JPS63310134A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
Semiconductor integrated circuit deviceInfo
- Publication number
- JPS63310134A JPS63310134A JP62145033A JP14503387A JPS63310134A JP S63310134 A JPS63310134 A JP S63310134A JP 62145033 A JP62145033 A JP 62145033A JP 14503387 A JP14503387 A JP 14503387A JP S63310134 A JPS63310134 A JP S63310134A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- pattern
- bonding pad
- internal
- internal circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/90—Masterslice integrated circuits
- H10D84/998—Input and output buffer/driver structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体集積回路装置、特にセミカスタムtC装置におけ
る回路素子のレイアウト技術に関し、回路の集積度を向
上させることを目的とし、所定の論理機能を実現するた
めの複数の第1の回路素子が半導体チップ上で未配線の
状態で配列されている内部回路と、該内部回路の周辺に
沿って配列された複数のボンディングパッドと、該複数
のボンディングパッドのそれぞれに対応して隣接配置さ
れた、特定の素子パターンを有する第2の回路素子とを
備え、該特定の素子パターンは、該ボンディングパッド
を入力用として接続する時は該第2の回路素子が前記内
部回路内の対応する第1の回路素子に対して保護素子を
構成するように、また、該ボンディングパッドを出力用
として接続する時は該第2の回路素子が該内部回路内の
対応する第1の回路素子に対して出力トランジスタ素子
を構成するように、形成されるように構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding the layout technology of circuit elements in semiconductor integrated circuit devices, especially semi-custom TC devices, the purpose is to improve the degree of circuit integration and to realize a predetermined logical function. an internal circuit in which a plurality of first circuit elements are arranged in an unwired state on a semiconductor chip, a plurality of bonding pads arranged along the periphery of the internal circuit, and each of the plurality of bonding pads. a second circuit element having a specific element pattern arranged adjacent to the corresponding one, and the specific element pattern indicates that when the bonding pad is connected for input, the second circuit element When the bonding pad is connected for output, the second circuit element is connected to the corresponding first circuit element in the internal circuit so as to constitute a protection element for the corresponding first circuit element in the circuit. The circuit element is configured to form an output transistor element for the circuit element.
本発明は、半導体集積回路(半導体IC)装置に関し、
特にセミカスタムIC装置(マスタースライス品)にお
ける回路素子のレイアウト技術に関する。The present invention relates to a semiconductor integrated circuit (semiconductor IC) device,
In particular, it relates to layout techniques for circuit elements in semi-custom IC devices (master slice products).
第5図には従来形の一例としての半導体1C装置におけ
る回路素子のレイアウトの一例が模式的に示される。FIG. 5 schematically shows an example of the layout of circuit elements in a semiconductor 1C device as an example of a conventional type.
同図において、51は半導体チップを示し、該チップ上
には、所定の機能を実現するための回路素子(図示せず
)がアレイ状に配列された内部回路52(一点鎖線で表
示)が設けられている。この内部回路の周辺にはボンデ
ィングパッドPi(i=1〜n)が配列され、さらに該
ボンディングパッドはそれぞれ、ワイヤWi(i=1〜
n)を介して、外部との接続用の金属配線Li(i=1
=n)に接続されている。In the figure, 51 indicates a semiconductor chip, and an internal circuit 52 (indicated by a dashed line) in which circuit elements (not shown) are arranged in an array to realize a predetermined function is provided on the chip. It is being Bonding pads Pi (i=1 to n) are arranged around this internal circuit, and each of the bonding pads is connected to a wire Wi (i=1 to n).
metal wiring Li (i=1
= n).
このボンディングパッドはチップか−ら見れば入出力端
に相当するので、該入出力端に静電気等が重畳した場合
に内部回路52を保護する観点から、該ボンディングパ
ッドの近傍には該パッドに1対1で静電気対策用保護素
子が設けられる。この保護素子は、図中、符合Ci’(
i=1〜n)で示される。また、ボンディングパッドを
出力用として用いる場合には、出力側(金属配線側)を
駆動できる程度に内部回路からの出力信号を増幅する出
力用トランジスタを設ける必要がある。この場合には、
第5図に示されるように所定の間隔で出力トランジスタ
素子Ti(i=1〜m)が設けられる。なお、53は低
電位の電源ラインVSS、54は高電位の電源ラインV
ccを示す。This bonding pad corresponds to the input/output terminal from the perspective of the chip, so from the viewpoint of protecting the internal circuit 52 when static electricity is superimposed on the input/output terminal, there is a A protection element for static electricity is provided in pairs. This protection element has the symbol Ci' (
i=1 to n). Further, when the bonding pad is used for output, it is necessary to provide an output transistor that amplifies the output signal from the internal circuit to the extent that the output side (metal wiring side) can be driven. In this case,
As shown in FIG. 5, output transistor elements Ti (i=1 to m) are provided at predetermined intervals. Note that 53 is a low potential power line VSS, and 54 is a high potential power line V.
Indicates cc.
上述した従来形の半導体IC装置においては、出力トラ
ンジスタ素子を備える場合、該素子はその機能の面で大
きな電流容量を必要とするので、そのサイズは比較的大
きく設計される。それ故、回路の高集積化という観点か
ら、チップ上に数多く搭載することは好ましくない。In the conventional semiconductor IC device described above, when an output transistor element is provided, the element requires a large current capacity in terms of its function, so its size is designed to be relatively large. Therefore, from the viewpoint of highly integrated circuits, it is not preferable to mount a large number of them on a chip.
一方、保護素子についても同様であり、内部回路の保護
という観点から言えば必須の素子ではあるが、回路の高
集積化という観点から言えば、チップ上に数多く搭載す
ることは好ましくない。On the other hand, the same applies to protection elements, and although they are essential elements from the perspective of protecting internal circuits, from the perspective of high circuit integration, it is not desirable to mount a large number of them on a chip.
従って、出来ることならば、保護素子および出力トラン
ジスタ素子の搭載数を実質的に減少させることが要望さ
れる。Therefore, if possible, it is desired to substantially reduce the number of protective elements and output transistor elements mounted.
本発明は、上述した従来技術における問題点に鑑み創作
されたもので、回路の集積度を向上させることができる
半導体IC装置を提供することを目的としている。The present invention was created in view of the problems in the prior art described above, and an object of the present invention is to provide a semiconductor IC device that can improve the degree of circuit integration.
上述した従来技術における問題点は、ボンディングパッ
ドの近傍に特定の回路素子を設け、配線形態を変えるこ
とによってこの回路素子が2つの機能を実現し得るよう
に該回路素子の素子パターンを設定することにより、解
決され得る。The problem with the conventional technology described above is that a specific circuit element is provided near the bonding pad, and the element pattern of the circuit element is set so that this circuit element can realize two functions by changing the wiring form. It can be solved by
従って、本発明によれば、所定の論理機能を実現するた
めの複数の第1の回路素子が半導体チップ上で未配線の
状態で配列されている内部回路と、該内部回路の周辺に
沿って配列された複数のボンディングパッドと、該複数
のボンディングパッドのそれぞれに対応して隣接配置さ
れた、特定の素子パターンを有する第2の回路素子とを
備え、該特定の素子パターンは、酸ボンディングパッド
を入力用として接続する時は該第2の回路素子が前記内
部回路内の対応する第1の回路素子に対して保護素子を
構成するように、また、該ボンディングパッドを出力用
として接続する時は該第2の回路素子が該内部回路内の
対応する第1の回路素子に対して出力トランジスタ素子
を構成するように、形成されている、ことを特徴とする
半導体IC装置が提供される。Therefore, according to the present invention, there is provided an internal circuit in which a plurality of first circuit elements for realizing a predetermined logical function are arranged in an unwired state on a semiconductor chip, and an internal circuit along the periphery of the internal circuit. a plurality of arranged bonding pads; and a second circuit element having a specific element pattern arranged adjacent to each of the plurality of bonding pads, the specific element pattern including an acid bonding pad. When connecting for input, the second circuit element constitutes a protection element for the corresponding first circuit element in the internal circuit, and when connecting the bonding pad for output, There is provided a semiconductor IC device, characterized in that the second circuit element is formed so as to constitute an output transistor element with respect to a corresponding first circuit element in the internal circuit.
上述した構成によれば、第2の回路素子が有する特定の
素子パターンは、配線形態を変えることによって2つの
機能、すなわち保護素子としての機能および出力トラン
ジスタ素子としての機能を実現し得るように設定されて
いる。従って、ボンディングパッドを入力用として用い
た場合、あるいは出力用として用いた場合のいずれの場
合でも、第2の回路素子を兼用することができるので、
内部回路の周辺に配列される回路素子の数は実質的に減
少する。According to the above-described configuration, the specific element pattern of the second circuit element is set so that it can realize two functions, namely, the function as a protection element and the function as an output transistor element, by changing the wiring form. has been done. Therefore, whether the bonding pad is used for input or output, it can also be used as the second circuit element.
The number of circuit elements arranged around the internal circuitry is substantially reduced.
つまり、チップの面積を一定とすると、相対的に内部回
路の面積が増大することになる。これは、回路の集積度
が向上することを意味するものである。In other words, if the area of the chip is kept constant, the area of the internal circuit will increase relatively. This means that the degree of circuit integration is improved.
第1図には本発明の一実施例としての半4体IC装置に
おける回路素子のレイアウトの一例が模式的に示される
。FIG. 1 schematically shows an example of the layout of circuit elements in a half-quad IC device as an embodiment of the present invention.
第1図において、1は半導体チップを示し、該チップ上
には、所定の機能を実現するための回路素子Coがアレ
イ状に配列された内部回路2 (一点鎖線で表示)が設
けら、れている。この内部回路の周辺には高電位の電源
ライン4(電圧Vcc;5V)が配置され、さらにその
周囲にはボンディングパッドPi(i=1〜n)が配列
されている。このボンディングパッドにはそれぞれ1対
1対応で、特定の素子パターンを有する回路素子C1(
i=1〜n)が隣接配置されている。さらに、回路素子
CiおよびパッドPiを囲むようにして低電位の電源ラ
イン3(電圧Vss(GND) ;OV)が配置されて
いる。ボンディングパッドはそれぞれ、ワイヤWi(i
=l−n)を介して、外部との接続用の金属配線Li(
i−1〜n)に接続されている。従って、例えばボンデ
ィングパッドP、を電源パッドとして用いる時は、図示
されるように、当コ亥パッドと電源ライン4がAI配線
により接続される。同様に ボンディングパッドP3を
接地パッドとして用いる時は、図示されるように、当該
パッドと電源ライン3がへ!配線により接続される。In FIG. 1, 1 indicates a semiconductor chip, and an internal circuit 2 (indicated by a dashed line) in which circuit elements Co are arranged in an array for realizing a predetermined function is provided on the chip. ing. A high-potential power supply line 4 (voltage Vcc: 5V) is arranged around this internal circuit, and bonding pads Pi (i=1 to n) are arranged around it. Each of these bonding pads has a one-to-one correspondence with a circuit element C1 (
i=1 to n) are arranged adjacent to each other. Further, a low potential power supply line 3 (voltage Vss (GND); OV) is arranged so as to surround the circuit element Ci and the pad Pi. Each bonding pad is connected to a wire Wi(i
=l-n), metal wiring Li(
i-1 to i-n). Therefore, for example, when the bonding pad P is used as a power supply pad, the bonding pad P and the power supply line 4 are connected by AI wiring as shown in the figure. Similarly, when bonding pad P3 is used as a grounding pad, as shown in the figure, the bonding pad and power line 3 are connected to each other. Connected by wiring.
第2図には第1図に示される回路素子Ciの素子パター
ンの一例が示される。FIG. 2 shows an example of the element pattern of the circuit element Ci shown in FIG. 1.
同図において、20は素子形成領域(活性領域)を示し
、該領域内にはn型不純物領域21およびp型不純物領
域22が形成されている。n型不純物領域21にはトラ
ンジスタのコレクタCを構成する電極が形成され、p型
不純物領域22にはトランジスタのベースBを構成する
電極と2つのn型不純物領域23Aおよび23Bとが形
成されている。この2つのn型不純物領域23Aおよび
23BにはそれぞれトランジスタのエミッタEを構成す
る電極が形成されている。In the figure, 20 indicates an element formation region (active region), in which an n-type impurity region 21 and a p-type impurity region 22 are formed. An electrode forming the collector C of the transistor is formed in the n-type impurity region 21, and an electrode forming the base B of the transistor and two n-type impurity regions 23A and 23B are formed in the p-type impurity region 22. . Electrodes constituting the emitter E of the transistor are formed in these two n-type impurity regions 23A and 23B, respectively.
次に、第2図のように・素子パターンが設定された回路
素子Ciの使用形態について、第3図(a)、(h)お
よび第4図(a) 、(b)を参照しながら説明する。Next, the usage pattern of the circuit element Ci with the element pattern set as shown in Fig. 2 will be explained with reference to Figs. 3 (a), (h) and Figs. 4 (a) and (b). do.
第3図(a) 、(b)は、ボンディングパッドを入力
用として用いた時の回路素子Ciの使用形態を示すもの
で、(a)はその時の配線形態を示し、(b)は等価回
路を示す。(a)においてハツチングで示される部分は
、A1等の配線パターンを示すもので、電気的に接続さ
れている状態を示している。Figures 3 (a) and (b) show how the circuit element Ci is used when the bonding pad is used as an input. (a) shows the wiring form at that time, and (b) shows the equivalent circuit. shows. The hatched portion in (a) indicates a wiring pattern such as A1, and indicates an electrically connected state.
第3図に示される使用形態によれば、仮に外部ピンを介
してボンディングパッドPiに静電気等のノイズが重畳
した場合でも、内部回路の等価的なシリーズ抵抗に比べ
てトランジスタのコレクタ・エミッタ間抵抗の方がはる
かに小さいので、該ノイズに起因する信号は抵抗側には
流れず、トランジスタを通してアースに流れる。従って
、内部回路はこのノイズから保護される。According to the usage pattern shown in Figure 3, even if noise such as static electricity is superimposed on the bonding pad Pi via an external pin, the transistor's collector-emitter resistance will be higher than the equivalent series resistance of the internal circuit. is much smaller, so the signal caused by the noise does not flow to the resistor, but flows to ground through the transistor. Therefore, the internal circuitry is protected from this noise.
第4図(a) 、(b)は、ボンディングパッドを出力
用として用いた時の回路素子Ciの使用形態を示すもの
で、(a)はその時の配線形態、(b)は等価回路を示
す。Figures 4 (a) and (b) show how the circuit element Ci is used when the bonding pad is used for output, where (a) shows the wiring form at that time, and (b) shows the equivalent circuit. .
第4図に示される使用形態によれば、内部回路からの出
力信号はトランジスタによって増幅された後、ボンディ
ングパッドPiを介して外部ピンに出力される。また、
トランジスタがオフ状態にある時に、仮に外部ピンを介
してボンディングパッドPiに静電気等のノイズが入力
されても、該トランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧
が高いので、このノイズに起因する信号が内部回路側に
入力されるという不都合な事態は回避することができる
。According to the usage pattern shown in FIG. 4, the output signal from the internal circuit is amplified by the transistor and then output to the external pin via the bonding pad Pi. Also,
Even if noise such as static electricity is input to the bonding pad Pi via an external pin when the transistor is in the off state, the voltage between the collector and emitter of the transistor is high, so the signal caused by this noise will be transmitted to the internal circuit. This can avoid the inconvenient situation where the data is input to
なお、上述した実施例では回路素子Piの特定のパター
ンとしてN P N型トランジスタの形態を設定した場
合について説明したが、これは、本発明の要旨からも明
らかなように、PNP型トランジスタの形態でもよいし
、また、トランジスタ以外の形態を有する任意のパター
ンを設定することも可能である。In addition, in the above-described embodiment, a case was explained in which the specific pattern of the circuit element Pi was set as an N P N-type transistor, but as is clear from the gist of the present invention, this does not apply to a PNP-type transistor as a specific pattern. Alternatively, it is also possible to set an arbitrary pattern having a form other than a transistor.
さらに、回路素子Piとしてトランジスタの形態を設定
した場合には、本実施例に示されるようなバイポーラ素
子に限らず、CMO3等のユニポーラ素子を設定するこ
ともできる。Further, when the circuit element Pi is set in the form of a transistor, it is not limited to a bipolar element as shown in this embodiment, but a unipolar element such as CMO3 can also be set.
以上説明したように本発明の半導体IC装置によれば、
静電気対策用保護素子と出力トランジスタ素子の機能を
兼ね備えた構造の回路素子をボンディングパッドに隣接
させて配置することにより、内部回路の周辺に配列され
るべき回路素子の数を実質的に減少させ、該内部回路の
占有面積を相対的に増大させることができるので、回路
の集積度を向上させることができる。As explained above, according to the semiconductor IC device of the present invention,
By arranging a circuit element with a structure that combines the functions of an electrostatic protection element and an output transistor element adjacent to the bonding pad, the number of circuit elements to be arranged around the internal circuit can be substantially reduced. Since the area occupied by the internal circuit can be relatively increased, the degree of integration of the circuit can be improved.
第1図は本発明の一実施例としての半導体IC装置にお
ける回路素子のレイアウトの一例を示す模式平面図、
第2図は第1図に示される回路素子Ciの素子パターン
の一例を示す図、
第3図(a)および(b)は第1図に示される回路素子
Ctの一使用例を示す図で、(a)は配線図、(b)は
等価回路図、
第4図(a)および(b)は第1図に示される回路素子
Ciの他の使用例を示す図で、(a)は配線図、(b)
は等価回路図、
第5図は従来形の一例としての半導体IC装置における
回路素子のレイアウトの一例を示す模式(符号の説明)
1・・・半導体チップ、2・・・内部回路、3・・・電
源ライン(Vss) 、4・・・電源ライン(Vcc)
、Co・・・(第1の)回路素子、
P1〜Pn・・・ボンディングパッド、C1〜Cn・・
・(第2の)回路素子。1 is a schematic plan view showing an example of the layout of circuit elements in a semiconductor IC device as an embodiment of the present invention; FIG. 2 is a diagram showing an example of the element pattern of the circuit element Ci shown in FIG. 1; 3(a) and 3(b) are diagrams showing an example of the use of the circuit element Ct shown in FIG. 1, in which (a) is a wiring diagram, (b) is an equivalent circuit diagram, and FIG. 4(a) and (b) are diagrams showing other usage examples of the circuit element Ci shown in FIG. 1, (a) is a wiring diagram, (b)
is an equivalent circuit diagram, and FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of the layout of circuit elements in a semiconductor IC device as an example of a conventional type (explanation of symbols) 1... semiconductor chip, 2... internal circuit, 3...・Power line (Vss), 4...Power line (Vcc)
, Co...(first) circuit element, P1-Pn... bonding pad, C1-Cn...
- (Second) circuit element.
Claims (1)
(Co)が半導体チップ(1)上で未配線の状態で配列
されている内部回路(2)と、 該内部回路の周辺に沿って配列された複数のボンディン
グパッド(P_1〜Pn)と、 該複数のボンディングパッドのそれぞれに対応して隣接
配置された、特定の素子パターンを有する第2の回路素
子(C_1〜Cn)とを備え、該特定の素子パターンは
、該ボンディングパッドを入力用として接続する時は該
第2の回路素子が前記内部回路内の対応する第1の回路
素子に対して保護素子を構成するように、また、該ボン
ディングパッドを出力用として接続する時は該第2の回
路素子が該内部回路内の対応する第1の回路素子に対し
て出力トランジスタ素子を構成するように、形成されて
いる、 ことを特徴とする半導体集積回路装置。[Claims] An internal circuit (2) in which a plurality of first circuit elements (Co) for realizing a predetermined logical function are arranged in an unwired state on a semiconductor chip (1); A plurality of bonding pads (P_1 to Pn) arranged along the periphery of the internal circuit, and a second circuit element (C_1) having a specific element pattern and arranged adjacent to each of the plurality of bonding pads. ~Cn), and the specific element pattern is such that when the bonding pad is connected for input, the second circuit element provides a protection element to the corresponding first circuit element in the internal circuit. and when the bonding pad is connected for output, the second circuit element configures an output transistor element with respect to a corresponding first circuit element in the internal circuit. A semiconductor integrated circuit device characterized by:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62145033A JP2518852B2 (en) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62145033A JP2518852B2 (en) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | Semiconductor integrated circuit device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63310134A true JPS63310134A (en) | 1988-12-19 |
JP2518852B2 JP2518852B2 (en) | 1996-07-31 |
Family
ID=15375855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62145033A Expired - Lifetime JP2518852B2 (en) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | Semiconductor integrated circuit device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2518852B2 (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01171262A (en) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | semiconductor integrated circuit |
JPH01196162A (en) * | 1988-01-30 | 1989-08-07 | Sony Corp | Semiconductor device |
US5017993A (en) * | 1989-02-20 | 1991-05-21 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device with bus lines |
WO2006035787A1 (en) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59208771A (en) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit device |
-
1987
- 1987-06-12 JP JP62145033A patent/JP2518852B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59208771A (en) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit device |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01171262A (en) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | semiconductor integrated circuit |
JPH01196162A (en) * | 1988-01-30 | 1989-08-07 | Sony Corp | Semiconductor device |
US5017993A (en) * | 1989-02-20 | 1991-05-21 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device with bus lines |
WO2006035787A1 (en) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JP2006100436A (en) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
US7550838B2 (en) | 2004-09-28 | 2009-06-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2518852B2 (en) | 1996-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH065705B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JPH02240959A (en) | semiconductor equipment | |
JP2644342B2 (en) | Semiconductor device with input protection circuit | |
JP2830783B2 (en) | Semiconductor device | |
JPS63310134A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JPS6070742A (en) | Master slice type semiconductor device | |
JP2537836B2 (en) | Semiconductor protection device | |
EP0335965A1 (en) | Phantom esd protection circuit employing e-field crowding | |
JP2000133775A (en) | Protection device | |
JP3211871B2 (en) | Input/Output Protection Circuit | |
JP3435937B2 (en) | Semiconductor device | |
JP3038896B2 (en) | Semiconductor device | |
JPH0766958B2 (en) | Electrostatic protection circuit | |
JP2848674B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JP2878765B2 (en) | Semiconductor device | |
JPH0281468A (en) | Input protective circuit | |
JP3157377B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2522455B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JP2926801B2 (en) | Semiconductor integrated device | |
JP2001077230A (en) | Lead frame and semiconductor device mounting body using the same | |
JPH0730067A (en) | Semiconductor device | |
JPH03270067A (en) | Semiconductor integrated device | |
JPH04188865A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JP2003124333A (en) | Semiconductor ic chip | |
JPH0722581A (en) | Input protective circuit of semiconductor device |