JPS63304428A - 光ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、レーザ光線の照射によりて、その光学的性質
を可逆的に変化する感光性記録材料を用いた光ディスク
装置に関するものである。

従来の技術 情報の訂正、書侠え可能な光ディスクとして、アクリル
等の高分子相ＢＦｊのディスク基板の上に、感光性材料
を薄膜の形で形成し、この光ディスクの上にレーザ照射
することにより加熱し、急冷と徐冷により光学的特性す
なわち、反射率や透過率を変化させて記録、消去を行う
ものが一般に用いられている。

上記特性を示す記録材料としては、例えばカル゛コゲン
化合物、あるいはテルルにゲルマニウム。

アンチモン等を添加物とした金属化合物が用いられ、こ
れらを便って記録は反射率の低い一般にアモルファスと
いわれる状態とし、消去は加熱、保冷により反射率の、
高い結晶状態とすることで、九学情廠を実時間で記録、
消去することができる。

従来用いられている光ディスク装置は、先ず長円光に代
入される消去ビームを連成的に照射して、記録ビットの
存在するトラックｆ−僚？て結晶化させ、アモルファス
状態の記かビットを消去し、欠いで信号に応じて変調さ
れた円形光に代表される記録ビームを照射して、記録膜
を溶融・急冷させて新たな記録ビットを生せしめること
により記録し、いわゆる同時消録を達成している。再生
時においては、前述の記録ビームのパワーを減じて、ト
ラック上を連続的に照射し、反射率差を検知する。ここ
で従来、再生時のＣ７Ｎ比（キャリア／ノイズ比）を上
げるために、記録・再生用のレーザをビーム径が小さく
なるように絞り込み、記録時に再生時と同じビーム径で
使用しているが、半導体レーザの製造バラツキ、レーザ
の長期発振による劣化等の対策のため必要となる記録可
能パワー領域（パワーマージン）を広くとれなく、実用
上大きな問題を有していた。

発明が解決しようとする問題点 従来の光ディスク装置では、記録時に絞り込まれた光ビ
ームをディスクに照射するため、記録パワーの増加に対
して生成される記録ビットの大きさ、すなわち溶融され
る大きさの増加が著しく、消去ビームによる消去幅を上
まわってしまい、いわゆる消し残りを生ぜしめ、消去率
が悪くなる。

そこで、消去パワーを大きくして、消去唱を拡げる必要
があるが、消去パワーが大きいと、くりかえし使用した
場合、消去による過大な熱負荷のために光ディスクを劣
化させる欠点がある。

本発明はかかる点に鑑み、光ディスクを劣化させずに記
録バク−マージンの広い装置を提供することを目的とす
る。

問題点を解決するだめの手段 記録時に記録・再生用レーザより出射された記録ビーム
径を再生時と比較して大きくする。

作　　用 記録時の記録ビットの大きさ、すなわち溶融幅は記録ビ
ームのトラック方向のパワー線密度（レーザパワー／ビ
ーム半値幅）にほぼ比例し、ビーム半値幅（ビーム径を
ビーム半値幅で定義する）金大きくすると、単位レーザ
パフ−１例えば１ｍＷあたりのパワー線密度の増加は、
小さい場合に比較して小さくなるので、消去パワーを過
剰に増加させることなく、消し残りを生ぜしめない。し
かるに、再生時には、記録トラック上の記録ビットの反
射率差を検知するのであるから、Ｃ／Ｎ比を上げるため
に、光ビームを、佼る。

実施例 以下、本発明の一実施例を図面を用いて詳細に説明する
。記録媒体としては、前述のように記録前後に光学定数
の変化するもの、すなわち加熱急冷により反射率の低い
アモルファス状態とし、加熱徐冷により反射率の高い結
晶状態を生む、例えばカルコゲン化合物、あるいはテル
ル、ゲルマニウム、アンチモン等を用いた金属酸化物を
用いる。

これらの記録媒体の結晶−アモルファスの相変態は、材
料の組成によって微妙に異るが、本発明の方法とは直接
関係なく、本発明を左右するものではない。

第１図は本発明の光ディスク装置の部分構成図であり、
記録・消去時には、消去用半導体レーザ１より出射され
た光ビームは、消去用コリメータレンズ２を通り、コリ
メートされ、消去用プリズム３をへて長円形に成型され
た鏝、扁光ビームスプリッタ４．２波長板５、対物レン
ズ６により集光せられ、光ディスクγ上に消去ビームス
ポットを作る。

一方、記録・再生用半導体レーザ８より出射された光ビ
ームは、記録・再生用コリメータレンズ９、ビームスプ
リッタ１０．１１をへて以降消去ビームと同一経路をへ
て光ディスク７、Ｊ：に照則される。

光ディスク７より反射された光は、ナイフェツジ１２、
検出レンズ１３を通り検出器１４でズレを検出し、記録
・再生用コリメータレンズ９をａの位置に駆動させてフ
ォーカスさせるが、記録時には、コリメータレンズ９の
位置をａの位置から、光軸上にΔＺだけ変位させてｂの
位置にして光ディスク７上のスポットをデフォーカスさ
せる。再生時には、記録・再生用の半導体レーザのパワ
ー全滅じて、コリメータレンズ９を位置ａとし、光ディ
スクＴ上のスポットｆフォーカスさせて絞り、検出器１
５により反射率信号を挽みとる。

、、ＡｆＪ２１凶Ａは、本実鬼世］による記録・消去時
の凭ディスク上でのビーム形成を示した図で、記録トラ
ック１６上に形成されたアモルファス記録ビット１７を
長円形の消去ビーム１８を連続的に照射することが、前
記記録ビット１７を消去し、続いて信号により゛変調さ
れた記録ビーム１９により、記録トラック１６を溶融・
急冷し、新たにアモルファス記録ビット１９を形成させ
る。第２図Ｂに示した再生時には、フォーカスさせて、
絞りこんだ再生ビーム２ｏにより、記録トラック上の記
録ビット１９と非記録部との反射率差を検知し、再生す
る。この時、再生ビームとしては、ビーム径が小なる方
がよく、φ０．８μｍ程度が可能である。

第３図は本発明の詳細な説明する図で、線速度約３　ｍ
　／　ｓｅｃで回転するトラック上に、周波数的２ＭＨ
ｚで記録した場合の記録ビット径を、記録ビーム半値幅
φ０．８μｍ〜φ２．０μｍをパラメータとし、記録パ
ワーに対して示したものである。十分な再生信号を得る
のに必要な記録ビット径は、０．５μｍ〜１．０μｍで
あるが、記録ビーム径が大なる程、記録開始パワーは増
加するが、前述の再生に十分な記録ビット径範囲に関し
て、パワー変動に対するビット径変励は小さくなり、動
作パワー領域を拡大させることができる。蜂４表Ａ、Ｅ
は、記録１・消去を１万回くりかえした時のＣ／Ｎ比が
５０ｄＢ以上、消去率が４０ｄＢ以上の使用可能パワー
領域をＯで、使用不能パワー領域をＸで、記録ビーム径
φＯ，ａμｍ〜φ２．０μｍ　に対して示したもので、
φ１．０〜φ１．５μｍの範囲が使用すれば、大きな感
度低下をきたすことなく、確実に使用可能パワー領域を
拡げることができる。

（ふ°人　　）　　　／１（−ｓ　　　）＄＜Ａノ 記録ビーム径　φ０．８μｍ 消去パワー（ｍＷ） 記録ビーム径　φ１．０μｍ 消去パワー（ｍＷ） 令　（０） 記録ビーム径　φ１．２５μｍ 消去パワー（ｍＷ） 記録ビーム径　φ１．５μｍ 消去パワー（ｍＷ） −ｔ、ｔ　　　　（Ｅン 記録ビーム径　φ２．０μｍ 消去パワー（ｍＷ） 発明の効果 以上水したように、本発明によれば、記録時には記録・
再生用ビームを拡げ、再生時には、前記ビームを絞るこ
とにより、広いパワー領域が消し残りがなく、くりかえ
し使用回数を増大させうる光ディスク装置を提供しうる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の光ディスク装置を示す構成
図、第２図Ａは記録・消去時のビーム配置図、第２図Ｂ
は再生時のビーム配置図、第３図は記録時の記録特性図
である。 １・・・・・・消去用半導体レーザ、６・・・・・・対
物レンズ、７・・・・・・光ディスク、８・・・・・・
記録・再生用半導体レーザ、９・・・−・・記録・再生
用コリメータレンズ、１７．２０・・・−・・アモルフ
ァス記録ピット、１８・・・・・・消去ビーム、１９・
・・・・・記録ビーム、２１・・・・再生ビーム。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第２図 （Ａ） （Ｂ） □う身ズク凹舅云万」

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）光照射状態により光学的性質が変化する物質を記
   録材料とした光ディスクに形成された情報記録ピットを
   第１の光ビームを照射して消去し、次いで第２の光ビー
   ムを照射して記録した後、前記第２の光ビームを照射し
   て再生するにあたり、記録時における前記第２の光ビー
   ム径を再生時におけるビーム径より大として、記録・再
   生することを特徴とする光ディスク装置。
2. （２）記録・再生用コリメータレンズを光軸方向に移動
   させ、記録時にはデフォーカスし、再生時にはフォーカ
   スさせることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   光ディスク装置。