JPS63235480A - マイクロ波プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS63235480A JPS63235480A JP6971687A JP6971687A JPS63235480A JP S63235480 A JPS63235480 A JP S63235480A JP 6971687 A JP6971687 A JP 6971687A JP 6971687 A JP6971687 A JP 6971687A JP S63235480 A JPS63235480 A JP S63235480A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz tube
- substrate
- waveguide
- sample
- plasma
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロ波を用いたプラズマＣＶＤ装置に関
する。
する。
この発明は、マイクロ波プラズマＣＶＤｇ装置において
、プラズマ発生部と接近した位置に基板を設置するとと
もに、この基板を所定温度に加熱および、移動させるこ
とにより基板表面全面にプラズマを照射させて、従来よ
り広い面積の処理を可能とした大面積処理マイクロ波プ
ラズマＣＶＤ装置を提供するものである。
、プラズマ発生部と接近した位置に基板を設置するとと
もに、この基板を所定温度に加熱および、移動させるこ
とにより基板表面全面にプラズマを照射させて、従来よ
り広い面積の処理を可能とした大面積処理マイクロ波プ
ラズマＣＶＤ装置を提供するものである。
従来は、第２図に示すように導波管の中央に石英管を貫
通し、マイクロ波発振器から発振したマイクロ波を導波
管を通して導き、導波管と石英管が交わる中央付近にプ
ラズマを発生させ、このブラズマ中において基板処理を
行うマイクロ波プラズマＣＶＤ装置が知られていた０例
えば、特願昭５７−１０９０４４にこのような従来のマ
イクロ波プラズマＣＶＤ装置の構造が開示されている。
通し、マイクロ波発振器から発振したマイクロ波を導波
管を通して導き、導波管と石英管が交わる中央付近にプ
ラズマを発生させ、このブラズマ中において基板処理を
行うマイクロ波プラズマＣＶＤ装置が知られていた０例
えば、特願昭５７−１０９０４４にこのような従来のマ
イクロ波プラズマＣＶＤ装置の構造が開示されている。
上述した従来技術において、例えば２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波を用いるのが一般であるが、本発明では導波管
幅が約１５０ｆｉであり導波管を貫通し、プラズマを発
生させるための石英管径は、マイクロ波の漏洩を防ぎ効
率良くプラズマを発生させるのに最大φ６０鶴である。
イクロ波を用いるのが一般であるが、本発明では導波管
幅が約１５０ｆｉであり導波管を貫通し、プラズマを発
生させるための石英管径は、マイクロ波の漏洩を防ぎ効
率良くプラズマを発生させるのに最大φ６０鶴である。
一般には導波管幅の１７３と言われている。それ故、結
果的にプラズマの大きさは石英管径以下に制限され、同
時にプラズマ処理可能な基板の面積はφ６０鶴以下とな
る。このような合成装置は各種薄膜の合成に用いる上で
量産上の大きな問題点となる。
果的にプラズマの大きさは石英管径以下に制限され、同
時にプラズマ処理可能な基板の面積はφ６０鶴以下とな
る。このような合成装置は各種薄膜の合成に用いる上で
量産上の大きな問題点となる。
以上のように、導波管の一部に穴を開は真空保持された
石英管を貫通させ、この石英管内で発生したプラズマ中
で基板処理する方法では、基板処理面積を拡大する事は
困難であるので、係る石英管と密閉を保って接続し、導
波管の直下に位置しマイクロ波が漏洩しない試料室を設
け、係る試料室内にはヒーターを備え、移動可能な試料
支持台を有する。
石英管を貫通させ、この石英管内で発生したプラズマ中
で基板処理する方法では、基板処理面積を拡大する事は
困難であるので、係る石英管と密閉を保って接続し、導
波管の直下に位置しマイクロ波が漏洩しない試料室を設
け、係る試料室内にはヒーターを備え、移動可能な試料
支持台を有する。
上記の如く構成すれば、導波管と石英管が交わる中央付
近に発生したプラズマは、試料室内の試料支持台に保持
された基板表面に到達し、このプラズマは試料支持台の
移動により基板表面全面に均一に照射され、広い面積で
基板処理が行われる。
近に発生したプラズマは、試料室内の試料支持台に保持
された基板表面に到達し、このプラズマは試料支持台の
移動により基板表面全面に均一に照射され、広い面積で
基板処理が行われる。
この時、基板は試料支持台のヒーターにより加熱される
。
。
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図は、本発明の実施例である大面積基板の処理可能なマ
イクロ波プラズマＣＶＤ装置の断面図である。
図は、本発明の実施例である大面積基板の処理可能なマ
イクロ波プラズマＣＶＤ装置の断面図である。
第１図において、導波管１はプラズマを発生するマイク
ロ波を導くためのもので、一方（図において右側）より
マイクロ波が導入され、導波管のもう一方の端には反射
板１）が設置され、導入されたマイクロ波の反射により
、定在波を発生させる。
ロ波を導くためのもので、一方（図において右側）より
マイクロ波が導入され、導波管のもう一方の端には反射
板１）が設置され、導入されたマイクロ波の反射により
、定在波を発生させる。
この導波管１の一部には石英管２が貫通して設置され、
この石英管２と導波管１の交わる中央付近で導波管のマ
イクロ波により、プラズマを発生させる。又、石英管２
の一方は図示しない反応ガス供給源と接続され、他の一
端開口部にはマイクロ波を漏洩しない、例えば金属製の
試料室３が石英管２と密閉を保って接続形成されている
。試料室３の下部には排気口９が形成され、図示しない
真空排気装置と接続されて、試料室及び石英管内が排気
される。
この石英管２と導波管１の交わる中央付近で導波管のマ
イクロ波により、プラズマを発生させる。又、石英管２
の一方は図示しない反応ガス供給源と接続され、他の一
端開口部にはマイクロ波を漏洩しない、例えば金属製の
試料室３が石英管２と密閉を保って接続形成されている
。試料室３の下部には排気口９が形成され、図示しない
真空排気装置と接続されて、試料室及び石英管内が排気
される。
試料室３内には、試料室と接続する石英管の開口部に、
一部対向して試料台４を設けこの試料台はヒーター８を
内蔵し試料室外部の電源７により所望の温度に調整可能
に構成されている。
一部対向して試料台４を設けこの試料台はヒーター８を
内蔵し試料室外部の電源７により所望の温度に調整可能
に構成されている。
さらに、この試料台４はアジャスタ６に固定支持され、
アジャスタ６の図示されない上下駆動手段及び回転手段
により、アジャスタが上下動回転するにつれ試料台４も
上下動回転動作される。このアジャスタ６の回転軸は、
石英管２の開口部よリズした位置に設けられ、試料台の
回転に伴って試料台の殆どの表面が石英管の一端開口部
に対面するよう構成されている。尚、試料台は回転の他
場合によっては他の駆動手段により、ＸＹ方向に移動さ
せることも可能である。
アジャスタ６の図示されない上下駆動手段及び回転手段
により、アジャスタが上下動回転するにつれ試料台４も
上下動回転動作される。このアジャスタ６の回転軸は、
石英管２の開口部よリズした位置に設けられ、試料台の
回転に伴って試料台の殆どの表面が石英管の一端開口部
に対面するよう構成されている。尚、試料台は回転の他
場合によっては他の駆動手段により、ＸＹ方向に移動さ
せることも可能である。
以上の様に構成された装置において、基板上にＣＶＤ処
理する動作について説明する。
理する動作について説明する。
試料台４上に基板５がセントされる。そして排気口９よ
り試料室及び石英管内が排気され、石英管２の一方より
（第１図中上方より）反応ガスが供給される。導波管内
のマイクロ波により、導波管と石英管の交叉部でプラズ
マが発生し、石英管のもう一方開口部よりこの開口部に
対して、適当な距離に設定されている基板５の表面がこ
のプラズマにさらされる。基板５は試料台により所定温
度に加熱されるとともに回転され、基板のほぼ全面が反
応ガスのプラズマに均一に照射される。
り試料室及び石英管内が排気され、石英管２の一方より
（第１図中上方より）反応ガスが供給される。導波管内
のマイクロ波により、導波管と石英管の交叉部でプラズ
マが発生し、石英管のもう一方開口部よりこの開口部に
対して、適当な距離に設定されている基板５の表面がこ
のプラズマにさらされる。基板５は試料台により所定温
度に加熱されるとともに回転され、基板のほぼ全面が反
応ガスのプラズマに均一に照射される。
従って、大きな基板であってもその全面がプラズマに接
することから、大面積の基板面をＣＶＤ処理できること
になる。
することから、大面積の基板面をＣＶＤ処理できること
になる。
以上のような大面積処理マイクロ波プラズマＣＶＤ装置
を用いる事により、従来φ６０ｎ以下の処理面積しか得
られなかったマイクロ波ＣＶＤ装置が、φ８０龍〜１５
０ ｔｍの大きさの処理が可能となり、工業的に大きな
価値がある。
を用いる事により、従来φ６０ｎ以下の処理面積しか得
られなかったマイクロ波ＣＶＤ装置が、φ８０龍〜１５
０ ｔｍの大きさの処理が可能となり、工業的に大きな
価値がある。
第１図は本発明の大面積処理マイクロ波プラズマＣＶＤ
装置の断面図、第２図は従来のマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置の断面図を示す。 １・・・導波管 ２・・・石英管 ３・・・試料室 ４・・・試料・台５・・・基板
６・・・アジャスタ７・・・直流電源 ８・・
・ヒータ ９・・・排気口 １０・・・コード１）・・・反射
板 １２・・・スリーブ以上 本発明にイ糸ろ人面項処理マイ７０液プウス゛マＣＶＤ
Ｒ置第１図
装置の断面図、第２図は従来のマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置の断面図を示す。 １・・・導波管 ２・・・石英管 ３・・・試料室 ４・・・試料・台５・・・基板
６・・・アジャスタ７・・・直流電源 ８・・
・ヒータ ９・・・排気口 １０・・・コード１）・・・反射
板 １２・・・スリーブ以上 本発明にイ糸ろ人面項処理マイ７０液プウス゛マＣＶＤ
Ｒ置第１図
Claims (4)
- （１）加熱源をマイクロ波とするＣＶＤ装置において、
マイクロ波を導入する導波管に石英管を貫通させ、該石
英管の一端開口部に密閉を保って接続する試料室を設け
、該試料室内には前記石英管の試料室への開口部に対し
て近接して、移動可能な試料台を有することを特徴とす
るマイクロ波プラズマＣＶＤ装置。 - （２）前記試料室は導電性材料もしくは、導電性材料が
コーティングされている材料で形成されている特許請求
の範囲第１項記載のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置。 - （３）試料台は前記石英管の試料室への開口面に対して
、平行面内もしくは直交面内の少なくとも一つの面内で
移動が可能である特許請求の範囲第１項記載のマイクロ
波プラズマＣＶＤ装置。 - （４）試料台はヒーターを備える特許請求の範囲第１項
記載のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6971687A JPS63235480A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | マイクロ波プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6971687A JPS63235480A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | マイクロ波プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63235480A true JPS63235480A (ja) | 1988-09-30 |
Family
ID=13410833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6971687A Pending JPS63235480A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | マイクロ波プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63235480A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0415122A2 (en) * | 1989-08-03 | 1991-03-06 | Yuzo Mori | Method and apparatus for film formation by high pressure microwave plasma chemical vapour deposition |
| WO1994026952A1 (en) * | 1993-05-14 | 1994-11-24 | Modular Process Technology Corporation | Apparatus and method for depositing diamond and refractory materials |
| JPH0978240A (ja) * | 1995-09-12 | 1997-03-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬質炭素被膜形成装置及び硬質炭素被膜形成基板の製造方法 |
| CN100427641C (zh) * | 2005-09-23 | 2008-10-22 | 清华大学 | 单片三腔衬片旋转式超高真空化学气相淀积外延系统 |
| CN104353643A (zh) * | 2014-12-02 | 2015-02-18 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种减小超声波清洗器的维护系统及维护方法 |
-
1987
- 1987-03-24 JP JP6971687A patent/JPS63235480A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0415122A2 (en) * | 1989-08-03 | 1991-03-06 | Yuzo Mori | Method and apparatus for film formation by high pressure microwave plasma chemical vapour deposition |
| WO1994026952A1 (en) * | 1993-05-14 | 1994-11-24 | Modular Process Technology Corporation | Apparatus and method for depositing diamond and refractory materials |
| US5387288A (en) * | 1993-05-14 | 1995-02-07 | Modular Process Technology Corp. | Apparatus for depositing diamond and refractory materials comprising rotating antenna |
| JPH0978240A (ja) * | 1995-09-12 | 1997-03-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬質炭素被膜形成装置及び硬質炭素被膜形成基板の製造方法 |
| CN100427641C (zh) * | 2005-09-23 | 2008-10-22 | 清华大学 | 单片三腔衬片旋转式超高真空化学气相淀积外延系统 |
| CN104353643A (zh) * | 2014-12-02 | 2015-02-18 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种减小超声波清洗器的维护系统及维护方法 |
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