JPS63227020A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPS63227020A JPS63227020A JP62060073A JP6007387A JPS63227020A JP S63227020 A JPS63227020 A JP S63227020A JP 62060073 A JP62060073 A JP 62060073A JP 6007387 A JP6007387 A JP 6007387A JP S63227020 A JPS63227020 A JP S63227020A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- condition
- thickness
- resist coating
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明は半導体装置の製造装置に関し、特にリソグラ
フィ工程に用いられる製造装置に適用される。
フィ工程に用いられる製造装置に適用される。
（従来の技術）
従来、半導体装置の製造において、リソグラフィを行な
うため半導体基板にフォトレジスト液を塗着しレジスト
膜を形成する装置を第４図に示す。
うため半導体基板にフォトレジスト液を塗着しレジスト
膜を形成する装置を第４図に示す。
図中、スピンナ１０１はモータ１１１で回転されるター
ンテーブル１２１上に半導体基板が一例の減圧吸引で支
持され、その上方にこの半導体基板に対向したノズル１
１２を有するフォトレジスト液導出機構１０２が設けら
れている。このフォトレジスト液導出機構１０２はフォ
トレジスト液搬送管１２２がフォトレジスト液源（図示
省略）に接続され、上記ノズル１１２の近くに流址調整
用バルブ１３２が設けられている。次に、上記スピンナ
瓜の、特にターンテーブル１２１はコータカップ１０３
で囲まれ、その底部には塗布時に飛散したフォトレジス
ト液１００をフオドレジスト液貯留容器１０４に導くフ
ォトレジスト液流下管１１３が設けられている。
ンテーブル１２１上に半導体基板が一例の減圧吸引で支
持され、その上方にこの半導体基板に対向したノズル１
１２を有するフォトレジスト液導出機構１０２が設けら
れている。このフォトレジスト液導出機構１０２はフォ
トレジスト液搬送管１２２がフォトレジスト液源（図示
省略）に接続され、上記ノズル１１２の近くに流址調整
用バルブ１３２が設けられている。次に、上記スピンナ
瓜の、特にターンテーブル１２１はコータカップ１０３
で囲まれ、その底部には塗布時に飛散したフォトレジス
ト液１００をフオドレジスト液貯留容器１０４に導くフ
ォトレジスト液流下管１１３が設けられている。
叙上の如くなるレジスト塗布ユニットでは、フォトレジ
スト液導出機構１０２によってノズル１２２から半導体
基板上に注加されたフォトレジスト液は、半導体基板の
スピンによって側方へ飛散し、コータカップ１０３で集
められフォトレジスト液流下管１１３によってフォトレ
ジスト液貯留容器１０４に貯留される。この貯留された
フォトレジスト液は回収される。
スト液導出機構１０２によってノズル１２２から半導体
基板上に注加されたフォトレジスト液は、半導体基板の
スピンによって側方へ飛散し、コータカップ１０３で集
められフォトレジスト液流下管１１３によってフォトレ
ジスト液貯留容器１０４に貯留される。この貯留された
フォトレジスト液は回収される。
（発明が解決しようとする問題点）
上記従来の技術には例えばフォトレジストがポジレジス
トのとき、回収されたレジスト液は初めの塗布によって
成分中の溶剤の酢酸エチルセロソルブ等が揮発するので
粘度が高いものになっていた。そのため、塗布膜の膜厚
が大になり、同一の条件で露光、現像されたものはパタ
ーンのラインの幅が太く、スペースの幅が狭く解像され
、均一性に欠けるものであり、特にホールの解像につい
てはレジスト残りも発生し不良率が高いなどの問題点が
あった。
トのとき、回収されたレジスト液は初めの塗布によって
成分中の溶剤の酢酸エチルセロソルブ等が揮発するので
粘度が高いものになっていた。そのため、塗布膜の膜厚
が大になり、同一の条件で露光、現像されたものはパタ
ーンのラインの幅が太く、スペースの幅が狭く解像され
、均一性に欠けるものであり、特にホールの解像につい
てはレジスト残りも発生し不良率が高いなどの問題点が
あった。
この発明は上記従来の問題点に鑑み、これを改良するた
めの製造装置を提供する。
めの製造装置を提供する。
（問題点を解決するための手段）
この発明にかかる半導体装置の製造装置は、半導体基板
に対するレジスト塗布、露光プレベーク。
に対するレジスト塗布、露光プレベーク。
露光、およびポストベークの各工程を順次施す夫々の装
置を一体に組立した半導体装置の製造装置において、レ
ジスト塗布を行なうスピンナを囲うカップからレジスト
収納容器に至る導路と、前記レジスト収納容器中のレジ
スト液中にレジスト搬送ポンプの吸引管端を挿入し、そ
の吐出管端をスピンナ上の半導体基板に対向するノズル
に接続したレジスト塗付部と、このレジスト塗付部と露
光装置の間に設けられたレジスト膜厚測定部と、測定さ
れたレジスト膜厚データに基づき演算しレジスト塗布条
件、露光条件、現像条件、ポストベーク条件の少くとも
一つに対応して調整を施すホストコンピュータを具備し
たことを特徴とする。
置を一体に組立した半導体装置の製造装置において、レ
ジスト塗布を行なうスピンナを囲うカップからレジスト
収納容器に至る導路と、前記レジスト収納容器中のレジ
スト液中にレジスト搬送ポンプの吸引管端を挿入し、そ
の吐出管端をスピンナ上の半導体基板に対向するノズル
に接続したレジスト塗付部と、このレジスト塗付部と露
光装置の間に設けられたレジスト膜厚測定部と、測定さ
れたレジスト膜厚データに基づき演算しレジスト塗布条
件、露光条件、現像条件、ポストベーク条件の少くとも
一つに対応して調整を施すホストコンピュータを具備し
たことを特徴とする。
（作 用）
この発明は半導体装置の製造装置で特にリソグラフィを
行なう装置において、レジスト塗布後にレジスト膜厚の
測定を施し、その膜厚に基づいて演算しレジスト塗布条
件、露光条件、現像条件。
行なう装置において、レジスト塗布後にレジスト膜厚の
測定を施し、その膜厚に基づいて演算しレジスト塗布条
件、露光条件、現像条件。
ポストベーク条件の少くとも一つに対して調整を施すホ
ストコンピュータによってフォトレジスト液の繰返し使
用による性状の変化に対応する。
ストコンピュータによってフォトレジスト液の繰返し使
用による性状の変化に対応する。
（実施例）
以下、この発明の一実施例につき第１図ないし第３図を
参照して説明する。なお、説明において従来と変わらな
い部分については図面に従来と同じ符号を付けて示し説
明を省略する。
参照して説明する。なお、説明において従来と変わらな
い部分については図面に従来と同じ符号を付けて示し説
明を省略する。
第２図に半導体製造のリングラフィ装置の配置を示す上
面図である。まず、半導体基板を収納したカセットがセ
ンダ部に設置される。次に半導体基板表面の微斌の水分
を除去してレジストの密着を高めるための塗布前ベーク
が１００〜１５０℃で施される。次に、レジスト塗布が
施される。このレジスト塗布は第３図に示されるレジス
ト塗布ユニットでスピンを施し均一膜厚なレジスト膜形
成が達成される。次に、露光前ベークを９０〜１１０”
Ｃで施す。次に、光学的な非接触膜厚計で塗布されたレ
ジスト膜の膜厚を測定する。次に露光装置で紫外線霧光
を行なったのち、レジスト膜の感光した部分をアルカリ
性溶液で溶解する現像工程を経てポストベークを施す。
面図である。まず、半導体基板を収納したカセットがセ
ンダ部に設置される。次に半導体基板表面の微斌の水分
を除去してレジストの密着を高めるための塗布前ベーク
が１００〜１５０℃で施される。次に、レジスト塗布が
施される。このレジスト塗布は第３図に示されるレジス
ト塗布ユニットでスピンを施し均一膜厚なレジスト膜形
成が達成される。次に、露光前ベークを９０〜１１０”
Ｃで施す。次に、光学的な非接触膜厚計で塗布されたレ
ジスト膜の膜厚を測定する。次に露光装置で紫外線霧光
を行なったのち、レジスト膜の感光した部分をアルカリ
性溶液で溶解する現像工程を経てポストベークを施す。
このポストベークは水分を除くために施されるもので、
１００〜１５０”Ｃで行なう。
１００〜１５０”Ｃで行なう。
次のレシーバは半導体基板をカセットに収納する。
第１図はレジスト塗布ユニットを示す。図中の１１はレ
ジスト容器でフォトレジスト液１００を収納し、このフ
ォトレジスト液には中間に吸引ポンプ１２を備えたフォ
トレジスト液導管１３の吸入側端部が挿入され、他端は
次に述べるターンテーブル上に配置された半導体基板上
方のノズル２３に接続しているレジスト塗布部がある。
ジスト容器でフォトレジスト液１００を収納し、このフ
ォトレジスト液には中間に吸引ポンプ１２を備えたフォ
トレジスト液導管１３の吸入側端部が挿入され、他端は
次に述べるターンテーブル上に配置された半導体基板上
方のノズル２３に接続しているレジスト塗布部がある。
次に、１０１はスピンナで、モータ１１１によって回転
駆動されるターンテーブル１２１上に半導体基板が減圧
で吸引固定され、この半導体基板の上方に配置された上
記ノズルからホトレジスト液が滴下されるようになって
いる。また、上記スピンナのターンテーブル１２１には
これを囲んで飛散するフォトレジスト液を受けるコータ
カップ１４が設けられ、このコータカップ１４の底部に
は飛散したフォトレジスト液を集めて下方のレジスト容
器１１に還流させるフォトレジスト液還流管２４が設け
られている。
駆動されるターンテーブル１２１上に半導体基板が減圧
で吸引固定され、この半導体基板の上方に配置された上
記ノズルからホトレジスト液が滴下されるようになって
いる。また、上記スピンナのターンテーブル１２１には
これを囲んで飛散するフォトレジスト液を受けるコータ
カップ１４が設けられ、このコータカップ１４の底部に
は飛散したフォトレジスト液を集めて下方のレジスト容
器１１に還流させるフォトレジスト液還流管２４が設け
られている。
上記レジスト塗布ユニットによるとフォトレジスト液の
塗布を続けることができる。しかし、半導体基板に例え
ばその径が１２５ｍｍのものに１．５μｍの膜厚を得る
ために必要なフォトレジスト液は３ｃｃ程度であるが、
半導体基板上に塗布されているフォトレジストは０．０
１８４ｃｃ程度で、はとんどのフォトレジスト液は飛散
し、レジスト容器に還流される。したがってレジスト塗
布を繰返すと、すでに述べたようにフォトレジスト液の
性状が変化しレジスト膜の膜厚に変化を来たす、そこで
第３図に示される構成のホストコンピュータを用いて工
程の条件の調整を施す。この調整の対象にはレジスト塗
布工程のモータの回転数、紫外線ｎ光の露光時間、現像
時間、ポストベーク時間を選び、ホストコンピュータに
より指令された回転数でレジスト塗布された半導体基板
にこれとは非接触でその膜厚を測定する膜厚測定器でレ
ジスト膜厚の測定を行ない、データをホストコンピュー
タに入れる。レジスト膜厚とフォトレジスト液の粘度と
の相関は次式で表わされる。
塗布を続けることができる。しかし、半導体基板に例え
ばその径が１２５ｍｍのものに１．５μｍの膜厚を得る
ために必要なフォトレジスト液は３ｃｃ程度であるが、
半導体基板上に塗布されているフォトレジストは０．０
１８４ｃｃ程度で、はとんどのフォトレジスト液は飛散
し、レジスト容器に還流される。したがってレジスト塗
布を繰返すと、すでに述べたようにフォトレジスト液の
性状が変化しレジスト膜の膜厚に変化を来たす、そこで
第３図に示される構成のホストコンピュータを用いて工
程の条件の調整を施す。この調整の対象にはレジスト塗
布工程のモータの回転数、紫外線ｎ光の露光時間、現像
時間、ポストベーク時間を選び、ホストコンピュータに
より指令された回転数でレジスト塗布された半導体基板
にこれとは非接触でその膜厚を測定する膜厚測定器でレ
ジスト膜厚の測定を行ない、データをホストコンピュー
タに入れる。レジスト膜厚とフォトレジスト液の粘度と
の相関は次式で表わされる。
ｔ＝に一■２／Ｖｉ
ここで、ｔはレジスト膜厚（μｍ）、には装置やフォト
レジスト液の溶媒できまる定数で通常０．０６〜０．５
０で、例えば粘度が１５ｃ、ｐ、のフォトレジスト液を
使用し、４０００Ｒ，Ｐ、Ｍ、で１．５μ履の膜厚を狙
っていたものかに＝０．４２のときに１．７μｍの膜厚
データになったとすると、上式により、１．７＝０．４
２Ｖ”／価でｖ＝１６となり粘度が１６Ｃ，Ｐ、に高く
なったことになる。再びｖ＝１６でレジスト膜厚が１．
５μｍとなるＷを求めると１．５ ＝ ０．４２ Ｘ
１６” ／仔からＷ＝５１３８Ｒ，Ｐ、Ｍ、となる、取
上の計算をホストコンピュータで行ない塗布条件にフィ
ードバックして膜厚のばらつきを小さくすることによっ
てフォトレジスト解像寸法の精度を高めるものである。
レジスト液の溶媒できまる定数で通常０．０６〜０．５
０で、例えば粘度が１５ｃ、ｐ、のフォトレジスト液を
使用し、４０００Ｒ，Ｐ、Ｍ、で１．５μ履の膜厚を狙
っていたものかに＝０．４２のときに１．７μｍの膜厚
データになったとすると、上式により、１．７＝０．４
２Ｖ”／価でｖ＝１６となり粘度が１６Ｃ，Ｐ、に高く
なったことになる。再びｖ＝１６でレジスト膜厚が１．
５μｍとなるＷを求めると１．５ ＝ ０．４２ Ｘ
１６” ／仔からＷ＝５１３８Ｒ，Ｐ、Ｍ、となる、取
上の計算をホストコンピュータで行ない塗布条件にフィ
ードバックして膜厚のばらつきを小さくすることによっ
てフォトレジスト解像寸法の精度を高めるものである。
次の例として、露光量や現像時間によっても解像寸法が
変わり、ポジ型レジストの場合、露光時間、現像時間が
長いほど、レジストの溶解される寸法は大きくなる。ま
た、レジスト膜厚は露光・現像の条件が一定であれば、
厚いほど現像で溶解される寸法は小となる。従って逆に
、膜厚データをホストコンピュータに入れ、露光時間ま
たは現像時間をフィードすることによっても解像寸法の
均一性を高めるのは可能である。膜厚が厚い時は。
変わり、ポジ型レジストの場合、露光時間、現像時間が
長いほど、レジストの溶解される寸法は大きくなる。ま
た、レジスト膜厚は露光・現像の条件が一定であれば、
厚いほど現像で溶解される寸法は小となる。従って逆に
、膜厚データをホストコンピュータに入れ、露光時間ま
たは現像時間をフィードすることによっても解像寸法の
均一性を高めるのは可能である。膜厚が厚い時は。
露光・現像時間を長くすればよい。
この発明はフォトレジスト液を還流させ再利用するにあ
たって、フォトレジスト液の溶媒が揮発し粘度が向上す
ることによって解像寸法精度が劣化するのを改良し、再
利用によっても解像寸法精度が高く、製造歩留の良好な
レジスト膜の形成を可能にした。また、レジストの再利
用による製造コストの低減も可能になった。
たって、フォトレジスト液の溶媒が揮発し粘度が向上す
ることによって解像寸法精度が劣化するのを改良し、再
利用によっても解像寸法精度が高く、製造歩留の良好な
レジスト膜の形成を可能にした。また、レジストの再利
用による製造コストの低減も可能になった。
第１図はこの発明にかかる一実施例のレジスト塗布ユニ
ットの断面図、第２図はこの発明にかかるリソグラフィ
装置の配置を示す上面図、第３図はこの発明にかかるホ
ストコンピュータの機能を説明するブロック図、第４図
は従来のレジスト塗布ユニットの断面図である。 １１−−−−−レジスト容器 １２−−−−一吸引ポンプ １３−−−−−フォトレジスト液導管 １４−−−−−コータカップ ２３−−−−−ノズル
ットの断面図、第２図はこの発明にかかるリソグラフィ
装置の配置を示す上面図、第３図はこの発明にかかるホ
ストコンピュータの機能を説明するブロック図、第４図
は従来のレジスト塗布ユニットの断面図である。 １１−−−−−レジスト容器 １２−−−−一吸引ポンプ １３−−−−−フォトレジスト液導管 １４−−−−−コータカップ ２３−−−−−ノズル
Claims (1)
- 半導体基板に対するレジスト塗布、露光プレーベーク、
露光、およびポストベークの各工程を順次施す夫々の装
置を一体に組立した半導体装置の製造装置において、レ
ジスト塗布を行なうスピンナを囲うカップからレジスト
収納容器に至る導路と、前記レジスト収納容器中のレジ
スト液中にレジスト搬送ポンプの吸引管端を挿入し、そ
の吐出管端をスピンナ上の半導体基板に対向するノズル
に夫々接続したレジスト塗付部と、このレジスト塗付部
と露光装置の間に設けられたレジスト膜厚測定部と、測
定されたレジスト膜厚データに基づき演算しレジスト塗
布条件、露光条件、現像条件、ポストベーク条件の少く
とも一つに対応して調整を施すホストコンピュータを具
備したことを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62060073A JPS63227020A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62060073A JPS63227020A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63227020A true JPS63227020A (ja) | 1988-09-21 |
Family
ID=13131541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62060073A Pending JPS63227020A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63227020A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02146720A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-06-05 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法および処理装置 |
| JPH06267813A (ja) * | 1993-03-10 | 1994-09-22 | Hitachi Ltd | 露光パターン形成装置 |
| US5747201A (en) * | 1990-04-13 | 1998-05-05 | Hitachi, Ltd. | Controlling method of forming thin film, system for said controlling method, exposure method and system for said exposure method |
| JP2000114166A (ja) * | 1998-07-14 | 2000-04-21 | Nova Measuring Instruments Ltd | 所定のフォトリソグラフィ工程に従って基板を加工する装置及びその方法 |
| JP2009177057A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト液供給回収システム |
| JP2009177056A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト液回収方法 |
-
1987
- 1987-03-17 JP JP62060073A patent/JPS63227020A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02146720A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-06-05 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法および処理装置 |
| US5747201A (en) * | 1990-04-13 | 1998-05-05 | Hitachi, Ltd. | Controlling method of forming thin film, system for said controlling method, exposure method and system for said exposure method |
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| JP2000114166A (ja) * | 1998-07-14 | 2000-04-21 | Nova Measuring Instruments Ltd | 所定のフォトリソグラフィ工程に従って基板を加工する装置及びその方法 |
| JP4722244B2 (ja) * | 1998-07-14 | 2011-07-13 | ノバ・メジャリング・インストルメンツ・リミテッド | 所定のフォトリソグラフィ工程に従って基板を加工する装置 |
| JP2009177057A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト液供給回収システム |
| JP2009177056A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト液回収方法 |
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