部、12・・・プレート、+21・・・チュー
ブ、13・・・第1連通孔、14・・・第1接続穴、2
,2゛・・・差圧検出素子、21・・・入力孔、3・・
・第1シールダイアフラム、コト・・第1受圧室、3ト
・・カバー、321・・・導圧室、4・・・センターダ
イアフラム、41・・・第1センター室、42・・・第
2センター室、5・・・第2ブロック、51・・・第2
遣通孔、52・・・第2接続穴、6・・・第2シールダ
イアフラム、51・・・第2受圧室、5ト・・カバー、
621・・・導圧室、7・・・第1封入液、8・・・第
2月人液。 第1図 第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- 一面側に凹部の設けられた第1ブロックと、該第1ブロ
ックの凹部に設けられた差圧検出素子と、前記第1のブ
ロックの凹部の設けられた面の反対面を覆い該第1のブ
ロックと第1受圧室を構成する第1シールダイアフラム
と、前期凹部の開口部を覆って前記第1ブロックに取付
けられ前記差圧検出素子を支持するプレートと、前記第
1ブロックの凹部面を覆って外周部が該第1ブロックに
固定され中央部が前記プレートに固定され該第1ブロッ
クと第1センター室を構成するセンターダイアフラムと
、該センターダイアフラムと第2センター室を構成する
第2ブロックと、該第2ブロックの外側面に周縁部が固
定され該第2ブロックと第2受圧室を構成する第2シー
ルダイアフラムと、前記第1ブロックに設けられ前記第
1受圧室と前記凹部とを連通する第1連通孔と、前記第
1のブロックに設けられ前記第1受圧室と前期第1セン
ター室とを結ぶ第1接続穴と、前記第2ブロックに設け
られ前記第2受圧室と前記差圧検出素子の一方の入力孔
とを連通する第2連通孔と、前記第1受圧室と前記第1
連通孔と前記凹部と前記第1接続穴と前記第1センター
室とを満す第1封入液と、前記第2受圧室と前記第2連
通孔と前記第2センター室と前記差圧検出素子の一方の
入力孔とを満す第2封入液とを具備してなる差圧伝送器
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19686186A JPS6352030A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 差圧伝送器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19686186A JPS6352030A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 差圧伝送器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6352030A true JPS6352030A (ja) | 1988-03-05 |
Family
ID=16364875
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19686186A Pending JPS6352030A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 差圧伝送器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6352030A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2754342A1 (fr) * | 1996-10-09 | 1998-04-10 | Schlumberger Ind Sa | Cellule de conversion d'une pression differentielle en signal electrique |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5322483A (en) * | 1976-03-24 | 1978-03-01 | Ict Instruments | Transducer assembly for differential pressure measurement |
JPS5931432A (ja) * | 1982-08-17 | 1984-02-20 | Toshiba Corp | 差圧伝送器 |
-
1986
- 1986-08-22 JP JP19686186A patent/JPS6352030A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5322483A (en) * | 1976-03-24 | 1978-03-01 | Ict Instruments | Transducer assembly for differential pressure measurement |
JPS5931432A (ja) * | 1982-08-17 | 1984-02-20 | Toshiba Corp | 差圧伝送器 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2754342A1 (fr) * | 1996-10-09 | 1998-04-10 | Schlumberger Ind Sa | Cellule de conversion d'une pression differentielle en signal electrique |
WO1998015808A1 (fr) * | 1996-10-09 | 1998-04-16 | Schlumberger Industries, S.A. | Cellule de conversion d'une pression differentielle en signal electrique |
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