JPS63301989A - Image display device - Google Patents
Image display deviceInfo
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- JPS63301989A JPS63301989A JP62137765A JP13776587A JPS63301989A JP S63301989 A JPS63301989 A JP S63301989A JP 62137765 A JP62137765 A JP 62137765A JP 13776587 A JP13776587 A JP 13776587A JP S63301989 A JPS63301989 A JP S63301989A
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- pixel
- row
- transistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、トランジスターにつながる画素電極を形成し
た基板と、列電極を形成した対向基板間に挟持される液
晶を用いて表示を行なう画像表示装置に関するものであ
る。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to an image display that performs display using a liquid crystal sandwiched between a substrate on which pixel electrodes connected to transistors are formed and a counter substrate on which column electrodes are formed. It is related to the device.
[従来の技術]
高密度な画像表示分野では、従来複数の行電極を配列し
た基板と、複数の列電極を配列した対向基板間に挟持さ
れる液晶を用いた単純ドツトマトリクス型の表示装置が
知られている。[Prior Art] In the field of high-density image display, a simple dot matrix type display device using a liquid crystal sandwiched between a substrate having a plurality of row electrodes arranged thereon and a counter substrate having a plurality of column electrodes arranged has conventionally been used. Are known.
[発明の解決しようとする問題点]
この型の装置では、駆動デユーティ比上の制約から広視
角で高精細なフルカラーの画像を表示し難く、能動素子
を各画素に挿入して液晶を駆動するアクティブマトリク
ス型の表示装置がこの方面に応用される様になってきて
いる。本発明はアクティブマトリクス型で、表示体の構
成及び駆動に新規な特徴を有する画像表示装置を提供す
ることを目的とするものである。[Problems to be solved by the invention] With this type of device, it is difficult to display a high-definition, full-color image with a wide viewing angle due to constraints on the drive duty ratio, and an active element is inserted into each pixel to drive the liquid crystal. Active matrix display devices are increasingly being applied in this field. An object of the present invention is to provide an active matrix type image display device having novel features in the structure and drive of a display body.
[問題点を解決するための手段]
本発明は、トランジスターにつながる画素電極を形成し
た基板と、列電極を形成した対向基板間に挟持される液
晶を用いて表示を行なう画像表示装置において、各画素
のトランジスターのゲートは行毎共通に行電極に接続さ
れ、ソースは隣接する画素のトランジスターのゲートが
接続されている行電極に接続され、トレインは画素電極
に接続されて、行電極には隣接する画素の画素電極に入
れるデータに続いてトランジスターをオン、オフさせる
信号、列゛電極には周期的に反転する画像データがそれ
ぞれ加えられる様に構成され、画素毎にトランジスター
で液晶を駆動することにより、デユーティ比を上げ、表
示性能の向上を図ったものである。[Means for Solving the Problems] The present invention provides an image display device that performs display using a liquid crystal sandwiched between a substrate on which pixel electrodes connected to transistors are formed and a counter substrate on which column electrodes are formed. The gates of the pixel transistors are commonly connected to the row electrode for each row, the sources are connected to the row electrodes to which the gates of the transistors of adjacent pixels are connected, and the trains are connected to the pixel electrodes and the adjacent row electrodes are connected to each other. Following the data input to the pixel electrode of each pixel, a signal is applied to turn the transistor on and off, and periodically inverted image data is applied to the column electrode, respectively, and the liquid crystal is driven by the transistor for each pixel. This increases the duty ratio and improves display performance.
第1図は本発明の画像表示装置の液晶表示体の平面図で
あり、(1)はトランジスターにつながる画素電極を複
数形成した基板、(2)は(1)の画素電極に対向する
列電極を形成した対向基板であり、液晶は(11,(2
1間に挟持されている。FIG. 1 is a plan view of a liquid crystal display of an image display device of the present invention, in which (1) is a substrate on which a plurality of pixel electrodes connected to transistors are formed, and (2) is a column electrode opposite to the pixel electrode in (1). The liquid crystal is (11, (2
It is sandwiched between 1.
奇数行の画素電極は、(3)の様に、リード電極が液晶
表示体の」二側に位置する奇数列の列電極(5) 、
(7) と対向し、(3)の画素電極にドレインを接続
したトランジスターのゲートは奇数行の行電極(9)に
、ソースは隣接する偶数行の行電極(10)にそれぞれ
接続されている。偶数行の画素電極は、(4)の様に、
リード電極が液晶表示体の下側に位置する偶数列の列電
極(61,(8)と対向し、(4)にドレインを接続し
たトランジスターのゲートは遇数行の行電極(10)に
、ソースは隣接する奇数行の行電極(11)にそれぞれ
接続されている。列電極は列状の金属電極に接続される
、透明な画素電極f31 、 (41に対向する部分[
71,+8)が透明電極で構成されている。偏光板は基
板[11,+2)の表面に貼付されている。As shown in (3), the pixel electrodes in the odd rows are column electrodes in the odd columns (5) whose lead electrodes are located on the second side of the liquid crystal display.
The gate of the transistor facing (7) and having its drain connected to the pixel electrode of (3) is connected to the row electrode (9) of the odd numbered row, and the source is connected to the row electrode (10) of the adjacent even numbered row. . The pixel electrodes in even rows are as shown in (4).
The gate of the transistor whose lead electrode faces the column electrode (61, (8)) of the even numbered columns located below the liquid crystal display and whose drain is connected to (4) is connected to the row electrode (10) of the even numbered row. The sources are respectively connected to the row electrodes (11) of adjacent odd-numbered rows.The column electrodes are connected to the columnar metal electrodes, and the portions opposite to the transparent pixel electrodes f31, (41) [
71, +8) are made up of transparent electrodes. The polarizing plate is attached to the surface of the substrate [11, +2).
第2図は画素毎に形成されたトランジスターによって駆
動される本発明の画像表示装置の画素の構成図であり、
(+、Jl〜(f+1.Jul)の4画素を示してい
る。(12)はトランジスター、(13)は(12)の
ドレインの接続された画素電極、(16)は(13)に
対向する列電極、(I4)は液晶、(15)は(12)
のゲートの接続された行電極である。FIG. 2 is a configuration diagram of a pixel of the image display device of the present invention driven by a transistor formed for each pixel,
(+, Jl to (f+1.Jul) are shown. (12) is a transistor, (13) is a pixel electrode connected to the drain of (12), and (16) is opposite to (13). Column electrode, (I4) is liquid crystal, (15) is (12)
is the connected row electrode of the gate.
Gfl)、Gfl+I)、Gfl+2)は1行、 (I
ll)行、(++2)行の行電極の信号、D (J)
、 D (J+ l)は奇数行の画素の5列、(Jul
)列の列電極の信号、D (j) 。Gfl), Gfl+I), Gfl+2) are in one line, (I
ll) row, (++2) row electrode signal, D (J)
, D (J+l) is the 5th column of odd-numbered pixels, (Jul
) column electrode signal of the column, D (j).
D(j+Ilは偶数行の画素の5列、(++11列の列
電極の信号である。1行の各画素のトランジスター(+
2)、 +17)のゲートは共通に信号G(1)を伝え
る行電極に接続され、ソースは隣接する画素のトランジ
スター+18)、 (+9)のゲートが接続され、信号
G(1+11を伝える行電極に接続されている。行電極
には隣接する画素の画素電極に入れるデータに続いてト
ランジスターをオン、オフさせる信号、列電極には画像
データがそれぞれ加えられ、G illにより1行のト
ランジスターがオンしている時、G (1+11の信号
が1行の画素電極に入れられ、液晶には列電極と画素電
極間の電圧が加えられデータとして蓄えられる。G(1
)がトランジスターをオフしている間、その蓄えたデー
タで画像を表示する。液晶の交流駆動は、行毎の各画素
電極に共通に入れられる電位を基準にして、列電極に加
えられ液晶に蓄えられるデータの極性を周期的に反転さ
せることで行なわれる。D(j+Il is the signal of the column electrode of the 5th column and (++11th column) of the pixel in the even row. The transistor (+
The gates of transistors 2) and +17) are commonly connected to the row electrode that transmits the signal G(1), and the sources of the transistors +18) and (+9) of adjacent pixels are connected to the row electrode that transmits the signal G(1+11). A signal is applied to the row electrode to turn the transistor on or off following the data input to the pixel electrode of the adjacent pixel, and image data is applied to the column electrode, and the transistor in one row is turned on by Gill. When the signal G(1+11
) displays an image using the stored data while the transistor is turned off. AC driving of the liquid crystal is performed by periodically inverting the polarity of data applied to the column electrodes and stored in the liquid crystal, based on a common potential applied to each pixel electrode for each row.
第3図は本発明の画像表示装置の液晶表示体の画素毎の
カラーフィルターの配置図である。FIG. 3 is a layout diagram of color filters for each pixel of the liquid crystal display of the image display device of the present invention.
R(赤)、G(緑)、B(青)の3原色のフィルターを
有する各画素は、異なる色のフィルターの画素が隣接す
る様に形成され、奇数行は行方向にRoG、Bを繰り返
し、偶数行はB、R,Gを繰り返す様になっていて、第
1図に示す各列電極に加えられる画像データは、列毎に
R,G、11の信号になっている。Each pixel has filters for the three primary colors of R (red), G (green), and B (blue), and is formed so that pixels of filters of different colors are adjacent to each other, and in odd-numbered rows, RoG and B are repeated in the row direction. , even-numbered rows repeat B, R, and G, and the image data applied to each column electrode shown in FIG. 1 is R, G, and 11 signals for each column.
第4図は本発明の画像表示装置の液晶表示体の画素の平
面図、第5図は画素の断面図、第6図、第7図は画素電
極の形成されている基板の断面図であり、第5図は第4
図A−A′、第6図は+3−B′、第7図はc−c′の
切断面を矢印の方向から見た図である。ガラス基板(3
7)J:に形成されている(22) ; (38)はト
ランジスターのゲート電極、(39)はゲート絶縁膜、
(24) 。FIG. 4 is a plan view of a pixel of a liquid crystal display of an image display device of the present invention, FIG. 5 is a cross-sectional view of the pixel, and FIGS. 6 and 7 are cross-sectional views of a substrate on which a pixel electrode is formed. , Figure 5 is the fourth
AA', FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line +3-B', and FIG. Glass substrate (3
7) J: (22) is formed; (38) is the gate electrode of the transistor, (39) is the gate insulating film,
(24).
(40)は半導体層、 (25) ; (411は絶縁
膜、(30) 。(40) is a semiconductor layer, (25); (411 is an insulating film, (30));
(42) 、 (441は半導体層、金属の積層された
ソース電極、(31) ; (43) 、 +451は
半導体層、金属の積層されたトレイン電極、(321;
(46)はソース電極に接続された抵抗、(33)
; (47)は透明な画素電極、(48)は絶縁膜、(
49)は配向処理層であり、対向するガラス基板(50
)lの(sll 、 fsz)は隣接するカラーフィル
タ一層、(53)は黒色パターン層、(54)は保護膜
、+36) ; (55)は(331。(42), (441 is a semiconductor layer, a metal stacked source electrode, (31); (43), +451 is a semiconductor layer, a metal stacked train electrode, (321;
(46) is the resistance connected to the source electrode, (33)
; (47) is a transparent pixel electrode, (48) is an insulating film, (
49) is an alignment treatment layer, and the opposing glass substrate (50
)l's (sll, fsz) is the adjacent color filter layer, (53) is the black pattern layer, (54) is the protective film, +36); (55) is (331).
(47)に対向する透明な列電極、(56)は(55)
に隣接する列電極、(57)は配向処理層であり、液晶
(58)は(371、(50)の基板間に挟持されてい
る。Transparent column electrodes facing (47), (56) facing (55)
The column electrode (57) adjacent to is an alignment treatment layer, and the liquid crystal (58) is sandwiched between the substrates (371 and (50)).
(59)は(37)に対応するガラス基板、(60)は
(39)に対応するゲート絶縁膜、(291: (61
1,(621はソース電極、トレイン電極と同様に半導
体層、金属の積層された電極、+321 ; (63)
は(29) ;(62)に接し、画素電極(33) :
(641と同層で抵抗となる透明電極、(65) 、
[i)は(48)、 (491にそれぞれ対応する絶
縁膜、配向処理層である。(59) is a glass substrate corresponding to (37), (60) is a gate insulating film corresponding to (39), (291: (61)
1, (621 is a source electrode, a semiconductor layer like a train electrode, a laminated metal electrode, +321; (63)
is in contact with (29); (62) and pixel electrode (33):
(Transparent electrode that serves as a resistance in the same layer as 641, (65),
[i) is an insulating film and an alignment layer corresponding to (48) and (491), respectively.
(67)は(37)に対応するガラス基板、 (21)
; (68)は行電極(20)の隣で(22) :
(38)と同層の行電極、(69)は(39)に対応す
るゲート絶縁膜、(28) 。(67) is a glass substrate corresponding to (37), (21)
(68) is next to the row electrode (20) and (22):
The row electrode is in the same layer as (38), the gate insulating film (69) corresponds to (39), and (28).
(711,(72)は(29) 、 +321を通して
トランジスターのソース電極につながっており、(26
)。(711, (72) are connected to the source electrode of the transistor through (29) and +321, and (26
).
(70)のコンタクドロで(21) ; (68)
と接続し、行電極を形成している。(20)、(27)
、 (21)、(28)に示ず様に行電極は、ゲート
電極と同層の電極及びソース電極、トレイン電極と同層
の電極による多層配線になっていて、ソース電極(30
)につながる抵抗(32)より充分低抵抗である。(70) in contact with (21); (68)
are connected to form row electrodes. (20), (27)
As shown in (21) and (28), the row electrode is a multilayer wiring including an electrode in the same layer as the gate electrode, a source electrode, and an electrode in the same layer as the train electrode.
) is sufficiently lower than the resistance (32) connected to the resistor (32).
(73)、 +74)は+48) 、 (49)にそれ
ぞれ対応する絶縁膜、配向処理層である。同色のフィル
ターを有する1画素は、第4図に示す様に、左右でほぼ
対称な対となる様に分割されて構成され、列状の金属電
極(35)と接する透明電極(36)に対向して、画素
電極(33) 、 (34)があり、それぞれ(22)
、 (23)をゲート電極とするトランジスターのドレ
インにつながっている。ゲート電極、ソース電極、トレ
イン電極、列電極の金属はAI、旧、 Cr、 Mo、
Ta、 W等、透明な画素電極、列電極はIn20a
、SnO□(ITO) 、ゲート絶縁膜、絶縁膜はSi
O□、 5iJ4. SiOxNy、Al□Os、Ta
J6等、半導体層はSi、ソース半導体層、ドレイン半
導体層はN型Si、カラーフィルター、黒色パターンの
層はインクの印刷、或いは染料を含んだ樹脂のフォトリ
ソグラフィーによるパターニング、保護膜はポリイミド
か絶縁膜として掲げたと同様な材料、配向処理層はポリ
イミド膜上をラビングして形成し、相対する基板間でラ
ビング方向はほぼ直交する様になっている。ゲート絶縁
膜、半導体層とその上の絶縁膜は連続堆積された後、絶
縁膜、半導体層はそれぞれ(25)、 (24)の形状
にバターニングされ、半導体層上にソース電極、ドレイ
ン電極がN型S1と金属の積層で形成される。トランジ
スター、画素電極の形成されている基板上で行電極に交
差する電極は、トランジスターのゲート電極に重なる部
分のソース電極、トレイン電極であり、ソース電極は抵
抗を通して隣接する画素のトランジスターのゲートが接
続されている行電極につながっていることから、トラン
ジスタ一部分の点欠陥が線欠陥を発生させない様になっ
ており、画素はほぼ左右対称な対で構成されていること
から、一方に欠陥があっても他方が表示に寄与する。ソ
ース電極に抵抗をつける代わりに行電極とゲート電極間
に抵抗をつけても良く、画素を(33)、 (341の
画素電極が一体でトランジスタ一対を有する様に構成し
、欠陥のあるトランジスターをレーザー等で画素電極か
ら分離する様にしても良い。トランジスターのチャンネ
ル部分の半導体層はゲート電極(38)と対向基板」二
の黒色パターン(53)によって遮光されている。(73) and +74) are the insulating films and alignment layers corresponding to +48) and (49), respectively. As shown in Fig. 4, one pixel having filters of the same color is divided into almost symmetrical pairs on the left and right sides, and faces a transparent electrode (36) that is in contact with a row of metal electrodes (35). There are pixel electrodes (33) and (34), respectively (22).
, (23) is connected to the drain of the transistor whose gate electrode is. The metals of the gate electrode, source electrode, train electrode, and column electrode are AI, old, Cr, Mo,
Transparent pixel electrodes and column electrodes are made of In20a such as Ta and W.
, SnO□ (ITO), gate insulating film, insulating film is Si
O□, 5iJ4. SiOxNy, Al□Os, Ta
J6 etc., semiconductor layer is Si, source semiconductor layer, drain semiconductor layer is N-type Si, color filter, black pattern layer is patterned by ink printing or photolithography of resin containing dye, protective film is polyimide or insulation. The alignment treatment layer, which is made of the same material as mentioned above, is formed by rubbing the polyimide film, and the rubbing directions are almost perpendicular between the opposing substrates. After the gate insulating film, the semiconductor layer, and the insulating film thereon are successively deposited, the insulating film and the semiconductor layer are patterned into the shapes (25) and (24), respectively, and a source electrode and a drain electrode are formed on the semiconductor layer. It is formed by laminating N-type S1 and metal. The electrode that crosses the row electrode on the substrate where the transistor and pixel electrodes are formed is the source electrode or train electrode that overlaps the gate electrode of the transistor, and the source electrode is connected to the gate of the transistor of the adjacent pixel through a resistor. Since the pixel is connected to the row electrode that is connected to the row electrode, a point defect in one part of the transistor will not cause a line defect, and since the pixels are composed of almost symmetrical pairs, even if one has a defect, Both contribute to the display. Instead of attaching a resistor to the source electrode, a resistor may be attached between the row electrode and the gate electrode, and the pixel is configured so that the pixel electrodes (33) and (341) are integrated and have a pair of transistors, and a defective transistor is removed. It may be separated from the pixel electrode using a laser or the like.The semiconductor layer in the channel portion of the transistor is shielded from light by the gate electrode (38) and the black pattern (53) on the opposing substrate.
第8図は本発明の画像表示装置の構成図、第9図は行側
の駆動回路を構成する電位選択回路図である。(75)
は列側の駆動回路であり、データDsをクロックCLで
転送するシフトレジスター(76)と、3原色それぞれ
のカラーフィルターを有する液晶表示体(82)の各画
素に対応する直列の画像データDI、D2.03を(7
6)の各出力o’Sf+)。FIG. 8 is a block diagram of the image display device of the present invention, and FIG. 9 is a diagram of a potential selection circuit constituting a row side drive circuit. (75)
is a column side drive circuit, which includes a shift register (76) that transfers data Ds using a clock CL, and serial image data DI corresponding to each pixel of a liquid crystal display (82) having color filters for each of the three primary colors. D2.03 (7
6) each output o'Sf+).
t+2s(+l、D3s(+) 〜D’5(N)、D2
S(N)、D3S(N)によって順次サンプリングし、
イネーブル信号Wに同期して(82)の上側にリード電
極の位置する列電極にデータ D’ (1)、D2(1
)、D’(1)〜D’ (N) 、 D2(Nl 。t+2s(+l, D3s(+) ~D'5(N), D2
Sampled sequentially by S(N) and D3S(N),
In synchronization with the enable signal W, data D' (1), D2 (1
), D'(1) to D'(N), D2(Nl.
D’ (N)を供給するサンプル・ホールド回路(77
)とで構成されている。(78)は(75)と同様な列
側の駆動回路であり、シフトレジスターにクロックC1
,′ とデータDs′、サンプル・ホールド回路に直列
の画像データD’、 D2. D″とイネーブル信号W
′が入力されており、(82)の下側にリード電極の位
置する列?a極にデータ D″l(+1. D″2(1
+、D ’ 3(])〜D” (N)、D″2fN)、
D″2FN)を供給する。第2図に示した列電極の信号
D (J)にはD’ (1)がJ=3(1−11+P
(1=I〜N、 P=1〜3)の関係で対応し、D (
j)にはD″p(11が対応している。A sample-and-hold circuit (77
). (78) is a column-side drive circuit similar to (75), and the clock C1 is applied to the shift register.
,' and data Ds', image data D', D2. D'' and enable signal W
' has been input and the column where the lead electrode is located below (82)? Data D″l(+1. D″2(1
+, D' 3 (]) ~ D" (N), D"2fN),
D' (1) is supplied to the column electrode signal D (J) shown in FIG.
It corresponds to the relationship of (1=I~N, P=1~3), and D (
j) corresponds to D″p(11).
(79)は行側の駆動回路であり、データDGをクロッ
クC146で転送するシフトレジスター(BO)と、(
80)の各出力P(K−11,3(K−11,P(K)
(K=l−Millの論理状態で、(82)の隣接す
る画素の画素電極入れるデータ(vq)に続いてトラン
ジスターをオン(v6G)、オフ(VEIllさせる信
号G(に)を作る電位選択回路(81)とで構成されて
いる。液晶表示体(82)の基板(83)には(79)
より行電極の信号が入力され、対向基板(84)には(
751,(78)より列電極の信号が入力されている。(79) is a drive circuit on the row side, which includes a shift register (BO) that transfers data DG using clock C146, and (
80) each output P(K-11,3(K-11,P(K)
(In the logical state of K=l-Mill, a potential selection circuit that creates a signal G (to) to turn on (v6G) and turn off (VEIll) the transistor following the data (vq) input to the pixel electrode of the adjacent pixel in (82) (81).The substrate (83) of the liquid crystal display (82) has (79)
The signals from the row electrodes are inputted to the counter substrate (84).
Column electrode signals are input from 751 and (78).
(75) 、 (7B)にはVoo Vssの電源電
位が、(79)にはVaa Vllwの電源電位が接
続されている。電位選択回路はP(K−++、5(K−
11を入力するとノア(85)の出力を制御入力とし、
P (K)を入力とするアナログスイッチ(88)と、
(85)の出力をインバーター(86)で反転して制御
入力とし、vRを入力とするアナログスイッチ(87)
の各出力端子を接続し、液晶表示体の第に行目の行電極
にG (K)の行信号を出力する様に構成されている。The power supply potential of Voo Vss is connected to (75) and (7B), and the power supply potential of Vaa Vllw is connected to (79). The potential selection circuit is P(K-++, 5(K-
When inputting 11, the output of Noah (85) becomes the control input,
an analog switch (88) that receives P (K) as an input;
The output of (85) is inverted by an inverter (86) and used as a control input, and the analog switch (87) uses vR as an input.
The output terminals are connected to each other, and a row signal of G (K) is output to the row electrode of the 1st row of the liquid crystal display.
P[K−1)、 5(K−11の少なくとも一方がハイ
(V6.] で(87)がオン、(88)がオフしv8
がG (K)の信号として選択され、PfK〜])、5
fK−])のいずれもロー(■lI[l)で(87)が
オフ、(88)がオンしP(に)がG (K)の信号と
して選択される。■8は第(K−11行目の画素の画素
電極に入れるデータ、P (K)は第に行目の画素のト
ランジスターをオン、オフさせる信号となる。第1行目
の行信号G(+1はP (01、S (01、P (+
1より構成されるが、G(1)は隣接する画素の画素電
極に入れるデータを出力する必要が無く、トランジスタ
ーをオン、オフさせる信号を出力すれば良いことから(
87)の入力vRはVl![1或いはP(+)として良
<、G(11としてP(1)を出力する様にし得る。ま
た液晶表示体は、M行の画素群で構成されていることか
ら、第M行目の画素に隣接する第(M+1)行目の行電
極はトランジスターをオン、オフさせる信号を出力する
必要が無く、隣接する画素に入れるデータだけ出力すれ
ば良いことから、P (M) 、 S (M) 、 P
(M+l)の論理状態で構成していル回路の、+88
1(7)入力P(M+l)はV[lI!或いはVRとし
て良< 、 C(V++)としてvRを出力する様に構
成し得る。P[K-1), 5 (at least one of K-11 is high (V6.), (87) is on, (88) is off, and v8
is selected as the signal of G (K), PfK~]), 5
fK-]) are all low (1I[l), (87) is off, (88) is on, and P (to) is selected as the signal for G (K). ■ 8 is the data to be input into the pixel electrode of the pixel in the (K-11th row), P (K) is the signal that turns on and off the transistor of the pixel in the 1st row. The row signal G ( +1 is P (01, S (01, P (+
1, but since G(1) does not need to output data to be input to the pixel electrode of an adjacent pixel, it only needs to output a signal to turn on and off the transistor (
87) input vR is Vl! It is possible to output P(1) as [1 or P(+)<, G(11).Also, since the liquid crystal display is composed of M rows of pixels, the Mth row The row electrode of the (M+1)th row adjacent to the pixel does not need to output a signal to turn the transistor on or off, and only needs to output data to be input to the adjacent pixel, so P (M), S (M ), P
+88 of a circuit consisting of (M+l) logic states
1(7) Input P(M+l) is V[lI! Alternatively, it may be configured to output vR as VR and C(V++).
[作用]
第10図、第11図は本発明の画像表示装置の動作を示
すタイミングチャートであり、第10図は行側の駆動回
路の動作波形を示している。CLGはハイfV、61の
期間がロー(V、)の期間より短いクロック信号でデー
タD6を転送し、C166がハイでP(に)、ローでS
fKlの信号を変化させており、P(K−11,5(
K−1+に続いてP (K) 、 S (に)がハイと
なる様になっている。G (K)はP(K−11÷5(
K−11の論理和かハイ(v66)テvR10−(Vp
F)TP(K)の信号となることから、VRに続いてV
6a、 V(1p、となっており、G (KlがVRの
期間内にG(K−1)がパイ(Vaa) 、口fVa+
+)となッテトランジスターをオン、オフし、第(K−
11行目の画素の画素電極に第に行目の行電極からデー
タが入れられることが、G [+1 、 G [2)の
信号に示されている。3原色の画像データDI、D2.
D3は左下がりのハツチングで示す間順次サンプリング
され、右下がりのハツチングで示すサンプリングの休止
期間イネーブル信号W、 W′がハイ(VOO)になる
と液晶表示体の各列電極に並列に供給される。■は左下
がりのハツチングで示す時ハイとなって、奇数行の画素
電極に対向する列電極のデータを更新し、W′は右下が
りのハツチングで示す時ハイとなって、偶数行の画素電
極に対向する列電極のデータを変更する。第に行目の行
電極の信号G(に)がVGGとなってトランジスターを
オンする時、隣接行の信号G(K++1は■8で、■或
いは W′がハイとなって列電極には更新されたデータ
が供給される。行電極に加えられ、隣接行の画素電極に
導かれるデータ■8は、G(11゜G(2)〜G (M
)が順次行毎にトランジスタ一群をオンし、各画素にデ
ータが定められる1フレーム毎に周期的に反転し、Vd
或いはVcの電位(Vc−Vd・■)になっており、列
電極に加えられる画像データも同様にフレーム毎周期的
に反転してvb〜Va或いはVa−Vbの電位の信号に
なっている。[Operation] FIGS. 10 and 11 are timing charts showing the operation of the image display device of the present invention, and FIG. 10 shows the operation waveforms of the row side drive circuit. CLG transfers data D6 using a clock signal with a high fV and a period of 61 shorter than a period of low (V, ), and C166 is high at P (in) and low at S
The signal of fKl is changed, and P(K-11,5(
Following K-1+, P(K) and S(ni) become high. G (K) is P(K-11÷5(
OR of K-11 or high (v66) tevR10-(Vp
F) TP(K) signal, so V is followed by VR.
6a, V(1p,
+), turns on and off the transistor, and turns the transistor on and off (K-
The signals G [+1 and G [2) indicate that data is input from the row electrode of the 1st row to the pixel electrode of the pixel in the 11th row. Three primary color image data DI, D2.
D3 is sequentially sampled during the period shown by hatching on the lower left, and is supplied in parallel to each column electrode of the liquid crystal display when enable signals W and W' become high (VOO) during the sampling pause period shown by hatching on the lower right. ■ becomes high when indicated by a downward-sloping hatch to the left and updates the data of the column electrode opposite to the pixel electrode in an odd-numbered row; Change the data of the column electrode facing the . When the signal G of the row electrode of the 1st row becomes VGG and turns on the transistor, the signal G of the adjacent row (K++1 is ■8, or W' becomes high and the column electrode is updated. The data 8 applied to the row electrodes and guided to the pixel electrodes of the adjacent row is G(11°G(2)~G(M
) sequentially turns on a group of transistors for each row, and periodically inverts each frame in which data is determined for each pixel, and Vd
Alternatively, the potential is Vc (Vc-Vd·■), and the image data applied to the column electrodes is similarly inverted periodically every frame to become a signal with a potential of vb to Va or Va-Vb.
画素の液晶の容量をCLc、トランジスターのゲートと
画素電極間の容量なCanとすると、トランジスターが
オンし画素電極に入れられたデータは、トランジスター
がオフに移行する時、画素電極ノミ位をΔV=−CGD
(VGG−V[III) / (CLC”Cao)変
化させることから、選択されるVnの電位をVd= (
Va+Vb) /2−V/2−ΔV、 Vc・(Va+
Vb) /2+V/2−ΔVに設定し、この影響を極め
て小さくできる。このことは(Va+Vb)/2=(V
c+Vd)/2+ΔV トなる様に、画像データの反転
中心なり8の反転中心より△■変移した位置に設定する
ことを意味する。液晶の容量は液晶にかかる電圧で変化
し、液晶分子が電界方向に平行に配列している時をCL
c//、 垂直に配列している時をCLC土とすると、
正の誘電異方性の液晶ではCLC//〉CLC土である
から、CLCがCLC//、 CL、土の場合の変移な
Δ■//、Δシ上とするとΔV//〈Δ■土である。従
ってCt、Cとしては(Ctc// +CLCJL )
/2近傍が平均的に選ばれてΔVが定められることにな
る。トランジスターがオフしている時の列電極の電位変
化は(Va−Vb1以内であり、(VaG−vgIりに
比べてずつと小さく、フレーム毎では対称に変化する交
流成分であり、階調特性を損なわない様に、Cao/e
tcは充分小さく画素設計されている。2行J列、M行
j列の画素電極電位は、5列の列電極の信号に追随して
、D(2゜j) 、 D (M、 j)に示す様に、は
ぼVd−Va+Vb 〜Vc+Va−vbの範囲で変化
している。液晶にかかる電圧はD (j) −D (2
,j) 、 D (j) −(M、 jl (D如く、
Vo= (Va−Vb+V)/2として、はぼ−vO〜
vOの範囲にあり、液晶は交流駆動されている。2行j
列、M行j列の画素には、それぞれ液晶分子を電極間方
向に平行、垂直に配列する様な画像データが加えられて
いて、トランジスターがオンからオフに移行した時、画
素電極の電位はΔV//、ΔV土変化してい心変化信号
の電位はl/BB<Vss≦Vb< Va≦Voo <
Vaa、 VII[l< Vd−Va +vb <
Vd< Vc< Vaa テあり、例えばVa−Vb=
5v、 Vc−Vd=5v、Vaa−Vee=20vで
ある。CL、 D、、 Wとct′、 os′、w′は
W。Assuming that the capacitance of the pixel's liquid crystal is CLc, and the capacitance between the transistor gate and the pixel electrode is Can, the data input to the pixel electrode when the transistor is turned on is ΔV= the pixel electrode height when the transistor is turned off. -CGD
By changing (VGG-V[III) / (CLC”Cao), the potential of the selected Vn is Vd= (
Va+Vb) /2-V/2-ΔV, Vc・(Va+
Vb) /2+V/2-ΔV, this effect can be made extremely small. This means (Va+Vb)/2=(V
c+Vd)/2+ΔV This means setting at a position shifted by Δ■ from the inversion center of image data or the inversion center of 8. The capacitance of a liquid crystal changes depending on the voltage applied to the liquid crystal, and CL is when the liquid crystal molecules are aligned parallel to the direction of the electric field.
c//, if it is CLC soil when it is arranged vertically,
In a liquid crystal with positive dielectric anisotropy, it is CLC//〉CLC soil, so if CLC is CLC//, CL, the transition in the case of soil is Δ■//, and on ΔC, then ΔV//〈Δ■ soil It is. Therefore, as Ct, C (Ctc// +CLCJL)
/2 neighborhood is selected on average to determine ΔV. The potential change of the column electrode when the transistor is off is within (Va-Vb1), which is smaller than (VaG-vgI), and is an alternating current component that changes symmetrically from frame to frame, which affects the gradation characteristics. Cao/e so as not to damage
The pixel design of tc is sufficiently small. The pixel electrode potentials of the 2nd row, J column, M row and j column follow the signal of the column electrode of the 5th column, and as shown in D(2゜j) and D(M, j), approximately Vd-Va+Vb. ~Vc+Va-vb. The voltage applied to the liquid crystal is D (j) −D (2
, j) , D (j) −(M, jl (like D,
As Vo= (Va-Vb+V)/2, Habo-vO~
vO range, and the liquid crystal is driven by alternating current. 2 lines j
Image data that arranges liquid crystal molecules parallel and perpendicular to the inter-electrode direction is added to the pixels in the column, M row and j column, respectively, and when the transistor changes from on to off, the potential of the pixel electrode is ΔV//, ΔV The potential of the heart change signal is l/BB<Vss≦Vb<Va≦Voo<
Vaa, VII[l< Vd-Va +vb<
Vd<Vc<Vaa, for example, Va-Vb=
5v, Vc-Vd=5v, Vaa-Vee=20v. CL, D,, W and ct', os', w' are W.
W′のタイミング波形に示す様に、第8図に上下に配置
した列側の駆動回路の消費電力低減のために、行の偶奇
性に応じて区別された信号になっている。即ち■がハイ
になる直前のDI、D2゜D3のデータのサンプリング
期間は、CL、 Dsにより上側に配置した駆動回路(
75)が動作状態にあり、下側の駆動回路(78)への
信号CL′、 os′は静止してロー(vssl電位に
なっており、W′がハイになる直前では、CL′、 D
、′の信号が出力されて(78)が動作状態、(75)
の信号CL、D、はロー電位になっている。勿論CL、
Ds、WとCL′。As shown in the timing waveform of W', in order to reduce the power consumption of the column side drive circuits arranged above and below in FIG. 8, the signals are differentiated according to the evenness of the rows. In other words, during the data sampling period of DI, D2 and D3 just before ■ becomes high, the driving circuit (
75) is in operation, the signals CL' and os' to the lower drive circuit (78) are static and at low (vssl potential), and just before W' goes high, CL', D
, ' signals are output, (78) is in operation state, (75)
The signals CL and D are at low potential. Of course CL,
Ds, W and CL'.
Ds′、W′は行の偶奇性によらず出力される信号とし
て(75)、 (78)を共に動作状態にし、W′はW
と同信号にしても良い。Ds' and W' are output signals regardless of row parity, and both (75) and (78) are activated, and W' is W'.
The same signal may be used.
[実施例]
第12図は本発明の画像表示装置の実施例の構成図、第
13図は画像データの選択回路図、第14図は液晶表示
体の列電極にデータを送るサンプル・ホールド回路図、
第15図は行電極に信号を送る電位選択回路図、第16
図は列側の信号のタイミングチャート、第17図は行側
の信号のタイミングチャートである。(89)はデータ
D8をクロックCLで転送し、液晶表示体の基板(95
)上に構成されているサンプル・ホールド回路(90)
に信号5(1)〜S (N)を送るシフトレジスターで
あり、(90)は3原色それぞれのカラーフィルターを
有する液晶表示体(93)の各画素に対応する直列の画
像データD’、D2.D”を、(89)の各出力5(1
)〜S tN)によって順次サンプリングし、イネーブ
ル信号Wに同期してD’(+1.D2fl)、D″+1
1〜 D゛(N) 、 D2(N) 、 o3fN)
(7)データ、イネール信号W゛に同期してD′M++
、D’ ”f!1.D’ 3(1)〜D’ +(N1.
D ’ 2(N)、D′3(Nlのデータを、カラ
ーフィルター上の各列電極に送る。(91)はクロック
C146でデータD6を転送し、液晶表示体の基板(9
4)上に構成されている電位選択回路(92)に信号T
(])、T(1)−TfK)、而を送るシフトレジスタ
ーであり、(92)は(91)の信号により01.0□
。[Embodiment] Fig. 12 is a block diagram of an embodiment of the image display device of the present invention, Fig. 13 is an image data selection circuit diagram, and Fig. 14 is a sample/hold circuit that sends data to column electrodes of a liquid crystal display. figure,
Figure 15 is a potential selection circuit diagram for sending signals to the row electrodes;
The figure is a timing chart of signals on the column side, and FIG. 17 is the timing chart of signals on the row side. (89) transfers the data D8 using the clock CL and transfers the data D8 to the liquid crystal display substrate (95).
) configured on the sample and hold circuit (90)
(90) is a shift register that sends signals 5(1) to S(N) to 5(1) to S(N), and (90) carries serial image data D', D2 corresponding to each pixel of a liquid crystal display (93) having color filters for each of the three primary colors. .. D”, each output 5 (1
) to S tN), and D'(+1.D2fl), D''+1 in synchronization with the enable signal W.
1~ D゛(N), D2(N), o3fN)
(7) Data, D′M++ in synchronization with enable signal W′
, D'"f!1.D'3(1)~D' + (N1.
Send data D'2 (N), D'3 (Nl) to each column electrode on the color filter. (91) transfers data D6 with clock C146,
4) A signal T is sent to the potential selection circuit (92) configured above.
(]), T(1)-TfK), is a shift register that sends
.
Q3. Q−、Qa、口、、 Q、(7)信号かvll
Rノ電位を選択して行電極に送る信号G(1)、G(2
1,G(3)、G(4)、G(51゜6(6)〜G f
6K)を作っており、各行信号は隣接行の画素電極に入
れるデータに続いて自行のトランジスターをオン、オフ
する電位が出力される様に構成されている。(93)は
液晶表示体であり、基板(94)と対向基板(95)間
に液晶を挟持している。(92)は(94)の画素毎の
トランジスターと同種のトランジスターを用いて基板周
辺に構成され、(95)はその基板周辺に(90)の回
路を構成するトランジスターを形成後、画面となる領域
にカラーフィルターを形成し、その上に基板周辺のトラ
ンジスターの出力に接続される列電極を形成して、全体
としての基板が構成されている。(90) 、 (’1
21の周辺回路は、表面保進のために、液晶の封入され
ている領域で画面の周辺に形成されるか、或いは、それ
ぞれ対向する基板(94)、 (95)で被覆される様
な構造とされる。Q3. Q-, Qa, mouth, Q, (7) signal or vll
Signals G(1) and G(2) select the R potential and send to the row electrodes.
1, G (3), G (4), G (51°6 (6) ~ G f
6K), and each row signal is configured so that, following the data input to the pixel electrodes of the adjacent row, a potential is output that turns on and off the transistors in the row. (93) is a liquid crystal display body, in which liquid crystal is sandwiched between a substrate (94) and a counter substrate (95). (92) is constructed around the substrate using the same type of transistor as the transistor for each pixel in (94), and (95) is an area that will become the screen after forming the transistors that constitute the circuit in (90) around the substrate. A color filter is formed on the substrate, and column electrodes connected to the outputs of transistors around the substrate are formed on the color filter to form the entire substrate. (90) , ('1
The peripheral circuit 21 has a structure in which it is formed around the screen in the area where the liquid crystal is sealed, or covered with opposing substrates (94) and (95), respectively, for surface preservation. It is said that
(89)ニはVI、I、Vssノ電源電位、(91)に
はVPPVlll+の電源電位が接続されている。直列
に転送される3原色それぞれの画像データDR,D’、
D8は、イネーブル信号Wがハイfvon1. W’
がロー(VSS)で、順次ハイとなるφ1.φ2.φ3
の信号によりオンする選択スイッチ(96)、 (10
01,(+041を通して(’18)、 +102)、
(](16)の容量にサンプリングされ、はぼ利得が
1のバッファアンプ+991゜(1031、(1071
から画像データD’、D2.D3としてサンプル・ホー
ルト回路に送られていて、イネーブル信号Wがロー、W
′がハイではDR,D(、DBのデータが、φ1.φ2
.φ3の信号に同期して順次オンする選択スイッチ(9
71,(+011.(+051 を通して(9U、 (
I[12+、 (+[]61の容量にサンプリングされ
、バッファアンプ+991. (103)、+1071
からD’、D”、D”の画像データとして出力されてい
る。(89) D is connected to the power supply potential of VI, I, and Vss, and (91) is connected to the power supply potential of VPPVllll+. Image data DR, D' of each of the three primary colors transferred in series,
D8 has the enable signal W high fvon1. W'
is low (VSS), and φ1. becomes high sequentially. φ2. φ3
selection switch (96), (10
01, (through +041 ('18), +102),
(] (16), the buffer amplifier with a gain of 1 + 991° (1031, (1071
Image data D', D2. D3 is sent to the sample/halt circuit, and the enable signal W is low, W
' is high, the data of DR, D(, DB is φ1.φ2
.. Selection switch (9) that turns on sequentially in synchronization with the φ3 signal
71, (+011.(+051 through (9U, (
I[12+, (+[]61 capacitance sampled, buffer amplifier +991. (103), +1071
are output as image data of D', D'', and D''.
Wがハイとなるのはカラーフィルターが第3図の様に配
置されている奇数行の画素に送るデータを構成する時で
あり、W′がハイとなるのは偶数行の画素に送るデータ
を構成する時である。サンプル・ホールド回路(90)
のD’ (X) (P・1゜2.3. X・1〜N)の
信号を構成する部分は、シフトレジスター(89)(7
)出力5(X)を抵抗(1081,(1101を通して
ゲートに加え、画像データDPfP=1.2゜3)をソ
ースに入力しているトランジスター(1091、(Il
l) と、それぞれ直列接続されるトランジスター(+
131. fl+5)のゲートに抵抗(1121。W goes high when the color filter configures data to be sent to pixels in odd rows arranged as shown in Figure 3, and W' goes high when data is sent to pixels in even rows. It's time to configure. Sample and hold circuit (90)
The part that constitutes the signal D' (X) (P・1゜2.3.
) Output 5 (X) is added to the gate through resistors (1081, (1101), and image data DPfP=1.2°3) is input to the source of the transistor (1091, (Il
l) and the transistors (+
131. resistor (1121) on the gate of fl+5).
(+141 を通してイネーブル信号Wを入力し、共通
接続されたドレインからD’ (X)を出力する様にな
っており、S (X) 、 Wの二人力で定められる論
理状態、即ちS (X) 、 Wのいずれもハイ(vn
nlの時DP(vb〜va)をサンプリングし、S F
X) 、 Wがロー(Vss、Vss≦vb<va<v
I、o)テサンプリンクシタテータをホールドする。隣
接するD′P(X)の信号を構成する部分は、S (X
)を抵抗(1171、(+191 を通してゲートに加
え、画像データDPをソースに入力しているトランジス
ター(+181 、 (1201と、それぞれ直列接続
されるトランジスター(+22+ 、 (+241のゲ
ートに抵抗(+211. (123)を通してイネーブ
ル信号W′を入力し、共通接続されたドレインから D
′pfX)を出力する様になっている。D’ (X)を
出力する回路に見られる様に、(+091. (+13
1 のトランジスタ一対と同様に機能する(Ill)、
(1151のトランジスタ一対で二重に構成されてお
り、ゲートは抵抗を通して信号線につながっていること
から、トランジスタ一部分の点欠陥が、他の回路に影響
を及ぼさず、欠陥のあるトランジスター接続をレーザー
等で出力から分離し、回路の動作を保障し得る様になっ
ている。列電極への出力Dp(Xl、 D”(X)には
、f! 16) 、 (+25+の様に一端を固定電位
Vssに接続した容量を必要に応じて付け、列電極に付
く対向基板との間の容量と並列して、2行分の走査線期
間、サンプリングしたデータを保持する様にされる。第
16図にはクロックCLでデータD5がシフトレジスタ
ーを転送され、クロックがハイで変化する(X−’/2
1 ビットシフト出力と、クロックがローで変化するX
ビットシフト出力との論理積がS (X)として出力さ
れることがS (11、S (2)に示され、φ0.φ
2.φ3がハイで順次サンプリングされたDl、 D2
、D2のハツチングが同方向の画像データは、S(])
、5(21のそれぞれハイの期間に揃っていて、第14
図に示した回路によりS (X)がハイでサンプリング
されることを表わしている。w′はWの反転信号になっ
ており、Wがハイで奇数行、w′がハイで偶数行のデー
タがサンプリングされる。φ3とS (X)のハイの期
間は同時期にあることから、第13図の(+041.
+105)の選択スイッチはw、w′でオンする様にし
、(+06)の容量を省き、(] 07)からデータD
3を出力する構成としても良い。また列電極と対向基板
の行電極との間の容量は、液晶を挟持していて小さく、
第4図に示した画素構成では透明な列電極(36)の形
状を、トランジスタ一部分を除き、画素電極(33)、
(341を覆う様にし、行電極とトランジスターのソ
ースとを接続している電極(291,+32)と列状の
金属電極との重なりを充分小さくするか、重ならないよ
うに配置すれば極めて小さな容量になることと、第14
図の配置によれば、DPのデータ線には5(1)〜S
(N)のN本のシフトレジスター出力線との交差による
容量が付くことから、第13図の選択スイッチの後の容
量は、必要に応じてその配線容量に付は加え、バッファ
アンプを介さないでD’、 D2. D3を出力する構
成にし、S (X)のハイの期間はクロックCLの1周
期分とし得る。電位選択回路(92)のG (7(Z−
1) +Y) (Y=]〜7. Zは0.〜07)の信
号群の繰返し数の信号を構成する部分は、シフトレジス
ター(q+1)+に力T fX)を抵抗(126)。(The enable signal W is input through +141, and D' (X) is output from the commonly connected drains, and the logic state determined by the two forces of S (X) and W, that is, S (X) , W are both high (vn
When nl, sample DP (vb ~ va), and S F
X), W is low (Vss, Vss≦vb<va<v
I, o) Hold the tesamp link stimulator. The part constituting the signal of adjacent D'P(X) is S (X
) are added to the gates through resistors (1171, (+191), and transistors (+22+, (+241) are connected in series with the transistors (+181, (1201), which input the image data DP to the sources, respectively). 123), input the enable signal W' through D
'pfX) is output. As seen in the circuit that outputs D' (X), (+091. (+13
1 (Ill),
(Since it is configured in duplicate with a pair of 1151 transistors, and the gate is connected to the signal line through a resistor, a point defect in one transistor will not affect other circuits, and the defective transistor connection can be removed with a laser.) etc., to ensure the operation of the circuit.The output Dp (Xl, D'' (X) to the column electrodes has one end fixed as f! 16), (+25+). A capacitor connected to the potential Vss is attached as necessary in parallel with the capacitor between the column electrode and the opposing substrate, so as to hold the sampled data for a scanning line period of two rows. 16th In the figure, data D5 is transferred to the shift register by clock CL, and changes when the clock is high (X-'/2
1 Bit shift output and X that changes when the clock is low
It is shown in S (11, S (2) that the AND with the bit shift output is output as S (X), and φ0.φ
2. Dl, D2 sampled sequentially when φ3 is high
, D2 hatching in the same direction is S(])
, 5 (21) are all aligned in the high period, and the 14th
This indicates that S (X) is sampled high by the circuit shown in the figure. w' is an inverted signal of W, and when W is high, data in odd rows is sampled, and when w' is high, data in even rows is sampled. Since the high periods of φ3 and S (X) are at the same time, (+041.
+105) selection switch should be turned on with w, w', omit the capacity of (+06), and data D from (]07)
It is also possible to have a configuration that outputs 3. In addition, the capacitance between the column electrodes and the row electrodes on the counter substrate is small because the liquid crystal is sandwiched between them.
In the pixel configuration shown in FIG. 4, the shape of the transparent column electrode (36) is changed to the shape of the pixel electrode (33),
(If the overlap between the electrode (291, +32) connecting the row electrode and the source of the transistor and the column metal electrode is made sufficiently small, or if they are arranged so that they do not overlap, the capacitance will be extremely small. becoming and the fourteenth
According to the arrangement in the figure, the DP data line has 5(1) to S.
Since a capacitance is added due to the intersection with the N shift register output lines of (N), the capacitance after the selection switch in Figure 13 is added to the wiring capacitance as necessary, and does not go through a buffer amplifier. D', D2. The configuration is such that the signal D3 is output, and the high period of S (X) can be one period of the clock CL. G (7(Z-) of the potential selection circuit (92)
1) +Y) (Y=] ~ 7. Z is 0. ~ 07) The part constituting the signal of the repetition number of the signal group applies a force T fX) to the shift register (q+1) + and resists (126).
(1271を通してゲートに加え、信号OYをソースに
入力しているトランジスター(+281 、 (+29
1の各ドレインと、T (X)を抵抗(+301. [
1311を通してゲートに加え、Vllllをソース電
位とするトランジスター(+ 32) 、 (133)
の各ドレインを共通接続し、G(7(Z−11+Y)を
出力する様になっている。第14図の回路と同様にして
、ゲートは抵抗を通してシフトレジスターの出力につな
がっていて、(+28)とT1291 、 +1321
と(+331は同信号、同電位をゲート、ソースに入
力して二重の構成になっていることから、動作に支障の
あるトランジスターを分離し、正しい動作が行なわれる
様に修正可能となっている。第17図にはクロックCI
、6でデータD6がシフトレジスターを転送され、クロ
ックがハイで変化する(X−’/21 ビットシフト出
力と、クロックがローで変化するXビットシフト出力と
の論理和がT (X)として出力されることがT(11
,T(2)に示され、CI、6の1周期は Q、、Q□
〜Q、が順次VR(VR=VC或いはvR・Vd) 、
VGa、 Vallと変化する信号を出力する期間に
相当していて、G(+1. G(21〜G(6)はT(
1)がハイ(Vpp、 Vpp> VcG> Vc>
Vd> Vaa)、従ッテT(1)゛がロー(v*lり
の時、順次変化する Q、、Q、〜q6を出力し、T(
11がロー(v[lり従ってT(11がハイ(vpp)
の時v66を出力していて、■(2)がハイの時は順次
変化するQ、、Q、、02〜0.がG (7) 、 c
(a) 、 G(9)〜Gf121として出力される
。第15図の回路はT (X) 、 T (Xl の二
人力それぞれの論理状態で口。(Transistor (+281, (+29
1 and T (X) as a resistance (+301. [
Transistor (+32), (133) which is added to the gate through 1311 and whose source potential is Vllll
The drains of the circuit are connected in common to output G(7(Z-11+Y).Similar to the circuit shown in FIG. 14, the gate is connected to the output of the shift register through a resistor, ) and T1291, +1321
(+331 has a double configuration by inputting the same signal and the same potential to the gate and source, so it is possible to isolate the transistor that is having trouble with operation and correct it so that it operates correctly.) Figure 17 shows the clock CI.
, 6, the data D6 is transferred to the shift register, and the clock changes when it is high (X-'/21 The logical sum of the bit shift output and the X bit shift output, which changes when the clock goes low, is output as T (X). T(11
,T(2), and one period of CI,6 is Q,,Q□
~Q, are sequentially VR (VR=VC or vR・Vd),
It corresponds to the period in which a signal that changes from VGa to Vall is output, and G(+1. G(21 to G(6) is T(
1) is high (Vpp, Vpp>VcG>Vc>
Vd>Vaa), outputs Q, , Q, ~q6 which change sequentially when T(1) is low (v*l), and T(
11 is low (v[l so T(11 is high (vpp)
When , V66 is output, and when ■ (2) is high, Q, , Q, , 02 to 0. is G (7), c
(a) is output as G(9) to Gf121. The circuit in Figure 15 has two logical states, T(X) and T(Xl).
かVllllの電位を選択し、T fX) 、 T (
X)は相補的な信号であることから直流的な電流消費を
伴わず、出力電位は静的に定められる様になっていて、
VR,V6a、 V□、と変化するOYの信号はフレー
ム毎に■8としてVc、Vdを交互にとり、第11図に
示した様にVRは隣接行の画素電極に導かれるデータ、
V G G + V HEいはトランジスターをオン、
オフする電位となっている。G[+1.G(31〜の奇
数行の行信号は、イネーブル信号Wがローの時、VCa
の電位でトランジスターをオンさせ、直前のWがハイで
電位の確定された列電極に対する画素電極の電位を定め
、G +21 、 G f41〜の偶数行の行信号は、
イネーブル信号W′がローの時トランジスターをオンさ
せて、画素電極の電位を定める。T (X)をゲートに
接続しているトランジスターのソース電位はV□、であ
ることから、「(X)のパイの電位をVHII *ロー
の電位なりI!□とし、シフトレジスター(91)がT
(x)、T(x)ノハイの電位としテVpp、 VuH
(Vpe < VHs≦Vaa <Vpp)を出力する
ようにしても良い。or Vllll, and T fX) , T (
Since X) is a complementary signal, it does not involve DC current consumption, and the output potential is statically determined.
The OY signal, which changes as VR, V6a, and V□, takes Vc and Vd alternately as ■8 every frame, and as shown in FIG.
V G G + V HE or turn on the transistor,
The potential is turned off. G[+1. When the enable signal W is low, the row signals of odd-numbered rows from G(31 to VCa
The transistor is turned on at the potential of , and the potential of the pixel electrode is determined with respect to the column electrode whose potential has been determined by the previous W being high, and the row signals of even-numbered rows from G +21 to G f41 are as follows.
When the enable signal W' is low, the transistor is turned on to determine the potential of the pixel electrode. Since the source potential of the transistor whose gate is connected to T (X) is V□, we set the potential of the pi of (X) to VHII *Low potential, I!□, and the shift register (91) T
(x), T(x), and the potential is Vpp, VuH
(Vpe<VHs≦Vaa<Vpp) may be output.
第18図、第19図、第20図、第21図、第22図は
本発明の画像表示装置の他の実施例のサンプル・ホール
ド回路図、第23図は第18図の回路の動作を示すタイ
ミングチャートである。各回路図には第14図に示した
冗長構成を略している。第18図の回路は5(X) (
X=] 〜n)、 RY(Y=I 〜m)02人力の信
号と行の偶奇性を選ぶWの信号をそれぞれゲート入力と
しているトランジスター+1341゜(+351 、
(+361を直列接続し、(1341のソースにDPを
入力し、fl 36)のドレインより列電極に信号D’
(X、 Yl を出力する様になっており、S (X
) 。18, 19, 20, 21, and 22 are sample-and-hold circuit diagrams of other embodiments of the image display device of the present invention, and FIG. 23 shows the operation of the circuit in FIG. 18. FIG. In each circuit diagram, the redundant configuration shown in FIG. 14 is omitted. The circuit in Figure 18 is 5(X) (
X=] ~n), RY (Y=I ~m)02 Transistors +1341° (+351,
(+361 are connected in series, DP is input to the source of (1341), and the signal D' is sent from the drain of fl 36 to the column electrode.
(X, Yl are output, and S (X
).
RY、Wがいずれもハイ(Voo)で画像データDPを
サンプリングし、S (X)−RY−Wがロー(vss
)でサンプリングしたデータD’ (X、 Yl (V
b 〜Va、Vss≦vb<Va<V。0をホールドす
る。第23図に示す様に。Both RY and W are high (Voo) to sample the image data DP, and S (X)-RY-W is low (vss
) sampled data D' (X, Yl (V
b ~ Va, Vss≦vb<Va<V. Hold 0. As shown in Figure 23.
RY + RY + 1は重複してハイの期間のある信
号でRmはR1と重複し、5fl)、5(2) ニ示す
様i:m5(X)、S(X+1)も部分的にハイの期間
が重複している。RY + RY + 1 is a signal with overlapping high periods, Rm overlaps with R1, and 5 fl), 5 (2) 2 shows i: m5 (X), S (X + 1) are also partially high. The periods overlap.
S fl)がハイの期間にR,、R2,R3〜Rm川が
順次ハイとなり、DPがサンプリングされて、Dp(1
,1)、D’(1,2)、D’fl、3) 〜DPfl
、m−1)の列電極の信号が定められ、続<5(2)が
ハイの期間にIlm、R,〜Rm−2が順次ハイとなり
、 D’ (2,m) 、 DP(2,IlmDP(2
,m−21の信号が定められる。D’(1,11〜D’
(1,m−11,DP(2,m)、D’(2,1) 〜
DP(2,m−2)はWがハイで奇数行の列電極に確定
される信号であり、それぞれ I〜(m−l)、m、
(m+l) 〜f2m−2)列目の列信号である。偶数
行の列電極信号は、(+361のトランジスターのゲー
ト信号なWの反転信号W′とした回路でサンプリングさ
れ、5(1)がハイの期間に順次ハイとなるR、、R,
、Ra−により、 D′P(1,+1.D′P(+、2
)、D” +1,31〜の信号を偶数行の1.2.3〜
列目の列電極に定めている。第19図の回路は、S (
XI 、 RY、 Ry (y> Y、 Y=mではy
≧1)の3人力の信号とWの信号により定められる論理
状態でOPをサンプリングしており、RYをゲート入力
とし、S (X)をソース電位とするトランジスター(
+37)と、Ryをゲート入力としVssをソース電位
とするトランジスター(+38)の各トレインをゲート
に接続し、DPをソース信号とするトランジスター(1
39)に、Wをゲート入力とするトランジスター(+4
01を直列接続し、トレインからD’ (X、 Y)を
出力する構成になっている。S (X) 、 Wはパイ
、ローがVon+ Vssの信号、RY、 Ryはハイ
、ローがVCC(>Voo)、 V+、L(≦Vss)
の信号で、(139)のゲートをR1がハイでS (X
)の電位、RYがローではRyがハイで導いたVssの
電位とすることから、(+ 39)はRY、 S (X
)がいずれもハイでオン、R,−3(X)がローでオフ
し、第19図の回路は第18図と同様に機能する。容f
fi (+411は必要に応じて付けられ、RY、 R
yがローの時、1139)のゲート電位を動的にVSS
に保持する。第20図の回路はS (X) 。During the period when Sfl) is high, R,, R2, R3 to Rm become high in sequence, DP is sampled, and Dp(1
,1),D'(1,2),D'fl,3) ~DPfl
, m-1) are determined, and Ilm, R, ~Rm-2 become high in sequence during the period when continuation<5(2) is high, and D' (2, m), DP (2, IlmDP(2
, m-21 signals are determined. D'(1,11~D'
(1, m-11, DP (2, m), D' (2, 1) ~
DP(2, m-2) is a signal fixed to the column electrodes of odd rows when W is high, and I~(m-l), m, respectively.
This is the column signal of the (m+l) to f2m-2)th column. The column electrode signals of the even rows are sampled by a circuit using an inverted signal W' of the gate signal of the transistor (+361), and are sequentially high during the period when 5(1) is high.
, Ra-, D'P(1,+1.D'P(+,2
), D” +1,31~ signals to even-numbered rows 1.2.3~
It is set for the column electrode of the column. The circuit of FIG. 19 has S(
XI, RY, Ry (y> Y, Y=m, y
The OP is sampled in the logic state determined by the three input signals of ≧1) and the W signal, and the transistor (
+37) and a transistor (+38) with Ry as the gate input and Vss as the source potential are connected to the gate, and a transistor (1
39), a transistor (+4
01 are connected in series, and D' (X, Y) is output from the train. S (X), W is pi, low is Von+Vss signal, RY, Ry is high, low is VCC (>Voo), V+, L (≦Vss)
With the signal of S (X
), and when RY is low, it is the potential of Vss led when Ry is high, so (+39) is RY, S (X
) are both turned on when they are high, and turned off when R and -3(X) are low, and the circuit of FIG. 19 functions similarly to that of FIG. 18. capacity f
fi (+411 is added as necessary, RY, R
When y is low, the gate potential of 1139) is dynamically set to VSS.
to hold. The circuit of FIG. 20 is S (X).
S (x) (x > X) 、 RYの3人力の信号
と冑の信号により定められる論理状態でDPを選択して
おり、第19図の +1371〜(] 401 、 (
+411に対応して (142)〜+1451 、 (
+46)のトランジスター、容量で構成され、Ry、
Ry、 S (X) (7)信号をS (X) 、 S
(X) 、 M、l:代えている。RY、WはVoo
4sg間の信号、S (X) 、 S (x)はVcc
−V+、L間の信号であり、(1441のゲートをS
TX)がハイTRy(7)電位、S (X)がローマは
S (xlが導いたvsaの電位とし、この回路は第1
8図と同様に機能する。第21図の回路はS (Xl
、 RYの2人力の信号と w、 w′の信号により定
められる論理状態でDPを選択しており、S (X)を
ゲート入力としDPをソース信号とするトランジスター
(1471にトランジスター(+50)を直列接続し、
ゲートに、胃をゲート入力とじRyをソース電位とする
トランジスター(+48) と、W′をゲート入力とし
VSSをソース電位とするトランジスター(+49)の
各ドレインを接続し、(+501 のドレインからD’
(X、 Yl を出力する様に構成している。S (x) (x >
Corresponding to +411, (142) ~ +1451, (
+46) transistor and capacitor, Ry,
Ry, S (X) (7) Signal S (X), S
(X), M, l: Changed. RY, W is Voo
Signal between 4sg, S (X), S (x) is Vcc
It is a signal between -V+ and L, and the gate of (1441 is connected to S
TX) is the high TRy (7) potential, S (X) is Rome is the potential of vsa led by S (xl), and this circuit is
It functions in the same way as in Figure 8. The circuit in Figure 21 is S (Xl
DP is selected in the logical state determined by the two human signals of , RY and the signals of w and w', and a transistor (+50) is connected to the transistor (1471) with S (X) as the gate input and DP as the source signal. Connect in series,
Connect the drains of a transistor (+48) with the stomach as the gate input and Ry as the source potential, and a transistor (+49) with W' as the gate input and VSS as the source potential, and connect the drain of (+501 to the drain of D'
(It is configured to output X, Yl.
S (X) 、 RvはVDD VSS間の信号、w
、 w′はVCtVt、を間の信号であり、+1501
のゲートをWがハイでRY、 W′がハイでVSSと
し、この回路は第18図と同様に機能する。S (X)
とR7の入力位置を換えて、(+ 4?)のゲートにR
Y、 (148)のソ−スにS (X)を入力しても
同様である。第22図の回路は第14図、第18図乃至
第21図と同様な回路(1511,(152)を有し、
画像データDPを(+511の入力側のソースに、D2
の反転信号yを(+521の入力側のソースに加え、(
1511,(+521の出力側のドレインを+153)
、 (+541のトランジスターのゲートに接続し、
(+53)のソースをVa、 (154)のソースなり
bの電位とし、共通接続したトレインよりD’ (X、
Yl を出力する構成になっている。S (X), Rv is the signal between VDD and VSS, w
, w' is the signal between VCtVt, +1501
The gate of is set to RY when W is high, and VSS when W' is high, and this circuit functions in the same manner as in FIG. S (X)
Change the input position of R7 and connect R to the gate of (+4?)
The same thing happens if S (X) is input to the source of Y, (148). The circuit in FIG. 22 has circuits (1511, (152)) similar to those in FIGS. 14, 18 to 21,
Image data DP (+511 input side source, D2
Add the inverted signal y of (+521) to the input side source of (
1511, (+153 output side drain of +521)
, (connected to the gate of the transistor +541,
The source of (+53) is Va, the source of (154) is potential b, and the commonly connected train is D' (X,
It is configured to output Yl.
D’、D’ ハVa −V8 fV、o> Va >V
a>Vb≧V B ≧Vss1間の信号であり、S (
X)若しくはS (X) 、 RYの論理積がハイでサ
ンプリングされ、(+ 531のゲートとVa間の容量
(1551、(1541のゲートvb間の容量(156
)に記録される。DPがハイ(Va)、DPがo−(V
β)では(+53)がオン、(+54)がオフしD’
(X、 Y) はVaの電位になり、DPがロー、Dp
がハイでは(1531がオフ、(154)がオンして1
)p(X、Yl はvbの電位になる。いずれの回路も
W或いはW′で制御されているから、画像データをサン
プリング後の2行分の走査線期間列電極にデータが定め
られているが、第22図の回路はDP、 DPをサンプ
リング後、(153)か[+ 541 がオンし、DP
(X、 Y)が動的でなく、静的に定められる特色があ
る。D', D' Va -V8 fV, o> Va >V
It is a signal between a>Vb≧VB≧Vss1, and S (
X) or S (X), RY is sampled high, and the capacitance between the gate of (+531 and Va (1551), the capacitance between the gate of Vb of (1541 (156
) is recorded. DP is high (Va), DP is o-(V
β), (+53) is on, (+54) is off, and D'
(X, Y) becomes the potential of Va, DP is low, Dp
is high, (1531 is off, (154) is on and 1
)p(X, Yl are at the potential of vb. Since both circuits are controlled by W or W', data is determined on the column electrodes for two scanning line periods after sampling the image data. However, in the circuit of Fig. 22, after sampling DP and DP, (153) or [+541 is turned on, and DP
It has the characteristic that (X, Y) are not dynamically determined but statically determined.
以上、本発明の画像表示装置では、Siを半導体とする
Nチャンネルトランジスターの場合について説明してき
たが、Te、 CdSeを半導体とするトランジスター
の場合にも伝導型による信号、電位関係を適切に考慮す
ることにより、本発明の趣旨を適用することができる6
[発明の効果]
本発明の画像表示装置は液晶表示体の電極。In the image display device of the present invention, the case of an N-channel transistor using Si as a semiconductor has been described above, but signal and potential relationships depending on conduction type can also be appropriately considered in the case of transistors using Te or CdSe as a semiconductor. Accordingly, the gist of the present invention can be applied.6 [Effects of the Invention] The image display device of the present invention is an electrode of a liquid crystal display.
画素の構成及び駆動に新規な特徴を有し、画素電極に入
れるデータ及び画素電極につながるトランジスターをオ
ン、オフさせる信号を伝える行電極を形成した基板と、
画素電極に相対する列電極を形成した対向基板間に液晶
を挟持し、画素毎にトランジスターで液晶を駆動して、
はぼデユーティ 100%の交流駆動を達成し、表示品
質を向上させたものである。本発明の画像衣水装置では
、列電極と行電極が別の基板に形成され、列側のサンプ
ル・ホールド回路、行側の電位選択回路を液晶表示体を
構成するその2枚の基板のそれぞれに、ふされしい特性
のトランジスターで集積することができ、基板外のシフ
トレジスター等の駆動回路との接続端子数、部品数を減
少できる実装上及び価格上の優れた効果を有している。A substrate having novel features in pixel configuration and driving, and on which row electrodes are formed for transmitting data to be input to the pixel electrodes and signals for turning on and off transistors connected to the pixel electrodes;
A liquid crystal is sandwiched between opposing substrates with column electrodes facing the pixel electrodes, and a transistor is used to drive the liquid crystal for each pixel.
It achieves 100% AC drive and improves display quality. In the image coating device of the present invention, the column electrodes and the row electrodes are formed on separate substrates, and the sample/hold circuit on the column side and the potential selection circuit on the row side are formed on each of the two substrates constituting the liquid crystal display. In addition, it can be integrated with transistors with suitable characteristics, and has excellent effects in terms of packaging and cost, as it can reduce the number of connection terminals and components for driving circuits such as shift registers outside the board.
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の画像表示装置の液晶表示体の平面図、
第2図は画素の構成図、第3図は画素毎のカラーフィル
ターの配置図、第4図は画素の平面図、第5図は画素の
断面図、第6図、第7図は画素電極の形成されている基
板の断面図、第8図は画像表示装置の構成図、第9図は
行側の駆動回路を構成する電位選択回路図、第10図、
第11図は画像表示装置の動作を示すタイミングチャー
トである。
第12図は本発明の画像表示装置の実施例の構成図、第
13図は画像データの選択回路図、第14図は液晶表示
体の列電極にデータを送るサンプル・ホールド回路図、
第15図は行電極に信号を送る電位選択回路図、第16
図は列側の信号のタイミングチャート、第17図は行側
の信号のタイミングチャートである。
第18図、第19図、第20図、第21図、第22図は
本発明の画像表示装置の他の実施例のサンプル・ホール
ド回路図、第23図は第18図の回路の動作を示すタイ
ミングチャートである。
(1)二基板
(2)二対白基板
(3)、(4) :画素電極
(5) (71、(61(8) :列電極f’l)、
(10)、 [11) :行電極(12)ニドラン
シスター
(+31 :画素電極
(14):液晶
(15):行電極
Dtj) D(j−N)第2図
$3 図
躬150
第23図
手続補正書
昭和62年12月22日[BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS] FIG. 1 is a plan view of a liquid crystal display of an image display device of the present invention;
Figure 2 is a pixel configuration diagram, Figure 3 is a layout diagram of color filters for each pixel, Figure 4 is a plan view of the pixel, Figure 5 is a cross-sectional view of the pixel, and Figures 6 and 7 are pixel electrodes. 8 is a configuration diagram of an image display device, FIG. 9 is a potential selection circuit diagram constituting a row side drive circuit, and FIG.
FIG. 11 is a timing chart showing the operation of the image display device. FIG. 12 is a block diagram of an embodiment of the image display device of the present invention, FIG. 13 is an image data selection circuit diagram, and FIG. 14 is a sample/hold circuit diagram for sending data to column electrodes of a liquid crystal display.
Figure 15 is a potential selection circuit diagram for sending signals to the row electrodes;
The figure is a timing chart of signals on the column side, and FIG. 17 is the timing chart of signals on the row side. 18, 19, 20, 21, and 22 are sample-and-hold circuit diagrams of other embodiments of the image display device of the present invention, and FIG. 23 shows the operation of the circuit in FIG. 18. FIG. (1) Two substrates (2) Two pairs of white substrates (3), (4): Pixel electrode (5) (71, (61 (8): Column electrode f'l),
(10), [11): Row electrode (12) Nidoran sister (+31: Pixel electrode (14): Liquid crystal (15): Row electrode Dtj) D (j-N) Figure 2 $3 Figure 150 Figure 23 Procedural amendment December 22, 1986
Claims (1)
板と、列電極を形成した対向基板間に挟持される液晶を
用いて表示を行なう画像表示装置において、各画素のト
ランジスターのゲートは行毎共通に行電極に接続され、
ソースは隣接する画素のトランジスターのゲートが接続
されている行電極に接続され、ドレインは画素電極に接
続されて、行電極には隣接する画素の画素電極に入れる
データに続いてトランジスターをオン、オフさせる信号
、列電極には周期的に反転する画像データがそれぞれ加
えられることを特徴とする画像表示装置。(1) In an image display device that performs display using a liquid crystal sandwiched between a substrate on which pixel electrodes connected to transistors are formed and a counter substrate on which column electrodes are formed, the gates of the transistors of each pixel are connected to each other in common for each row. connected to the electrode,
The source is connected to the row electrode to which the gate of the transistor of the adjacent pixel is connected, and the drain is connected to the pixel electrode, and the row electrode is used to turn on and off the transistor following the data put into the pixel electrode of the adjacent pixel. An image display device characterized in that periodically inverted image data is applied to the column electrodes and the column electrodes, respectively.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62137765A JPS63301989A (en) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | Image display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62137765A JPS63301989A (en) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | Image display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPS63301989A true JPS63301989A (en) | 1988-12-08 |
Family
ID=15206305
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62137765A Pending JPS63301989A (en) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | Image display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63301989A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03229222A (en) * | 1990-02-02 | 1991-10-11 | Sharp Corp | Active matrix display device |
JPH0467091A (en) * | 1990-07-09 | 1992-03-03 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Liquid crystal display unit |
WO2012073942A1 (en) * | 2010-12-01 | 2012-06-07 | シャープ株式会社 | Semiconductor device and method for producing same |
-
1987
- 1987-06-02 JP JP62137765A patent/JPS63301989A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03229222A (en) * | 1990-02-02 | 1991-10-11 | Sharp Corp | Active matrix display device |
JPH0467091A (en) * | 1990-07-09 | 1992-03-03 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Liquid crystal display unit |
WO2012073942A1 (en) * | 2010-12-01 | 2012-06-07 | シャープ株式会社 | Semiconductor device and method for producing same |
US9035299B2 (en) | 2010-12-01 | 2015-05-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for producing same |
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