JPS63308090A - 液晶組成物及びこれを含む液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は液晶表示素子や液晶−光シヤツター等に利用さ
れる液晶素子に用いる液晶組成物に関し、更に詳しくは
、電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成物
に関するものである。

又、液晶分子の配向状態を改善することにより、表示な
らびに駆動特性を改善した液晶組成物に関するものであ
る。

〔従来の技術とその問題点〕

双安定性を有する液晶素子の使用がＣ１ａｒｋおよびＬ
ａｇｅｒｗａｌｌにより提案されている（特開昭５６−
１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細
書等）。双安定性液晶としては、一般に、カイラルスメ
クチックＣ相（Ｓ　ｍ　Ｃ”　）又はＨ相（Ｓ　ｍ　Ｈ
中）を有する強誘電性液晶が用いられる。この強誘電性
液晶は電界に対して第１の光学的安定状態と第２の光学
的安定状態からなる双安定状態を有しているので、ＴＮ
型の液晶で用いられた光学変調素子とは異なり、例えば
一方の電界ベクトルに対して第１の光学的安定状態に液
晶が配向し、他方の電界ベクトルに対しては第２の光学
的安定状態に液晶が配向される。またこの型の液晶は、
加えられる電界に応答して、上記２つの安定状態のいず
れかを取り、且つ電界の印加のないときはその状態を維
持する性質（双安定性）を有する。

以上のような双安定性を有する特徴に加えて、強誘電液
晶は高速応答性であるという優れた特徴をもつ。

このため強誘電性を持つ液晶材料に関しては広く研究が
なされているが、現在までに開発された強誘電性液晶材
料は、低温作動特性、高速応答性等を含めて液晶素子に
用いるに十分な特性を備えているとは云い難い。

また、さらに従来の双安定性を有する強誘電性液晶素子
においては、液晶の均一な配向状態が必ずしも満足に形
成されなかった為に、充分な特性が得られなかったのが
実情である。この為、これまでにラビング処理や斜方蒸
着処理した面の存在下で双安定性を示す強誘電性液晶を
均一な配向状態に配向させようとする方法が提案されて
いる。本発明者らは、既に上述のラビング処理や斜方蒸
着処理を施した基板を用いる事によって、均一な配向状
態をもつ双安定性強誘電性液晶が得られることは判明し
ていた。

しかしながら、本発明者らの実験によれば前述した双安
定状態が必ずしもクラークとラガーウオルによって発表
された前掲の文献等で示された理想的な双安定状態を持
たないことが判明した。

すなわち、クラークとラガーウオルによれば双安定性を
実現する非らせん構造のカイラルスメクチック相でのチ
ルト角（後述の第３図に示す角度θ）がらせん構造をも
つカイラルスメクチック相でのチルト角（後述の第２図
に示す三角錐の頂角■）と同一の角度をもつはずである
が、実際には非らせん構造でのチルト角θの方がらせん
構造でのチルト角■より小さくなっている。しかも、こ
の非らせん構造でのチルト角θがらせん構造でのチルト
角■より小さくなる原因が非らせん構造での液晶分子の
ねじれ配列に起因していることが判明した。つまり、非
らせん構造をもつカイラルスメクチック相では、液晶分
子が第８図に示す様に基板の法線に対して上基板に隣接
する液晶分子の軸８２より下基板に隣接する液晶分子の
軸８３（ねじれ配列の方向）へ連続的にねじれ角δでね
じれて配列しており、このことが非らせん構造でのチル
ト角θがらせん構造でのチルト角■より小さくなる原因
となっている。

尚、図中８１は上下基板に形成したラビング処理や斜方
蒸着処理によって得られたー軸性配同軸を表わしている
。

ところで、液晶の複屈折を利用した液晶素子の場合、直
交ニコル下での透過率は、 で表わされる。前述のｌ〔らせん構造におけるチルトθ
は第１と第２の配向状態でのねじれ配列した液晶分子の
平均分子軸方向の角度とし工現われることになる。上式
によれば、かかるチルトθが２２．５°の角度の時最大
の透過率となるが、双安定性を実現する非らせん構造で
のチルト角θは太き（て１０’程度の角度であり、従っ
て、表示装置としての適用を考慮した時にはその透過率
は３〜５％程度で十分なものとはならない問題がある。

〔発明の目的〕

そこで、本発明の目的は前述の欠点又は不利を解消した
強誘電性液晶組成物および該液晶組成物を使用する液晶
素子を提供することにある。

さらに詳しくは、特定の液晶化合物を混合することによ
って低温作動特性、高速応答性などの緒特性を改良し、
単独の液晶性化合物では得られない表示特性を有する、
液晶組成物および該組成物を使用する液晶素子を提供す
ることである。

また本発明の第２の目的は、安定状態を実現する非らせ
ん構造のカイラルスメクチック相でのチルト角を増大し
た液晶組成物及び該液晶組成物を用いた液晶素子を提供
することである。

〔目的を達するための手段及び作用〕

そこで、本発明は不斉炭素に直接フッ素原子が結合した
構造を有する光学活性な液晶性化合物（以下Ｆ系液晶性
化合物と呼ぶ）、好ましくは下記一般式（３）又は−Ｑ
Ｃ−ＣＨ＝ＣＨ−を、Ｘ３は単結合！　　Ｏｒ示す。＝
（や−、−（リ−９−ぐ）−はそれぞれ−（＋Ｒ３およ
びＲ４は炭素数１〜１６の直鎖又は分岐状のアルキル基
、アルコキシアルキル基又はハロゲン化アルキルであり
、不斉炭素を有しても良い。

ａ、　ｂ、　ｃおよびｄ　ｉ′！Ｏまたは１または２で
あり、ｅはＯまたはｌである。Ｃ＊は不斉炭素原子を表
わす。）で表わされる光学活性なフルオロアルカン誘導
体の液晶化合物の少なくとも１種と、下記一般式（１）
％式％（１） （式中、Ｒ１は、直鎖又は分岐状の炭素数１−１８のア
ルキル基であり、Ｘは０またはｌＳｙは０〜８の整数で
ある。またＣ０は不斉炭素原子を示す。）より好ましく
は下記一般式（２）で表わされる光学活性基を有する液
晶性化合物 ＣＨ３ Ｒ２−Ｘ、　−Ａ、　−Ｙ、−Ａ２−Ｘ２＋　ＣＨ２−
）−ＣＨ−（−ＣＨ２すＯＲ，（２）率 （式中、ｘｌ及びｘ２は単結合、−〇−、−ＣＯ−。

を有しても良い、２価の含水員環基を示す。

（置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲ
ン原子（塩素、臭素、又はフッ素）又はシアノ基であり
、２価の含水員環基としてはがあげられる。） Ｒ２及びＲ１は、それぞれ炭素数４〜１６および１〜１
８の直鎖又は分岐状のアルキル基であり、ｙは０〜８の
整数、Ｘは０または１である。Ｃ０は不斉炭素原子を示
す。）で表わされる光学活性な液晶性化合物の少なくと
も１種を配合成分として含有することを特徴とする液晶
組成物ならびに該液晶組成物を一対の電極基板間に配置
してなる液晶素子を提供するものである。

また、本発明は不斉炭素原子に直接フッ素原子が結合し
た光学活性基を有し、かつエステル結合を有する液晶性
化合物であって、該光学活性基を該エステル結合のカル
ボン酸成分として含む液晶性化合物の少なくとも１種類
と、該光学活性基を該エステル結合のアルコール成分と
して含む液晶性化合物の少なくとも１種類とを含有する
液晶組成物、ならびに該液晶組成物を一対の電極基板間
に配置してなる液晶素子を提供するものである。

前記光学活性基をエステル結合のカルボン酸成分として
含む液晶性化合物は、望ましくは下記一般式（４） ％式％（４） で表わされ、前記光学活性基をエステル結合のアルコー
ル成分として含む液晶性化合物は、望ましくは下記一般
式（５） ％式％ 前記一般式（４）、　　（５）において、ＲＩＩ＋　Ｒ
６＋Ｒ７とＲ８は炭素数１−１６の直鎖状又は分岐状の
アルキル基であり、Ｃ１は不斉炭素原子を示す。Ｘ５と
ｘ６は単結合、−０−または−ＣＯＯ−を示し、ｘ７は
一〇−または一〇〇−を示す。

Ａ３．Ａ４．Ａ、とＡ６は置換基を有しても良い含水員
環基であり、Ａ３とＡ４は壬◎）、Ｙ３−（Ｙ３は単結
合、−ＣＨ＝ＣＨ−または−ＣＨ２ＣＨ２−を示し、ｌ
は１または２を示す。）で表わされ、Ａ、と八〇は÷◎
：）、Ｙ４−　（Ｙ４は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−または
−ＣＨ２ＣＨ２−を示し、ｎは１または２を示す）で表
わされ、ｍはＯまたはｌを示す。

但し上記の式で表わしているカルボン酸成分とは下記の
（Ａ）の部分を表わしている。

Ｒ、−Ｃ”　Ｈ−ＣＨ２＋Ａ　３−ＣＯ−Ａ　４−Ｘ　
５−Ｒ６（Ａ） 又、アルコール成分とは下記の（Ｂ）の部分を示してい
る。

すなわち、本発明は不斉炭素原子に直接フッ素原子が結
合した光学活性基を有し、かつエステル結合を有する液
晶性化合物を含有する液晶組成物であり、該光学活性基
を該エステル結合のカルボン酸成分として含む液晶性化
合物の少なくとも１種類と該光学活性基を該エステル結
合のアルコール成分として含む液晶性化合物の少な（と
も１種類とを混合することにより、低温作動特性、高速
応答性などの緒特性を改良し、単独の液晶性化合物では
得られない表示特性が得られることを見いだしたもので
ある。

さらに、又本発明の別の液晶組成物は、Ｐｓの方向が正
で１ＰＳ１≧８ｎｃ／ｃ　ｒｔｒ　（ｌ　Ｔｃ−Ｔ　Ｉ
　＝１５）、好ましくは２０ｎｃ／ｃｒｒｆ以上のカイ
ラルスメクチック液晶性化合物の少なくとも１種と、Ｐ
ｓの方向が負でＩＰＳ１≧８ｎｃ／ｃ　ｒｄ　（ｌ　Ｔ
ｃ−Ｔ　Ｉ　＝１５）、好ましくは２０ｎｃ／ｃｒ＋ｆ
以上のカイラルスメクチック液晶性化合物の少なくとも
１種とを含有した、液晶組成物を提供することにある。

上述のカイラルスメクチック相とはＳｍ＊Ｃ，Ｓｍ＊Ｈ
，Ｓｍ＊Ｆ。

Ｓｍ＊Ｉ、Ｓｍ＊Ｇ相を示す。また、さらに上述の１Ｔ
ｃ−ＴＩとは該カイラルスメクチック液晶相を示す上限
の温度から１５℃下がった温度での値を意味する。例え
ばカイラルスメクチックＣ相を有するものであれば、カ
イラルスメクチックＣ相を示す上限の温度から１５℃さ
がった温度のことである。

前述のねじれ配列によるねじれ角及びねじれ方向は、液
晶と基板の表面状態および液晶分子間相互作用によって
決まるが、上記液晶組成物からなる液晶素子を用いるこ
とにより、該ねじれ配列を解消することができる。該ね
じれ配列を解消した該強誘電性液晶素子では非直交ニコ
ル下で最大の透過率／遮光率コントラストが得られ、し
かもねじれ配列の双安定状態をもっている液晶素子では
非直交ニコル下で最大のコントラストが得られるが、こ
の時観察方向によってそのコントラストが相違してしま
う視野角依存性を有しているが、かかるねじれ配列の解
消とともに、上述の視野角依存性をも解消することがで
きる。

以下、詳細に述べる。

本研究により、本発明者らはＦ（フッ素）系液晶性化合
物と上記（１）式の液晶性化合物を混合することで、そ
れぞれの液晶性化合物を単独で用いる場合に比べ、スメ
クチックＣ１相を与える温度領域が広がり、且つ応答速
度が向上し、表示特性が改善された液晶素子を提供でき
ることを見出した。以下、本発明を更に詳細に説明する
。以下の記載において量比を表わす「％」および「部」
は、いずれも重量を基準とする。

液晶性化合物はＦ系液晶性化合物全般（好ましくは一般
式（３）で表わされるもの）及び一般式（１）で表わさ
れる光学活性基を有する液晶性化合物（好ましくは一般
式（２））で表わされるものである。

一般式（２）および（３）で表わされる具体的な液晶性
化合物例の構造式と液晶の相転移温度を下表１および２
に示す。しかし、ここにあげたもののみに本発明が限ら
れるわけではない。

表中、相転移温度の欄における記号は、それぞれ以下の
相を示す。

Ｃｒｙｓｔ、　　：結晶相、 Ｓ　ｍ　Ａ　　　：スメクチツクＡ相、Ｓ　ｍ　Ｃ”　
　　：カイラルスメクチックＣ相、Ｎ　　　　：ネマチ
ツク相、 Ｃｈ　　　　：コレステリック相、 Ｉｓｏ　　　　：等吉相、 Ｓｍｌ、　Ｓｍ２．　Ｓｍ３　：　ＳｍＡ、　ＳｍＣ”
以外のスメクチッ一般式（２）で示される光学活性な液
晶性化合物は以下の方法等により合成される。

出発原料として一般式（６） ％式％（６） （ここでＲ６は低級アルキル基、Ｃ１は不斉炭素原子を
示し、ｘ、　ｚはＯまたはｌを示す。ＸがＯのとき２は
Ｏまたは１であり、Ｘが１のとき２はＯである。）で表
わされる化合物より下記反応工程式（１）および（２）
に従って、あるいは工程式（２）を繰り返すことによっ
て光学活性アルコールあるいは光学活性アルポン酸を合
成できる。

ＯＨ３ ■ Ｄ＋ＣＨ２＋−ＣＨ−＋ＣＨ２う−ＯＲ，（７）Ｙ　＊ （ここでＲ１は炭素数１〜１８の直鎖又は分岐状のアル
キル基であり、ｙはＯ〜８の整数、ＸはＯまたは１であ
る。Ｄは−ＯＨ，又はＣＯＨである。）工程（１） ＯＨ３ 晋 Ｒ，−０−＋ＣＨ２ｑｃＨ＋ｃＨ，−）−；ＣＨ２０Ｍ
　　　（７）−１工程（２） このようにして合成した光学活性なアルコールあるいは
光学活性なカルボン酸とそれぞれ対応するアルコール、
チオール等誘導体、あるいはカルボン酸誘導体と常法に
より反応させることにより下記一般式（８）、（９） ％式％（８） を示す。またＡ２は置換基を有しても良い２価の含水員
環基を示し、置換基としては、アルキル基、アルコキシ
基、ハロゲン原子（塩素、臭素、フッ素）、シアノ基、
２価の含水員環基としては バク）（ＣＨ，−（■−◇ジー、ＨｑΣにヅ←があげら
れる。

Ｒ１は炭素数１〜１８の直鎖又は分岐状のアルキル基で
あり、ｙは０〜８の整数、ＸはＯまたは１である。

Ｙ、は−０−あるいは−Ｓ−であり、Ｙ６は単結合、−
ＣＨ＝ＣＨ−または−ＣＨ２ＣＨ２である。Ｃ０は不斉
炭素原子を示す。）で示される、エーテルあるいはエス
テル結合を有している光学活性なアルコール及び光学活
性なカルボン酸を得ることができる。

（７）、（８）、（９）をさらに下記一般式（１０）、
（１１）％式％（１０） （ここでＲ２は炭素数４〜１６の分岐または直鎖アルキ
ル基を示す。Ａ１は置換基を有しても良い２価の含水員
環基を示し、Ｘ、は単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−。

Ｙ７及びＹ９は単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−あるいは−Ｃ
Ｈ＝ＣＨ−であり、Ｙ８は一〇−あるいは−８−である
。）で示されるアルコール、チオール誘導体、あるいは
カルボン酸誘導体と常法により反応させることにより、
一般式（２）で示される光学活性な液晶性化合物を合成
することができる。

上記一般式（３）で示される光学活性フルオロアルカン
誘導体は、好ましくは、特願昭６０−２３２８８６号等
の明細書に示される２−フルオロ−１−アルカノール、
ｐ−ハイドロキシ安息香酸（２−フルオロアルキル）エ
ステル、ｐ−ハイドロキシビフェニルカルボン酸（２−
フルオロアルキル）エステル、ハイドロキノン（２−フ
ルオロアルキル）エーテル、４−　（４’　−（２−フ
ルオロアルキル）オキシフェニル〕フェノール等の光学
活性中間体から合成される。

例えばこれらの光学活性中間体から次に示す合の場合。

）液晶性化合物が得られる。

本発明の液晶組成物は一般式（１）で表わされる光学活
性基を有する液晶性化合物、好ましくは一般式（２）で
表わされる液晶性化合物の少なくとも１種１〜９９％と
、Ｆ系液晶性化合物、好ましくは一般式（３）で表わさ
れる液晶性化合物の少なくとも１種９９〜１％を混合す
ることにより形成することが好ましい。

また、本発明の別の良好な結果を示す液晶組成物は、不
斉炭素原子に直接フッ素原子が結合した光学活性基を有
し、かつエステル結合を有する液晶性化合物であって、
該光学活性基を該エステル結合のカルボン酸成分として
含む液晶性化合物の少な（とも１種類と、該光学活性基
を該エステル結合のアルコール成分として含む液晶性化
合物の少なくとも１種類とを含有する液晶組成物である
。

前記光学活性基をエステル結合のカルボン酸成分として
含む液晶性化合物は、望ましくは下記一般式（４） ％式％（４） で表わされ、前記光学活性基をエステル結合のアルコー
ル成分として含む液晶性化合物は、望ましくは下記一般
式（５） ％式％ 液晶性化合物の代表例を以下に示す。前記光学活性基を
エステル結合のカルボン酸成分として含む液晶性化合物
、好ましくは一般式（４）で表わさ４−７　　　　　　
　　Ｆ 不　　　　　　　　　　　　　　１１１１不　　　　　
　　　　　　　　　ｌ１１１ＬＪ　　　　　　　　Ｕ ＊　　　　　　　　　　　　　　ＩＩ　　　　　　　　
　　　　ＩＩＯＯ 不　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＩＩ　　　
　　　　　　　ＩＩＯＯ 上記一般式（４）で示される光学活性な液晶性化合物は
、好ましくはｐ−２−フルオロアルコキシ安息香酸、ｐ
’−２−フルオロアルコキシビフェニル−ｐ−カルボン
酸等の光学活性中間体から合成される。

例えばこれらの光学活性中間体から次に示す合成経路に
より、一般式（４）に示される液晶性化合物が得られる
。

■ Ｒ、−ＣＨＣＨ２０−Ａ　３−（：ＯＨ率（１ ＊、１１ （但し上記式中の符号は前述の符号と一致している。）
また、前記光学活性基をエステル結合のアルコール成分
として含む液晶性化合物、好ましくは一般式（５）で表
わされる液晶性化合物の具体例を以下ＩＩ　　　　　　
　　ＩＩ　　　　　＊Ｏ０ ５−７Ｆ 「 不 −１０Ｆ 嘔 Ｃｌ０Ｈ２１０＋ＣＯ−◎−０ＣＨ２ＣＨＣ５ＨＩ＋１
１＊ Ｉｌ＊ ５−１８　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　ＦＩ Ｃ９Ｈ１９０−◎−Ｃｏ−１０−ＯＣＨ２ＣＨＣ８ＨＩ
ＯＩＩ＊ 上記一般式（５）で示される光学活性な液晶性化合物は
、好ましくは特願昭６０−２３２８８６号等に示される
２−フルオロ−１−アルカノール、ｐ−ハイドロキシ安
息香酸（２−フルオロアルキル）エステル、ｐ−ハイド
ロキシビフェニルカルボン酸（２−フルオロアルキル）
エステル、ハイドロキノン（２−フルオロアルキル）エ
ーテル、４−（４’−（２−フルオロアルキル）オキシ
フェニル〕フェノール等の光学活性中間体から合成され
る。

例えばこれらの光学活性中間体から次に示す合成経路に
より、一般式（５）に示される液晶性化合（但し、上記
式中の符号は前述の符号と一致している。）本発明の液
晶組成物は前記光学活性基をエステル結合のカルボン酸
成分として含む液晶性化合物、望ましくは前記一般式（
４）で示される液晶性化合物の少な（とも１種を１〜９
９％と、前記光学活性基をエステル結合のアルコール成
分として含む液晶性化合物、望ましくは前記一般式（５
）で示される液晶性化合物の少なくとも１種を９９〜１
％の割合で混合することにより作成することが望ましい
。

第１図は、強誘電性液晶素子の構成の説明のために、強
誘電性液晶層を有する液晶表示素子の一例の断面概略図
である。

第１図において符号１は強誘電性液晶層、２はガラス基
板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御層、５はスペー
サー、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は光源
を示している。

２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ２Ｏ３゜ＳｎＯ
２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄ
ｅ）等の薄膜から成る透明電極が被覆されている。その
上にポリイミドの様な高分子の薄膜をガーゼやアセテー
ト植毛布等でラビングして、液晶をラビング方向に並べ
る絶縁性配向制御層が形成されている。また絶縁層とし
て例えばシリコン窒化物、水素を含有するシリコン炭化
物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有する硼素
窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、ジルコ
ニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウムなど
の無機物質絶縁層を形成し、その上にポリビニルアルコ
ール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイ
ミド、ポリバラキシレン、ポリエステル、ポリカーボネ
ート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢
酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂
、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォトレ
ジスト樹脂などの有機絶縁物質を配向制御層として、２
層で絶縁性配向制御層が形成されていてもよく、また、
無機物質絶縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁性配向
制御層、単層であっても良い。この絶縁性配向制御膜が
無機系ならば蒸着法などで形成でき、有機系ならば有機
絶縁物質を溶解させた溶液またはその前駆体溶液（溶剤
に０．１〜２０重量％、好ましくは０．２〜１．０重量
％）を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリ
ーン印刷法、スピレー塗布法、ロール塗布法等で塗布し
、所定の硬化条件下（例えば加熱）で硬化させ形成させ
ることができる。絶縁性配向制御層の層の厚みは通常５
０人〜１μ、好ましくは１００人〜５０００人、さらに
好ましくは５００人〜３０００人が適している。

この２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の
間隔に保たれている。例えば、所定の直径を持つシリカ
ビーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板
２枚で挟持し、周囲をシール材、例えばエポキノ系接着
材を用いて密封する方法がある。その他、スペーサーと
して高分子フィルムやガラスファイバー等を用いても良
い。この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入さ
れている。

強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層は一般には０
．５μ〜２０μ、好ましくは１μ〜５μである。

透明電極３からはリード線によって外部電源７に接続さ
れている。またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り
合わせである。

第１図は透過型なので、光源９を備えている。

第２図は、強誘電性液晶素子の動作説明のために、セル
の例を模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂは、
それぞれＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄ
ｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透明
電極で被覆された基板（ガラス板）であり、その間に液
晶分子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍ
Ｃ“相又はＳ　ｍ　Ｈ”相の液晶が封入されている。太
線で示した線２３が液晶分子を表わしており、この液晶
分子２３はその分子に直交した方向に双極子モーメント
（Ｐ±）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電
極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２
３のらせん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ±）２
４がすべて電界方向に向（よう、液晶分子２３は配向方
向を変えることができる。液晶分子２３は、細長い形状
を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性
を示し、従って、例えばガラス面の上下に互いにクロス
ニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特
性が変わる液晶光学変調素子となることは容易に理解さ
れる。

本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄く（例えば１０μ以下）すること
ができる。このように液晶層が薄（なるにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメントＰａま
たはｐｂは上向き（３４ａ）又は下向き（３４ｂ）のど
ちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図に示す
如く一定の闇値以上の極性の異なる電界Ｅａ又はＥｂを
電圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与すると、双極子
モーメントは、電界Ｅａ又はＥｂの電界ベクトルに対応
して上向き３４ａ又は下向き３４ｂと向きを変え、それ
に応じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａかあるいは
第２の安定状態３３ｂの何れか一方に配向する。

このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は、先にも述べたが２つある。

その第１は応答速度が極めて速いことであり、第２は液
晶分子の配向が双安定性を有することである。

第２の点を、例えば第３図によって更に説明すると、電
界Ｅａを印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに
配向するが、この状態は電界を切っても安定である。又
、逆向きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安
定状態３３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、や
はり電界を切ってもこの状態に留っている。又、与える
電界ＥａあるいはＥｂが一定の闇値を越えない限り、そ
れぞれ前の配向状態にやはり維持されている。

以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。

なお、以下実施例で自発分極はに、ミャサト外「三角波
による強誘電性液晶の自発分極の直接測定法」（日本応
用物理学会誌■、１０号、Ｌ　（６６１）　１９８３、
（”Ｄｉｒｅｃｔ　　Ｍｅｔｈｏｄ　　ｗｉｔｈ　　Ｔ
ｒｉａｎｇｕｌａｒＷ　ａ　ｖ　ｅ　ｓ　　ｆ　ｏ　ｒ
　　Ｍ　ｅ　ａ　ｓ　ｕ　ｒ　ｉ　ｎ　ｇ　　Ｓ　ｐ　
ｏ　ｎ　ｔ　ａ　ｎ　ｅ　ｏ　ｕ　５Ｐｏｌａｒｉｚａ
ｔｔ＊ｎ　　ｉｎ　　Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　　
ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａ＋”、　ａｓ　　ｄｅｓｃｒ
ｉｂｅｄ　　ｂｙ　　Ｋ、Ｍｉｙａｓａｔ。

ｅｔ　　ａｌ、（Ｊａｐ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、２
２．　Ｎｏ、１０．　Ｌ６６１（１９８３）））により
測定した。

また、Ｐｓの極性については、ｃｌａｒｋらの定義（Ｎ
。

Ａ、ＣＩａｒｋ　　ａｎｄ　　Ｓ、Ｔ、Ｌａｇｅｒｗｅ
ｌｌ、Ｆｅ’ｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ。

踵　Ｐ、２５　（１９８４））に従い測定した。

なお単独では、カイラルスメクチック相を示さない液晶
性化合物は、スメクチックＣ相を示し、Ｐｓをもたない
液晶化合物と、１０　：　９０の比率で混合することに
より、カイラルスメクチックＣ相をもたせた後、Ｐｓを
測定し、これを本来の１０％値として、実施例１ 前記表１および表２に記載の液晶性化合物１５と液晶性
化合物４１を８４　：　１６の割合で混合して液晶組成
物を得た。この液晶組成物は以下の相転移を示した。

すなわち、この液晶組成物は単独の液晶性化合物１５よ
りカイラルスメクチックＣ相の温度領域が高温側にも低
温側にも広がり、過冷却温度でもＳｍＣ”を比較的安定
に保つ。

上記液晶組成物の自発分極と応答速度の結果を下の表３
に示す。

表３ 上記、応答速度は電極を覆うポリイミド被膜にラビング
処理を施した一対の電極基板間に上記液晶組成物を挟持
し、液晶層厚を２μｍとして、ピーク・トウ・ピーク電
圧として２０Ｖの電圧印加により直交ニコル下での光学
的な応答を（電圧印加時から透過光量変化が９０％変化
するまでの間を）検知して応答速度を測定した。

以上かられかるように、本発明に従う混合液晶組成物は
、単独の液晶性化合物に比べてＳ　ｍ　Ｃ”相の温度領
域が広がり、またＦ基液晶化合物のもつ大きな自発分極
が混合液晶組成物に反映し、それに起因する応答速度の
改善がされている。

実施例２ 前記表１に記載の液晶性化合物５．　６．　１０を１：
１：２で混合した液晶組成物Δは以下の相転移を示す。

４．９　　　　８９．４　　　９２．７また、液晶組成
物Δのそれぞれの液晶性化合物５゜６．１０の自発分極
の値ならびに螺旋の巻きを示す。

自発分極　　　巻き 液晶性化合物　５　　（Ｔｃ−Ｔ＝１０℃）　　＋２１
　ｎｃ／ｃｍ”　　左６　（Ｔｃ−Ｔ＝１０℃）　＋１
５ｎｃ／ｃｍ２左１０　（Ｔｃ−Ｔ＝１０℃）　＋２０
　ｎｃ／ｃｍ”左また前記表２に記載の液晶性化合物４
４と４８を１；３で混合した液晶組成物旦は以下の相転
移を示す。

また、液晶性化合物旦のそれぞれの液晶性化合物４４、
４８の結果も示す。

自発分極　　　巻き 液晶性化合物　４４　　（Ｔｃ−Ｔ＝ｌＯ℃）　　−４
１ｎｃ／ａｍ’　　左４８　（Ｔｃ−Ｔ＝１０℃）　−
６１ｎｃ／ｃｍ”左この２つの液晶組成物Δ及び旦を混
合し得られた液晶組成物靜の相転移温度（昇温過程）の
変化を相図として第７図に示す。第７図より明らかな通
り、Ａ　：　Ｂ＝８０　＋　２０の混合比率付近でカイ
ラルスメクチックＣの温度範囲が特に低温側に広がって
いる。

また、この組成物ｌのうち、Ａａｏ−Ｂ２０　（Ａ　：
　Ｂ−８０・２０混合物）について、実施例１と同様に
し素子を作成して、全く同じ条件で応答速度を測定した
ところ、２５℃において５５０μｓｅｃと組成物Δ１０
０％を用いる場合に比べて応答特性が改善されていた。

（なお、液晶組成物Ａの２５℃における応答速度は６１
０　Ａｌ５ｅｃである。） なお、この液晶素子における（測定条件は以下の実施例
１１と同様）チルト角は１５°、最大透過率は１３％で
あった。

実施例３ 前記表１に記載の液晶性化合物１．４．　１０．　１５
及び１６、さらに前記表２に記載の液晶性化合物４１を
下表４に示す割合で混合して液晶組成物を得た。

表４ この液晶組成物は、以下の相転移を示した。

−２０，２５６，２６６，４ また上記組成物を用いて、実施例１と同様にして素子を
作成し、全（同じ条件で測定した光学応答速度は２５℃
において２２０１１ｓｅｃであった。

すなわち、この液晶組成物は単独の液晶性化合物よりカ
イラルスメクチックＣ相の温度領域が特に低温側に広が
り、室温において安定な状態を保ち、また応答速度の改
善がなされている。

実施例４ 前記表１記載の液晶性化合物１０．　１５．　１６と前
記表２に記載の液晶性化合物３３．４４．４６とをそれ
ぞれ３５．　２０．　５．　５．　１０．　２５％ずつ
混合した液晶組成物を用い、相転移を調べ実施例３と同
様にして光学応答速度を確認したところ、単独の液晶性
化合物よりスメクチックＡ相が低温側に広がった、応答
速度の改善された液晶素子を得ることができた。

実施例５ 前記表１記載の液晶性化合物２２．　３０と前記表２に
記載の液晶性化合物３３，４４，４６．４７とをそれぞ
れ１５．　５．　１０．　１５．３５．　２０％ずつ混
合した液晶組成物を用いても実施例４と同様の結果が得
られることが確かめられた。

実施例６ 液晶性化合物５−１２と液晶性化合物５−２６との３対
ｌで混合した液晶組成物（５−ａ）と液晶化合物４−３
とを混合した。この混合系の配向比と相転移温度との関
係を図４に示す。

ここで液晶性化合物４−３の相転移温度は、下記に示す
ように Ｃｒ　ｙ　ｓ　ｔ−一一一＋Ｓ　Ａ　−一一一申Ｉ　ｓ
　。

モノトロピック液晶であるが、４−３の配合比３０ｗｔ
％でＳｃ”相が４６〜７２℃と低温・高温とも拡大する
ことがわかった。（ここで、Ｃｒｙｓｔ、は結晶相、Ｓ
ｃ”はカイラルスメクチックＣ相、ＳＡはスメクチック
Ａ相、そしてＩｓｏは等方性液体を示す。）実施例７ ２枚の０．７ｍ厚のガラス板を用意し、それぞれのガラ
ス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作成し、さ
らにこの上に５ｉ０２を蒸着させ絶縁層とした。ガラス
板上にシランカップリン剤〔信越化学■製ＫＢＭ−６０
２）　０．２％、イソプロピルアルコール溶液を回転数
２００Ｏｒ、ｐ、ｍのスピードで１５秒間塗布し表面処
理を施した。この後１２０℃にて２０分間加熱乾燥処理
を施した。

さらに表面処理を行った。ＩＴＯ膜付きのガラス板上に
ポリイミド樹脂、前駆体〔東し■５Ｐ−５１０〕２％ジ
メチルアセトアミド溶液を回転数２０００ｒ、ｐ。

ｍのスピンナーで１５秒間塗布した。成膜後６０分間、
３００℃加熱縮合焼成処理を施した。この時の塗膜の膜
厚は約７００人であった。この焼成後の被膜には、アセ
テート植毛布によるラビング処理がなされ、その後イソ
プロピルアルコール液で洗浄し、平均粒径１，５μｍの
アルミナビーズを一方のガラス板上に散布した後、それ
ぞれのラビング処理軸が互いに平行となる様にし、接着
シール剤〔リクソンボンド（チッソ＠）〕を用いて、ガ
ラス板をはり合わせ、６０分間１００℃にて加熱乾燥し
セルを作成した。このセルのセル厚をベレツク位相板に
よって測定したところ約１．６μｍであった。

次に実施例６の液晶組成物（４−３の配合比３０ｗｔ％
）を加熱し、等方性液体とし、上記で作成したセル内に
真空注入した。等吉相から０．５℃／ｈで６５℃まで徐
冷させ、同温度で一対の偏光子をクロスニコル状態で設
けてから顕微鏡で観察したところモノドメインの非らせ
ん構造のＳｃ”状態が形成されていることが確認できた
。

次にピーク・トウ・ピーク電圧としてｌＯＶの電圧印加
により直交ニコル下での光学的な応答を（電圧印加時か
ら透過光量変化が９０％変化するまでの間を）検知して
応答速度を測定した。比較のため混合成分である液晶組
成物（５−ａ）、液晶性化合物４−３も同様にして応答
速度を測定した。応答速度の結果を第５図に示す。図か
られかるように本発明の混合液晶組成物は応答速度の温
度特性が改善されている。

実施例８ フッ素原子が直接不斉炭素に結合した光学活性基をエス
テル結合基のカルボン酸成分として有する液晶性化合物
を以下に示す割合で混合することにより液晶組成物（４
−ａ）を得た。また上記光学活性基をエステル結合のア
ルコール成分として有する液晶性化合物を以下に示す割
合で混合することにより液晶組成物（５−ｂ）を得た。

液晶組成物（４−ａ） ４−３／４−６／４−８＝８／１／１　　（重量比）液
晶組成物（５−ｂ） ５−５１５−１２７５−１３１５−２７＝２／４／１／
２　　（重量比）この液晶組成物（４−ａ）、　　（５
−ｂ）をｌ：３の割合で混合して得られた液晶組成物ｑ
を用いて実施例７と同様に素子を作成し、全く同じ条件
で応答速度を測定した。その結果を以下に示す。また同
様の方法で測定した液晶組成物（４−ａ）および液晶組
成物（５−ｂ）の応答速度もあわせて示す。

液晶組成物（４−ａ） ６０℃　　　７５℃ 一２０μ式 ％式％（５） ３５μｓｅｃ　　　　２０μｓｅｃ　　　　　１８μ式
液晶組成物ｑ ５５°Ｃ６５℃　　　　　７０℃ ３０　μｓｅｃ　　　　２３４ｓｅｃ　　　　　２０　
μｓｅｃ又、以上の結果を第６図に示す。

次に、液晶組成物ｑを用いた素子を６０℃において駆動
電圧±ＩＯＶで、パルス巾５０μｓｅｃで駆動したとこ
ろコントラスト１７で良好なスイッチング状態が得られ
た。

以上かられかる様に、本発明に従う混合液晶組成物は低
温域の応答特性が改善され、良好な表示特性を有するも
のであった。

実施例９ 実施例７と同様な素子に、以下の割合で混合した液晶組
成物ｐを用いて実施例８と全く同じ条件で応答速度及び
スイッチング状態を確かめたところ、本発明に従う混合
液晶組成物は低温域の応答特性及び表示特性をより良好
にすることがわかった。

〔液晶組成物す〕

液晶組成物４−ｂ　［４−３／４−５＝３／１　（重量
比）］及び液晶組成物５−ｃ　［５−５１５−１０＝２
／１　（重量比）］とを２＝３の割合で混合。

実施例１０ 実施例７と同様な素子に以下の割合で混合した液晶組成
物見を用いて実施例６と全く同じ条件で応答速度及びス
イッチング状態を確かめたところ、本発明に従う混合液
晶組成物は低温域の応答特性及び表示特性をより良好に
することがわかった。

〔液晶組成物Ｅ〕

液晶組成物４−Ｃ［４−４／４−８＝１／２　（重量比
）］及び液晶組成物５−Ｄ　［５−４１５−２８＝１／
４　（重量比）］とをとを１：４の割合で混合。

実施例１１ 下記液晶性化合物を下記組成比で混合して液晶組成物見
を得た。

次に組成物Ｆを用い、約３μｍの液晶膜厚をもつ液晶素
子を作成した。（液晶素子１） ３μｍセルの基板の構成は２枚の０．７ｍｍ厚ガラス板
に夫々１０００人のＩＴＯ（Ｉｎｄｕｉｍ　Ｔｉｎ　　
０ｘｉｄｅ）と２００人のＰＩ（ポリイミド）被膜を設
けたもので、そのＰＩ被被膜はラビング処理により一軸
性配向処理がなされ、夫々のラビング軸方向を互いに平
行になるように二枚の基板をセル組みした。

セル厚（上下基板の間隔）は３μｍのビーズ状スペーサ
ーで保持した。

この液晶セルに前述の混合液晶を等吉相下で真空注入し
てから、等吉相から０．５°Ｃ／ｈで３０°Ｃまで徐冷
することにより配向させることができた。

以後の実験は３０’　Ｃで行なった。

クロスニコル下でこのセルを観察すると、一様で欠陥の
ないモノドメインが得られていた。

次に液晶素子１をクロスニコル下でセルを回転すること
により、最も透過光量の少ない位置を捜した。その最暗
状態は黒色になった。このことから液晶分子が一方向に
そろっていて、黒と黄のコントラストの非常に高いドメ
インの双安定状態が存在していることが判明した。チル
ト角を測定したところ２２°であった。

次に、下記液晶組成物ｑを用いた他は、前述の３μｍセ
ルを作成した時の方法と全く同様の方法で３μセルを作
成した。（液晶素子２）ネ 組成物ｑとしてＰｓ＝１．１ｎｃ／ｃｒｒｒこの液晶は
、ＳｍＣ＊の状態でコントラストは非常に低く、青と黄
のドメインの双安定状態が存在していることが判明した
。

この液晶素子２にパルス電界より、一方の安定状態に液
晶分子方向をそろえ、クロスニコル下でセル回転させる
ことにより、最も透過光量の少ない位置を捜した。しか
し、その最暗状態は黒色にはならず青色であった。液晶
分子が基板に平行で、かつ液晶分子が一方向にそろえば
黒色が得られるはずである。

本発明者らは、この着色が基板の垂直方向（法線）に対
する液晶分子のねじれ配列が原因と考え、さらに実験を
行った。

光源側にある偏光子と観察者側にある検光子の偏光軸の
角度をずらすことにより、より暗状態が得られるかどう
かで、ねじれ配列状態が検出することができる。

観察者から見て、時計まわりを正とし、反時計まわりを
負とする。検光子を直交ニコルから負方向にｌＯ°〜１
３°回転し、次いで液晶セルを回転して暗状態を捜すこ
とができた。また、偏光子を直交ニコルから正方向にｌ
Ｏ°〜１３°回転しても同様に暗状態が得られた。従っ
て、この素子での液晶分子は、正方向にねじれ配列を形
成しており、上下基板の隣接面にある液晶分子の長軸が
１０°〜１３°のねじれ角δをもってねじれていること
が判る。またチルト角θを測定したところラビング軸に
ふりわけで６°であった。

上記の様に、Ｐｓの方向が負でＰｓ＜−１０ｎｃ／ｃｄ
、らせんの巻き方向左の液晶性化合物と、Ｐｓの方向が
正でＰｓ　＞　１０ｎｃ／　ｃｍ”、らせんの巻き方向
が右の液晶性化合物からなる液晶組成物ｙを用いた液晶
素子ｌは、かかるねじれ配列が解消され、ねじれ配列を
もつ液晶素子２に比し、コントラストが大幅に改良され
ていることがわかった。

実施例１２ 実施例１１とセル厚が違う他は全く同じ構成のセルを作
成して（５ｐ　ｍ、　　１０　ｐ　ｍ、　２０　μｍ）
、液晶組成物Ｆを注入し液晶素子（液晶素子３〜５）を
得た。

上記素子を用い、実施例１１と同様に電界印加しながら
、顕微鏡観察を行った。

チルト角θ、最暗状態の色、最明状態の色の観察結果を
以下に示す。

チルト角θ　最暗状態　最明状態 液晶素子３　　　２２°　　　黒　　　青液晶素子４　
　　２２°　　　黒　　　白液晶素子５　　　２０°　
　　黒　　　白上記の様に液晶組成物旦を用いた液晶素
子３〜５はねじれ配列が解消され、コントラストが良好
であることがわかった。セル厚が１０８以上になると、
最明状態が白になり、特にコントラストの改善が顕著に
なった。

実施例１３ 下記液晶性化合物を下記組成比で混合して、液晶組成物
旦を得た。

！ 実施例１１とセル厚（１，２μｍ）が違う他は全く同じ
構成のセルを作成し、上記液晶組成物旦を用いて液晶素
子６を得た。

クロスニコル下でこのセルを観察すると、一様で欠陥の
ないモノドメインが得られ、コントラストが高い白と黒
のドメインの双安定状態が存在していることが判明した
。

この液晶素子６を用い、実施例１１と同°様に電界印加
しながら顕微鏡観察を行ったところ、チルト角は１８°
であった。

また透過率を測定したところ１６％と非常に高い透過率
が得られた。

次に、パルス電界によるしきい値特性を測定したところ
、５００　μｓで６Ｖ、１００ｍ５ｔ’１．３Ｖと非常
に優れたしきい値特性を示すことがわかった。

実施例１４ 下記液晶性化合物を下記組成比で混合して液晶実施例１
１とセル厚（１，２μ）及びＰＩ被被膜ＰＶＡ（ポリビ
ニルアルコール）被膜に変えた他は、全く同じ構成のセ
ルを作成し、上記液晶組成物■を用いて液晶素子７を得
た。

クロスニコル下でこのセルを観察すると、一様で欠陥の
ないモノドメインが得られていた。

クロスニコル下で、セルを回転することにより、最暗位
置に合わせるとほぼ全面が最暗状態になった。

この液晶素子７を用い、実施例１１と同様の方法で、チ
ルト角を測定したところ、１５’　であった。また透過
率を測定したところ１３％と非常に高い透過率が得られ
た。

実施例１５ 下記液晶性化合物を下記組成比で混合して液晶組成物ｌ
を得た。

ラセミ体 Ｆ ラセミ体 実施例１４と全く同じセルを作成し、上記液晶組成物Ｉ
を用いて液晶素子８を得た。

３５℃において、クロスニコル下でこのセルを観察する
と、一様で欠陥のないモノドメインが得られていた。

液晶はＳ　ｍ　Ｃ”の状態で最暗位置に合わせるとほぼ
全面が最暗状態になった。

この液晶素子８を用い実施例１１と同様の方法でチルト
角を測定したところ、２０°であった。また、コントラ
スト比を測定したところ、５０：１と非常にすぐれたコ
ントラスト比が得られた。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明により温度領域の広い液晶
組成物が得られ、又同時に低温域での応答にすぐれ、か
つ温度による応答速度の急激な変化をともなわない表示
特性の優れた液晶素子を得ることができた。

さらに本発明によれば、Ｐｓ≧８ｎｃ／ｃ　ｒｄ　（ｌ
　Ｔｃ−Ｔ１＝１５℃）のカイラルスメクチック液晶性
化合物の少なくとも１種と、Ｐｓ≦−８ｎ　ｃ　／　ｃ
イ（ＩＴｃ−Ｔｌ＝１５℃）のカイラルスメクチック液
晶性化合物の少なくとも１種とを含有している液晶組成
物からなる強誘電性液晶素子を用いることにより（好ま
しくはＩＰｓ１≧１０　ｎ　ｃ　／　ｃイ、より好まし
くは１Ｐｓ１≧２０ｎｃ／ｃｒｄｓ但しＩＴｃ−ＴＩ＝
１５°Ｃ）、双安定状態のチルト角を拡大し、透過光量
とコントラストに恵まれ、高速応答性、画素密度及び大
面積をかねた表示素子あるいはシャッタ素子を実現でき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の強誘電性液晶素子の一例断面概略図、 第２図および第３図は強誘電性液晶素子の動作説明のた
めに素子セルの一例を模式的に表わす斜視図、 第４図は実施例６による液晶組成物５−ａと液晶性化合
物４−３の混合による相転移温度の組成による変化を示
す相図である。 第５図は実施例７の液晶組成物５−ａと液晶性化合物４
−３を混合したものと、それぞれ液晶組成物５−ａと液
晶性化合物４−３の応答速度の結果をしるした図である
。 第６図は実施例８の結果をしるした図である。 第７図は実施例２による液晶組成物Ｎ上液晶組成物旦の
混合による相転移温度の変化を示す相図を示す。 第８図は基板の法線に沿ってねじれ配列した液晶分子を
模式的に表わす平面図である。 第１図において、 ｌ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・強誘電液晶層、２・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・ガラス基板、３・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・透
明電極、４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・絶縁性配向制御層、５・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ス
ペーサー、６　・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・　リー
ド線、７・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・電源、８・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
偏光板、９・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光源、Ｉ。　　・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
入射光、■・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
透過光。 第２図において、 ２１ａ　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・基板、２
１ｂ　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・基板、２２
　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・強誘電液晶層、２３　・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・液晶分子、２４　・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・層極子モーメント（Ｐ
±）。 第３図において、 ３１ａ　　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・電圧印加手段、３１ｂ　・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・電圧印加手段、
３３ａ　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・第１の安定状態、３３ｂ　・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・第２の安定状態、３４ａ　　・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・上向
きの双極子モーメント、３４ｂ　・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・下向き双極
子モーメント、Ｅａ・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・上向き、の電界、Ｅｂ・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・下向きの電界。 第８図において、 ８１　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・上下
基板に形成した軸性配向軸、８２　・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・上基板に隣接する液晶分子の軸
、８３・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・下基
板に隣接する液晶分子の軸。 ■−：３鴫■ＩＣイ℃

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）不斉炭素に直接フッ素原子が結合した構造を有する
   光学活性な液晶性化合物の少なくとも１種と下記一般式
   （１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１） （式中、Ｒ＿１は、直鎖又は分岐状の炭素数１〜１８の
   アルキル基であり、ｘは０または１、ｙは０〜８の整数
   である。Ｃ＾＊は不斉炭素原子を示す。）で表わされる
   光学活性基を有する液晶性化合物の少なくとも１種とを
   含有することを特徴とする液晶組成物。 ２）前記一般式（１）で表わされる光学活性基を有する
   液晶性化合物が下記一般式（２）で表わされる液晶性化
   合物である特許請求の範囲第１項記載の液晶組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （式中、Ｘ＿１及びＸ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、
   化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   又は ▲数式、化学式、表等があります▼を、Ｙ＿１は単結合
   、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿２ＣＨ＿
   ２−、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
   学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼を、Ａ＿１及びＡ＿
   ２は置換基を有しても良い、２価の含六員環基を示す。 Ｒ＿２及びＲ＿１は、それぞれ炭素数４〜１６および１
   〜１８の直鎖または分岐状のアルキル基であり、ｙは０
   〜８の整数、ｘは０または１である。Ｃ＾＊は不斉炭素
   原子を示す。） ３）前記不斉炭素に直接フッ素原子が結合した構造を有
   する光学活性な液晶性化合物が下記一般式（３）で表わ
   される液晶性化合物である特許請求の範囲第１項および
   第２項記載の液晶組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼（３） （式中、Ｙ＿２は▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、 又は▲数式、化学式、表等があります▼を、Ｘ＿３は単
   結合、−Ｏ−、 ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
   、表等があります▼を、Ｘ＿４は−Ｏ−又は▲数式、化
   学式、表等があります▼を示す。 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   はそれぞれ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
   式、表等があります▼である。Ｒ＿３およびＲ＿４は炭
   素数１〜１６の直鎖又は分岐状のアルキル基、アルコキ
   シアルキル基、又はハロゲン化アルキルであり、不斉炭
   素を有しても良い。ａ、ｂ、ｃおよびｄは０、１または
   ２であり、ｅは０または１である。Ｃ＾＊は不斉炭素原
   子を表わす。） ４）前記一般式（２）のＡ＿１及びＡ＿２の置換基がア
   ルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子（塩素、臭素又
   はフッ素）又はシアノ基であり、２価の含六員環基が ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
   、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
   ▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 である特許請求の範囲第２項及び第３項記載の液晶組成
   物。 ５）不斉炭素に直接フッ素原子が結合した構造を有する
   光学活性な液晶性化合物の少なくとも１種と下記一般式
   （１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１） （式中、Ｒ＿１は直鎖又は分岐状の炭素数１〜１８のア
   ルキル基であり、ｘは０または１、ｙは０〜８の整数で
   ある。Ｃ＾＊は不斉炭素原子を示す。）で表わされる光
   学活性基を有する液晶性化合物の少なくとも１種とを含
   有することを特徴とする液晶組成物を有する液晶素子。 ６）前記一般式（１）で表わされる光学活性基を有する
   液晶性化合物が下記一般式（２）で表わされる液晶性化
   合物である特許請求の範囲第５項記載の液晶素子。 ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （式中、Ｘ＿１及びＸ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、
   化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   又は ▲数式、化学式、表等があります▼を、Ｙ＿１は単結合
   、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿２ＣＨ＿
   ２−、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
   学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼を、Ａ＿１及びＡ＿
   ２は置換基を有しても良い、２価の含六員環基を示す。 Ｒ＿２及びＲ＿１は、それぞれ炭素数４〜１６および１
   〜１８の直鎖又は分岐状のアルキル基であり、ｙは０〜
   ８の整数、ｘは０または１である。Ｃ＾＊は不斉炭素原
   子を示す。） ７）前記不斉炭素に直接フッ素原子が結合した構造を有
   する光学活性な液晶性化合物が下記一般式（３）で表わ
   される液晶性化合物である特許請求の範囲第５項及び第
   ６項記載の液晶素子。 ▲数式、化学式、表等があります▼（３） （式中、Ｙ＿２は▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、 又は▲数式、化学式、表等があります▼を、Ｘ＿３は単
   結合、−Ｏ−、 ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
   、表等があります▼を、Ｘ＿４は−Ｏ−又は▲数式、化
   学式、表等があります▼を示す。 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   はそれぞれ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
   式、表等があります▼である。Ｒ＿３およびＲ＿４は炭
   素数１〜１６の直鎖又は分岐状のアルキル基、アルコキ
   シアルキル基、又はハロゲン化アルキルであり、不斉炭
   素を有しても良い。ａ、ｂ、ｃおよびｄは０、１または
   ２であり、ｅは０または１である。Ｃ＾＊は不斉炭素原
   子を表わす。） ８）前記一般式（２）のＡ＿１及びＡ＿２の置換基がア
   ルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子（塩素、臭素又
   はフッ素）又はシアノ基であり、２価の含六員環基が ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
   、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
   ▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 である特許請求の範囲第６項及び第７項記載の液晶素子
   。 ９）不斉炭素に直接フッ素原子が結合した構造を有する
   光学活性な液晶性化合物の少なくとも１種と下記一般式
   （１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１） （式中、Ｒ＿１は、直鎖又は分岐状の炭素数１〜１８の
   アルキル基であり、ｘは０または１、ｙは０〜８の整数
   である。Ｃ＾＊は不斉炭素原子を示す。）で表わされる
   光学活性基を有する液晶性化合物の少なくとも１種とを
   含有する液晶組成物であって、前記液晶性化合物がＰｓ
   ≧８ｎｃ／ｃｍ＾２（｜Ｔｃ−Ｔ｜＝１５）又はＰｓ≦
   ８ｎｃ／ｃｍ＾２（｜Ｔｃ−Ｔ｜＝１５）の関係を示し
   、かつＰｓ≧８ｎｃ／ｃｍ＾２及びＰｓ≦−８ｎｃ／ｃ
   ｍ＾２を満たす液晶性化合物が、それぞれ少なくとも１
   種ずつ含有していることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の液晶組成物。 １０）前記一般式（２）で表わされる光学活性基を有す
   る液晶性化合物の少なくとも１種と、 ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （式中、Ｘ＿１及びＸ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、
   化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   又は ▲数式、化学式、表等があります▼を、Ｙ＿１は単結合
   、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿２ＣＨ＿
   ２−、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
   学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼を、Ａ＿１及びＡ＿
   ２は置換基を有しても良い、２価の含六員環基を示す。 ただし、Ａ＿１及びＡ＿２の置換基はアルキル基、アル
   コキシ基、ハロゲン原子（塩素、臭素又はフッ素）又は
   シアノ基であり、２価の含六員環基は▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
   、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   又は ▲数式、化学式、表等があります▼である。 Ｒ＿２及びＲ＿１は、それぞれ炭素数４〜１６および１
   〜１８の直鎖または分岐状のアルキル基であり、ｙは０
   〜８の整数、ｘは０または１である。Ｃ＾＊は不斉炭素
   原子を示す。） 下記一般式（３）で表わされる液晶性化合物の少なくと
   も１種とを含有する液晶組成物であって、 ▲数式、化学式、表等があります▼（３） （式中、Ｙ＿２は▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、 又は▲数式、化学式、表等があります▼を、Ｘ＿３は単
   結合、−Ｏ−、 ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
   、表等があります▼を、Ｘ＿４は−Ｏ−又は▲数式、化
   学式、表等があります▼を示す。 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   はそれぞれ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、
   化学式、表等があります▼または▲数式、化学式、表等
   があります▼である。Ｒ＿３およびＲ＿４は炭素数１〜
   １６の直鎖又は分岐状のアルキル基、アルコキシアルキ
   ル基、又はハロゲン化アルキルであり、不斉炭素を有し
   ても良い。ａ、ｂ、ｃおよびｄは０、１または２であり
   、ｅは０または１である。Ｃ＾＊は不斉炭素原子を表わ
   す。）前記液晶性化合物がＰｓ≧８ｎｃ／ｃｍ＾２（｜
   Ｔｃ−Ｔ｜＝１５）又はＰｓ≦−８ｎｃ／ｃｍ＾２（｜
   Ｔｃ−Ｔ｜＝１５）を示し、かつＰｓ≧８ｎｃ／ｃｍ＾
   ２及びＰｓ≦−８ｎｃ／ｃｍ＾２を満たす液晶性化合物
   を、それぞれ少なくとも１種ずつ含有していることを特
   徴とする特許請求の範囲第９項記載の液晶組成物。 １１）不斉炭素原子に直接フッ素原子が結合した光学活
   性基を有し、かつエステル結合を有する液晶性化合物で
   あって、該光学活性基を該エステル結合のカルボン酸成
   分として含む液晶性化合物の少なくとも１種類と該光学
   活性基を該エステル結合のアルコール成分として含む液
   晶性化合物の少なくとも１種類とを含有することを特徴
   とする液晶組成物。 １２）前記光学活性基をエステル結合のカルボン酸成分
   として含む液晶性化合物が一般式（４） ▲数式、化学式、表等があります▼（４） （式中、Ｒ＿５およびＲ＿６は炭素数１〜１６の直鎖状
   又は分岐状のアルキル基であり、Ｃ＾＊は不斉炭素原子
   を示す。Ｘ＿５は単結合、−Ｏ−または▲数式、化学式
   、表等があります▼を示し、Ａ＿３およびＡ＿４は置換
   基を有しても良い含六員環基を示す。） で表わされる化合物である特許請求の範囲第１１項記載
   の液晶組成物。 １３）前記一般式（４）におけるＡ＿３およびＡ＿４が
   一般式（４ａ） ▲数式、化学式、表等があります▼（４ａ） （式中、Ｙ＿３は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−または−ＣＨ
   ＿２−ＣＨ＿２−を示し、ｌは１または２を示す。） で表わされる基である特許請求の範囲第１２項記載の液
   晶組成物。 １４）前記光学活性基をエステル結合のアルコール成分
   として含む液晶性化合物が、一般式（５） ▲数式、化学式、表等があります▼（５） （式中、Ｒ＿７およびＲ＿８は炭素数１〜１６の直鎖状
   又は分岐状のアルキル基であり、Ｃ＾＊は不斉炭素原子
   を示す。Ｘ＿６は単結合、−Ｏ−または▲数式、化学式
   、表等があります▼を示し、Ｘ＿７は−Ｏ−または▲数
   式、化学式、表等があります▼をしめす。 Ａ＿５およびＡ＿６は置換基を有しても良い含六員環基
   を示し、ｍは０または１を示す。） で表わされる化合物である特許請求の範囲第１１項記載
   の液晶組成物。 １５）前記一般式（５）におけるＡ＿５およびＡ＿６が
   一般式（５ａ） ▲数式、化学式、表等があります▼（５ａ） （式中、Ｙ＿４は単結合−ＣＨ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＿２
   ＣＨ＿２−を示し、ｎは１又は２を示す。） で表わされる基である特許請求の範囲第１４項記載の液
   晶組成物。 １６）不斉炭素原子に直接フッ素原子が結合した光学活
   性基を有し、かつエステル結合を有する液晶性化合物で
   あって、該光学活性基を該エステル結合のカルボン酸成
   分として含む液晶性化合物の少なくとも１種類と該光学
   活性基を該エステル結合のアルコール成分として含む液
   晶性化合物の少なくとも１種類とを含有する液晶組成物
   を有することを特徴とする液晶素子。 １７）前記光学活性基をエステル結合のカルボン酸成分
   として含む液晶性化合物が一般式（４） ▲数式、化学式、表等があります▼（４） （式中、Ｒ＿５およびＲ＿６は炭素数１〜１６の直鎖状
   又は分岐状のアルキル基であり、Ｃ＾＊不斉炭素原子を
   示す。Ｘ＿５は単結合、−Ｏ−または▲数式、化学式、
   表等があります▼を示し、Ａ＿３およびＡ＿４は置換基
   を有しても良い含六員環基を示す。） で表わされる化合物である特許請求の範囲第１６項記載
   の液晶素子。 １８）前記一般式（４）におけるＡ＿３およびＡ＿４が
   一般式（４ａ） ▲数式、化学式、表等があります▼（４ａ） （式中、Ｙ＿３は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＿
   ２ＣＨ＿２−を示し、ｌは１または２を示す。） で表わされる基である特許請求の範囲第１７項記載の液
   晶素子。 １９）前記光学活性基をエステル結合のアルコール成分
   として含む液晶性化合物が、一般式（５） ▲数式、化学式、表等があります▼（５） （式中、Ｒ＿５およびＲ＿６は炭素数１〜１６の直鎖状
   又は分岐状のアルキル基であり、Ｃ＾＊は不斉炭素原子
   を示す。Ｘ＿６は単結合、−Ｏ−または▲数式、化学式
   、表等があります▼を示し、Ｘ＿７は−Ｏ−または▲数
   式、化学式、表等があります▼を示す。 Ａ＿５およびＡ＿６は置換基を有しても良い含六員環基
   を示し、ｍは０または１を示す。） で表わされる化合物である特許請求の範囲第１６項記載
   の液晶素子。 ２０）前記一般式（５）におけるＡ＿５およびＡ＿６が
   一般式（５ａ） ▲数式、化学式、表等があります▼（５ａ） （式中、Ｙ＿４は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＿
   ２ＣＨ＿２−を示し、ｎは１又は２を示す。） で表わされる基である特許請求の範囲第１９項記載の液
   晶素子。 ２１）不斉炭素原子に直接フッ素原子が結合した光学活
   性基を有し、かつエステル結合を有する液晶性化合物で
   あって、該光学活性基を該エステル結合のカルボン酸成
   分として含む液晶性化合物の少なくとも１種類と該光学
   活性基を該エステル結合のアルコール成分として含む液
   晶性化合物の少なくとも１種類とを含有する液晶組成物
   であって、前記液晶性化合物がＰｓ≧８ｎｃ／ｃｍ＾２
   （｜Ｔｃ−Ｔ＝１５｜）又はＰｓ≦−８ｎｃ／ｃｍ＾２
   （｜Ｔｃ−Ｔ＝１５｜）の関係を示し、かつＰｓ≧８ｎ
   ｃ／ｃｍ＾２及びＰｓ≦−８ｎｃ／ｃｍ＾２を満たす液
   晶性化合物が、それぞれ少なくとも１種ずつ含有してい
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１１項記載の液晶
   組成物。 ２２）下記一般式（４）で表わされる液晶性化合物の少
   なくとも１種類と、 ▲数式、化学式、表等があります▼（４） （式中、Ｒ＿５およびＲ＿６は炭素数１〜１６の直鎖状
   又は分岐状のアルキル基であり、Ｃ＾＊は不斉炭素原子
   を示す。Ｘ＿５は単結合、−Ｏ−または▲数式、化学式
   、表等があります▼を示し、Ａ＿３およびＡ＿４は置換
   基を有しても良い含六員環基を示す。ただし、Ａ＿３お
   よびＡ＿４は一般式（４ａ） ▲数式、化学式、表等があります▼（４ａ） （式中、Ｙ＿３は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−または−ＣＨ
   ＿２ＣＨ＿２−を示し、ｌは１または２を示す。） で表わされる基である。） 下記一般式（５）で表わされる液晶性化合物の少なくと
   も１種類とを有する液晶組成物であって、 ▲数式、化学式、表等があります▼（５） （式中、Ｒ＿７およびＲ＿８は炭素数１〜１６の直鎖状
   又は分岐状のアルキル基であり、Ｃ＾＊は不斉炭素原子
   を示す。Ｘ＿６は単結合、−Ｏ−または▲数式、化学式
   、表等があります▼を示し、Ｘ＿７は−Ｏ−または▲数
   式、化学式、表等があります▼を示す。 Ａ＿５およびＡ＿６は置換基を有しても良い含六員環基
   を示し（ただし、Ａ＿５およびＡ＿６は一般式（５ａ） ▲数式、化学式、表等があります▼（５ａ） （式中、Ｙ＿４は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−ＣＨ＿
   ２ＣＨ＿２−を示し、ｎは１又は２を示す。）、ｍは０
   又は１を示す。） 前記液晶性化合物がＰｓ≧８ｎｃ／ｃｍ＾２（｜Ｔｃ−
   Ｔ＝１５｜）又はＰｓ≦−８ｎｃ／ｃｍ＾３（｜Ｔｃ−
   Ｔ＝１５｜）の関係を示し、かつＰｓ≧８ｎｃ／ｃｍ＾
   ２及びＰｓ≦−８ｎｃ／ｃｍ＾２を満たす液晶性化合物
   を、それぞれ少なくとも１種ずつ含有していることを特
   徴とする特許請求の範囲２１項記載の液晶組成物。 ２３）Ｐｓの方向が正のカイラルスメクチック液晶性化
   合物の少なくとも１種と、Ｐｓの方向が負のカイラルス
   メクチック液晶性化合物の少なくとも１種とを含有し、
   かつ各々のカイラルスメクチック液晶性化合物のＰｓ値
   が、｜Ｐｓ｜≧８ｎｃ／ｃｍ＾２（｜Ｔｃ−Ｔ｜＝１５
   ）であることを特徴とする強誘電性液晶組成物。 ２４）前記Ｐｓの方向が正のカイラルスメクチック液晶
   性化合物に対して、前記Ｐｓの方向が負のカイラルスメ
   クチック液晶性化合物の螺旋軸のねじれ方向が、逆回り
   であることを特徴とする特許請求の範囲第２３項記載の
   強誘電性液晶組成物。 ２５）前記カイラルスメクチック液晶相がＣ相、Ｈ相、
   Ｆ相、Ｉ相又はＧ相であることを特徴とする特許請求の
   範囲第２３項記載の強誘電性液晶組成物。 ２６）強誘電性液晶組成物を有する強誘電性液晶素子に
   おいて、Ｐｓの方向が正のカイラルスメクチック液晶性
   化合物の少なくとも１種と、Ｐｓの方向が負のカイラル
   スメクチック液晶性化合物の少なくとも１種とを含有し
   、かつ各々のカイラルスメクチック液晶性化合物のＰｓ
   値が、｜Ｐｓ｜≧８ｎｃ／ｃｍ＾２（｜Ｔｃ−Ｔ｜＝１
   ５）である強誘電性液晶組成物を有することを特徴とす
   る強誘電性液晶素子。 ２７）前記Ｐｓの方向が正のカイラルスメクチック液晶
   性化合物に対して、前記Ｐｓの方向が負のカイラルスメ
   クチック液晶性化合物の螺旋軸のねじれ方向が、逆回り
   であることを特徴とする特許請求の範囲第２６項記載の
   強誘電性液素子。 ２８）前記カイラルスメクチック液晶がＣ相、Ｈ相、Ｆ
   相、Ｉ相又はＧ相であることを特徴とする特許請求の範
   囲第２６項記載の強誘電性液晶素子。