JPS63229881A - バ−スト光出力装置 - Google Patents
バ−スト光出力装置Info
- Publication number
- JPS63229881A JPS63229881A JP62065272A JP6527287A JPS63229881A JP S63229881 A JPS63229881 A JP S63229881A JP 62065272 A JP62065272 A JP 62065272A JP 6527287 A JP6527287 A JP 6527287A JP S63229881 A JPS63229881 A JP S63229881A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias
- semiconductor laser
- optical output
- laser diode
- temperature
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体レーザの光出力レベルを安定化する
ようにしたバースト光出力装置に関するものでおる。
ようにしたバースト光出力装置に関するものでおる。
（従来の技術）
近年、大容量の情報を伝送する通信システムとして、光
通信システムが注目されている。この光通信システムに
おいては、正確な光バースト通信を行うために、光信号
の送信レベルを安定的に保持することが求められる。
通信システムが注目されている。この光通信システムに
おいては、正確な光バースト通信を行うために、光信号
の送信レベルを安定的に保持することが求められる。
ところで、バースト状の光信号を、半導体レーザダイオ
ードを用いて発光させた場合、半導体レーザダイオード
の熱応答によって、その出力にサグが現われることが知
られている。この熱サグは、単調減少するものであるか
ら、従来、以下の如き制御を行い、熱サグの除去を行っ
ていた。
ードを用いて発光させた場合、半導体レーザダイオード
の熱応答によって、その出力にサグが現われることが知
られている。この熱サグは、単調減少するものであるか
ら、従来、以下の如き制御を行い、熱サグの除去を行っ
ていた。
半導体レーザダイオードの光出力の一部を光検出素子で
モニタし、得られる検出信号を予め設定された基準信号
と比較する。比較の結果、上記検出信号のレベルが上記
基準信号のレベルより小さいことが検出されると、半導
体レーザダイオードのバイアスレベルを増加させる一方
、上記検出信号のレベルが上記基準信号のレベルより大
きいことが検出されると、半導体レーザダイオードのバ
イアスレベルを一定に保持するようにし、光出力レベル
を安定化するようにしていた。
モニタし、得られる検出信号を予め設定された基準信号
と比較する。比較の結果、上記検出信号のレベルが上記
基準信号のレベルより小さいことが検出されると、半導
体レーザダイオードのバイアスレベルを増加させる一方
、上記検出信号のレベルが上記基準信号のレベルより大
きいことが検出されると、半導体レーザダイオードのバ
イアスレベルを一定に保持するようにし、光出力レベル
を安定化するようにしていた。
実際には、第５図に示されるような半導体レーザダイオ
ード１０に、トランジスタ１１をコンデンサ１２で制御
して、バイアス電流工、を与える。この場合、図示せぬ
光検出素子により得た半導体レーザダイオード１０の光
出力の一部に基づく検出信号と基準信号との比較結果の
信＠１３で、スイッチ１４を制御し、電流源１５よりコ
ンデンサ１２の充電電圧ｖｏをコントロールするのであ
る。
ード１０に、トランジスタ１１をコンデンサ１２で制御
して、バイアス電流工、を与える。この場合、図示せぬ
光検出素子により得た半導体レーザダイオード１０の光
出力の一部に基づく検出信号と基準信号との比較結果の
信＠１３で、スイッチ１４を制御し、電流源１５よりコ
ンデンサ１２の充電電圧ｖｏをコントロールするのであ
る。
更に、安定な光出力を迅速に得るため、バースト光出力
を得る初期時に、バイアス電流の増加速度を大きくし、
バイアス電流が安定化レベルに近づいたとき、バイアス
電流の増加速度を小さくするようにする制御方式が提案
されている（第６図）しかしながら、半導体レーザダイ
オードは、温度特性を有し、第７図に示されるように、
周囲温度が上昇した場合には、与えるバイアス電流を大
きくしなければ、同一の光出力レベルが得られない。こ
のため、第６図に示した従来の方式で光出力を行うと、
周囲温度が変化した場合に、夫々の温度における安定化
レベルにまでバイアス電流が到達するに要する時間に、
時間差が生じる。即ち、第８図に示すように、周囲温度
が、Ｔ１とＴ２である場合の半導体レーザダイオードに
与えるバイアス電流が、夫々、安定化レベル１，２にあ
るとき、半導体レーザダイオードの光信号の送信レベル
が安定化されるとすると、安定化する迄の時間差はΔτ
１となる。
を得る初期時に、バイアス電流の増加速度を大きくし、
バイアス電流が安定化レベルに近づいたとき、バイアス
電流の増加速度を小さくするようにする制御方式が提案
されている（第６図）しかしながら、半導体レーザダイ
オードは、温度特性を有し、第７図に示されるように、
周囲温度が上昇した場合には、与えるバイアス電流を大
きくしなければ、同一の光出力レベルが得られない。こ
のため、第６図に示した従来の方式で光出力を行うと、
周囲温度が変化した場合に、夫々の温度における安定化
レベルにまでバイアス電流が到達するに要する時間に、
時間差が生じる。即ち、第８図に示すように、周囲温度
が、Ｔ１とＴ２である場合の半導体レーザダイオードに
与えるバイアス電流が、夫々、安定化レベル１，２にあ
るとき、半導体レーザダイオードの光信号の送信レベル
が安定化されるとすると、安定化する迄の時間差はΔτ
１となる。
すると、バースト光出力の指示から、実際に安定的な送
信がなされるまでの時間に、周囲温度によって、差が生
じ、光通信システムにおける光信号の送受の場合、この
時間差を考慮した制御を行う必要が生じ、制御が複雑で
煩しいものとなる欠点があった。
信がなされるまでの時間に、周囲温度によって、差が生
じ、光通信システムにおける光信号の送受の場合、この
時間差を考慮した制御を行う必要が生じ、制御が複雑で
煩しいものとなる欠点があった。
（発明が解決しようとする問題点）
上記のように、従来のバースト光出力装置では、周囲温
度の変化による半導体レーザダイオードの光信号の送信
レベルが安定化される迄に要する時間に差が生じること
になった。このため、光信号の送受の場合に、この時間
差を考慮した制御を行う必要が生じ、制御が複雑で煩し
いものとなる欠点があった。本発明はかかる従来のバー
スト光出力装置の欠点に鑑みなされたもので、その目的
は、バースト光出力の送信レベルの安定化迄に要する時
間を、周囲温度の変化に拘わらず、一定とすることが可
能なバースト光出力装置を提供することである。
度の変化による半導体レーザダイオードの光信号の送信
レベルが安定化される迄に要する時間に差が生じること
になった。このため、光信号の送受の場合に、この時間
差を考慮した制御を行う必要が生じ、制御が複雑で煩し
いものとなる欠点があった。本発明はかかる従来のバー
スト光出力装置の欠点に鑑みなされたもので、その目的
は、バースト光出力の送信レベルの安定化迄に要する時
間を、周囲温度の変化に拘わらず、一定とすることが可
能なバースト光出力装置を提供することである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
半導体発光素子と、この半導体発光素子のバースト光出
力の一部を検出する光検出素子と、前記半導体発光素子
のバイアス電流の増加速度を異ならせる複数のバイアス
電源と、周囲温度を検出する感温素子と、前記検出素子
により得られる光検出信号と前記感温素子により得られ
る温度信号とに基づき前記複数のバイアス電源の選択を
行ってバイアス電流を制御する選択制御手段とを具備さ
せるようにしてバースト光出力装置を構成したものであ
る。
力の一部を検出する光検出素子と、前記半導体発光素子
のバイアス電流の増加速度を異ならせる複数のバイアス
電源と、周囲温度を検出する感温素子と、前記検出素子
により得られる光検出信号と前記感温素子により得られ
る温度信号とに基づき前記複数のバイアス電源の選択を
行ってバイアス電流を制御する選択制御手段とを具備さ
せるようにしてバースト光出力装置を構成したものであ
る。
（作用）
上記構成によると、周囲温度と現在出力されている光信
号をモニタして得た光検出信号とにより、バイアス電流
の増加速度が所要となるようにバイアス電源を選択して
、バイアス電流工、の増加曲線が適宜決定されるように
できるため、第４図に示すように、安定化レベル１．２
までバイアス電流を上昇させる場合に、ある曲線を描く
ような特性のバイアス電源を選択することで、安定化ま
での時間ｔ２を一定とすることが可能である。
号をモニタして得た光検出信号とにより、バイアス電流
の増加速度が所要となるようにバイアス電源を選択して
、バイアス電流工、の増加曲線が適宜決定されるように
できるため、第４図に示すように、安定化レベル１．２
までバイアス電流を上昇させる場合に、ある曲線を描く
ような特性のバイアス電源を選択することで、安定化ま
での時間ｔ２を一定とすることが可能である。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第
１図は本発明の一実施例の構成図である。同図において
、第５図と同一の構成要素には、同一の符号を付し、そ
の説明を省略する。
１図は本発明の一実施例の構成図である。同図において
、第５図と同一の構成要素には、同一の符号を付し、そ
の説明を省略する。
この実施例では、第１の電流源１５と第２の電流源１６
とを、夫々、スイッチ１４．１７で選択して、バイアス
電流工、の増加速度が変化するように制御する。３０は
切換部を示し、この切換部３０は、バイアス制御信号４
１と、第２図に示される感温素子（サーミスタ等）３３
による信号とにより、駆動信＠３１．３２を作り、スイ
ッチ１４．１７を開閉して、コンデンサー２を充電する
充電電流工。に温度特性を持たせる。１８は光検出素子
たるフォートダイオードでおり、フォートダイオード１
８は、半導体レーザダイオード１０より出力された光出
力の一部を検出して、バイアス制御信号４１に変換する
。切換部３０は、第２図に示されるような電流源３４を
含む差動増幅器の構成でトランジスタＴ１．Ｔ、２のコ
レクタ電圧を駆動信号３１．３２としている。トランジ
スタＴ、１のベースには、入力端子ＩＮよりバイアス制
御信号４１が与えられる。また、トランジスタＴ、２の
ベースには、感温素子３３と抵抗Ｒ４とで決定される電
圧が与えられ、トランジスタＴ、２は、初期状態におい
てオン状態にある。
とを、夫々、スイッチ１４．１７で選択して、バイアス
電流工、の増加速度が変化するように制御する。３０は
切換部を示し、この切換部３０は、バイアス制御信号４
１と、第２図に示される感温素子（サーミスタ等）３３
による信号とにより、駆動信＠３１．３２を作り、スイ
ッチ１４．１７を開閉して、コンデンサー２を充電する
充電電流工。に温度特性を持たせる。１８は光検出素子
たるフォートダイオードでおり、フォートダイオード１
８は、半導体レーザダイオード１０より出力された光出
力の一部を検出して、バイアス制御信号４１に変換する
。切換部３０は、第２図に示されるような電流源３４を
含む差動増幅器の構成でトランジスタＴ１．Ｔ、２のコ
レクタ電圧を駆動信号３１．３２としている。トランジ
スタＴ、１のベースには、入力端子ＩＮよりバイアス制
御信号４１が与えられる。また、トランジスタＴ、２の
ベースには、感温素子３３と抵抗Ｒ４とで決定される電
圧が与えられ、トランジスタＴ、２は、初期状態におい
てオン状態にある。
スイッチ１４は、駆動信号３１・が、Ｈレベルのとき閉
じられ、Ｌレベルのとき開かれ、スイッチ１７は、駆動
信号３２が、Ｈレベルのとき開かれ、Ｌレベルのとき閉
じられる。このような、切換部３０と、スイッチ１４．
１７は、選択制御手段５０を構成する。尚、本実施例で
は、バイアスを与える期間を制御する構成、バースト信
号を与える構成を図示していないが、例えば、前者の構
成は、フォートダイオード１８と選択制御手段５０との
間に、後者の構成は、トランジスタ１１と選択制御手段
５０との間に、夫々、介挿される。
じられ、Ｌレベルのとき開かれ、スイッチ１７は、駆動
信号３２が、Ｈレベルのとき開かれ、Ｌレベルのとき閉
じられる。このような、切換部３０と、スイッチ１４．
１７は、選択制御手段５０を構成する。尚、本実施例で
は、バイアスを与える期間を制御する構成、バースト信
号を与える構成を図示していないが、例えば、前者の構
成は、フォートダイオード１８と選択制御手段５０との
間に、後者の構成は、トランジスタ１１と選択制御手段
５０との間に、夫々、介挿される。
以上のように構成された、実施例の動作を、第１図乃至
第３図を参照して説明する。バイアス印加の期間となる
と、切換部３０の入力端子ＩＮには、未だ半導体レーザ
ダイオード１０の発光が生じていないため、電圧はほと
んど与えられていない、このため、トランジスタＴ、１
はオフ、トランジスタＴ、２がオンの状態となり、駆動
信号３１はＨレベル、駆動信号３２はＬレベルである。
第３図を参照して説明する。バイアス印加の期間となる
と、切換部３０の入力端子ＩＮには、未だ半導体レーザ
ダイオード１０の発光が生じていないため、電圧はほと
んど与えられていない、このため、トランジスタＴ、１
はオフ、トランジスタＴ、２がオンの状態となり、駆動
信号３１はＨレベル、駆動信号３２はＬレベルである。
この結果、スイッチｉｎ、 １７ともに閉成された状態
で、第１及び第２の電流源１５．１６による充電電流工
さの供給が行われ、第３図の直線Ｓ１で示される急峻な
傾きの増加速度でバイアス電流が増加する。これにとも
なって、半導体レーザダイオード１０の発光が開始され
、フォトダイオード１８によるバイアス制御信号のレベ
ルが増加する。この電圧により、コンデンサＣに電荷が
蓄積され、トランジスタＴｒ１のベース電位が、トラン
ジスタＴ、２のベース電位と等しくなると、トランジス
タＴ、１がオン状態となり、駆動信号３１がＬレベルと
なり、スイッチ１４が開かれる。この結果、以後は、第
２の電流源１６のみによる充電となり、第３図の直線Ｓ
２で示される穏やかな傾きの増加速度でバイアス電流が
増加する。これによっても、入力端子ＩＮに到達するバ
イアス制御信号のため、トランジスタＴｒ１を流れるコ
レクタ電流が増加し、このためトランジスタＴ、２のエ
ミッタ電圧が上昇し、トランジスタＴ、２がオフ状態と
なる。このため、駆動信号３２がＨレベルとなり、この
後は、第３図の時間ｔ２後に示される如く断続的な制御
が続けられる。
で、第１及び第２の電流源１５．１６による充電電流工
さの供給が行われ、第３図の直線Ｓ１で示される急峻な
傾きの増加速度でバイアス電流が増加する。これにとも
なって、半導体レーザダイオード１０の発光が開始され
、フォトダイオード１８によるバイアス制御信号のレベ
ルが増加する。この電圧により、コンデンサＣに電荷が
蓄積され、トランジスタＴｒ１のベース電位が、トラン
ジスタＴ、２のベース電位と等しくなると、トランジス
タＴ、１がオン状態となり、駆動信号３１がＬレベルと
なり、スイッチ１４が開かれる。この結果、以後は、第
２の電流源１６のみによる充電となり、第３図の直線Ｓ
２で示される穏やかな傾きの増加速度でバイアス電流が
増加する。これによっても、入力端子ＩＮに到達するバ
イアス制御信号のため、トランジスタＴｒ１を流れるコ
レクタ電流が増加し、このためトランジスタＴ、２のエ
ミッタ電圧が上昇し、トランジスタＴ、２がオフ状態と
なる。このため、駆動信号３２がＨレベルとなり、この
後は、第３図の時間ｔ２後に示される如く断続的な制御
が続けられる。
ここで、感温素子３３は、周囲温度が低いＴ１の場合に
は、第３図の時間ｔ１でトランジスタ下。
は、第３図の時間ｔ１でトランジスタ下。
１がオンとなるように、また、周囲温度が高いＴ２の場
合には、第３図の時間ｔ１＋Δτ２でトランジスタＴ
１がオンとなるように、トランジスタＴ、２のベースへ
電圧を与える。そして、トランジスタＴ、１がオンとな
った後は、トランジスタＴ ２のエミッタ電圧が、感温
素子３３によつて決められているベース電圧に対し、所
定差となるまで、コンデンサＣに対する充電がなされ、
いずれの温度にあっても、時間ｔ２で安定に達する。
合には、第３図の時間ｔ１＋Δτ２でトランジスタＴ
１がオンとなるように、トランジスタＴ、２のベースへ
電圧を与える。そして、トランジスタＴ、１がオンとな
った後は、トランジスタＴ ２のエミッタ電圧が、感温
素子３３によつて決められているベース電圧に対し、所
定差となるまで、コンデンサＣに対する充電がなされ、
いずれの温度にあっても、時間ｔ２で安定に達する。
尚、本実施例では、電流源を２個としたが、３個以上で
あっても良い。このようにすると、より細かく制御が可
能となる。また、第２図の切換部３０の回路定数を調整
することにより、また、電源の電流値を変えることによ
り、バイアス電流の増加速度及び、増加速度の切換点を
変更でき、安定化するまでの時間ｔ２をも変化させるこ
とができる。つまり、必要に応じ、時間ｔ２を伸縮可能
となる。
あっても良い。このようにすると、より細かく制御が可
能となる。また、第２図の切換部３０の回路定数を調整
することにより、また、電源の電流値を変えることによ
り、バイアス電流の増加速度及び、増加速度の切換点を
変更でき、安定化するまでの時間ｔ２をも変化させるこ
とができる。つまり、必要に応じ、時間ｔ２を伸縮可能
となる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、周囲温度と現在
出力されている光信号をモニタして得た光検出信号とに
より、バイアス電源の増加速度が所要となるようにバイ
アス電源を選択して、バイアスミ流の増加曲線が適宜決
定されるようにでき、安定化までの時間ｔを一定とする
ことが可能である。
出力されている光信号をモニタして得た光検出信号とに
より、バイアス電源の増加速度が所要となるようにバイ
アス電源を選択して、バイアスミ流の増加曲線が適宜決
定されるようにでき、安定化までの時間ｔを一定とする
ことが可能である。
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は第１図の
要部の構成図、第３図は第１図の一実施例の動作を説明
するための波形図、第４図は本発明の詳細な説明するた
めの波形図、第５図は従来のバースト光出力装置の構成
図、第６図、第８図は従来のバースト光出力装置の動作
を説明する゛ための波形図、第７図は半導体レーザダイ
オードの温度特性を示す図である。 １０・・・半導体レーザダイオード。 １４、１７・・・スイッチ、１５・・・第１の電流源１
６・・・第２の電流源、１８・・・フォルトダイオード
３０・・・切換部、 ３１．３２・・・駆動信
号３３・・・感温素子、３４・・・電流源５０・・・選
択制御手段 代理人 弁理士 本 １） 崇 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
要部の構成図、第３図は第１図の一実施例の動作を説明
するための波形図、第４図は本発明の詳細な説明するた
めの波形図、第５図は従来のバースト光出力装置の構成
図、第６図、第８図は従来のバースト光出力装置の動作
を説明する゛ための波形図、第７図は半導体レーザダイ
オードの温度特性を示す図である。 １０・・・半導体レーザダイオード。 １４、１７・・・スイッチ、１５・・・第１の電流源１
６・・・第２の電流源、１８・・・フォルトダイオード
３０・・・切換部、 ３１．３２・・・駆動信
号３３・・・感温素子、３４・・・電流源５０・・・選
択制御手段 代理人 弁理士 本 １） 崇 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- 半導体発光素子と、この半導体発光素子のバースト光出
力の一部を検出する光検出素子と、前記半導体発光素子
のバイアス電流の増加速度を異ならせる複数のバイアス
電源と、周囲温度を検出する感温素子と、前記検出素子
により得られる光検出信号と前記感温素子により得られ
る温度信号とに基づき前記複数のバイアス電源の選択を
行ってバイアス電流を制御する選択制御手段とを具備す
るバースト光出力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62065272A JPH06103764B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | バ−スト光出力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62065272A JPH06103764B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | バ−スト光出力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63229881A true JPS63229881A (ja) | 1988-09-26 |
| JPH06103764B2 JPH06103764B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=13282124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62065272A Expired - Fee Related JPH06103764B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | バ−スト光出力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103764B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1030417A2 (en) * | 1999-02-19 | 2000-08-23 | Fujitsu Limited | Light output control circuit |
| WO2007033609A1 (en) * | 2005-09-26 | 2007-03-29 | Hongkong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. | Driver for an optical transmitter |
| US7639954B2 (en) | 2005-10-11 | 2009-12-29 | Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. | Driver for an optical transmitter |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5757568U (ja) * | 1980-09-22 | 1982-04-05 | ||
| JPS6236565U (ja) * | 1985-08-20 | 1987-03-04 |
-
1987
- 1987-03-19 JP JP62065272A patent/JPH06103764B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5757568U (ja) * | 1980-09-22 | 1982-04-05 | ||
| JPS6236565U (ja) * | 1985-08-20 | 1987-03-04 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1030417A2 (en) * | 1999-02-19 | 2000-08-23 | Fujitsu Limited | Light output control circuit |
| EP1030417A3 (en) * | 1999-02-19 | 2002-03-13 | Fujitsu Limited | Light output control circuit |
| EP1286437A1 (en) * | 1999-02-19 | 2003-02-26 | Fujitsu Limited | Light output control circuit |
| EP1286438A1 (en) * | 1999-02-19 | 2003-02-26 | Fujitsu Limited | Light output control circuit |
| US6975813B1 (en) | 1999-02-19 | 2005-12-13 | Fujitsu Limited | Light output control device |
| US7266308B2 (en) | 1999-02-19 | 2007-09-04 | Fujitsu Limited | Light output control circuit |
| WO2007033609A1 (en) * | 2005-09-26 | 2007-03-29 | Hongkong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. | Driver for an optical transmitter |
| US7639954B2 (en) | 2005-10-11 | 2009-12-29 | Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. | Driver for an optical transmitter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06103764B2 (ja) | 1994-12-14 |
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