JPS63221970A - 半導体ウエハの研磨方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体ウェハの研磨方法に関するものである。

［従来の技術］ ＩＣやＦＥＴ　（電界効果トランジスタ）を製作する場
合は、Ｓｉ　（シリコン）単結晶やあるいはＧａＡｓ　
（ガリウム・ヒ素）単結晶のウェハが用いられるが、こ
れらのウェハは板厚寸法や平行度及び平坦度が数ミクロ
ン以下となるように極めて高精度の研磨加工が行なわれ
て無歪の鏡面状に仕上げられる。

上記の単結晶から鏡面状ウェハを製作するには、単結晶
をスライスしてウェハとし、このスライスされたウェハ
表面の凹凸をラッピング（機械的研磨）して平坦にし、
次にエツチングを行って加工層を除去し、次いでポリッ
シング（メカノケミカル研磨）によりエツチング表面を
平滑にして鏡面状とする。

ここでラッピング及びポリッシングを行なう場合は、通
常、ウェハを接着用ワックスで研磨治具に貼付して固定
された状態で行なうが、このときのウェハ取付状態の良
否、すなわちウェハの貼付状態の良否がウェハの平坦度
や鏡面状態に大きな影響を及ぼすことになる。

特にＧａＡｓウニへの場合はウェハの形状、サイズ等が
多岐にわたるため貼付作業はかなり面倒で、第３図に示
すように１枚づつ貼付する方法が用いられる。

第３図（ａ）　、　（ｂ）はこの作業に用いられるウェ
ハ取付装置を示すもので、それぞれ正面図、及び平面図
を示す。

同図（ａ）　、　（ｂ）より、１はウェハ、２はウェハ
１を貼付する研磨治具、３はウェハ１を押圧するスタン
ピング装置、４は研磨治具２を加熱するホットプレート
を示す。

図より、ウェハ１を貼付する場合は次のような工程で行
なわれる。

（Ａ）　　研磨治具２をホットプレート４の上に取付け
、接着ワックスの軟化点より３０〜４０℃高温となるよ
うに加熱する。

（Ｂ）　　加熱された研磨治具２のウェハを貼付する場
所に接着ワックスを塗布する。

（Ｃ）　　加熱した接着ワックスの上にウェハ１を貼付
する。

（Ｄ）　　ウェハを押圧するスタンピング装置３により
ウェハ１を一枚づつ加圧してウェハ１と研磨治具２との
間に介在するワックス層を均一にする。

（Ｅ）　　研磨治具２を取出して冷却板の上に設置し、
上部よりワックス層が不均一にならないよう加圧板を押
付けながらワックスを固化させる。

［発明が解決しようとする問題点］ 上述したように、研磨作業を行なう場合はウェハ取付状
態の良否がウェハの仕上り精度に大きな影響を与えるこ
とになるが、取付作業を実施する場合に次のような問題
点が発生した。

ウェハを一枚毎加圧するので貼付に長時間を必要とする
。

スタンピング加圧後にワックスやウェハに反りを生じて
貼付精度を悪化させる現象が現われる。

スタンピング装置の加圧ヘッドをウェハのサイズ毎に交
換しなければならない。

本発明の目的は、ウェハの貼付作業を省力化して研磨作
業の効率、精度を大幅に向上する半導体ウェハの研磨方
法を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は、半導体ウェハを接着ワックスを用いて研磨治
具に貼付して表面を研磨する半導体ウェハの研磨方法に
おいて、前記研磨治具が予熱された平坦な面を備え、こ
の平坦な面の複数個所に前記接着ワックスを塗布してそ
の上に前記半導体ウェハをそれぞれ貼付し、この貼付さ
れた複数の半導体ウェハの上面に皿状のスペーサを設け
、このスペーサの上面部を加圧装置により加圧して前記
複数の半導体ウェハを同時に前記研磨治具に圧着し、そ
の後この研磨治具を冷却して前記接着ワックスを固化す
ることを特徴とし、ウェハの貼付作業並びに研磨作業を
高効率、高精度化するようにして目的の達成を計ったも
のである。

［作　用コ 本発明の半導体ウェハの研磨方法では、ウニノーを研磨
治具に取付けるとき、研磨治具の上に接着ワックスを塗
布してその上にウニノ＼を貼付するのであるが、このと
きそれぞれのウェハの上面に周、−４− 辺が中央部より高くなるように形成されている皿状のス
ペーサを載せ、この皿状のスペーサの周辺部を加圧装置
で加圧するようにしであるので、貼付しようとする多数
のウェハはこのスペーサを介して同時かつ均一に加圧さ
れることになり、ウェハの貼付作業が大幅に省力化され
ると共に、余分な接着ワックスが外部に押出されるので
接着面が平坦となり、研磨作業を高効率化すると同時に
高精度に行なうことが可能となる。

［実施例］ 以下、本発明による一実施例を図を用いて説明する。

第１図は本発明のウェハ研磨方法に用いられるウェハ取
付装置の一実施例の説明図を示す。第３図と同一部分に
は同一符号が付けられている。

図において５はスペーサで、ウェハ１の上面を押える。

６はスペーサ５を通してウニノ１１を加圧する加圧装置
である。

第２　図（ａ）　、　（ｂ）はスペーサ５の詳細図を示
すもので、同図（ａ）が上面図、同図（ｂ）が側面図を
示す。

スペーサ５はテフロン等の耐熱性合成樹脂でコーティン
グされた薄鋼板で作製されており、数葉に分割されて周
辺が中央部より高くなるように皿状に形成されている。

第１図、第２図より、本実施例では、ホットプレート４
により所定の温度に加熱された研磨治具２の上面所定位
置に接着ワックスを塗布する。

塗布された接着ワックスの上にウェハ１を貼付し、その
上にスペーサ５を載せる。

ウェハ１とスペーサ５がそれぞれセットされたならば、
その上部より加圧装置６により加圧する。

このときスペーサ５にはそれぞれ一様に圧力が加わるの
でウェハ１も均一に加圧されることになる。また、同時
に余分なワックスがウェハ１の周辺から外部に押出され
るので、ウェハ１と研磨治具２の接着面が平坦となり、
研磨精度が向上することになる。

加圧装置６による加圧時間は１分以下で十分である。

所定の加圧時間が経過したならば研磨治具２を取出して
冷却部に移し、塗布したワックスを固化させてウェハ１
を研磨治具２に完全に固定させる。

このような操作により、ウェハに塗布されたワックス層
の厚さのバラツキを２μｍ以下とすることができ、また
、ウェハ研磨後の平坦度を４μｍ以下とすることが可能
となる。

以下、本実施例を用いることにより次のような効果が得
られる。

（１）多数のウェハを同時に加圧、処理することができ
るので、従来のようにウェハを１枚毎処理する場合に比
べ、作業効率を格段に向上させることができる。

（２）スペーサを用いたことにより、貼付精度、並びに
ウェハの平坦度を大幅に向上することができる。

（３）　　ウェハサイズが異なる場合でも取付及び研磨
作業が容易となり、多品種、少量生産ラインを拡張する
ことができる。

（４）　　ウェハの厚さが同一ならば、サイズが異なる
場合でも同一研磨治具に同一精度で取付けて稼動するこ
とができる。

［発明の効果］ 本発明によれば、ウェハの貼付作業を省力化して研磨作
業の効率、精度を大幅に向上する半導体ウェハの研磨方
法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の半導体ウェハの研磨方法に用いられる
取付装置の一実施例の説明図、第２図はスペーサの説明
図、第３図は従来方法を用いる説明図である。 １：ウ　　エ　　ハ、 ２　：　研　　磨　　治　　具、 ４：ホットプレート、 ５ニス　ベ　−　サ、 ６　：　加　　圧　　装　　置。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体ウェハを接着ワックスを用いて研磨治具に
   貼付して表面を研磨する半導体ウェハの研磨方法におい
   て、前記研磨治具が予熱された平坦な面を備え、該平坦
   な面の複数個所に前記接着ワックスを塗布してその上に
   前記半導体ウェハをそれぞれ貼付し、該貼付された複数
   の半導体ウェハの上面に皿状のスペーサを設け、該スペ
   ーサの上面部を加圧装置により加圧して前記複数の半導
   体ウェハを同時に前記研磨治具に圧着し、その後該研磨
   治具を冷却して前記接着ワックスを固化することを特徴
   とする半導体ウェハの研磨方法。