JPS63231833A - 電子管用陰極 - Google Patents
電子管用陰極Info
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- JPS63231833A JPS63231833A JP62064852A JP6485287A JPS63231833A JP S63231833 A JPS63231833 A JP S63231833A JP 62064852 A JP62064852 A JP 62064852A JP 6485287 A JP6485287 A JP 6485287A JP S63231833 A JPS63231833 A JP S63231833A
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Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、TV用ジブラウン管どに用いられる電子管
用陰極に関するものである。
用陰極に関するものである。
第8図は従来のTV用ジブラウン管撮像管に用いられて
いる陰極を示すものであり、図において、(1)はシリ
コン(Si)%マグネシウム(Mg)などの還元性元素
を微量含む主成分がニッケルからなる有底筒状の基体、
(2)はこの基体(1)の底部上面に被着され、少なく
ともバリウム(Ba)を含み、他(こストロンチウム(
Sr)または/およびカルシウム(Ca)を含むアルカ
リ土類金属酸化物からなる電子放射物質層、(3)は上
記基体(1)内に配設されたヒータ(3)で、加熱によ
り上記電子放射物質層(2)から熱電子を放出させるた
めのものである。
いる陰極を示すものであり、図において、(1)はシリ
コン(Si)%マグネシウム(Mg)などの還元性元素
を微量含む主成分がニッケルからなる有底筒状の基体、
(2)はこの基体(1)の底部上面に被着され、少なく
ともバリウム(Ba)を含み、他(こストロンチウム(
Sr)または/およびカルシウム(Ca)を含むアルカ
リ土類金属酸化物からなる電子放射物質層、(3)は上
記基体(1)内に配設されたヒータ(3)で、加熱によ
り上記電子放射物質層(2)から熱電子を放出させるた
めのものである。
この様に構成されTこ電子管用陰極において、基体(1
)への電子放射物質/iil (2)の被着は次の様に
して行なわれる。まず、アルカリ土類金属(Ba *
Sr +Ca)の三元炭酸塩からなる懸濁液を基体(1
)の底部上面に塗布し、真空排気工程中にヒータ(3)
によって加熱する。この時、アルカリ土類金属の炭酸塩
はアルカリ土類金属の酸化物に変わる。その後、アルカ
リ土類金属の酸化物の一部を還元して半導体的性質を有
するように活性化を行なうことにより、基体(1)上に
アルカリ土類金属の酸化物からなる電子放射物質層(2
)を被着形成している。
)への電子放射物質/iil (2)の被着は次の様に
して行なわれる。まず、アルカリ土類金属(Ba *
Sr +Ca)の三元炭酸塩からなる懸濁液を基体(1
)の底部上面に塗布し、真空排気工程中にヒータ(3)
によって加熱する。この時、アルカリ土類金属の炭酸塩
はアルカリ土類金属の酸化物に変わる。その後、アルカ
リ土類金属の酸化物の一部を還元して半導体的性質を有
するように活性化を行なうことにより、基体(1)上に
アルカリ土類金属の酸化物からなる電子放射物質層(2
)を被着形成している。
この活性化工程において、アルカリ土類金属の酸化物の
一部は次の様に反応する。つまり、基体(1)内に含有
されたシリコン、マグネシウム等の還元性元素は拡散に
よりアルカリ土類金属の酸化物と基体(1)の界面に移
動し、アルカリ土類金属酸化物と反応する。たとえば、
アルカリ土類酸化物として酸化バリウム(Bad)であ
れば次式(1) 、 (2)の様に反応する。
一部は次の様に反応する。つまり、基体(1)内に含有
されたシリコン、マグネシウム等の還元性元素は拡散に
よりアルカリ土類金属の酸化物と基体(1)の界面に移
動し、アルカリ土類金属酸化物と反応する。たとえば、
アルカリ土類酸化物として酸化バリウム(Bad)であ
れば次式(1) 、 (2)の様に反応する。
BaO+ 1/2Si −Ba + 1/2SiO,−
(1)BaO+ Mg =Ba+MgO−(2)この
反応の結果、基体(1)上に被着形成されたアルカリ土
類金属酸化物の一部が還元され、酸素欠乏型の半導体と
なり、陰極温度700〜800’Cの動作温度で0.6
〜0.8A/cm”の電子放射が得られることになる。
(1)BaO+ Mg =Ba+MgO−(2)この
反応の結果、基体(1)上に被着形成されたアルカリ土
類金属酸化物の一部が還元され、酸素欠乏型の半導体と
なり、陰極温度700〜800’Cの動作温度で0.6
〜0.8A/cm”の電子放射が得られることになる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところが、上記従来の電子管用陰極では、電子放射が0
.5〜0.8A/cm”以上の電流密度は取り出せない
。その理由として、アルカリ土類金属酸化物の一部を還
元反応させた場合、上記(1) 、 (2)式からも明
らかなように、基体(1)とアルカリ土類金属酸化物層
との界面にSiO2#MgOまたはBaO−8f02な
どの複合酸化物層(中間層)が形成され、この中間層が
高抵抗層となって電流の流れを妨げること、および上記
中間層が基体(υ中の還元性元素(St。
.5〜0.8A/cm”以上の電流密度は取り出せない
。その理由として、アルカリ土類金属酸化物の一部を還
元反応させた場合、上記(1) 、 (2)式からも明
らかなように、基体(1)とアルカリ土類金属酸化物層
との界面にSiO2#MgOまたはBaO−8f02な
どの複合酸化物層(中間層)が形成され、この中間層が
高抵抗層となって電流の流れを妨げること、および上記
中間層が基体(υ中の還元性元素(St。
Mg)が電子放射物質層(2)の表面側へ拡散するのを
妨げるため十分な量のバリウム(Ba )が生成されな
いためであると考えられている。つまり、電子管動作中
に基体(1)と電子放射物質層(2)の界面近傍、特に
基体(1)表面近傍のニッケμ結晶粒界と上記界面よす
lOμm程度電子放射物質層(2)内側の位置に上記中
間層が偏析するため、電流の流れおよび電子放射物質層
(2)表面側への還元性元素の拡散が妨げられ、高電流
密度下の十分な電子放出特性が得られないという問題が
あった。
妨げるため十分な量のバリウム(Ba )が生成されな
いためであると考えられている。つまり、電子管動作中
に基体(1)と電子放射物質層(2)の界面近傍、特に
基体(1)表面近傍のニッケμ結晶粒界と上記界面よす
lOμm程度電子放射物質層(2)内側の位置に上記中
間層が偏析するため、電流の流れおよび電子放射物質層
(2)表面側への還元性元素の拡散が妨げられ、高電流
密度下の十分な電子放出特性が得られないという問題が
あった。
この発明は上記従来の問題点を解消するためになされた
もので、高電流密度下において長時間にわたって安定し
たエミッション(電子放出〕特性を有し、かつ、生産性
・信頼性の高い電子管用陰極を提供することを目的とす
る。
もので、高電流密度下において長時間にわたって安定し
たエミッション(電子放出〕特性を有し、かつ、生産性
・信頼性の高い電子管用陰極を提供することを目的とす
る。
この発明者等は、鋭意研究の末、電子放射物質層に酸化
スカンジウムを添加する仁とにより、基体中の還元性元
素を含む複合酸化物層(中間層)が基体界面近傍に偏析
するのを抑制できることに成功した。ところが、高電流
密度下のエミッション特性ヲ長時間に亘って維持するた
めには酸化スカンジウムによる上記複合酸化物@(中間
層〕抑制作用を適度に保つことが必要であることが判っ
た。
スカンジウムを添加する仁とにより、基体中の還元性元
素を含む複合酸化物層(中間層)が基体界面近傍に偏析
するのを抑制できることに成功した。ところが、高電流
密度下のエミッション特性ヲ長時間に亘って維持するた
めには酸化スカンジウムによる上記複合酸化物@(中間
層〕抑制作用を適度に保つことが必要であることが判っ
た。
この発明者等は、引き続く研究により、酸化スカンジウ
ムとともに、スカンジウムを除く希土類元素の金属ある
いはその酸化物のうちから選ばれる少なくとも1種を添
加すれば、長時間に亘って十分なエミッション特性が得
られることを見出して、この発明を完成するに至ったも
のである。
ムとともに、スカンジウムを除く希土類元素の金属ある
いはその酸化物のうちから選ばれる少なくとも1種を添
加すれば、長時間に亘って十分なエミッション特性が得
られることを見出して、この発明を完成するに至ったも
のである。
すなわち、この発明に係る電子管用陰極は、バリウムを
含むアルカリ土類金類酸化物を主成分とする電子放射物
質層に、0.1〜20重量%の酸化スカンジウムを含有
させるとともに、希土類元素の金属あるいはその酸化物
のうちから選ばれる少なくとも1種を金属状態で換算し
て0.06〜10重量%含有させるものである。
含むアルカリ土類金類酸化物を主成分とする電子放射物
質層に、0.1〜20重量%の酸化スカンジウムを含有
させるとともに、希土類元素の金属あるいはその酸化物
のうちから選ばれる少なくとも1種を金属状態で換算し
て0.06〜10重量%含有させるものである。
この発明によれば、電子放射物質層に酸化スカンジウム
(ScxOa)を含有するようにしたので、基体の界面
近傍にSc拡散層が形成され、このSc拡散層により陰
極動作時に上記界面近傍に生成した基体中の還元性元素
を含む複合酸化物層が解離される。これIζより、高絶
縁性の上記複合酸化物層が上記界面に偏析するのを防止
できる。
(ScxOa)を含有するようにしたので、基体の界面
近傍にSc拡散層が形成され、このSc拡散層により陰
極動作時に上記界面近傍に生成した基体中の還元性元素
を含む複合酸化物層が解離される。これIζより、高絶
縁性の上記複合酸化物層が上記界面に偏析するのを防止
できる。
また、スカンジウム以外の希土類元素の金属あるいはそ
の酸化物のうちの少なくとも1種を含有するようにした
ので、陰極動作時のMg * Stの供給が適度になり
、これにより、電子放射物質層の活性度を長時間に亘っ
て維持することができる。
の酸化物のうちの少なくとも1種を含有するようにした
ので、陰極動作時のMg * Stの供給が適度になり
、これにより、電子放射物質層の活性度を長時間に亘っ
て維持することができる。
以下、この発明の実施例を図にしたがって説明する。
第1図において、〔2a〕は基体(1)の底部上面に被
着された電子放射物質層であり、少なくともバリウム(
Ba)を含み、他にストロンチウム(Sr)または/お
よびカルシウム(Ca)を含むアルカリ土類金属酸化物
を主成分とし、0.1〜20重量%の酸化ヌカンジウム
(Sc203)と0.05〜10重量%の希土類元素の
金属あるいはその酸化物を含有している。
着された電子放射物質層であり、少なくともバリウム(
Ba)を含み、他にストロンチウム(Sr)または/お
よびカルシウム(Ca)を含むアルカリ土類金属酸化物
を主成分とし、0.1〜20重量%の酸化ヌカンジウム
(Sc203)と0.05〜10重量%の希土類元素の
金属あるいはその酸化物を含有している。
つぎに、この実施例の電子放射物質層(2a)の被着形
成方法について説明すると、まず、 Ba 、Sr +
Caの三元炭酸塩に、たとえば、5c2o3粉末を5重
量%、 La2O3粉末を1重量%(上記三元炭酸塩が
全て酸化物になるとしての重量%またLa、03は金属
状態で重量%を換算)添加混合し、懸濁液を作成する。
成方法について説明すると、まず、 Ba 、Sr +
Caの三元炭酸塩に、たとえば、5c2o3粉末を5重
量%、 La2O3粉末を1重量%(上記三元炭酸塩が
全て酸化物になるとしての重量%またLa、03は金属
状態で重量%を換算)添加混合し、懸濁液を作成する。
この懸濁液をニッケルを主成分とする基体(1)の底部
上面にスプレィにより約80ミクロンの厚みで塗布し、
その後、従来と同様に、炭酸塩から酸化物への分解過程
および酸化物の一部を還元する活性化過程を経て、電子
放射物質層(2a)を基体(1)に被着形成する。
上面にスプレィにより約80ミクロンの厚みで塗布し、
その後、従来と同様に、炭酸塩から酸化物への分解過程
および酸化物の一部を還元する活性化過程を経て、電子
放射物質層(2a)を基体(1)に被着形成する。
上記電子管用陰極を用いて2極管真空管を作成し、寿命
試験を行なって、エミッション電流の変化を調べた結果
、第2図のラインe1で示す結果を得1こ。フィンl!
1は、従来のテレビ用陰極としての電流密度0.66A
/am’の8.1倍(2,05A/cm”)で動作させ
た時の特性を示し、フィンe2は従来のアルカリ土類酸
化物のみからなる電子管用陰極の寿命特性を示したもの
である。この第2図から明らかなように、この実施例の
陰極は従来例の陰極に対して高電流密度動作でのエミッ
ション劣化が少ないものである。
試験を行なって、エミッション電流の変化を調べた結果
、第2図のラインe1で示す結果を得1こ。フィンl!
1は、従来のテレビ用陰極としての電流密度0.66A
/am’の8.1倍(2,05A/cm”)で動作させ
た時の特性を示し、フィンe2は従来のアルカリ土類酸
化物のみからなる電子管用陰極の寿命特性を示したもの
である。この第2図から明らかなように、この実施例の
陰極は従来例の陰極に対して高電流密度動作でのエミッ
ション劣化が少ないものである。
上記(こおいて、5重量%の5c203を予め添加する
ことによって、添加した5c203の一部は解離して第
1図に示す基体(υ内に拡散し、基体(1)の界面近傍
にSc拡散層を形成する。一方、陰極を動作させると、
基体(1)内の還元性元素Si、Mgが基体(1)の表
面に移動し、電子放射物質層(2a〕のアルカリ土類金
属酸化物αBa h b r 、 Ca )0 )と反
応してこの酸化物を還元する。その結果、Ba 、 S
r 、 Caの活性原子を生成し、電子放射を容易lこ
する。このとき、アルカリ土類金属酸化物と基体(1)
内の還元性元素との反応の副産物として複合酸化物、た
とえばBa5tion層を生成し、これが陰極の動作時
間の経過とともに基体(1)の界面上に中間層として形
成される。ところが、基体(1)の界面近傍には上記S
c拡散層が形成されており、上記Ba2 S i04が
解離して再びSf原子を生成する。したがって、基体t
IJ内の還元性元素St、Mgの電子放射物質層(2a
)内への継続的な拡散が妨げられず、しかも、高絶縁層
として作用する上記Ba2 S i04を解離させるこ
とにより。
ことによって、添加した5c203の一部は解離して第
1図に示す基体(υ内に拡散し、基体(1)の界面近傍
にSc拡散層を形成する。一方、陰極を動作させると、
基体(1)内の還元性元素Si、Mgが基体(1)の表
面に移動し、電子放射物質層(2a〕のアルカリ土類金
属酸化物αBa h b r 、 Ca )0 )と反
応してこの酸化物を還元する。その結果、Ba 、 S
r 、 Caの活性原子を生成し、電子放射を容易lこ
する。このとき、アルカリ土類金属酸化物と基体(1)
内の還元性元素との反応の副産物として複合酸化物、た
とえばBa5tion層を生成し、これが陰極の動作時
間の経過とともに基体(1)の界面上に中間層として形
成される。ところが、基体(1)の界面近傍には上記S
c拡散層が形成されており、上記Ba2 S i04が
解離して再びSf原子を生成する。したがって、基体t
IJ内の還元性元素St、Mgの電子放射物質層(2a
)内への継続的な拡散が妨げられず、しかも、高絶縁層
として作用する上記Ba2 S i04を解離させるこ
とにより。
エミッション電流の流れも阻害されない。これにより、
再びアルカリ土類金属酸化物の還元反応が生じ、エミッ
ション電流の低下を防止できる。
再びアルカリ土類金属酸化物の還元反応が生じ、エミッ
ション電流の低下を防止できる。
しかしながら* bczOsを添加することにより。
上記Bag S io4層はScにより解離してSi原
子を生成するが、このときSi原子が過度に生成される
と、アルカリ土類金属酸化物((Ba−Cr−Ca)0
)の還元反応が進みすぎることになり、長い寿命特性
は得られない。この発明では、 5c203ζζ加えて
、希土類金属あるいは希土類金属酸化物を添加する。
子を生成するが、このときSi原子が過度に生成される
と、アルカリ土類金属酸化物((Ba−Cr−Ca)0
)の還元反応が進みすぎることになり、長い寿命特性
は得られない。この発明では、 5c203ζζ加えて
、希土類金属あるいは希土類金属酸化物を添加する。
ここに使用する希土類金属としては%Y、La。
Ce 、Pr 、Nd 、Sm、Eu 、Gd 、Tb
、Dy 、Ho 、Er 、Tm。
、Dy 、Ho 、Er 、Tm。
yb 、 Luが選ばれる。このように希土類金属ある
いは希土類金属酸化物を添加することにより、 5C2
03の上記中間層解離作用を抑制することができること
が判った。
いは希土類金属酸化物を添加することにより、 5C2
03の上記中間層解離作用を抑制することができること
が判った。
上記実施例では%5czOs 5重量%l−、La2O
31重量%(金属換算)を添加し1こ例を示し1こが、
5c203を0.1〜20重量%とじ、 La2O3を
0.05〜10重量%(金属換算)とし1こ範囲でも同
様な効果が得られることが確認されtこ。ま1こ、La
2O3以外の希土類金属酸化物あるいは希土類金属を添
加しても同様な結果が得られる。
31重量%(金属換算)を添加し1こ例を示し1こが、
5c203を0.1〜20重量%とじ、 La2O3を
0.05〜10重量%(金属換算)とし1こ範囲でも同
様な効果が得られることが確認されtこ。ま1こ、La
2O3以外の希土類金属酸化物あるいは希土類金属を添
加しても同様な結果が得られる。
5c203を0.1〜20重量%の範囲で添加するのは
以下の理由による。すなわち、0.1重量%未満の添加
では、基体(1)の界面での中間層形成を抑制する効果
が不十分であり、ま1こ%20重量%を超える添加では
、相対的にアルカリ土類金属酸化物の量が少なくなり、
電子放射量が低下する1ごめである。
以下の理由による。すなわち、0.1重量%未満の添加
では、基体(1)の界面での中間層形成を抑制する効果
が不十分であり、ま1こ%20重量%を超える添加では
、相対的にアルカリ土類金属酸化物の量が少なくなり、
電子放射量が低下する1ごめである。
ま1こ、希土類金属あるいは希土類金属酸化物を0.0
5〜10重量%(金属換算)の範囲で添加するするのは
以下の理由による。すなわち、0.06重量%未滴の添
加では5c203の中間層解離作用を抑制する効果が小
であり、ま7:%lO重量%を超える添加では、上記解
離作用に対する抑制効果が大となって長時間の寿命特性
が得られないためである。
5〜10重量%(金属換算)の範囲で添加するするのは
以下の理由による。すなわち、0.06重量%未滴の添
加では5c203の中間層解離作用を抑制する効果が小
であり、ま7:%lO重量%を超える添加では、上記解
離作用に対する抑制効果が大となって長時間の寿命特性
が得られないためである。
以上説明したように、この発明によれば、酸化スカンジ
ウムの添加により基体界面近傍に偏析した高抵抗層であ
る複合酸化物が解離できるので。
ウムの添加により基体界面近傍に偏析した高抵抗層であ
る複合酸化物が解離できるので。
高電流密度下の十分なエミッション特性を得ることがで
きる。また、希土類金属あるいは希土類金属酸化物の添
加により電子放射物質層の活性度を長時間に亘って維持
できるので、従来よりも長寿命、かつ、安価で製造の制
約の少ない信頼性の高い電子管用陰極が得られるという
効果を有する。
きる。また、希土類金属あるいは希土類金属酸化物の添
加により電子放射物質層の活性度を長時間に亘って維持
できるので、従来よりも長寿命、かつ、安価で製造の制
約の少ない信頼性の高い電子管用陰極が得られるという
効果を有する。
第1図はこの発明の一実施例を示す断面図、第2図は寿
命試験時間とエミッション電流との関係を示すグラフ、
第8図は従来の電子管用陰極を示す断面図である。 (1)・・・基体、(2a〕・・・電子放射物質層。 なお各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
命試験時間とエミッション電流との関係を示すグラフ、
第8図は従来の電子管用陰極を示す断面図である。 (1)・・・基体、(2a〕・・・電子放射物質層。 なお各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)ニッケルを主成分とする基体上に、バリウムを含
むアルカリ土類金属酸化物を主成分とする電子放射物質
層を被着形成してなる電子管用陰極において、上記電子
放射物質層は、0.1〜20重量%の酸化スカンジウム
を含有するとともに、スカンジウムを除く他の希土類元
素の金属あるいはその酸化物のうちから選ばれる少なく
とも1種を金属状態で換算して0.05〜10重量%含
有することを特徴とする電子管用陰極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62064852A JPS63231833A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 電子管用陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62064852A JPS63231833A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 電子管用陰極 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63231833A true JPS63231833A (ja) | 1988-09-27 |
Family
ID=13270138
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62064852A Pending JPS63231833A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 電子管用陰極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63231833A (ja) |
-
1987
- 1987-03-18 JP JP62064852A patent/JPS63231833A/ja active Pending
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