JPS6323160Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案はプリンタにおける印字ヘツドのアプロ
ーチ制御回路に係り、特に印字ヘツドをプラテン
に向けてマグネツトによりアプローチ動作させた
際に、マグネツトの電源電圧の変動に関係なくア
プローチ動作を安定に行なわせることができるア
プローチ制御回路に関する。

印字ワイヤを選択的に駆動することによつて文
字等をドツトの集合にて印字するワイヤドツトプ
リンタでは印字ワイヤを駆動する印字マグネツト
のストロークが大きく取れない、印字速度の向上
を計るなどの理由から、印字ヘツドと印字媒体間
に空隙は微少に設定されている。このようなワイ
ヤドツトプリンタにおいて、印字用紙が銀行用通
帳などのように単票の場合は印字位置へのセツト
あるいは印字位置からのエジエクトの際に、印字
ヘツドが該単票のセツト、エジエクトの障害とな
る。

そこで、単票のセツト、エジエクトの際には印
字ヘツドがプラテンより退避（エスケープ）動作
することにより、前記空隙を増加させ、単票のセ
ツト、エジエクトが完了した時点でその空隙が前
記の如く小さくなるようにアプローチ動作をする
ことによつて、単票のセツト、エジエクトを安定
化させる技術が提案されている。

以上の説明で理解されるように、印字ヘツドは
印字ヘツドとプラテンとの間隙が増加するように
アプローチ位置からエスケープ位置に向かつてエ
スケープ動作を行なう、反対に印字ヘツドとプラ
テンとの間隙が減少するようにエスケープ位置よ
りアプローチ位置に向かつてアプローチ動作を行
なう。

かかるエスケープ、アプローチ動作の概要につ
いて第１図、第２図に沿つて説明する。第１図は
印字ヘツドがエスケープ位置にある場合を示し、
第２図はそれがアプローチ位置にある場合を示
す。図において、１１は印字ヘツド、１２は印字
ヘツドと一体のカム、１３はレバ、１４はエスケ
ープスプリングでありこの場合シリアルプリンタ
の例を示すものであるため、１１〜１４はキヤリ
アに塔載されている。１５はアプローチマグネツ
トであり、その出力軸とレバ１３とはロープ１６
によつて接続されている。１７はマイクロスイツ
チであり、カム１２と接触可能となつており、カ
ム１２を検出することにより印字ヘツド１１の移
動位置を検出する。ヘツドアプローチ動作はアプ
ローチマグネツト１５のコイルを励磁することに
よつて開始される。アプローチマグネツト１５の
励磁が開始されると、その出力軸は吸引されロー
プ１６は第２図矢印の如く移動する。それに伴な
つてレバ１３はエスケープスプリング１４の張力
に抗して反時計方向に回転する。その結果レバ１
３の先端に設けられた長孔とこの長孔に係合する
カム１２より伸びるピンとの作用により、印字ヘ
ツド１１はプラテン１８に向けてアプローチ動作
をする。アプローチ動作の途中においてマイクロ
スイツチ１７はカム１２より離れるので、これに
よつて励磁は一定の時間T₀中止される。一定時
間経過後再び励磁は再開され、最初の励磁開始か
ら一定時間T₁経過後に弱励磁信号によつてコイ
ルに対する電流値を低電流とする。

第３図はこれをタイムチヤートにて示したもの
であり、(a)はアプローチ信号、(b)はマイクロスイ
ツチ１７の出力である印字ヘツド位置検出信号、
(c)は励磁信号を示す。

このように、マグネツトによつて印字ヘツドを
アプローチ動作させる場合に重要なことは、アプ
ローチ動作の最終時点における印字ヘツドの速度
である。すなわちかかる時点における印字ヘツド
の速度が大であると、印字用紙に対して印字ヘツ
ドがバウンドすることなり、このバウンドを無視
して印字を行なうと印字が不鮮明になる。またバ
ウンドが終了するまで印字動作を開始しないこと
は印字速度の低下につながる。一方、他方では印
字媒体が感圧紙の場合にはその衝撃によつて不必
要なマークを生じることとなる。そのため、第３
図に示すように、ヘツド位置信号によつて一旦励
磁を停止し印字ヘツドのアプローチ動作にブレー
キを施こすことによつて印字ヘツドの印字用紙へ
の衝撃を小さくすることが提案されている。

しかし、かかる技術はある程度の効果を奏する
ものの、アプローチマグネツトの電源電圧の変動
を考慮したものではない。すなわちアプローチマ
グネツトのコイルに接続された電源の電圧が規定
された値にある場合には問題ないが、それが増大
した場合は最終速度も大となり前述の如き問題点
が生じる。また規定の電圧よりも減少した場合は
アプローチ動作に要する時間が長くなるなどの欠
点を有する。

本考案はかかかる従来の欠点に鑑みてなされた
ものであり、電源電圧の変動に関係なく、安定し
たアプローチ動作を行なわせることが可能なアプ
ローチ制御回路を提案するものであり、以下第４
図以降に沿つて本考案を説明するものである。

第４図において、４１はアプローチマグネツト
４２のコイル、４３は電圧比較回路、４４は励磁
制御回路、４５はマイクロスイツチなどの印字ヘ
ツド位置検出器、Q₁，Q₂はトランジスタ、D₁，
D₂はダイオード、Ｒは抵抗を示す。電圧比較回
路４３にはコイル４１に接続された直流電源Vcc
（例えば24V）が入力しており、ある参照電圧Vrf
（例えば25V）と比較する。その結果、Vcc≧Vrf
の場合は電源電圧情報として“１”を励磁制御回
路４４に出力し、Vcc＜Vrfの場合は“０”を励
磁制御回路４４に送出する。

励磁制御回路４４は電圧情報が“１”の場合は
第５図に示す励磁信号ｃのイ，ホの幅をそれぞれ
t₀，t₁とし、また電圧情報が“０”の場合はイ，
ホの幅をそれぞれt₀ ¹，t₁ ¹（t₀＜t₀ ¹，t₁＜t₁ ¹）とす
る。印字ヘツド位置検出器４５の出力が“１”か
ら“０”になると、励磁は期間t₃だけ中止される
点は第３図における従来例と同じである。区間ヘ
ではトランジスタQ₁はある周期でON／OFFが繰
り返えされ、最後に区間トを経て、弱励磁モード
となる。そのための弱励磁信号ｄはアプローチ信
号ａが到来してから一定時間径過後に入力され、
それによつて、トランジスタQ₁はOFFとなりト
ランジスタQ₂のみがＮとなる。ここで、第５
図のｃ励磁信号およびｄ弱励磁指定信号を出力す
る励磁制御回路４４について説明する。

励磁制御回路４４はメモリ例えばリードオンリ
メモリ（以下ROMとする）、その読出回路およ
びカウンタを有する。ROMは各アドレスに励磁
信号の各区間イ〜トの時間を指定する情報を記憶
している。ROMから読みだされた時間情報はカ
ウンタにセツトされ、カウンタは所定の周期のク
ロツク信号によつてカウントダウンされる。そし
て、その計数値が零になつた時点でつぎの時間情
報をROMから読みだし同様にしてカウンタにセ
ツトする。このようにして励磁信号は上記ROM
に記憶された時間情報によつてオン・オフを繰り
返す。

一方、電源電圧値によつて励磁信号の幅を変化
するために、区間イ，ロおよびホ，ヘに相当する
時間情報は２種類記憶されている。そして、読出
回路は電圧比較回路４３の出力によつてイ，ロお
よびホ，ヘについていずれか一方を選択して読み
だし、前記のようにカウンタにセツトする。

これにより、励磁信号は電源電圧値によつてそ
の幅、換言すると励磁時間と非励磁時間の比を変
化する。

尚、第５図において、ａはアプローチ信号、ｂ
は印字ヘツド位置検出器４５の出力信号、ｃはト
ランジスタQ₁のベースに与えられる励磁信号、
ｄは弱励磁信号を示し、ａ〜ｄは第４図における
ａ〜ｄに相当する。

以上の励磁信号の励磁時間の幅を電源電圧によ
つて変化させた例を示すが、非励磁時間の幅を変
化させてもよい。したがつて、第３図ｃにおいて
ブレーキ期間ニを電源電圧によつて変化させても
よいが、アプローチ動作の初速は電源電圧により
決定されることを考えると、第３図ｃにおいてイ
の区間の幅を可変にすることが望しい。また、参
照電圧は１つの値だけでなく、その参照電圧値を
増加させ、幅を複数の段階に可変することによ
り、より安定したアプローチ動作を達成すること
が可能となる。なお、アプローチマグネツトを設
ける場所としては、キヤリアに搭載する方法と、
キヤリアを移動可能に支持するプリンタベースに
設ける方法とがある。

後者の方法としては実開昭54−86217号公報に
示されているように、ロープの一端をキヤリアに
固定し、他端は２個のプーリを介してキヤリア上
のレバーに固定し、一方のプーリをアプローチマ
グネツトにより揺動し、他方のプーリをプリンタ
ベースに回転可能に支持する。

以上説明したように本考案によればアプローチ
マグネツトの電源電圧が変動しても衝撃によるバ
ウンド、不必要なマークが生じることがない安定
したアプローチ動作を達成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は従来のヘツドアプローチ、エ
スケープの概要を示し、第１図はエスケープ状
態、第２図はアプローチ状態、第３図はアプロー
チ動作時のタイムチヤートを示す。第４図、第５
図は本考案によるものであり、第４図はアプロー
チ制御回路の１例、第５図はアプローチ動作時の
各部のタイムチヤートを示す。 図中、４１はコイル、４２はアプローチマグネ
ツト、４３は電圧比較回路、４４は励磁制御回
路、４５は印字ヘツド位置検出器を示す。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 キヤリアに搭載され、印字用紙の紙面と直角方
   向にキヤリアに対して移動し、プラテンとの間隙
   が増加するエスケープ位置およびその間隙が減少
   するアプローチ位置とを占める印字ヘツド、 アプローチ信号を受けてアプローチマグネツト
   のコイルを励磁する励磁信号を発生する励磁制御
   回路、 アプローチマグネツトの動作を前記印字ヘツド
   に伝達する伝達部材、 キヤリアに搭載され、前記印字ヘツドがエスケ
   ープ位置を占めるように印字ヘツドを付勢するエ
   スケープスプリングを含み、 前記励磁信号はアプローチ動作の前半をアプロ
   ーチ励磁区間とし、後半をブレーキ励磁区間とし
   たプリンタにおいて、 アプローチマグネツトの励磁コイルに接続され
   た電源の電圧と所定の参照電圧とを比較する電圧
   比較回路と、 前記キヤリアに搭載され、印字ヘツドのアプロ
   ーチ動作の途中において印字ヘツドにより動作さ
   れて印字ヘツドの位置を検出するスイツチとを設
   け、 前記励磁制御回路はこの電圧比較回路の比較結
   果により前記アプローチ励磁区間およびブレーキ
   励磁区間における励磁信号の励磁時間と非励磁時
   間の比を変化するとともに、 前記スイツチの検出出力信号によりアプローチ
   励磁をブレーキ励磁に切り替えることを特徴とす
   る印字ヘツドのアプローチ制御回路。