JPS633148Y2 - - Google Patents
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- JPS633148Y2 JPS633148Y2 JP1979039889U JP3988979U JPS633148Y2 JP S633148 Y2 JPS633148 Y2 JP S633148Y2 JP 1979039889 U JP1979039889 U JP 1979039889U JP 3988979 U JP3988979 U JP 3988979U JP S633148 Y2 JPS633148 Y2 JP S633148Y2
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- capacitor
- electrode
- terminal
- rod
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/28—Tubular capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の詳細な説明〕
本考案は、低い力率を有するセラミツクコンデ
ンサに関する。さらに詳しくは、本考案は、密に
間隔を置いて配置され、並列に接続された、実質
的に平行な電極、あるいはらせん状に巻かれた２
本の電極を、その表面上に有し、各電極の下に薄
い誘電層を有する、円柱形チタン酸バリウムのコ
ンデンサに関する。
ンサに関する。さらに詳しくは、本考案は、密に
間隔を置いて配置され、並列に接続された、実質
的に平行な電極、あるいはらせん状に巻かれた２
本の電極を、その表面上に有し、各電極の下に薄
い誘電層を有する、円柱形チタン酸バリウムのコ
ンデンサに関する。
チタン酸バリウムのセラミツクを空気中で焼成
してエージングし、こうしてその表面全体に絶縁
体すなわち誘電体を形成し、次いで還元性ふん囲
気中で焼成して全体に半導体を形成することによ
つて、コンデンサを形成することは知られてい
る。電極を施こし、そして酸化性ふん囲気中で焼
成する。この工程はまた電極の下に薄い絶縁層す
なわち誘電層を生成する。
してエージングし、こうしてその表面全体に絶縁
体すなわち誘電体を形成し、次いで還元性ふん囲
気中で焼成して全体に半導体を形成することによ
つて、コンデンサを形成することは知られてい
る。電極を施こし、そして酸化性ふん囲気中で焼
成する。この工程はまた電極の下に薄い絶縁層す
なわち誘電層を生成する。
別法として、セラミツクを焼結し、電極を施こ
す前に、円柱形セラミツク本体の電極の容量性の
重なりのない末端部分を通して還元し、そして再
酸化することができる。また、このセラミツクの
半導性部分は、生のセラミツク混合物を適当に添
加し、そして空気中で焼成して、還元工程を行な
わないで、半導電性域および誘電性域の両方を形
成する。他の方法はセラミツク混合物および電極
混合物の両方を調製し、組み立て、空気中で焼成
して有機物質、たとえば、バインダーを除去し、
次いで還元性ふん囲気中で焼成して、引続く再酸
化工程を行なわない方法である。後者の場合にお
いて、1150℃以上で溶融する金属電極を使用す
る。通常、これらの電極は白金またはパラジウム
で作つて焼成温度に耐え、かつ酸化しないように
するが、鉄組成物も使用されてきた。電極を金ま
たは白金から作るとき、下にセラミツク材料の酸
化物は存在せず、むしろオーム接続部が存在す
る。
す前に、円柱形セラミツク本体の電極の容量性の
重なりのない末端部分を通して還元し、そして再
酸化することができる。また、このセラミツクの
半導性部分は、生のセラミツク混合物を適当に添
加し、そして空気中で焼成して、還元工程を行な
わないで、半導電性域および誘電性域の両方を形
成する。他の方法はセラミツク混合物および電極
混合物の両方を調製し、組み立て、空気中で焼成
して有機物質、たとえば、バインダーを除去し、
次いで還元性ふん囲気中で焼成して、引続く再酸
化工程を行なわない方法である。後者の場合にお
いて、1150℃以上で溶融する金属電極を使用す
る。通常、これらの電極は白金またはパラジウム
で作つて焼成温度に耐え、かつ酸化しないように
するが、鉄組成物も使用されてきた。電極を金ま
たは白金から作るとき、下にセラミツク材料の酸
化物は存在せず、むしろオーム接続部が存在す
る。
また、よく知られているように、同じ領域の電
極は、電極が半導体の同じ側または反対側に存在
するかにかかわらず、同じキヤパシタンスをも
つ。しかしながら、電極が同一平面にあるとき、
半導体を通して２つの誘電層を接続する導電通路
の抵抗は、それらの間の通路の長さが増加するの
で、増加する。また、力率も通路の長さの増加と
ともに増加する。
極は、電極が半導体の同じ側または反対側に存在
するかにかかわらず、同じキヤパシタンスをも
つ。しかしながら、電極が同一平面にあるとき、
半導体を通して２つの誘電層を接続する導電通路
の抵抗は、それらの間の通路の長さが増加するの
で、増加する。また、力率も通路の長さの増加と
ともに増加する。
本考案の目的は、電極をその表面に有する還元
されたチタン酸バリウム型の円柱形セラミツクコ
ンデンサを提供することである。
されたチタン酸バリウム型の円柱形セラミツクコ
ンデンサを提供することである。
本考案の他の目的は、力率が低い還元されたチ
タン酸バリウム型コンデンサを提供することであ
る。
タン酸バリウム型コンデンサを提供することであ
る。
本考案のさらに他の目的は、同一平面の電極と
低い力率を有する還元されたチタン酸塩型コンデ
ンサを提供することである。
低い力率を有する還元されたチタン酸塩型コンデ
ンサを提供することである。
さらに、本考案の他の目的は、自動装置による
取り扱いが容易であり、他の円柱形装置と適合
し、こうして製作者および使用者の両方の生産費
を減少する、セラミツクコンデンサを提供するこ
とである。
取り扱いが容易であり、他の円柱形装置と適合
し、こうして製作者および使用者の両方の生産費
を減少する、セラミツクコンデンサを提供するこ
とである。
これらの目的は、還元されたチタン酸バリウム
の本体の表面上の同一平面電極の幅および該電極
間の隔りを減少し、それによつて抵抗を減少する
ことにより達成される。簡単に言えば、セラミツ
ク混合物を調製し、たとえば、棒状に押出し、そ
して焼成する。次いで、得られる硬化した本体
を、好ましくは水素中で、還元して半導体を形成
する。電極を塗布し、焼成して、電極を支持体へ
結合し、電極の下に誘電体の薄膜を形成する。交
互する電極を末端キヤツプによつて接続する。末
端キヤツプは端子としてはたらき、そして末端キ
ヤツプにリード線を接続する。あるいは、リード
線がすでに取り付けられている末端キヤツプを使
用でき、その例は、1970年６月２日付けの
Claypooleら、米国特許3515958に記載されてい
る。これらの装置を次に被覆し、試験し、そして
市場に出す。
の本体の表面上の同一平面電極の幅および該電極
間の隔りを減少し、それによつて抵抗を減少する
ことにより達成される。簡単に言えば、セラミツ
ク混合物を調製し、たとえば、棒状に押出し、そ
して焼成する。次いで、得られる硬化した本体
を、好ましくは水素中で、還元して半導体を形成
する。電極を塗布し、焼成して、電極を支持体へ
結合し、電極の下に誘電体の薄膜を形成する。交
互する電極を末端キヤツプによつて接続する。末
端キヤツプは端子としてはたらき、そして末端キ
ヤツプにリード線を接続する。あるいは、リード
線がすでに取り付けられている末端キヤツプを使
用でき、その例は、1970年６月２日付けの
Claypooleら、米国特許3515958に記載されてい
る。これらの装置を次に被覆し、試験し、そして
市場に出す。
電極は棒状物の軸に対して平行に施こすことが
でき、あるいは２本の電極を棒状物のまわりにら
せん状に巻き付けることができる。複数の密に間
隔を置いて、交互に配置された電極を円柱形セラ
ミツク本体の表面上に施こすか、あるいは２本の
密接したらせん状に巻かれた電極を施こすことに
よつて、キヤパシタンスは多少減少するが、力率
は大きく減少される。
でき、あるいは２本の電極を棒状物のまわりにら
せん状に巻き付けることができる。複数の密に間
隔を置いて、交互に配置された電極を円柱形セラ
ミツク本体の表面上に施こすか、あるいは２本の
密接したらせん状に巻かれた電極を施こすことに
よつて、キヤパシタンスは多少減少するが、力率
は大きく減少される。
電極はコンデンサの表面上に存在するので、い
つそう高価な白金やパラジウム電極よりはむしろ
銀の電極を使用できる。また、電極は自動的に容
易に塗布して多電極装置を、積層や挿入物との整
合上の問題なく形成できる。
つそう高価な白金やパラジウム電極よりはむしろ
銀の電極を使用できる。また、電極は自動的に容
易に塗布して多電極装置を、積層や挿入物との整
合上の問題なく形成できる。
第１図において、複数の密に間隔を置いて配置
された電極１２および１４は還元されたチタン酸
バリウムのセラミツク棒状物１０の表面上に配置
されており、交互する電極１２は棒状物の一端か
ら棒状物の長軸に対して平行に伸びるが、他端の
手前で終つている。他の組の電極１４はこの他端
から第１組の間を伸び、棒状物の前記端の手前で
終つている。各電極の下に薄い誘電層１６が存在
する。末端キヤツプ（図示せず）は棒状物の各端
に、電極を並列に接続する端子として取り付けら
れている。
された電極１２および１４は還元されたチタン酸
バリウムのセラミツク棒状物１０の表面上に配置
されており、交互する電極１２は棒状物の一端か
ら棒状物の長軸に対して平行に伸びるが、他端の
手前で終つている。他の組の電極１４はこの他端
から第１組の間を伸び、棒状物の前記端の手前で
終つている。各電極の下に薄い誘電層１６が存在
する。末端キヤツプ（図示せず）は棒状物の各端
に、電極を並列に接続する端子として取り付けら
れている。
第２図において、２本の電極２２および２４は
還元されたチタン酸バリウムのセラミツク棒状物
２０のまわりにらせん状に配置されているのが示
されている。一方の電極２２は棒状物のまわりに
棒状物の一端から伸び、そして他端の手前におい
て終り、これに対し他方の電極２４はこの端から
棒状物のまわりを伸び、そして前記第１端の手前
で終る。各電極の下に誘電材料２６の薄層が存在
する。末端キヤツプ（図示せず）はそれぞれの電
極のための端子として棒状物の各端へ取り付けら
れている。らせんは、明瞭となるように、実際よ
り離して示されている。実際には、らせんはきつ
ちり巻かれた、細い電極であり、それらの間に最
小のギヤツプが存在すべきである。
還元されたチタン酸バリウムのセラミツク棒状物
２０のまわりにらせん状に配置されているのが示
されている。一方の電極２２は棒状物のまわりに
棒状物の一端から伸び、そして他端の手前におい
て終り、これに対し他方の電極２４はこの端から
棒状物のまわりを伸び、そして前記第１端の手前
で終る。各電極の下に誘電材料２６の薄層が存在
する。末端キヤツプ（図示せず）はそれぞれの電
極のための端子として棒状物の各端へ取り付けら
れている。らせんは、明瞭となるように、実際よ
り離して示されている。実際には、らせんはきつ
ちり巻かれた、細い電極であり、それらの間に最
小のギヤツプが存在すべきである。
還元されたチタン酸バリウムのセラミツクコン
デンサの力率を減少するため、半導体を通る電極
間の通路の長さはコンデンサをセラミツク棒の形
に作り、そして電極をその表面に取り付けること
によつて減少する。電極を表面上に密に間隔を置
いて配置させ、そのようにして隣接電極間の分離
間隔が小さくなり、この抵抗部分の長さを減少で
きる。それは電極の幅を調節することにより、す
なわち、電極を細くすることによりさらに減少で
きる。
デンサの力率を減少するため、半導体を通る電極
間の通路の長さはコンデンサをセラミツク棒の形
に作り、そして電極をその表面に取り付けること
によつて減少する。電極を表面上に密に間隔を置
いて配置させ、そのようにして隣接電極間の分離
間隔が小さくなり、この抵抗部分の長さを減少で
きる。それは電極の幅を調節することにより、す
なわち、電極を細くすることによりさらに減少で
きる。
１つの具体化例において、２本の電極は棒状物
のまわりに密にらせんの形に密接に間隔を置いて
配置されており、一方の電極は棒状物の一端にお
いて出発し、他端の手前で終り、そして他方の電
極はその逆である。リード線が取り付けられてい
るか、リード線を取り付ける末端キヤツプは、端
子としてはたらき、各電極について１つのキヤツ
プが存在する。
のまわりに密にらせんの形に密接に間隔を置いて
配置されており、一方の電極は棒状物の一端にお
いて出発し、他端の手前で終り、そして他方の電
極はその逆である。リード線が取り付けられてい
るか、リード線を取り付ける末端キヤツプは、端
子としてはたらき、各電極について１つのキヤツ
プが存在する。
他の具体化例において、複数の薄い電極が棒状
物の表面に密に間隔を置いて棒状物の長軸に対し
て平行に配置されている。交互の電極は棒状物の
一端から出発し、他端の手前で終り、これに対し
残りの電極は第２端で出発し、第１端の手前で終
る。末端キヤツプを取り付けると、リード線が取
り付けられていても、あるいはいなくても、それ
らのキヤツプは交互の電極を並列に接続する。
物の表面に密に間隔を置いて棒状物の長軸に対し
て平行に配置されている。交互の電極は棒状物の
一端から出発し、他端の手前で終り、これに対し
残りの電極は第２端で出発し、第１端の手前で終
る。末端キヤツプを取り付けると、リード線が取
り付けられていても、あるいはいなくても、それ
らのキヤツプは交互の電極を並列に接続する。
実施例 １
次の実施例において、棒状物に沿つて縦方向に
取り付けた電極の数を増加する効果を示す。チタ
ン酸バリウムのセラミツク材料を0.48cm（1/16イ
ンチ）の棒状物として押出し、1360℃で２時間焼
成し、そしてほぼ2.2cm（7/8インチ）の長さに切
つた。これらの棒状物を窒素−水素混合物中で
930℃において１時間還元し、そして冷却したと
き、銀の電極材料を塗布した。このような材料は
デユポン社（E.I.dupont de Nemours Co.Inc.
Wilmington，Delaware）から入手した
Dupont9312であつた。絶縁間隔を電極の間に長
さ方向に、棒状物の軸に対して平行に研削し、そ
して各半製品を940℃において空気中で焼成して、
電極を表面に結合した。交互の電極を電気的に接
続して、単一のコンデンサを得た。
取り付けた電極の数を増加する効果を示す。チタ
ン酸バリウムのセラミツク材料を0.48cm（1/16イ
ンチ）の棒状物として押出し、1360℃で２時間焼
成し、そしてほぼ2.2cm（7/8インチ）の長さに切
つた。これらの棒状物を窒素−水素混合物中で
930℃において１時間還元し、そして冷却したと
き、銀の電極材料を塗布した。このような材料は
デユポン社（E.I.dupont de Nemours Co.Inc.
Wilmington，Delaware）から入手した
Dupont9312であつた。絶縁間隔を電極の間に長
さ方向に、棒状物の軸に対して平行に研削し、そ
して各半製品を940℃において空気中で焼成して、
電極を表面に結合した。交互の電極を電気的に接
続して、単一のコンデンサを得た。
電極の数 キヤパシタンス・μF 力率・％
２ 0.14 37
４ 0.15 ９
８ 0.1 7.7
16 0.07 ３
こうして、キヤパシタンスは多少減少するが、
力率は著しく減少する。
力率は著しく減少する。
第１図は、その表面に密に間隔を置いて配置さ
れた複数の電極を有する棒状物を示す説明図であ
る。第２図は、そのまわりに密にらせん状に巻か
れた２本の電極を有する棒状物を示す拡大図であ
る。 図面中の参照数字は、次の意味を有する。１０
……セラミツク棒状物、１２，１４……電極、１
６……誘電層、２０……セラミツク棒、２２，２
４……電極、２６……誘電層。
れた複数の電極を有する棒状物を示す説明図であ
る。第２図は、そのまわりに密にらせん状に巻か
れた２本の電極を有する棒状物を示す拡大図であ
る。 図面中の参照数字は、次の意味を有する。１０
……セラミツク棒状物、１２，１４……電極、１
６……誘電層、２０……セラミツク棒、２２，２
４……電極、２６……誘電層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 還元したセラミツク材料の半導体円柱形本体
と、本体の円柱形表面上に密に間隔を置いて実
質的に平行に交互に配置された複数の金属電極
と、端子とからなり、上記本体は電極のおのお
のの直下にセラミツク材料の酸化物状態の薄い
誘電層を有し、円柱形本体の夫々の端に配置さ
れた端子、上記端子の各各は交互に置かれた電
極の少なくとも１つと接続されていることを特
徴とするコンデンサ。 ２ 電極は円柱形本体の長さ方向に沿つて実質的
に直線的に伸びている実用新案登録請求の範囲
第１項記載のコンデンサ。 ３ 電極の２本が円柱形本体のまわりにらせん状
に巻かれている実用新案登録請求の範囲第１項
記載のコンデンサ。 ４ 円柱形本体は棒状物である実用新案登録請求
の範囲第１項記載のコンデンサ。 ５ 本体は還元されたチタン酸バリウムからな
り、そして誘電層は酸化されたチタン酸バリウ
ムからなる実用新案登録請求の範囲第１項記載
のコンデンサ。 ６ 夫々の端子は末端のキヤツプ端子であり、交
互に平行な状態で配置された一方の電極は一方
の末端キヤツプ端子に接続されており、同様に
平行な状態で配置された他方の電極は他方の末
端キヤツプ端子に接続されていることを特徴と
する実用新案登録請求の範囲第２項記載のコン
デンサ。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/890,343 US4188651A (en) | 1978-03-27 | 1978-03-27 | Ceramic capacitor with surface electrodes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54141355U JPS54141355U (ja) | 1979-10-01 |
| JPS633148Y2 true JPS633148Y2 (ja) | 1988-01-26 |
Family
ID=25396553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1979039889U Expired JPS633148Y2 (ja) | 1978-03-27 | 1979-03-27 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4188651A (ja) |
| JP (1) | JPS633148Y2 (ja) |
| BE (1) | BE875107A (ja) |
| CA (1) | CA1118507A (ja) |
| GB (1) | GB2017410B (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2902545C2 (de) * | 1979-01-24 | 1985-04-04 | Akzo Gmbh, 5600 Wuppertal | Faden mit Leitschichten |
| HUT37689A (en) * | 1983-11-11 | 1986-01-23 | Zoltan Leszlauer | Anode structure for electrolytic fibre condensers and method for making thereof |
| US4777465A (en) * | 1986-04-28 | 1988-10-11 | Burr-Brown Corporation | Square toroid transformer for hybrid integrated circuit |
| US4780795A (en) * | 1986-04-28 | 1988-10-25 | Burr-Brown Corporation | Packages for hybrid integrated circuit high voltage isolation amplifiers and method of manufacture |
| FR2598032B1 (fr) * | 1986-04-28 | 1991-08-09 | Burr Brown Corp | Circuit integre hybride pour amplificateur d'isolation |
| US5367430A (en) * | 1992-10-21 | 1994-11-22 | Presidio Components, Inc. | Monolithic multiple capacitor |
| US5444600A (en) * | 1992-12-03 | 1995-08-22 | Linear Technology Corporation | Lead frame capacitor and capacitively-coupled isolator circuit using the same |
| US5720859A (en) * | 1996-06-03 | 1998-02-24 | Raychem Corporation | Method of forming an electrode on a substrate |
| EP1113252A4 (en) * | 1999-07-09 | 2001-09-19 | Tokin Corp | CAPACITIVE STRETCH SENSOR AND THEIR APPLICATION |
| US7509870B2 (en) * | 2005-10-26 | 2009-03-31 | Orthodata Technologies Llc | MEMS capacitive bending and axial strain sensor |
| CN102757229A (zh) * | 2012-07-03 | 2012-10-31 | 深圳光启创新技术有限公司 | 一种共形陶瓷超材料及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51114639U (ja) * | 1975-03-14 | 1976-09-17 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1578977A (en) * | 1925-03-06 | 1926-03-30 | William H Frasse | Combined condenser and resistance unit |
| DE572089C (de) * | 1931-08-05 | 1933-03-10 | Siemens & Halske Akt Ges | Verfahren zur Herstellung von Mehrfachkondensatoren, insbesondere Ausgleichskondensatoren fuer Fernmeldekabel |
| GB460471A (en) * | 1935-02-02 | 1937-01-28 | Philips Nv | Improvements in or relating to electric condensers |
| US3274468A (en) * | 1954-10-07 | 1966-09-20 | Aerovox Corp | Electric capacitor and method for producing the same |
| CA567939A (en) * | 1955-05-27 | 1958-12-23 | R. Roup Rolland | Electrical circuit elements |
| US3221228A (en) * | 1961-09-15 | 1965-11-30 | Cornell Dubilier Electric | Ceramic capacitor and the method of making the same |
| US3133338A (en) * | 1962-01-29 | 1964-05-19 | Sprague Electric Co | Process for forming ceramic capacitors |
| US3465267A (en) * | 1966-03-04 | 1969-09-02 | Ernest H Carlson Jr | Circuit component |
| US3828454A (en) * | 1972-12-13 | 1974-08-13 | Bethlehem Steel Corp | Destruction resistant tag |
| DE2516201A1 (de) * | 1975-04-14 | 1976-10-28 | Kestafil Spezialfabrik Keramis | Kondensator |
| GB1469944A (en) * | 1975-04-21 | 1977-04-06 | Decca Ltd | Planar capacitor |
-
1978
- 1978-03-27 US US05/890,343 patent/US4188651A/en not_active Expired - Lifetime
-
1979
- 1979-03-08 CA CA000323119A patent/CA1118507A/en not_active Expired
- 1979-03-21 GB GB7909947A patent/GB2017410B/en not_active Expired
- 1979-03-26 BE BE0/194227A patent/BE875107A/xx not_active IP Right Cessation
- 1979-03-27 JP JP1979039889U patent/JPS633148Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51114639U (ja) * | 1975-03-14 | 1976-09-17 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4188651A (en) | 1980-02-12 |
| GB2017410B (en) | 1982-04-07 |
| BE875107A (fr) | 1979-07-16 |
| GB2017410A (en) | 1979-10-03 |
| CA1118507A (en) | 1982-02-16 |
| JPS54141355U (ja) | 1979-10-01 |
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