JPS63224327A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JPS63224327A JPS63224327A JP62058657A JP5865787A JPS63224327A JP S63224327 A JPS63224327 A JP S63224327A JP 62058657 A JP62058657 A JP 62058657A JP 5865787 A JP5865787 A JP 5865787A JP S63224327 A JPS63224327 A JP S63224327A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の技術分野)
本発明は、例えば半導体ウェハ上のレジスト層などに対
し必要なパターンの焼き付けを行う投影露光装置にかか
るものであり、特にその焦点合わせ装置の改良に対する
ものである。
し必要なパターンの焼き付けを行う投影露光装置にかか
るものであり、特にその焦点合わせ装置の改良に対する
ものである。
(発明の背景)
従来のステップアンドリピート方式による投影露光装置
では、一般に半導体ウェハのうち露光されるべき面、す
なわちレジスト層が形成されて光が照射される面倒にア
ライメント用のマークが形成されている。そして、この
マークと、レチクルないしマスクに形成されたアライメ
ントマークとを用いて半導体ウェハとレチクル(ないし
マスク)との位置合わせが行なわれる。
では、一般に半導体ウェハのうち露光されるべき面、す
なわちレジスト層が形成されて光が照射される面倒にア
ライメント用のマークが形成されている。そして、この
マークと、レチクルないしマスクに形成されたアライメ
ントマークとを用いて半導体ウェハとレチクル(ないし
マスク)との位置合わせが行なわれる。
しかしながら、かかるアライメント方式では、ウェハ表
面に塗布形成されたレジスト層を通してアライメントマ
ークを観察することとなるため、明瞭に観察することが
困難となり、結果的にアライメント誤差が増大すること
となる。特に近年においては、集積回路の集積度の向上
に伴って増々パターンが微細化する傾向にあり、かかる
アライメント誤差の低減が要望されるに至っている。
面に塗布形成されたレジスト層を通してアライメントマ
ークを観察することとなるため、明瞭に観察することが
困難となり、結果的にアライメント誤差が増大すること
となる。特に近年においては、集積回路の集積度の向上
に伴って増々パターンが微細化する傾向にあり、かかる
アライメント誤差の低減が要望されるに至っている。
さらにウェハ表面の平坦化が行なわれるにつれて、表面
のマークが検出できなくなる可能性が生じる。
のマークが検出できなくなる可能性が生じる。
また、かかるアライメントとして、ダイバイダイアライ
メント又はイーチショットアライメントを行う場合には
、レチクル上にアライメント光学系等の装置を設けなけ
ればならない。このため、該装置の光学系が露光用の照
明光を妨げないように、ステップ的に出入れするか、あ
るいはダイバイダイ用のマークを一定の位置に定める必
要がある。
メント又はイーチショットアライメントを行う場合には
、レチクル上にアライメント光学系等の装置を設けなけ
ればならない。このため、該装置の光学系が露光用の照
明光を妨げないように、ステップ的に出入れするか、あ
るいはダイバイダイ用のマークを一定の位置に定める必
要がある。
他方、かかるアライメント用の装置を分離すると、各ア
ライメント系間のマツチングを行う必要が生ずる。
ライメント系間のマツチングを行う必要が生ずる。
(発明の目的)
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、アライ
メント精度の向上を図り、アライメント系間のマツチン
グを容易にとることができるとともに、マーク位置の選
択の自由度が高いアライメント装置を有する露光装置を
提供することをその目的とするものである。
メント精度の向上を図り、アライメント系間のマツチン
グを容易にとることができるとともに、マーク位置の選
択の自由度が高いアライメント装置を有する露光装置を
提供することをその目的とするものである。
(発明の概要)
(実施例)
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施例について
説明する。第1図には本発明の実施例の全体構成が示さ
れている。この図において、露光対象となるパターンが
形成されたレチクルRは、レチクルホルダ1に保持され
ており、このレチクルホルダ1はコラム2によって適宜
位置に支持されている。レチクルRにはアライメント用
のマークsx、sy、sθが各々設けられており、また
、レチクルホルダ1は駆動部3によりコラム2に対して
移動可能に構成されている。
説明する。第1図には本発明の実施例の全体構成が示さ
れている。この図において、露光対象となるパターンが
形成されたレチクルRは、レチクルホルダ1に保持され
ており、このレチクルホルダ1はコラム2によって適宜
位置に支持されている。レチクルRにはアライメント用
のマークsx、sy、sθが各々設けられており、また
、レチクルホルダ1は駆動部3によりコラム2に対して
移動可能に構成されている。
コラム2の下方には、両側又は片側テレセントリックな
投影レンズ4が配置されており、この投影レンズ4のレ
チクルRと共役となる光学位置にウェハWが配置されて
いる。
投影レンズ4が配置されており、この投影レンズ4のレ
チクルRと共役となる光学位置にウェハWが配置されて
いる。
このウェハWは、ガラスプレート5上に配置されており
、更にガラスプレート5は、θテーブル6によって支持
されている。このθテーブル6は、回転中心6aを中心
として微小回転可能に構成されており、この駆動はθテ
ーブル駆動部7によって行なわれ、回転角度はθ角度読
み取りエンコーダ8によって読み取られるようになって
いる。前述したガラスプレート5には、適宜位置に光路
長補正手段としてのガラスブロック5Aが設けられてお
り、その表面には、基準マークFMが形成されている。
、更にガラスプレート5は、θテーブル6によって支持
されている。このθテーブル6は、回転中心6aを中心
として微小回転可能に構成されており、この駆動はθテ
ーブル駆動部7によって行なわれ、回転角度はθ角度読
み取りエンコーダ8によって読み取られるようになって
いる。前述したガラスプレート5には、適宜位置に光路
長補正手段としてのガラスブロック5Aが設けられてお
り、その表面には、基準マークFMが形成されている。
この部分については後から詳述する。
θテーブル6は、Z方向すなわち上下方向に微動可能な
Zテーブル9上に配置されている。このZテーブル9の
移動は、Zテーブル駆動部11によりZ方向移動案内ロ
ーラ10の案内のもとに行なわれるようになっている。
Zテーブル9上に配置されている。このZテーブル9の
移動は、Zテーブル駆動部11によりZ方向移動案内ロ
ーラ10の案内のもとに行なわれるようになっている。
前述したZテーブル9は、Z方向移動案内ローラ10を
介してYステージ12上に配置されている。このYステ
ージ12は、図の紙面と垂直の方向に直進移動可能とな
っており、その駆動はXステージ駆動部13によって行
なわれるようになっている。
介してYステージ12上に配置されている。このYステ
ージ12は、図の紙面と垂直の方向に直進移動可能とな
っており、その駆動はXステージ駆動部13によって行
なわれるようになっている。
Yステージ12は、Xステージ14上に設けられている
。このXステージ14は、図の左右方向すなわちZ、Y
方向と各々直交する方向にXステージ駆動部15によっ
て移動可能に構成されている。このXステージ14は、
定盤ないしコラムベース16上に配置されている。
。このXステージ14は、図の左右方向すなわちZ、Y
方向と各々直交する方向にXステージ駆動部15によっ
て移動可能に構成されている。このXステージ14は、
定盤ないしコラムベース16上に配置されている。
このコラムベース16の上面略中央には、ガラスプレー
ト5との間に投影レンズの方向に向かって対物光学系1
7が固定して設けられている。この対物光学系17は、
ウェハWの裏面に形成されたマークを検出するためのも
のである。更に、この対物光学系17は、ウェハWがガ
ラスプレート5上にないとき、レチクルRのマークSθ
、5x1SYの各投影像も同時観察できるように、投影
レンズ4の光軸AXと同軸に配置されている。
ト5との間に投影レンズの方向に向かって対物光学系1
7が固定して設けられている。この対物光学系17は、
ウェハWの裏面に形成されたマークを検出するためのも
のである。更に、この対物光学系17は、ウェハWがガ
ラスプレート5上にないとき、レチクルRのマークSθ
、5x1SYの各投影像も同時観察できるように、投影
レンズ4の光軸AXと同軸に配置されている。
また、コラムベース16の底側には、対物光学系17の
視野領域に対応してアライメントセンサ部20θ、20
X(不図示)、20Yを含むアライメント系20が設け
られている。これらのアライメントセンサ部20θ、2
0X、20Yは、各々ウェハWの裏面に形成されたマー
ク、基準マークFM又はレチクルRのマークSθ、sX
、SYの投影像を光電検出し、これらのマークと所定の
検出中心とのずれを検出するためのものである。このア
ライメント系20は、定盤すなわちコラムベース16に
固定されているため、ステージの振動等による影響を受
は難い。このため、精度よくアライメントを行うことが
できる。
視野領域に対応してアライメントセンサ部20θ、20
X(不図示)、20Yを含むアライメント系20が設け
られている。これらのアライメントセンサ部20θ、2
0X、20Yは、各々ウェハWの裏面に形成されたマー
ク、基準マークFM又はレチクルRのマークSθ、sX
、SYの投影像を光電検出し、これらのマークと所定の
検出中心とのずれを検出するためのものである。このア
ライメント系20は、定盤すなわちコラムベース16に
固定されているため、ステージの振動等による影響を受
は難い。このため、精度よくアライメントを行うことが
できる。
次に、前述したZステージ9上の側部には移動鏡30が
設けられており、他方、投影レンズ4の鏡筒下部には固
定鏡31が固定されている。移動鏡30にはミラー32
及びビームスプリッタ33を介して干渉計34の光が入
射しており、固定鏡31にはビームスプリッタ33を介
して干渉計34の光が入射している。すなわちレーザ光
の発生源を含む干渉計34の光が移動鏡30及び固定鏡
31に各々入射しており、各々の反射光の干渉を利用し
てY、Xステージ12.14によりウェハWの座標値が
計測されるようになっている。
設けられており、他方、投影レンズ4の鏡筒下部には固
定鏡31が固定されている。移動鏡30にはミラー32
及びビームスプリッタ33を介して干渉計34の光が入
射しており、固定鏡31にはビームスプリッタ33を介
して干渉計34の光が入射している。すなわちレーザ光
の発生源を含む干渉計34の光が移動鏡30及び固定鏡
31に各々入射しており、各々の反射光の干渉を利用し
てY、Xステージ12.14によりウェハWの座標値が
計測されるようになっている。
また、前述したアライメントセンサ部20θ、20X、
20Yは、各々アライメント処理部40に接続されてい
る。このアライメント処理部40は、アライメントセン
サ部20θ、20X、20Yからのアライメント信号に
基づいてウェハWのθ、x、y方向の位置補正量を決定
するとともに、観察したマークやパターンのコントラス
トに基づいて焦点検出のための演算処理も行なう。
20Yは、各々アライメント処理部40に接続されてい
る。このアライメント処理部40は、アライメントセン
サ部20θ、20X、20Yからのアライメント信号に
基づいてウェハWのθ、x、y方向の位置補正量を決定
するとともに、観察したマークやパターンのコントラス
トに基づいて焦点検出のための演算処理も行なう。
さらに本実施例では露光時にウェハWの表面を投影レン
ズ4の結像面(レクチルRと共役な面)と一致させるた
めに使われる斜入射光式焦点検出装置が設けられる。こ
れは公知のように、スリット像等をウェハWの表面に斜
めに投影する投光部45と、このスリット像のウェハW
での反射光を定位置で受光する受光部46と、受光した
スリット像反射光を光電検出して、投影レンズ4の光軸
AXの方向に関するウェハWの位置に応じた焦点検出信
号を出力する焦点検出系47とで構成される。
ズ4の結像面(レクチルRと共役な面)と一致させるた
めに使われる斜入射光式焦点検出装置が設けられる。こ
れは公知のように、スリット像等をウェハWの表面に斜
めに投影する投光部45と、このスリット像のウェハW
での反射光を定位置で受光する受光部46と、受光した
スリット像反射光を光電検出して、投影レンズ4の光軸
AXの方向に関するウェハWの位置に応じた焦点検出信
号を出力する焦点検出系47とで構成される。
次に、上述した駆動部3、θテーブル駆動部7、角度読
取エンコーダ8、Zテーブル駆動部11、Yステージ駆
動部13、Xステージ駆動部15、干渉計34及びアラ
イメント処理部40はいずれも主制御装置50に接続さ
れている。この主制御装置50は、 (a) レチクルRのアライメントの際の駆動部3の
制御、 (b) ウェハWのグローバルアライメントの際のθ
テーブル駆動部7、角度読取エンコーダ8、Yステージ
駆動部13、Xステージ駆動部15、干渉計54による
制御、 (C)1回の露光ショット毎のアライメント(所謂ダイ
・パイ・ダイアライメント)の際のZテーブル駆動部1
1、Yステージ駆動部13、Xステージ駆動部15、干
渉計34、アライメント処理部40による制御、 (d) レチクルRとウェハWとの絶対的な焦点合わ
せやキャリブレーションの際のZテーブル駆動部ll、
斜入射焦点検出系47及びアライメント処理部40によ
る制御、 tどを統括するものである。
取エンコーダ8、Zテーブル駆動部11、Yステージ駆
動部13、Xステージ駆動部15、干渉計34及びアラ
イメント処理部40はいずれも主制御装置50に接続さ
れている。この主制御装置50は、 (a) レチクルRのアライメントの際の駆動部3の
制御、 (b) ウェハWのグローバルアライメントの際のθ
テーブル駆動部7、角度読取エンコーダ8、Yステージ
駆動部13、Xステージ駆動部15、干渉計54による
制御、 (C)1回の露光ショット毎のアライメント(所謂ダイ
・パイ・ダイアライメント)の際のZテーブル駆動部1
1、Yステージ駆動部13、Xステージ駆動部15、干
渉計34、アライメント処理部40による制御、 (d) レチクルRとウェハWとの絶対的な焦点合わ
せやキャリブレーションの際のZテーブル駆動部ll、
斜入射焦点検出系47及びアライメント処理部40によ
る制御、 tどを統括するものである。
第2図には、ウェハW上におけるレチクルR上のマーク
5xSsy、sθの投影像の一例が示されている。この
図において、内側の枠は小さなショットサイズSSを示
し、外側の枠は大きなショットサイズLSを表わす。な
お、ショットサイズは、露光すべき1つのパターンのサ
イズである。いずれもショット中心ないしレチクル中心
SCを合わせて表されている。
5xSsy、sθの投影像の一例が示されている。この
図において、内側の枠は小さなショットサイズSSを示
し、外側の枠は大きなショットサイズLSを表わす。な
お、ショットサイズは、露光すべき1つのパターンのサ
イズである。いずれもショット中心ないしレチクル中心
SCを合わせて表されている。
マーク像sxs、sys、sθSは、ショットサイズS
SにおけるレチクルRのマークSX、5YSSθの投影
像であり、マーク像SXL、SYL、SθLは、ショッ
トサイズLSにおけるレチクルRのマーク5xSsy、
sθの投影像である。
SにおけるレチクルRのマークSX、5YSSθの投影
像であり、マーク像SXL、SYL、SθLは、ショッ
トサイズLSにおけるレチクルRのマーク5xSsy、
sθの投影像である。
この図におけるx、y座標は、ウェハステージ上におけ
る走り座標である。
る走り座標である。
次に第3図を参照しながら、第1図し示したガラスプレ
ート5のガラスブロック5Aと基準マークFM(フィデ
ューシャルマーク)について説明する。
ート5のガラスブロック5Aと基準マークFM(フィデ
ューシャルマーク)について説明する。
ガラスブロック5Aは、ガラスプレート5に設けられる
がその位置は、ウェハ載置面以外のところであり、この
ガラスブロック5Aの表面高さは、ガラスプレート5上
に配置されたウェハWの表面ないし露光面の高さにほぼ
一致している。基準マークFMは、かかるガラスブロッ
ク5A上にクロム等の材料で形成されている。
がその位置は、ウェハ載置面以外のところであり、この
ガラスブロック5Aの表面高さは、ガラスプレート5上
に配置されたウェハWの表面ないし露光面の高さにほぼ
一致している。基準マークFMは、かかるガラスブロッ
ク5A上にクロム等の材料で形成されている。
第3図において、ガラスブロック5Aは円形の平面を有
しており、第2図に示したウェハWの走り座標x、yに
対応して1組の基準マークFMx、FMV及びフォーカ
スチェック用の格子状パターンFCx、FCyが各々形
成されている。基準マークFMxは、y方向に延びた平
行な2本の線から成っており、基準マークFMyは、X
方向に延びた平行な2本の線から成っている。
しており、第2図に示したウェハWの走り座標x、yに
対応して1組の基準マークFMx、FMV及びフォーカ
スチェック用の格子状パターンFCx、FCyが各々形
成されている。基準マークFMxは、y方向に延びた平
行な2本の線から成っており、基準マークFMyは、X
方向に延びた平行な2本の線から成っている。
尚、ガラスブロック5Aは、本実施例の斜入射焦点合わ
す装置が組み込まれている場合は、ガラスプレート5を
上下動できるため、投影レンズ4の結像面と正確に一致
させることができる。
す装置が組み込まれている場合は、ガラスプレート5を
上下動できるため、投影レンズ4の結像面と正確に一致
させることができる。
次に、第4図を参照しながら、アライメントセンサ部2
0X、20Y、20θの構成について詳細に説明する。
0X、20Y、20θの構成について詳細に説明する。
なおいずれも同様の構成であるので、アライメントセン
サ部20Y、20θを代表して説明する。
サ部20Y、20θを代表して説明する。
対物光学系17の結像面FP、は、第1図に示すように
、ウェハWの裏面と一致しており、この結像面FPo
(又はこれと共役な位置)の物体P1、P2は対物光
学系17を介することにより像面FP、上に像Pl゛、
P2“として結像する。
、ウェハWの裏面と一致しており、この結像面FPo
(又はこれと共役な位置)の物体P1、P2は対物光
学系17を介することにより像面FP、上に像Pl゛、
P2“として結像する。
物体PI、Pgとしては、ウェハWの裏面に形成された
マーク、基準マークFMx、FMy、FCx、FCyあ
るいは第2図に示したマークSYL、SYS、SθL、
SθSが各々対応する。これらの像P1°、p、lは、
光源205a、205bからの光(例えば露光光と同一
波長)によって形成される。
マーク、基準マークFMx、FMy、FCx、FCyあ
るいは第2図に示したマークSYL、SYS、SθL、
SθSが各々対応する。これらの像P1°、p、lは、
光源205a、205bからの光(例えば露光光と同一
波長)によって形成される。
光源205a、205bからの光は、シャッタ204a
、204bを介してレンズ系203aに入射する。そし
て更に、ハーフミラ−202a及び第1対物レンズ20
1 a (20l b)を通過した後、ミラー200
a (200b)によって光軸がテレセントリックな対
物光学系17の方向に曲折されるようになっている。曲
折された光は、対物光学系17を透過後、結像面F P
oにある物体P1、P2によって反射され、再び対物
光学系17を透過後、ミラー200 a (200b)
に入射する。そしてミラー200 a (200b)
により光軸が曲折されて第1対物レンズ201a(20
1b)を通過し、ハーフミラ−202aにより反射され
る。反射された光は、合焦用に矢印AY方向に可動なレ
ンズ206aにより窓APY (APθ)を有するアパ
ーチャプレート207a (207b)上に結像し、
再び結像レンズ208aによってリレーされて、テレビ
カメラ209a(209b)の撮像面に結像するように
なっている。
、204bを介してレンズ系203aに入射する。そし
て更に、ハーフミラ−202a及び第1対物レンズ20
1 a (20l b)を通過した後、ミラー200
a (200b)によって光軸がテレセントリックな対
物光学系17の方向に曲折されるようになっている。曲
折された光は、対物光学系17を透過後、結像面F P
oにある物体P1、P2によって反射され、再び対物
光学系17を透過後、ミラー200 a (200b)
に入射する。そしてミラー200 a (200b)
により光軸が曲折されて第1対物レンズ201a(20
1b)を通過し、ハーフミラ−202aにより反射され
る。反射された光は、合焦用に矢印AY方向に可動なレ
ンズ206aにより窓APY (APθ)を有するアパ
ーチャプレート207a (207b)上に結像し、
再び結像レンズ208aによってリレーされて、テレビ
カメラ209a(209b)の撮像面に結像するように
なっている。
これらのうち、ミラー200 a (200b)と第
1対物レンズ201 a (20l b)とは、全体が
一体として像面FP、に沿った方向にアライメント時を
除いて移動可能となっている。これは、第2図に示した
ショットサイズLS、SSの変更に伴って行なわれる操
作である。また、アパーチャプレート207a (2
07b)の窓APY (APθ)は、アライメントセン
サ部20Y(20θ)の検出中心を規定するものである
。この窓APY(APθ)の位置と、物体P2 (PI
)の位置と、像P2”(p、’)の位置はいずれも共役
となっており、また、窓APY (APθ)とテレビカ
メラ209 a (209b)の受光面の位置も共役
となっている。
1対物レンズ201 a (20l b)とは、全体が
一体として像面FP、に沿った方向にアライメント時を
除いて移動可能となっている。これは、第2図に示した
ショットサイズLS、SSの変更に伴って行なわれる操
作である。また、アパーチャプレート207a (2
07b)の窓APY (APθ)は、アライメントセン
サ部20Y(20θ)の検出中心を規定するものである
。この窓APY(APθ)の位置と、物体P2 (PI
)の位置と、像P2”(p、’)の位置はいずれも共役
となっており、また、窓APY (APθ)とテレビカ
メラ209 a (209b)の受光面の位置も共役
となっている。
以上の各部により、アライメントセンサ部20Y、20
θが構成されている。アライメントセンサ部20Xにつ
いても同様である。
θが構成されている。アライメントセンサ部20Xにつ
いても同様である。
また上記アライメントセンサ部20Y、20Xの夫々は
レチクルRに設けられたパターン、基準パターンFCx
、FCy等を検出して、それらパターンのコンストラス
トに基づいて、レチクルRの正確な結像面(絶対的な結
像面)FP、をチェックするためにも使われる。さらに
ウェハWの裏面に形成されたマークパターンを検出する
アライメントに際して、極力ボケないようにアライメン
ト信号(画像信号)を取り込むようにする。このため本
実施例ではこれらアライメントセンサ部20Y、20X
が本発明の第2の位置検出手段に相当する。
レチクルRに設けられたパターン、基準パターンFCx
、FCy等を検出して、それらパターンのコンストラス
トに基づいて、レチクルRの正確な結像面(絶対的な結
像面)FP、をチェックするためにも使われる。さらに
ウェハWの裏面に形成されたマークパターンを検出する
アライメントに際して、極力ボケないようにアライメン
ト信号(画像信号)を取り込むようにする。このため本
実施例ではこれらアライメントセンサ部20Y、20X
が本発明の第2の位置検出手段に相当する。
次に第5図を参照しながら、第4図において説明した結
像面FP0におけるマークの配置例について説明する。
像面FP0におけるマークの配置例について説明する。
この図は、ウェハWをガラスプレート5上から除いたレ
チクルR上のショットサイズLSのマークSX、SY、
Sθを投影したものである。
チクルR上のショットサイズLSのマークSX、SY、
Sθを投影したものである。
第5図において、ウェハステージの走り座標に対応する
xy座標系の中心は、対物光学系17の光軸AXと一致
している。すなわち、xy座標系に対して対物光学系1
7は固定されており、ガラスプレート5あるいはウェハ
Wの移動があってもそれとともに原点が移動するもので
はない。
xy座標系の中心は、対物光学系17の光軸AXと一致
している。すなわち、xy座標系に対して対物光学系1
7は固定されており、ガラスプレート5あるいはウェハ
Wの移動があってもそれとともに原点が移動するもので
はない。
対物光学系I7の視野であるイメージフィールドIF内
には、第2図において説明したように、レチクルRのマ
ークsx、sy、sθに対応する像SXL、5YLSS
θLがあり、アライメントが良好に行なわれている場合
には、これらの像SXL、SYL、SθLがアライメン
トセンサ部20X、20Y、20θの検出窓APX、A
PY。
には、第2図において説明したように、レチクルRのマ
ークsx、sy、sθに対応する像SXL、5YLSS
θLがあり、アライメントが良好に行なわれている場合
には、これらの像SXL、SYL、SθLがアライメン
トセンサ部20X、20Y、20θの検出窓APX、A
PY。
APθの各々の中心にくる。そしてステージ12.14
等を移動させると、基準マークのうちシヨ・7トサイズ
LSに対応する基準マークFMx、FMyの一部も各々
像SXL、SYLを中心に挟むように配置することがで
きる。またレチクルRの各マークsy、sθ、SXの近
傍には、フォーカスチェック用の格子状パターンRFC
が形成され、これも窓APXSAPY、APθの各々の
内側で同時に観察される。
等を移動させると、基準マークのうちシヨ・7トサイズ
LSに対応する基準マークFMx、FMyの一部も各々
像SXL、SYLを中心に挟むように配置することがで
きる。またレチクルRの各マークsy、sθ、SXの近
傍には、フォーカスチェック用の格子状パターンRFC
が形成され、これも窓APXSAPY、APθの各々の
内側で同時に観察される。
さらに本実施例では、第6図(a)に示すようにウェハ
Wの裏面には表面の各ショット61域Eに対応して、放
射方向に伸びた直線状のアライメントマークwx、wy
、wθが予め形成される。これらマークwx、、wy、
wθは第5図に示したレチクルR上のマークSX、SY
、Sθの投影像SXL、SYL、SaLの配置と一致す
るように設けられる。そしてこれらマークwxSwy、
wθの夫々に付随して、ウェハWのショット領域Eに対
するフォーカスチェック用の格子状パターンWFcも形
成され、これらパターンWF、cもアライメントセンサ
部20X、20Y、20θの各検出窓APX、APY、
APθ内で観察される。
Wの裏面には表面の各ショット61域Eに対応して、放
射方向に伸びた直線状のアライメントマークwx、wy
、wθが予め形成される。これらマークwx、、wy、
wθは第5図に示したレチクルR上のマークSX、SY
、Sθの投影像SXL、SYL、SaLの配置と一致す
るように設けられる。そしてこれらマークwxSwy、
wθの夫々に付随して、ウェハWのショット領域Eに対
するフォーカスチェック用の格子状パターンWFcも形
成され、これらパターンWF、cもアライメントセンサ
部20X、20Y、20θの各検出窓APX、APY、
APθ内で観察される。
次に第7図のフローチャート図を参照して本実施例の動
作について説明する。尚、本実施例においては、第6図
(b)に示したようにウェハWの裏面には予め各ショッ
ト領域Eに対応してアライメントマークwx、wy、w
θとフォーカスチェック用のパターンWFcが形成され
ているものとする。また第7図のフローチャート図は主
に斜入射焦点検出系の絶対値キャリブレーションの動作
を示している。
作について説明する。尚、本実施例においては、第6図
(b)に示したようにウェハWの裏面には予め各ショッ
ト領域Eに対応してアライメントマークwx、wy、w
θとフォーカスチェック用のパターンWFcが形成され
ているものとする。また第7図のフローチャート図は主
に斜入射焦点検出系の絶対値キャリブレーションの動作
を示している。
まずレチクルRは所定位置にセットされ、ウェハWがス
テージ上にない状態で、対物光学系17、アライメント
系20により第5図に示したように位置決めされる。次
にガラスプレート5のガラスブロック5Aが投影レンズ
4の視野内に移動され、フォーカスチェック用の基準パ
ターンFCX、Fcyが対物光学系17を介してアライ
メント系20で観察できるように位置決めされる(ステ
ージ100)。そしてレチクルRに設けられたフォーカ
スチェック用の基準パターンRFcと基準パターンFC
xSFCyとが検出窓APY、APX内で互いに重畳し
て位置しないようにウェハステージ12.14によって
位置決めする(ステップ101)。このときの状態は第
8図に示すようになる。第8図はy方向用のアライメン
トマークSY、基準マークFMyの配置についてのみ示
すが、マークSYに付随したパターンRFc、基準パタ
ーンFCyの配置についても同様である。ここでまずレ
チクルR上のパターンRFcを撮像するテレビカメラ2
09aからの画像信号に基づいて、パターンRFcの投
影レンズ4による投影像が最もコントラスト良くなるよ
うにレンズ系206aを光軸方向に移動させる。そのよ
うなパターンRFc (格子状)からコントラストに基
づいてアライメント系自体の合焦動作を行なうことは、
例えば特開昭60−101540号公報に開示されてい
る通りである。ところでこの際、レチクルRのパターン
RFcを照明しなければならないが、その方法は2通り
ある。1つは第4図中のシャッター2043を開いて光
源(レーザ光源、又はオプチカルファイバー)205a
を利用する系であり、もう1つは第8図に矢印で示した
ようにレチクルRの全面又はマーク部のみを照明する露
光光LBを利用する系である。光源205aを利用する
場合は、パターンRFc、基準パターンFCyの夫々か
らの反射光をテレビカメラ209aで受光することにな
り、露光光LBを利用する場合はパターンRFC%基準
パターンFCyの夫々からの透過光を受光することにな
る。このようなコントラストによる焦点検出では、検出
精度やS/N比の点で透過照明を利用することが望まし
い。以上のようにしてレンズ系206aによるパターン
RFCとテレビカメラ209a (すなわち窓APY
)との合焦動作が完了したら、基準パターンFCyにつ
いても同様にフォーカスチェックを行なう(ステップ1
02)。基準パターンFCyはZステージ9により光軸
AXに沿って上下動するので、駆動部11を作動させて
、基準パターンFCyのコントラストが最大になるよう
にZステージ9の高さ位置を調整する。
テージ上にない状態で、対物光学系17、アライメント
系20により第5図に示したように位置決めされる。次
にガラスプレート5のガラスブロック5Aが投影レンズ
4の視野内に移動され、フォーカスチェック用の基準パ
ターンFCX、Fcyが対物光学系17を介してアライ
メント系20で観察できるように位置決めされる(ステ
ージ100)。そしてレチクルRに設けられたフォーカ
スチェック用の基準パターンRFcと基準パターンFC
xSFCyとが検出窓APY、APX内で互いに重畳し
て位置しないようにウェハステージ12.14によって
位置決めする(ステップ101)。このときの状態は第
8図に示すようになる。第8図はy方向用のアライメン
トマークSY、基準マークFMyの配置についてのみ示
すが、マークSYに付随したパターンRFc、基準パタ
ーンFCyの配置についても同様である。ここでまずレ
チクルR上のパターンRFcを撮像するテレビカメラ2
09aからの画像信号に基づいて、パターンRFcの投
影レンズ4による投影像が最もコントラスト良くなるよ
うにレンズ系206aを光軸方向に移動させる。そのよ
うなパターンRFc (格子状)からコントラストに基
づいてアライメント系自体の合焦動作を行なうことは、
例えば特開昭60−101540号公報に開示されてい
る通りである。ところでこの際、レチクルRのパターン
RFcを照明しなければならないが、その方法は2通り
ある。1つは第4図中のシャッター2043を開いて光
源(レーザ光源、又はオプチカルファイバー)205a
を利用する系であり、もう1つは第8図に矢印で示した
ようにレチクルRの全面又はマーク部のみを照明する露
光光LBを利用する系である。光源205aを利用する
場合は、パターンRFc、基準パターンFCyの夫々か
らの反射光をテレビカメラ209aで受光することにな
り、露光光LBを利用する場合はパターンRFC%基準
パターンFCyの夫々からの透過光を受光することにな
る。このようなコントラストによる焦点検出では、検出
精度やS/N比の点で透過照明を利用することが望まし
い。以上のようにしてレンズ系206aによるパターン
RFCとテレビカメラ209a (すなわち窓APY
)との合焦動作が完了したら、基準パターンFCyにつ
いても同様にフォーカスチェックを行なう(ステップ1
02)。基準パターンFCyはZステージ9により光軸
AXに沿って上下動するので、駆動部11を作動させて
、基準パターンFCyのコントラストが最大になるよう
にZステージ9の高さ位置を調整する。
以上により、レチクルRのパターン結像面(Fpo)は
、精密に基準パターンFCyの存在するガラスブロック
5Aの表面と一致することになり、絶対的な焦点合わせ
が完了する。さてその状態でガラスブロック5Aの表面
には斜入射焦点検出系(投光部45、受光部46等)か
らのスリット像が斜めに投影されているため、ブロック
5Aの表面(基準パターン面)の高さ位置は焦点検出部
47で同時に検出されることになる(ステップ103)
。そこでそのときの基準パターン面の位置を検出部47
で検出し、その位置をオフセyトWkとして記憶する(
ステップ104)。斜入射焦点検出系はウェハWの表面
又はブロック5Aの表面の高さ位置のみしか検出できず
、この焦点検出系で合焦と判断されたとしても、それが
正確に投影レンズ4の結像面と一致しているか否かは十
分に保証されていない。従って、もしオフセント量が零
であるならば、結像面と合焦検出位置とは一致している
ことになる。
、精密に基準パターンFCyの存在するガラスブロック
5Aの表面と一致することになり、絶対的な焦点合わせ
が完了する。さてその状態でガラスブロック5Aの表面
には斜入射焦点検出系(投光部45、受光部46等)か
らのスリット像が斜めに投影されているため、ブロック
5Aの表面(基準パターン面)の高さ位置は焦点検出部
47で同時に検出されることになる(ステップ103)
。そこでそのときの基準パターン面の位置を検出部47
で検出し、その位置をオフセyトWkとして記憶する(
ステップ104)。斜入射焦点検出系はウェハWの表面
又はブロック5Aの表面の高さ位置のみしか検出できず
、この焦点検出系で合焦と判断されたとしても、それが
正確に投影レンズ4の結像面と一致しているか否かは十
分に保証されていない。従って、もしオフセント量が零
であるならば、結像面と合焦検出位置とは一致している
ことになる。
以上の動作により斜入射焦点検出系のキャリブレーショ
ンが終了するが、検出されたオフセント量が過度に大き
い場合は、斜入射焦点検出系のスリット像送光路又は受
光路中に設けられた平行平面ガラスの角度を調整して合
焦検出位置を光軸AXに沿って補正し、再度ステップ1
03.104を実行すればよい。また平行平面ガラスの
角度設定精度が十分にあるならば、この平行平面ガラス
の角度の調整により、ステップ102が完了した状態で
基準パターン面が合焦として判断されるように補正して
しまってもよい。
ンが終了するが、検出されたオフセント量が過度に大き
い場合は、斜入射焦点検出系のスリット像送光路又は受
光路中に設けられた平行平面ガラスの角度を調整して合
焦検出位置を光軸AXに沿って補正し、再度ステップ1
03.104を実行すればよい。また平行平面ガラスの
角度設定精度が十分にあるならば、この平行平面ガラス
の角度の調整により、ステップ102が完了した状態で
基準パターン面が合焦として判断されるように補正して
しまってもよい。
次に実際のステップアンドリピート方式による露光動作
時には、−例として次のステップ105〜109のよう
なシーケンスをとることができる。
時には、−例として次のステップ105〜109のよう
なシーケンスをとることができる。
まずウェハWを保持したX、Yステージ12.14を設
計値に基づいてステッピングさせ、レチクルRの回路パ
ターン領域とウェハW表面のショト領域とを位置合わせ
する(ステップ105)。この際、ウェハWのグローバ
ルアライメントが完了しているものとすれば、そのステ
ッピングのみによる位置合わせは1μm以内で達成され
る。このためアライメントセンサ部20X、20Y、2
0θの各検出窓APX、APY、APθのそれぞれには
、ウェハW裏面に形成されたマークWX、WYSWθの
像が形成される。このときマークWX、WY、Wθに対
する照明は、光源205a、205bによって行なうの
で、シャッター204a。
計値に基づいてステッピングさせ、レチクルRの回路パ
ターン領域とウェハW表面のショト領域とを位置合わせ
する(ステップ105)。この際、ウェハWのグローバ
ルアライメントが完了しているものとすれば、そのステ
ッピングのみによる位置合わせは1μm以内で達成され
る。このためアライメントセンサ部20X、20Y、2
0θの各検出窓APX、APY、APθのそれぞれには
、ウェハW裏面に形成されたマークWX、WYSWθの
像が形成される。このときマークWX、WY、Wθに対
する照明は、光源205a、205bによって行なうの
で、シャッター204a。
204bが開放される。この状態は第9図に示すように
なり、対物光学系17はガラスプレート5を介してマー
クWYのみを観察しているように示したが、対物光学系
17自体はマークwy、wx、Wθを同時に像面FP、
に結像する。もちろん、マークwy、wx%Wθに付随
したフーカスチェソク用のパターンWFcの像も各検出
窓APX。
なり、対物光学系17はガラスプレート5を介してマー
クWYのみを観察しているように示したが、対物光学系
17自体はマークwy、wx、Wθを同時に像面FP、
に結像する。もちろん、マークwy、wx%Wθに付随
したフーカスチェソク用のパターンWFcの像も各検出
窓APX。
APY、APθ内に形成される。また第8図のようにガ
ラスブロック5Aの表面と像面FP、とを共役にした状
態で、ガラスプレート5を水平に移動させて第9図のよ
うにした場合、像面FP、と共役な面はガラスプレート
5の表面、すなわちウェハWの裏面になるように定めら
れている。
ラスブロック5Aの表面と像面FP、とを共役にした状
態で、ガラスプレート5を水平に移動させて第9図のよ
うにした場合、像面FP、と共役な面はガラスプレート
5の表面、すなわちウェハWの裏面になるように定めら
れている。
さて、第9図のような状態でアライメントマークの検出
を行なうに先立って、パターンWFcを検出しているウ
ェハW裏面とテレビカメラ209a(209b)の盪像
面との合焦状態をチェックする(ステップ106)。こ
こでもパターンWFCが明暗のコントラスト像として最
も良好に観察されるようにレンズ系206a (20
6b) を位1[1整する。パターンWFcに対する合
焦動作が完了したら、各マークwx、wySwθと、窓
APX、APY、APθとの位置ずれ量を画像信号に基
づいて求め、そのずれ量が零になるようにX、Yステー
ジ12.14の位置を微動させる(ステップ107)。
を行なうに先立って、パターンWFcを検出しているウ
ェハW裏面とテレビカメラ209a(209b)の盪像
面との合焦状態をチェックする(ステップ106)。こ
こでもパターンWFCが明暗のコントラスト像として最
も良好に観察されるようにレンズ系206a (20
6b) を位1[1整する。パターンWFcに対する合
焦動作が完了したら、各マークwx、wySwθと、窓
APX、APY、APθとの位置ずれ量を画像信号に基
づいて求め、そのずれ量が零になるようにX、Yステー
ジ12.14の位置を微動させる(ステップ107)。
そして斜入射焦点検出系によりウェハ表面の高さ位置を
検出し、記憶したオフセット量(零値も含む)分だけ2
ステージ9の高さ位置を補正して、レチクルRの回路パ
ターン像をウェハWの表面に合焦させる(ステップ10
6)。これによりウェハW上の1つのショット右頁域E
に対する露光が行なわれ(ステップ108)、ウェハW
上の全面についての露光が終了していなければ、ステッ
プ109での判断により先のステップ105から同様の
動作が繰り返される。
検出し、記憶したオフセット量(零値も含む)分だけ2
ステージ9の高さ位置を補正して、レチクルRの回路パ
ターン像をウェハWの表面に合焦させる(ステップ10
6)。これによりウェハW上の1つのショット右頁域E
に対する露光が行なわれ(ステップ108)、ウェハW
上の全面についての露光が終了していなければ、ステッ
プ109での判断により先のステップ105から同様の
動作が繰り返される。
以上、第7図に示したシーケンスでは各ショット領域毎
に露光直前にマーク位置の検出動作が行なわれたが、ウ
ェハWの裏面のいくつかのマークのみを予め検出して、
ウェハW表面のショット配列を推定して、ステッピング
時のショットアドレス設計値に補正を加えておくように
してもよい。
に露光直前にマーク位置の検出動作が行なわれたが、ウ
ェハWの裏面のいくつかのマークのみを予め検出して、
ウェハW表面のショット配列を推定して、ステッピング
時のショットアドレス設計値に補正を加えておくように
してもよい。
この方法によれば各ショット領域への露光時にはアライ
メントマークの検出動作が不要となるので、スルーブツ
トの点で有利である。
メントマークの検出動作が不要となるので、スルーブツ
トの点で有利である。
次に本発明の他の実施例による焦点合わせシーケンスに
ついて第10図、第11図を参照して説明する。第10
図に示すように例えばウェハWとガラスプレート5との
間に微小なゴミ(例えば1〜5μm程度)PTがはさま
ると、ウェハWはブレート5に対して反ったものとなる
。この場合でも先の実施例によればアライメント時にア
ライメント系20の合焦動作によりレンズ系206aが
調整されるので、マークWYの像は窓APY中に合焦し
て形成される。すなわちマークWYの共役像面はFP、
からFP、’に変化し、像面FP、°中の点P2゛にマ
ークWYの像が形成される。しかしながら、本実施例の
アライメント系20の焦点検出方式は格子状パターンW
F cのコントラスト変化をみるものであるため、そ
の合焦検出動作に時間がかかるといった問題もある。特
に第10図のようにゴミPTがはさまると、その近傍で
は大きなデフォーカス状態におちいり、合焦動作にも時
間を要することになる。
ついて第10図、第11図を参照して説明する。第10
図に示すように例えばウェハWとガラスプレート5との
間に微小なゴミ(例えば1〜5μm程度)PTがはさま
ると、ウェハWはブレート5に対して反ったものとなる
。この場合でも先の実施例によればアライメント時にア
ライメント系20の合焦動作によりレンズ系206aが
調整されるので、マークWYの像は窓APY中に合焦し
て形成される。すなわちマークWYの共役像面はFP、
からFP、’に変化し、像面FP、°中の点P2゛にマ
ークWYの像が形成される。しかしながら、本実施例の
アライメント系20の焦点検出方式は格子状パターンW
F cのコントラスト変化をみるものであるため、そ
の合焦検出動作に時間がかかるといった問題もある。特
に第10図のようにゴミPTがはさまると、その近傍で
は大きなデフォーカス状態におちいり、合焦動作にも時
間を要することになる。
そこで本実施例では、斜入射焦点検出系による合焦動作
時の調整量に基づいて、アライメント系20のレンズ系
206を調整するようにした。このようにすると、ウェ
ハWの大きなそりやうねりに対しても高速な合焦動作が
可能となる。
時の調整量に基づいて、アライメント系20のレンズ系
206を調整するようにした。このようにすると、ウェ
ハWの大きなそりやうねりに対しても高速な合焦動作が
可能となる。
まず第1O図に示すようにZステージ9を上下動させる
駆動部11から、Zステージ9(ガラスプレート5)の
移動量を検出してモータ151を作動させるための制御
部150を設ける。モータ151はレンズ系206aを
矢印AY方向に移動させるものである。この装置による
動作は第11図のフローチャート図に示されるように実
行される。まずガラスブロック5Aを用いて斜入射焦点
検出系をキャリブレーションした後(第7図のステップ
104完了時)に、制御部150はZステージ9の高さ
位置をイニシャル値として記憶する(ステップ160)
。そして実際のアライメント時(又は露光時)には、斜
入射焦点検出系からのスリット像投影光LFをウェハW
の表面に照射し、その反射光LF’を光電検出し、第1
図の焦点検出部47により合焦と判断されるまでZステ
ージ9を移動させ、制御部150は移動完了時のZステ
ージ9の高さ位置を読み取り、イニシャル値からの移動
量ΔZを記憶する。第1θ図では面pw、において焦点
検出部47は合焦と判断するが、もしゴミPTがなくウ
ェハWの表面がプレート5と密着していれば面PWzに
おいて合焦と判断される・。すなわちゴミPTによるそ
りによって面PW、と面PWIとの差ΔZだけイニシャ
ル値からずれて合焦と検出されることになる。
駆動部11から、Zステージ9(ガラスプレート5)の
移動量を検出してモータ151を作動させるための制御
部150を設ける。モータ151はレンズ系206aを
矢印AY方向に移動させるものである。この装置による
動作は第11図のフローチャート図に示されるように実
行される。まずガラスブロック5Aを用いて斜入射焦点
検出系をキャリブレーションした後(第7図のステップ
104完了時)に、制御部150はZステージ9の高さ
位置をイニシャル値として記憶する(ステップ160)
。そして実際のアライメント時(又は露光時)には、斜
入射焦点検出系からのスリット像投影光LFをウェハW
の表面に照射し、その反射光LF’を光電検出し、第1
図の焦点検出部47により合焦と判断されるまでZステ
ージ9を移動させ、制御部150は移動完了時のZステ
ージ9の高さ位置を読み取り、イニシャル値からの移動
量ΔZを記憶する。第1θ図では面pw、において焦点
検出部47は合焦と判断するが、もしゴミPTがなくウ
ェハWの表面がプレート5と密着していれば面PWzに
おいて合焦と判断される・。すなわちゴミPTによるそ
りによって面PW、と面PWIとの差ΔZだけイニシャ
ル値からずれて合焦と検出されることになる。
次にΔZが予め定められた許容量DCよりも大きいか否
かが判断され(ステップ162)、大きい場合はΔZが
窓APY側で補正されるようにレンズ系206aをモー
タ151で移動させる(ステップ163)。
かが判断され(ステップ162)、大きい場合はΔZが
窓APY側で補正されるようにレンズ系206aをモー
タ151で移動させる(ステップ163)。
上記許容量DGは、例えばアライメント系20のテレビ
カメラ上で許容されるパターンのボケ量や、ウェハWの
厚みムラ(テーパ)の量等に応じて決定される。
カメラ上で許容されるパターンのボケ量や、ウェハWの
厚みムラ(テーパ)の量等に応じて決定される。
次に、アライメント系20の画像信号に基づいて、さら
に精密なフォーカスチェックが行なわれる(ステップ1
64)。ただし、このステップ164は省略してもよい
。
に精密なフォーカスチェックが行なわれる(ステップ1
64)。ただし、このステップ164は省略してもよい
。
本実施例によれば、露光されるべきウェハW表面に対す
る合焦動作により調整されたZステージ9の移動量に応
じて、ウェハWの裏面を観察するアライメント系20の
焦点調整を自動的に行なうようにしたので、アライメン
ト系20による画像信号に基づいて焦点検出を行なうこ
とが省略可能となり、極めて高速な焦点合わせ、アライ
メントが達成できる。尚、ステップ160のイニシャル
セットの動作は、例えばウェハWの中心部において斜入
射焦点検出系で合焦となるようにZステージ9を位置決
めし、パターンWFcによるコントラスト検出が最良と
なるようにレンズ系206aを調整した状態で、Zステ
ージ9の高さ位置をイニシャル値として記憶してもよい
。
る合焦動作により調整されたZステージ9の移動量に応
じて、ウェハWの裏面を観察するアライメント系20の
焦点調整を自動的に行なうようにしたので、アライメン
ト系20による画像信号に基づいて焦点検出を行なうこ
とが省略可能となり、極めて高速な焦点合わせ、アライ
メントが達成できる。尚、ステップ160のイニシャル
セットの動作は、例えばウェハWの中心部において斜入
射焦点検出系で合焦となるようにZステージ9を位置決
めし、パターンWFcによるコントラスト検出が最良と
なるようにレンズ系206aを調整した状態で、Zステ
ージ9の高さ位置をイニシャル値として記憶してもよい
。
(発明の効果)
以上本発明によれば感光基板の表面に対する焦点検出系
と、感光基板の裏面に対する焦点調整系とを有し、相互
にキャリブレーションが行なわれるので、感光基板の裏
面にアライメント用のマークを形成した場合でも、常に
正確なマーク検出ができ、アライメント精度を低下させ
ることがないといった効果が得られる。
と、感光基板の裏面に対する焦点調整系とを有し、相互
にキャリブレーションが行なわれるので、感光基板の裏
面にアライメント用のマークを形成した場合でも、常に
正確なマーク検出ができ、アライメント精度を低下させ
ることがないといった効果が得られる。
第1図は本発明の実施例による投影露光装置の構成を示
す図、第2図はレチクル上の各パターンの投影位置の配
置を示す平面図、第3図はガラスブロック5A上の基準
マーク、基準パターンの配置を示す平面図、第4図はア
ライメントセンサ部の構成を示す図、第5図は対物光学
系の像面で観察されるレチクルの各パターンの配置を示
す図、第6図はウェハ裏面のアライメントマークの配置
と、その拡大した配置とを示す図、第7図は第1の実施
例によるキャリブレーション動作を説明するフローチャ
ート図、第8図はキャリブレーション時の様子を示す図
、第9図はアライメント時の様子を示す図、第10図は
第2の実施例による構成を示す図、第11図は第2の実
施例による焦点合わせの動作を説明するフローチャート
図である。 (主要部分の符号の説明) R・・・レチクル、 W・・・ウェハ、4・・
・投影レンズ、 5・・・ガラスプレート、5A
・・・ガラスブロック、9・・・Zステージ、17・・
・対物光学系、 20・・・アライメント系、45.4
6.47・・・斜入射焦点検出系、206a・・・合焦
用のレンズ系、 209a、b・・・テレビカメラ。
す図、第2図はレチクル上の各パターンの投影位置の配
置を示す平面図、第3図はガラスブロック5A上の基準
マーク、基準パターンの配置を示す平面図、第4図はア
ライメントセンサ部の構成を示す図、第5図は対物光学
系の像面で観察されるレチクルの各パターンの配置を示
す図、第6図はウェハ裏面のアライメントマークの配置
と、その拡大した配置とを示す図、第7図は第1の実施
例によるキャリブレーション動作を説明するフローチャ
ート図、第8図はキャリブレーション時の様子を示す図
、第9図はアライメント時の様子を示す図、第10図は
第2の実施例による構成を示す図、第11図は第2の実
施例による焦点合わせの動作を説明するフローチャート
図である。 (主要部分の符号の説明) R・・・レチクル、 W・・・ウェハ、4・・
・投影レンズ、 5・・・ガラスプレート、5A
・・・ガラスブロック、9・・・Zステージ、17・・
・対物光学系、 20・・・アライメント系、45.4
6.47・・・斜入射焦点検出系、206a・・・合焦
用のレンズ系、 209a、b・・・テレビカメラ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 所定のパターンを有するマスクを照明し、該パターンの
像を投影光学系を介して感光基板の表面に投影露光する
装置において、 前記感光基板の裏面には予め位置合わせ用のマークが形
成され、該マークが形成された裏面を保持するように前
記感光基板を載置する透明な保持手段と;前記投影光学
系の光軸方向に関して前記感光基板の表面位置を検出す
る第1の位置検出手段と;前記感光基板の裏面に形成さ
れたマークを前記透明な保持手段を介して検出し、前記
投影光学系の光軸方向に関して前記感光基板の裏面位置
を検出する第2の位置検出手段と;前記第1位置検出手
段と第2位置検出手段とを対応付けるために、前記保持
手段の透明部に形成された基準パターン部材とを備えた
ことを特徴とする投影露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62058657A JPS63224327A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62058657A JPS63224327A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 投影露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63224327A true JPS63224327A (ja) | 1988-09-19 |
Family
ID=13090660
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62058657A Pending JPS63224327A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63224327A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5200798A (en) * | 1990-07-23 | 1993-04-06 | Hitachi, Ltd. | Method of position detection and the method and apparatus of printing patterns by use of the position detection method |
US6376329B1 (en) | 1997-08-04 | 2002-04-23 | Nikon Corporation | Semiconductor wafer alignment using backside illumination |
EP1393127A1 (en) * | 2001-05-14 | 2004-03-03 | Ultratech Stepper Inc. | Backside alignment system and method |
KR100413400B1 (ko) * | 1994-08-22 | 2004-03-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판정렬방법 |
-
1987
- 1987-03-13 JP JP62058657A patent/JPS63224327A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5200798A (en) * | 1990-07-23 | 1993-04-06 | Hitachi, Ltd. | Method of position detection and the method and apparatus of printing patterns by use of the position detection method |
KR100303109B1 (ko) * | 1990-07-23 | 2001-11-30 | 가나이 쓰도무 | 반도체장치의제조방법 |
KR100413400B1 (ko) * | 1994-08-22 | 2004-03-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판정렬방법 |
US6376329B1 (en) | 1997-08-04 | 2002-04-23 | Nikon Corporation | Semiconductor wafer alignment using backside illumination |
EP1393127A1 (en) * | 2001-05-14 | 2004-03-03 | Ultratech Stepper Inc. | Backside alignment system and method |
JP2004531062A (ja) * | 2001-05-14 | 2004-10-07 | ウルトラテック インク | 裏側アライメントシステム及び方法 |
EP1393127A4 (en) * | 2001-05-14 | 2007-02-28 | Ultratech Inc | BACK ALIGNMENT SYSTEM AND METHOD |
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