JPS63210940A - 電子写真用感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １亙立夏 本発明は電子写真用感光体に関するものであり、特に導
電性基体と感光層との間に特定の化合物を主成分とする
共晶錯体層を設けたことを特徴とする電子写真用感光体
に関するものである。

従ｍ杖 電子写真複写機に使用される感光体は、最近安価、生産
性、無公害性を利点とする有機系の感光材料を用いたも
のが使用され始めている。

有機系の電子写真感光体には、ポリビニルカルバゾール
（ＰＶＫ）に代表される光導電性樹脂、ＰＶＫ−ＴＮＦ
　（２，４，７トＩＪニドｏフルオレノン）に代表され
る電荷移動錯体型、フタロシアニン−バインダーに代表
される顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを組
合せて用いる機能分離型の感光体などが知られており、
特に機能分離型の感光体が注目されている。

この様な機能分離型感光体を、カールソンプロセスに適
用した場合、帯電性が低く、電荷保持性が悪い（暗減衰
が大きい）上、繰返し使用による、これら特性の劣化が
大きく、画像上に、濃度ムラ、カブリ、また反転現像の
場合地汚れを生ずるという欠点を有している。

一般に高感度感光体は、前露光疲労によって帯電性が低
下する。この前露光疲労は主に電荷発生材料が吸収する
光によって起こることから。

光吸収によって発生した電荷が移動可能な状態で感光体
内に残留している時間が長い程、またその電荷の数が多
い程、前露光疲労による帯電性の低下が著しくなると考
えられる。即ち、光吸収によって発生した電荷が残留し
ている状態で帯電操作をしても、残留しているキャリア
の移動で表面電荷が中和される為、残留電荷が消費され
るまで表面電位は上昇しない、従って、前露光疲労分だ
け表面電位の上昇が遅れることになり、見かけ上の帯電
４位は低くなる。

上述の欠点に対して例えば、特開昭４７−６３４１．４
ｇ−３５４４および４ｇ−１２０３４号には硝酸セルロ
ース系樹脂中間層が、特開昭４８−４７３４４．５２−
２５６３８゜５８−３０７５７．５８−６３９４５．５
８−９５３５１．５８−９８７３９および６０−６６２
５８号にはナイロン系樹脂中間層が、特開昭４８−２６
１４１には酢酸ビニル系樹脂中間層が、特開昭４９−６
９３３２および５２−１０１３８号にはマレイン酸系樹
脂中間層が、そして特開昭５８−１０５１５５号にはポ
リビニルアルコール樹脂中間層がそれぞれ開示されてい
る。

また中間層の電気抵抗を制御するべく種々の導電性添加
物を樹脂中に含有させた中間層が提案されている０例え
ば、特開昭５１−６５９４２号にはカーボンまたはカル
コゲン系物質を硬化性樹脂に分散した中間層が、特開昭
５２−８２２３８号には四級アンモニウム塩を添加して
イソシアネート系硬化剤を用いた熱重合体中間層が、特
開昭５５−１１８０４５１号には抵抗調節剤を添加した
樹脂中間層が、特開昭５８−５８５５６号にはアルミニ
ウムまたはスズの酸化物を分散した樹脂中間層が、特開
昭５８−９３０６２号には有機金属化合物を添加した樹
脂中間層が、特開昭５８−９３０６３．６０−９７３６
３および６０−１１１２５５号には導電性粒子を分散し
た樹脂中間層が、さらに特開昭５９−８４２５７．５９
−９３４５３および６０−３２０５４号にはＴｉｅ、と
ＳｎＯ２粉体とを分散した樹脂中間層が開示されている
。

さらにまた電気抵抗のかわりに電荷の移動性を制御しよ
うという考え方から、マイナス電荷移動性の物質として
の電子受容性の有機化合物を含有した樹脂中間層が提案
されている。例えば、特開昭５３−８９４３３号には多
環芳香族ニトロ化合物を添加した有機高分子光導電体中
間層が、また特開昭５４−４１３４．５９−１６０１４
７および５９−１７０８４６号には電子受容性有機物を
含有する樹脂中間層が開示されている。

しかしながら、繰返し使用による帯電性の低下、とりわ
け帯電電位の立上りの遅れに関しては未だに不充分であ
り、よりいっそうの改善が望まれていた。

ｌ−−■ 本発明の目的は感光体の帯電性を改良することにあり、
詳しくは、繰返し使用後の帯電電位の立上りの遅れのな
い感光体を提供することである。

構　　　成 本発明者らは、導電性基体上に感光層を設けて成る電子
写真感光体において、導電性基体と感光層の間に、ピリ
リウム系染料、電気絶縁性重合体および下記一般式（Ｉ
）で示される化合物を主成分とする共晶錯体層を設ける
ことによって、繰返し使用後の帯電電位の立上りの遅れ
のない電子写真感光体が得られることを見い出し本発明
に至った。

〔式中、Ｒ１は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭
素数１〜４のアルキル基を表わし、Ａｒは （ただし、　Ｒｚ、Ｒａ、Ｒｉは水素原子、炭素数１〜
４の置換又は無置換のアル キル基あるいは置換又は無置換のベン ジル基を表わし、Ｒ４，Ｒ，は水素原子、ハロゲン原子
、炭素数１〜４のアルキ ル基あるいは炭素数１〜４のアルコキ シ基又はジアルキルアミノ基を表わす）を表わす、〕 以下、添付図面に従って本発明を具体的に説明する。

第１図ａおよびｂは本発明の電子写真感光体の構成例を
示す断面図であり、導電性基体ｌｌ上に共晶錯体層１３
を設け、更にその上に、感光層１５を設けたものである
。感光層１５は単層の場合と、電荷発生層２１および電
荷輸送層２２より成る積層のものとがある。

第２図は１本発明の別の構成例であり導電性基体と共晶
錯体層との間に下引層１２を設けたものである。

第３図ａおよびｂは本発明の別の構成例であり共晶錯体
層と感光層との間に目止め層１４を設けたものである。

導電性基体１１としては、体積抵抗１０１０Ωｃｍ以下
の導電性を示すもの、例えばアルミニウム、ニッケル、
クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金などの余属、酸化
ズズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を蒸着又はスパ
ッタリングにより、゛フィルム状もしくは円筒状のプラ
スチック、紙に被覆したもの、あるいは、アルミニウム
、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の板およ
びそれらをり、１．．１．１．、押出し、引抜き等の工
法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩等で表面処理した
管等を使用することができる。

共晶錯体層１３は、共晶錯体と、一般式（Ｉ）で示され
る導電性物質を主成分として形成されている。ここでの
共晶錯体はビリリウム系染料と、電気絶縁性重合体とか
らつくられるものである。

ビリリウム系染料には、ピリリウム塩、チアピリリウム
塩及びセレナピリリウム塩の３種があり、下記一般式を
有している。

Ｃ 上式においてＲａ、Ｒｂ、Ｒｏ、Ｒｄ及びＲｅは夫々、 （ａ）水素原子 （ｂ）アルキル基、代表的にはメチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、アミル、イソ
アミル、ヘキシル、オクチル、ノニル、ドデシルなどの
Ｃユ〜Ｃ１゜のアルキル基 （Ｃ）メトキシ、エトキシ、プロボキ゛シ、ブトキシ、
アミロキシ、ヘキソキシ、オクトキシなどのアルコキシ
基 （ｄ）フェニル、４−ジフェニル、４−エチルフェニル
、４−プロピルフェニルなどのアルキルフェニル類；４
−エトキシフェニル、４−メトキシフェニル、４−アミ
ロキシフェニル、２−ヘキソキシフェニル、２−メトキ
シフェニル。

３．４−ジメトキシフェニルなどのアルコキシフェニル
類；２−ヒドロキシエトキシフェニル、３−ヒドロキシ
エトキシフェニルなどのβ−ヒドロキシ７ルフキシフエ
ニル類：４−ヒドロキシフェニル、２，４−ジクロロフ
ェニル、３，４−ジブロモフェニル、４−クロロフェニ
ル、３，４−ジクロロフェニルなどのハロフェニル類；
アジドフェニル、゛ニトロフェニル、４−ジエチルアミ
ノフェニル、４−ジメチルアミノフェニルなどのアミノ
フェニル類：ナフチル、スチリル、メトキシスチリル、
ジェトキシスチリル、ジメチルアミノスチリル、１−ブ
チル−４−ｐ−ジメチルアミノフェニル−１，３−ブタ
ジェニル、β−エチル−４−ジメチルアミノスチリル等
のビニル置換アリール基のような置換アリール基を含め
たアリール基 を表わし、又は硫黄、酸素又はセレン原子であり、また
Ｚ−はバークロレート、フルオロボレート、沃化物、塩
化物、臭化物、硫酸塩、適法化物、Ｐ−トルエンスルホ
ネート、ヘキサフルオロホスフェートなどの陰イオン官
能基である。

ａｂ　　　ｃ　　　ｄ　ゝ 更にＲ、Ｒ、Ｒ、Ｒ及びＲは共同 してピリリウム核に融合したアリール環を完成するに必
要な原子であってもよい。

このようなピリリウム系染料の代表例を下記に示す。

（以下余白） 配色Ｎｏ　　　化合物名 １　　４−（４−ビス−２（クロロエチル）アミノフェ
ニル）−２，６−シフエニルチアピリリウムパークロレ
ート２　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２，
６−シフエニルチアピリリウムパークロレート ３　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２，６−
シフエニルチアピリリウムフルオロボレート ４　　４−（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル
）−２，６−ジフェニルビリリウムバークロレート ５　　４−（４−ビス２（−クロロエチル）アミノフェ
ニル）−２−（４−メトキシフェニル）−６−フェニル
チアピリリウムバークロレート ６　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２，６−
シフエニルチアピリリウムサルフエート ７　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２，６−
ジフェニルチアピリリウムｐ−トルエンスルホネート８
　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２，６−ジ
フェニルピリリウム−ｐ−トルエンスルホネート ９　　２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４−（４
−ジメチルアミノフェニル）−ベンゾ（ｂ）ピリリウム
バークロレート１０　　２．６−ビス（４−エチルフェ
ニル）−４−（４−ジメチルアミノフェニル）チアピリ
リウムバークロレート１１　　４−（４−ジメチルアミ
ノフェニル）−２−（４−メトキシフェニル）−６−フ
ェニルチアピリリウムバークロレート １２　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２−（
４−エトキシフェニル）−６−フェニルチアピリリウム
バークロレート １３　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２−（
４−メトキシフェニル）−６−（４−メチルフェニル）
−ピリリウムバークロレート １４　　４−（４−ジフェニルアミノフェニル）−２，
６−シフエニルチアビリリウムバークロレート １５　　２．４．６−ドリフエニルピリリウムパークロ
レート１６　　４−（４−メトキシフェニル）−２，６
−ジフェニルビリリウムバークロレート １７　　４−（２，４−ジクロロフェニル）−２，６−
ジフェニルビリリウムバークロレート ＋　１８　　４−（３，４−ジクロロフェニル）−２，
６−ジフェニルビリリウムバークロレート １９　　２．６−ビス（４−メトキシフェニル）−４−
フェニルピリリウムバークロレート ２０　　６−（４−メトキシフェニル）−２，４−ジフ
ェニルピリリウムバークロレート ２１　　２−（３，４−ジクロロフェニル）−４−（４
−メトキシフェニル）−６−フェニルピリリウムバーク
ロレート２２　　４−（４−アミロキシフェニル）−２
，６−ビス（４−エチルフェニル）ピリリウムバークロ
レート ２３　　４−（４−アミロキシフェニル）−２，６−ビ
ス（４−メトキシ、フェニル）ピリリウムバークロレー
ト２４　　２．４．６−ドリフエニルピリリウムフルオ
ロボレート２５　　２．６−ビス（４−エチルフェニル
）−４−（４−メトキシフェニル）ピリリウムバークロ
レート ２６　　２．６−ビス（４−エチルフェニル）−４−（
４−メトキシフェニル）ピリリウムフルオロボレート ２７　　６−（３，４−ジェトキシスチリル）−２，４
−ジフェニルピリリウムバークロレート ２８　　６−（３，４−ジェトキシ−β−アミルスチリ
ル）−２，４−ジフェニルビリリウムフルオ口ボレート ２９　　６−（４−ジメチルアミノ−β−エチルスチリ
ル）−２，４−ジフェニルピリリウムフルオロボレート
３０　　６−（Ｉ−ｎ−アミル−４−Ｐ−ジメチルアミ
ノフェニル−１，３−ブタジェニル）−２，４−ジフェ
ニルピリリウムフルオロボレート ３１　　６−（４−ジメチルアミノスチリル）−２，４
−ジフェニルピリリウムフルオロボレート ３２　　６−（α−エチル−β、β−ビス（ジメチルア
ミノフェニル）ビニレン）−２，４−ジフェニルピリリ
ウムフルオロボレート ３３　　６−（Ｉ−ブチル−４−Ｐ−ジメチルアミノフ
ェニル−１，３−ブタジェニル）−２，４−ジフェニル
ピリリウムフルオロボレート ３４　　６−（４−ジメチルアミノスチリル）−２，４
−ジフェニルピリリウムバークロレート ３５　　６−（β、β−ビス（４−ジメチルアミノフェ
ニル）ビニレンツー２．４−ジフエニルピリリウムバー
クロレート３６　　２．６−ビス（４−ジメチルアミノ
スチリル）−４−フェニルピリリウムバークロレート ３７　　６−（β−メチル−４−ジメチルアミノスチリ
ル）−２，４−ジフェニルピリリウムフルオロボレート ３８　　６−（Ｉ−エチル−４−（４−ジメチルアミノ
フェニル）−１，３−ブタジェニル）−２，４−ジフェ
ニルピリリウムフルオロボレート ３９　　６−（β、β−ビス（４−ジメチルアミノフェ
ニル）ビニレン）−２，４−ジフェニルピリリウムフル
オロボレート４０　　６−（Ｉ−メチル−４−（４−ジ
メチルアミノフェニル）−１，３−ブタジェニル）−２
，４−ジフェニルピリリウムフルオロボレート ４１　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２，６
−ジフェニルピリリウムバークロレート ４２　　２．６−ビス（４−エチルフェニル）−４−フ
ェニルピリリウムバークロレート ４３　　２．６−ビス（４−エチルフェニル）−４−メ
トキシフェニルチアピリリウムフルオロボレート ４４　２．４．６−ドリフエニルチアピリリウムパーク
ロレート４５　　４−（４−メトキシフェニル）−２，
６−ジフェニルチアピリリウムバークロレート ４６　　６−（４−メトキシフェニル）−２，４−ジフ
ェニルチアピリリウムバークロレート ４７　　２．６−ビス（４−メトキシフェニル）−４−
フェニルチアピリリウムバークロレート ４８　　４−（２，４−ジクロロフェニル）−２，６−
，９フエニルチアピリリウムバークロレート ４９　　２．４．６−トリ（４−メトキシフェニル）チ
アピリリウムバークロレート ５０　　２．６−ビス（４−エチルフェニル）−４−フ
ェニルチアピリリウムバークロレート ５１　　４−（４−アミルオキシフェニル）−２，６−
ビス（４−エチルフェニル）チアピリリウムバークロレ
ート５２　　６−（４−ジメチルアミノスチリル）−２
，４−ジフェニルチアピリリウムバークロレート ５３　　２．４，６−ドリフエニルチアピリリウムフル
オロボレート ５４　　２．４，６−ドリフエニルチアビリリウムサル
フエート５５　　４−（４−メトキシフェニル）−２，
６−シフエニルチアピリリウムフルオロボレート ５６　　２．４，６−ドリフエニルチアビリリウムクロ
ライド５７　　２−（４−アミルオキシフェニル）−４
，６−シフエニルチアピリリウムフルオロボレート ５８　　４−（４−アミルオキシフェニル）−２，６−
ビス（４−メトキシフェニル）チアピリリウムバークロ
レート５９　　２．６−ビス（４−エチルフェニル）−
４−（４−メトキシフェニル）チアピリリウムバークロ
レート ６０　　４−アユシル−２，６−ビス（４−ｎ−アミル
オキシフェニル）チアピリリウムクロライド ６１　　２−（β、β−ビス（４−ジメチルアミノフェ
ニル）ビニレン）−４，６−ジフェニルチアピリリウム
バークロレート ６２　　６−（β−エチル−４−ジメチルアミノスチリ
ル）−２，４−ジフェニルチアピリリウムバークロレー
ト６３　　２−（３，４−ジェトキシスチリル）−４，
６−ジフェニルチアピリリウムバークロレート ６４　　２．４，６−ドリアニシルチアピリリウムパー
クロレート ６５６−エチル−２，４−ジフエニルピリリウムフルオ
ロボレート ６６　　２．６−ビス（４−エチルフェニル）−４−（
４−メトキシフェニル）チアピリリウムクロライド ６７　　６−（β、β−ビス（４−ジメチルアミノフェ
ニル）ビニレン）−２，４−ジ（４−エチルフェニル）
ピリリウムバークロレート ６８　　２．６−ビス（４−アミルオキシフェニル）−
４−（４−メトキシフェニル）チアピリリウムバークロ
レート６９　　６−（３，４−ジェトキシ−β−エチル
スチルスチリル）−２゜４−ジフェニルピリリウムフル
オロボレート７０　　６−（４−メトキシ−β−エチル
スチリル）−２，４−ジフェニルピリリウムフルオロボ
レート ７１　　２−（４−エチルフェニル）−４，６−シフエ
ニルチアピリリウムパークロレート ７２　　２．６−ジフェニル−４−（４−メトキシフェ
ニル）チアピリリウムバークロレート ７３　　２．６−ジフェニル−４−（４−メトキシフェ
ニル）チアピリリウムフルオロボレート ７４　　２．６−ビス（４−エチルフェニル）−４−（
４−ｎ−アミルオキシフェニル）チアピリリウムバーク
ロレート７５　　２．６−ビス（４−メトキシフェニル
）−４−（４−ｎ−アミルオキシフェニル）チアピリリ
ウムバークロレート？６　　２，４．６−トリス（４−
メトキシフェニル）チアピリリウムフルオロボレート ７７　　２．４−ジフェニル−６−（３，４−ジェトキ
シスチリル）ピリリウムバークロレート ７８　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２−フ
ェニルベンゾ（ｂ）セレナピリリウムバークロレート７
９　　２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４−（４
−ジメチルアミノフェニル）−ベンゾ（ｂ）セレナピリ
リウムバークロレート ８０　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２，６
−シフエニルセレナピリリウムパークロレート ８１　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２−（
４−エトキシフェニル）−６−フェニルセレナピリリウ
ムバークロレート ８２　　４−（４−ビス（２−クロロエチル）アミノフ
ェニル）−２，６−シフエニルセレナピリリウムパーク
ロレート８３　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）
−２，６−ビス（４−エチルフェニル）−セレナピリリ
ウムバークロレート８４　　４−（４−ジメチルアミノ
−２−メチルフェニル）−２，６−シフエニルセレナピ
リリウムパークロレート８５　　３−（４−ジメチルア
ミノフェニル）ナフト（２，１−ｂ）セレナピリリウム
バークロレート ８６　　４−（４−ジメチルアミノスチリル）−２−（
４−メトキシフェニル）ベンゾ（ｂ）セレナピリリウム
バークロレート ８７　　２．６−ジ（４−ジエチルアミノフェニル）−
４−フェニルセレナピリリウムバークロレート ８８　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２−（
４−エトキシフェニル）−６−フェニルチアピリリウム
フルオロボレート ８Ｑ　　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２，
６−ジフェニルピリリウムへキサフルオロフォスフェー
ト９０　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２，
６−ジフェニルチアピリリウムへキサフルオロフォスフ
ェート９１　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−
２，６−ジフェニルセレナピリリウムへキサフルオロフ
ォスフェート（以下余白） 特に有用なピリリウム染料は下記一般式を有するもので
ある。

Ｒ３ 式中Ｒ工及びＲ２はＣ１〜Ｃ１のアルキル基及びＣ□〜
Ｃ１のアルコキシ基から選ばれた少なくとも１つの置換
基を有する置換フェニル基のようなアリール基であり、
Ｒ１はアルキル部分が０１〜Ｃ６のアルキルアミノ置換
フェニル基で、ジアルキルアミノ置換及びハロアルキル
アミノ置換フェニル基でもよい、又は酸素又は硫黄原子
。

Ｚは前述の通りである。

電気絶縁性重合体としては主鎖（繰返し単位）中に下記
式で示されるアルキリデンジアリーレン部分を有するも
のが特に有用である。

式中Ｒ４及びＲｓは夫々、水素原子、トリフルオロメチ
ルのような置換アルキル基を含むメチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、
ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシルなどの
アルキル基、ハロゲン、０１〜Ｃ５のアルキル基のよう
な置換基を有する置換アリール基を含むフェニル及びナ
フチルなどのアリール基であり、またＲ４とＲｓとは共
同してシクロヘキシルのようなシクロアルカン類及びノ
ルボルニルのようなポリシクロアルカン類を含む環式炭
化水素基を形成するに必要な炭素原子であってもよい、
Ｒ６及びＲ１は水素、Ｃ２〜Ｃ６のアルキル基又はクロ
ル、ブロル、沃素などのハロゲンであり、またＲ８は−
ｏ−ｃ−ｏ−、−ｏ−ｃ−ｏ−，−ｃ−ｏ−及び−ｏ−
ｐ−ｏ−よりなる群から選択された２０−◎ 価の基である。

また下記式の繰返し単位からなる疎水性炭酸塩重合体類
（ポリカーボネート）も有用で好ましいものである。

■ Ｒ６ （以下余白） 式中、Ｒはハロ置換フェニレン基類及びアルキル置換フ
ェニレン基類を含むフェニレン基であり、またＲ９及び
Ｒｓは前述の通りである。これらの重合体はＵ　Ｓ　Ｐ
３，０２８，３６５号、同３，３１７．４６６号に開示
されている。好ましくは。

ビスフェノールＡから製造されるような、繰返し単位に
アルキリデンジアリーレン部分を含有し、ジフェニルカ
ーボネートと２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパンとの間のエステル交換によって生成した重合体
を含むポリカーボネート類が有用である。このような重
合体はＬＩＳＰ２，９９９，７５０号、同３，０３８，
８７４号、同３　、０３８　、８８０号、同３，１０６
，５４４号、同３，１０６，５４５号、同３，１０６，
５４６号等に開示されている。いずれにしてもフィルム
形成性ポリカーボネート樹脂類は広範囲に使用できる。

特に約０．５〜１．８の固有粘度を有するものを使用す
ると、満足し得る結果が得られる。

電気絶縁性重合体の具体例は下記の通りである。

−」Ｊ５ニー　　　　　　　ム　　　　　　　　・１　
　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニレン−ｃ
ｏ−１、４−シクロヘキシル−ジメチルカーボネート） ２　　ポリ（３，３’−エチレンジオキシフェニレンチ
オカーボネート） ３　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニレン
カーボネート−ＣＯ２−テレフタレート） ４　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニレン
カーボネート） ５　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンフェニレンチ
オカーボネート） ６　　ポリ（２，２’−ブタンビス−４−フェニレンカ
ーボネート） ７　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニレン
カーボネート−ブロック−エチ レンオキシド） ８　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニレン
カーボネート−ブロック−テト ラメチレンオキシド） ９　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンビス（２−メ
チルフェニレン）カーボネート〕 １０　　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニ
レン−ｃｏ−１、４−フェニレンカーボネート） １１　　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニ
レン−ｃｏ−１、３−フェニレンカーボネート） １２　　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニ
レン−ｃｏ−４，４’−ジフェニレンカーボネート） １３　　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニ
レン−ｃｏ−４，４’−オキシジフェニレンカーボネー
ト） １４　　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニ
レン−ｃｏ−４，４’−カルボニル−ジフェニレンカー
ボネート） １５　　　ポリ（４、４’−イソプロピリデンジフェニ
レン−ｃｏ−４，４’−エチレンジフェニレンカーボネ
ート） １６　　　ポリ（４，４’−メチレンビス（２−メチル
フェニレン）カーボネート〕 １７　　　ポリ［１，１−（ｐ−ブロモフェニルエタン
）−ビス（４−フェニレン）カーボネート］１８　　　
ポリ（４，４’−イソプロピリチンジフェニレン−ＣＯ
−スルホニル°−ビス（４−フェニレン）カーボネート
〕 １９　　　ポリ（Ｉ，１’−シクロヘキサンビス（４−
〕二ニレし）カーボネート〕 ２０　　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンビス（２
−クロロフェニレン）カーボネート〕 ２１　　　ポリ（ヘキサフルオロイソプロピリデンジー
４−フェニレンカーボネート） ２２　　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニ
レン−４，４′−イソプロピリデンジベンゾエート） ２３　　　ポリ（４，４’−インプロピリデンジベンジ
ル−４，４−イソプロピリデンジベンゾエート） ２４　　　ポリ（２，２−（３−メチルブタン）ビス−
４−フェニレンカーボネート〕 ２５　　　ポリ（２，２−（３，３−ジメチルブタン）
ビス−４−フェニレンカーボネート〕 ２６　　　ポリ（Ｉ，１−（Ｉ−（Ｉ−ナフチル）〕〕
ビスー４−フェニレンカーボネート ２７　　　ポリ（２，２−（４−メチルペンタン）ビス
−４−フェニレンカーボネート〕 ２８　　　ポリ（４，４’−（２−ノルボルニリデン）
ジフェニレンカーボネート〕 ２９　　　ポリ（４，４’−（ヘキサヒドロ−４，７−
メタツインタン−５−イリデン）−ジフェニレンカーボ
ネート〕 ３０　　　ポリ（４，４’−（イソプロピリデンジフェ
ニレンカーボネート−ブロック−オキ シテトラメチレン） （以下余白） また、一般式（Ｉ）で示される化合物の代表例を下記表
１−１、および表１−２に示す。

ト 曇 ［ （以下余白） （以下余白） 本発明の共晶錯体層１３をつくるには、上記のピリリウ
ム系染料、電気絶縁性重合体、および一般式（Ｉ）で示
される化合物を、適当な溶媒例えば、テトラヒドロフラ
ン、トルエン、１，２−ジクロルエタン、塩化メチレン
、クロロホルム。

モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼン、ベンゼンなど
に溶解し、これを導電性基体１１上に塗布し、５０〜１
３０℃で乾燥して、膜厚０．０５〜３０μｍ好ましくは
０．２〜５μｍの共晶錯体層を形成すればよい。

塗布は、浸漬塗工法、ビードコート法、スプレーコート
法や、ワイヤーブレード、ドクターブレード、エアーナ
イフなどを用いて行なえる。

この塗布乾燥がなされる間に、ピリリウム系染料と電気
絶縁性重合体とで共晶錯体を形成する。

共晶錯体層１３における各成分の割合は、ピリリウム系
染料１重量部に対して、電気絶縁性重合体５〜８０重量
部、一般式（Ｉ）で示される化合物１〜５０重量部が適
当である。電気絶縁性重合体と一般式（Ｉ）の化合物と
の重址比は電気絶縁性重合体１重量部に対して一般式（
Ｉ）の化合物０．１〜５重量部が適当である。

また、この層１３を形成する際に、シリコーンオイルな
どのレベリング剤を、塗工液に添加してもよい。その使
用量は、電気絶縁性重合体に対して０〜１重量％程度が
適当である。ここで使用されるシリコーンオイルの例と
しては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシ
リコーンオイル、メチルクロロフェニルシリコーンオイ
ル、フロロシリコーンオイル、メチルハイドロジエンシ
リコーンオイル、アルキル変性シリコーンオイル、高級
脂肪酸変性シリコーンオイル、アミノ変性シリコーンオ
イル等がある。

さらに共晶錯体層１３を設けるに際して、結着剤が必要
により使用されてもよい。

ここでの結着剤材料としてはポリエチレン。

ポリスチレン、ポリブタジェン、スチレンーブメジエン
共重合体、アクリル酸エステル又はメタクリル酸エステ
ルの重合体及び共重合体、ポリエステル、ポリアミド、
エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、アルキ
ッド樹脂、セルロース系樹脂やポリーＮ−ビ、ニルカル
バゾール及びその誘導体（例えばカルバゾール骨格に塩
素、臭素などのハロゲン、メチル基、アミノ基などの置
換基す有するもの）、ポリビニルピレン、ポリビニルア
ントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド系重合体及びそ
の誘導体（例えばピレン骨格に臭素などのハロゲン、ニ
トロ基などの置換基を有するもの）、ポリ−ツーカルバ
ゾリルエチル−Ｌ−ダルタメート、スチロール樹脂、塩
素化ポリエチレン、アセタール樹脂。

メラミン樹脂などがあげられる。

本発明において第２図に示されるように導電性基体と、
共晶錯体層の間に下引層１２を設けることにより、帯電
性、接着性を改良することができる。

下引層１２にはＳｉＯ，ＡΩ２０１等の無機材料を蒸着
、スパッタリング、陽極酸化などの方法で設けたものや
、ポリアミド樹脂、アルコール可溶性ナイロン樹脂、水
溶性ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルブチラール
樹脂、ポリビニルアルコール樹脂などの樹脂層を用いる
ことができる。

また、上記樹脂下引層にＺ　ｎ　Ｏｅ　Ｔ　ｘ　Ｏｚ　
ｓ　Ｚ　ｎ　Ｓ等の顔料粒子を分散したものも、下引層
として用いることができる。

更に本発明の下引層１２として、シランカップリング剤
、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使
用することもできる。

下引層１２の膜厚は０〜５μｍが適当である。

また、第３図ａ、ｂに示される様に共晶錯体層と感光層
との間に目止め層１４を設けることもできる。即ち、共
晶錯体層の上に感光層を塗工するに際して感光層塗工液
の溶媒によっては、共晶錯体層を、溶解あるいは膨潤さ
せ、層形成上の障害となる場合がある。この場合、目止
め層を設けることにより、共晶錯体層を溶解、膨潤させ
ることなく、均一な感光層を設けることができる。

ただし、感光層塗工液の溶媒が、共晶錯体層を溶解、膨
潤させない場合、溶媒が速乾性である場合、あるいはス
プレー塗工などの塗布時に含まれる溶媒量が少ない時な
どは、目止め層を必ずしも設ける必要はない。

目止め層１４には、ポリアミド樹脂、アルコール可溶性
ナイロン樹脂、水溶性ポリビニルブチラール樹脂、ポリ
ビニルブチラール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂など
の樹脂層を用いることができる。

次に感光層１５について説明するが、先ず積層感光層に
ついて述べる。

電荷発生層２１は、電荷発生物質を主材料とした層で、
必要に応じてバインダー樹脂を用いることもある。

バインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、
ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボ
ネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、
ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリア
クリルアミドなどが用いられる。

電荷発生物質としては、例えば、シーアイピグメントブ
ルー２５（カラーインデックス（ＣＩ）２１１８０）、
シーアイピグメントレッド４１　（ＣＩ　２１２００）
、シーアイアシッドレッド５２　（ＣＩ　４５１００）
、シーアイベーシックレッド３　（ＣＩ　４５２１０）
、さらに、ポルフィリン骨格を有するフタロシアニン系
顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３
−９５０３３号公報に記載）、ジスチリルベンゼン骨格
を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３３４５５号公報に
記載）、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料（特
開昭５３−１３２５４７号公報に記載）、ジベンゾチオ
フェン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１７２１
１１号公報に記載）、オキサジアゾール骨格を有するア
ゾ顔料（特開昭５４−１２７４２号公報に記載）、フル
オレノン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２２８３
４号公報に記載）、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔
料（特開昭５４−１７７３３号公報に記載）、ジスチリ
ルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４
−２１２９号公報に記載）、ジスチリルカルバゾール骨
格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１７７３４号公報に
記載）、さらに、シーアイピグメントブルー１６　（Ｃ
Ｉ　７４１００）等のフタロシアニン系顔料、シーアイ
バットブラウン５　（ＣＩ　７３４１０）、シーアイバ
ットダイ（ＣＩ　７３０３０）等のインジゴ系顔料、ア
ルゴスカーレットＢ（バイオレット社製）、インダンス
レンスカーレットＲ（バイエル社製）等のペリレン系顔
料などが挙げられる。

これら電荷発生物質の中でも特にアゾ顔料が好適である
。更にアゾ顔料の中でも下記一般式（ＩＩ）に示される
トリスアゾ顔料、または一般式（ＩＩＩ）で示されるジ
スアゾ顔料が好ましい。

（以下余白） （式中、Ａ１は ｙ、、’　　　　　　　　　　　　Ａｒ２であり、ここ
でＸ　１１　Ａ　ｒｌ、Ａ　ｒ２．Ｒ１，Ｒ”は次の通
りである。

Ｘ：ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族環、もしく
はインドール環、カルバゾール環、ベンゾフラン環など
のへテロ環、またはそれらの置換体。

Ａｒ’：ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族環、も
しくはジベンゾフラン環なとのへテロ環またはそれらの
置換体、 Ａｒ”：ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族環また
はそれらの置換体、 Ｒ１：水素、低級アルキル基またはフェニル基あるいは
その置換体。

Ｒ２：低級アルキル基、フェニル基、カルボキシル基ま
たはそのエステル） （式中、Ａ２は °°ＸＡｒ” Ｒ’ であり、ここでＸ　、　Ａ　ｒｌ、Ａ　ｒ”、Ａ　ｒ３
．Ｒ”。

Ｒ２、Ｒ３は次の通りである。

Ｘ：ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族環、もしく
はインドール環、カルバゾール環、ベンゾフラン環なと
のへテロ環。

またはそれらの置換体、 Ａ　ｒ”　ＨＡ　ｒ’　：ベンゼン環、フナタレン環な
どの芳香族環、もしくはジベンゾラン環などのへテロ環
またはそれらの置換体、 Ａ　ｒ２：ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族環ま
たはそれらの置換体、 Ｒ１、Ｒ３：水素、低級アルキル基またはフェニル基あ
るいはその置換体、 Ｒ２：低級アルキル基、フェニル基、カルボキシル基ま
たはそのエステル） これらトリスアゾ顔料およびジスアゾ顔料の具体例を例
示すれば次の第１表および第２表の通りである。

（以下余白） ｌ　ニー　式　■　のトリスアゾ　料 −血−″　　　　　　　−施−１ −血−’　　　　　　　　　Ｊ３ｙ１ ＵＬ　　　　　　８　　　　　　−＼−８−血−８−風
−３ 一 （以下余白） これらの電荷発生物質は単独で、あるいは２種以上併用
して用いられる。

バインダー樹脂は、電荷発生物質１００重量部に対して
０〜１００重量部用いるのが適当であり、好ましくは０
〜５０重量部である。

電荷発生層は、電荷発生物質を必要ならばバインダー樹
脂とともに、テトラヒドロフラン、シクロヘキサン、ジ
オキサン、ジクロルエタン等の溶媒を用いてボールミル
、アトライター、サンドミルなどにより分散し、分散液
を適度に希釈して塗布することにより形成できる。塗布
は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法など
を用いて行なうことができる。　　′電荷発生層の膜厚
は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは、
０．１〜２μｍである。

電荷輸送層２２は、電荷輸送物質およびバインダー樹脂
を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを電荷発生層上
に塗布、乾燥することにより形成できる。また、必要に
より可塑剤やレベリング剤等を添加することもできる。

電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがあ
る。

正孔輸送物質としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール
およびその誘導体、ポリーγ−カルバゾリルエチルグル
タメートおよびその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド
縮合物およびその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニ
ルフェナントレン、オキサゾール誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン
誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）アントラ
セン、１，１−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル
）プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリ
ン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘
導体等の電子供与性物質が挙げられる。

電荷輸送物質としては、たとえば、クロルアニル、ブロ
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、２，４．７−ドリニトロー９−フルオレノン
、２，４，５．７−テトラニトロ−９−フルオレノン、
２，４，５．７−チトラニトロキサントン、２，４．８
−　トリニドロチオキサントン、２，６．８−トリニト
ロ−４Ｈ−インデノ（Ｉ，２−ｂ）チオフェン−４−オ
ン、１，３．７−トリニトロジベンゾチオフエンー５，
５−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられる。

これらの電荷輸送物質は、単独又は、２種以上混合して
用いられる。

バインダー樹脂としてはポリスチレン、スチレン−アク
リロニトリル共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体
、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリニスチル、
ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポ
リ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ボリアリレート樹
脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロー
ス樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール
、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−
Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹
脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェ
ノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化
性樹脂が挙げられる。

溶剤としては、°テトラヒドロフラン、ジオキサン、ト
ルエン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メ
チレンなどが用いられる。

電荷輸送層２２の厚さは、５、〜５０μｍ程度が適当で
ある。

次に感光層１５が単層構成の場合について述べる。この
場合も多くは電荷発生物質と電荷輸送物質よりなる機能
分離型のものが挙げられる。

即ち、電荷発生物質および電荷輸送物質には先に示した
化合物を用いることができる。

単層感光層は、電荷発生物質および電荷輸送物質および
バインダー樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これ
を塗布、乾燥することによって形成できる。また、必要
により、可塑剤やレベリング剤等を添加することもでき
る。

バインダー樹脂としては、先に電荷輸送層２２で挙げた
バインダー樹脂をそのまま用いるほかに、電荷発生層２
１で挙げたバインダー樹脂を混合して用いてもよい。

単層感光層は、電荷発生物質、電荷輸送物質およびバイ
ンダー樹脂をテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジクロ
ルエタン、シクロヘキサノン等の溶媒を用いて、分散機
等で分散した塗工液を、浸漬塗工法やスプレーコート、
ビードコートなどで塗工して形成できる。

単層感光層の膜厚は、５〜５０μｍ程度が適当である。

なお、本発明において感光［１５の上にさらに絶縁層や
保護層を設けることも可能である。

次に実施例によって、本発明をさらに詳しく説明するが
、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。

実施例１ アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の共晶錯体層塗工液をドクターブ
レードで塗布し、乾燥膜厚１μｍの共晶錯体層を形成し
た。

化合物Ｎｏ、１４の（Ｉ）式の化合物　　　　　　　９
重量部塩化メチレン　　　　　　　　　　　　　６００
重量部この上に、下記組成の電荷発生層塗工液をスプレ
ーコート法で塗布し、乾燥膜厚０．２μｍの電荷発生層
を形成した。

顔料Ｎｏ、１−１８のトリスアゾ顔料　　　３重量部シ
クロへキサノン　　　　　　　３００重量部次に、この
電荷発生層上に下記組成の塗工液をスプレーコート法で
塗布し、乾燥膜厚１８μｍの電荷輸送層を形成し、本発
明の電子写真感光体を得た。

下記構造式の電荷輸送物質　　　　９０重量部テトラヒ
ドロフラン　　　　　　　８００重量部実施例２ 実施例１において、共晶錯体層塗工液に用いたＮｏ、１
４の（Ｉ）式の化合物の代りに、Ｎｏ、４３の（Ｉ）式
の化合物を用いた他はすべて実施例１と同様にして、電
子写真感光体を作成した。

比較例１ 実施例１において、共晶錯体層を設けないほかは、すべ
て実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。

実施例３ 実施例１に用いたのと同じ支持体上に下記組成の塗工液
をドクターブレードで塗布し、乾燥膜厚０．１μｌの下
引層を形成した。、水　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　１５０重量部メタノール　　　　　　　　　　
　　　　２００重量部この上に下記組成の塗工液をスプ
レーコート法で塗布し、乾燥膜厚０．５μｍの共晶錯体
層を形成した。

化合物Ｎｏ、３３の（Ｉ）式の化合物　　　　　　１２
重量部−化メチレン　　　　　　　　　　　　　４５０
重量部１．２−ジクロルエタン　　　　　　　　　　１
５０重量部次にこの上に下記組成の塗工液をスプレーコ
ート法で塗布し、乾燥膜厚０．２μｍの電荷発生層を形
成した。

顔料Ｎｏ、２−２０のジスアゾ顔料　　　　３重量部テ
トラヒドロフラン　　　　　　３００重量部さらに、こ
の上に下記組成の塗工液をスプレーコート法で塗布し、
乾燥膜厚１８μｍの電荷輸送層を形成し、本発明の電子
写真感光体を得た。

下記構造式の電荷輸送物質　　　　８０重量部テトラヒ
ドロフラン　　　　　　　８００重量部実施例４ 実施例３において、共晶錯体層塗工液に用いたＮｏ、３
３の（Ｉ）式の化合物の代りにＮｏ、８の（Ｉ）式の化
合物を用いた他はすべて実施例３と同様にして、電子写
真感光体を作成した。

比較例２ 実施例３において、共晶錯体層を設けないほかは、すべ
て実施例３と同様にして電子写真感光体を作成した。

実施例５ 厚さ０．２ｍｍのアルミニウム板上に下記組成の塗工液
を浸漬塗工法で塗布し、乾燥膜厚２μｍの共晶錯体層を
形成した。

フルオロボレート 化合物Ｎｏ、２５の（Ｉ）式の化合物　　　　　　　７
重量部塩化メチレン　　　　　　　　　　　　　６００
重量部四塩化炭素　　　　　　　　　　　　　　　２０
０重量部この上に下記組成の塗工液を浸漬塗工法で塗布
し、乾燥膜厚０．３μｍの目止め層を形成した。

メタノール　　　　　　　　　　２００重量部イソプロ
ピルアルコール　　　　１００重量部次に、この上に下
記組成の塗工液を浸漬塗工法で塗布し、乾燥膜厚０．３
μｍの電・荷発主層を形成した。

顔料Ｎｏ、１−２０のトリスアゾ顔料　　　３重量部シ
クロへキサノン　　　　　　　２００重量部テトラヒド
ロフラン　　　　　　１００重量部さらに、この上に下
記組成の塗工液を浸漬塗工法で塗布し、乾燥膜厚２０μ
ｍの電荷輸送層を形成して、本発明の電子写真感光体を
得た。

下記構造式の電荷輸送物質　　　　９０重量部塩化メチ
レン　　　　　　　　　ｇｏｏ重量部実施例６ 実施例５において、共晶錯体層塗工液に用いたＮｏ、２
５の（Ｉ）式の化合物の代りにＮｏ、９の（Ｉ）式の化
合物を用いた他はすべて実施例５と同様にして、電子写
真感光体を作成した。

比較例３ 実施例５において、共晶錯体層を設けないほかは、すべ
て実施例５と同様にして電子写真感光体を作成した。

実施例７ 厚さ０．２ｍｍのアルミニウム板上に下記組成の下引層
塗工液、共晶錯体層塗工液および目止め層塗工液を順次
、浸漬塗工法で塗布、乾燥して下引層（膜厚０．２μｍ
）、共晶錯体層（膜厚０．７μｍ）および目止め層（膜
厚０．２μｍ）を順次形成した。

（Ｉ）下引層塗工液 水　　　　　　　　　　　　　　２００重量部メタノー
ル　　　　　　　　　　１００重量部（２）共晶錯体層
塗工液 化合物Ｎｏ、２１の（Ｉ）式の化合物　１０重量部塩化
メチレン　　　　　　　　６５０重量部（３）目止め層
塗工液 エタノール　　　　　　　　　　２５０重量部次にこの
上に、下記組成の塗工液を浸漬塗工法により塗布し、乾
燥膜厚０．３μｍの電荷発生層を形成した。

顔料Ｎｏ、２−７のジスアゾ顔料　　　３重量部シクロ
ヘキサノン　　　　　　２００重量部テトラヒドロフラ
ン　　　　　１００重量部さらにこの上に下記組成の塗
工液を浸漬塗工法により塗布し、乾燥膜厚２０μｍの電
荷輸送層を形成して、本発明の電子写真感光体を得た。

下記構造式の電荷輸送物質　　　９０重量部塩化メチレ
ン　　　　　　　　８００重量部実施例８ 実施例７において、共晶錯体層塗工液に用いたＮｏ、２
１の（Ｉ）式の化合物の代りにＮｏ、４５の（Ｉ）式の
化合物を用いた他はすべて実施例７と同様にして、電子
写真感光体を作成した。

比較例４ 実施例７において、共晶錯体層を設けないほかは、すべ
て実施例７と同様にして電子写真感光体を作成した。

実施例９ 実施例１において用いたＮｏ、１４の（Ｉ）式の化合物
の代りに、Ｎｏ、３０の化合物を用いた以外はすべて実
施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。

実施例１０ 実施例７において用いたＮｏ、２１の（Ｉ）式の化合物
の代りに、Ｎｏ、４の化合物を用いた以外はすべて実施
例７と同様にして電子写真感光体を作成した。

以上の様に作成した電子写真感光体は静電複写紙試験装
置（川口電機製作所層５Ｐ−４２８型）を用いて、次の
様に電子写真特性を評価した。

まず、−５，５ｋＶの放電電圧にてコロナ帯電を１５秒
間行ない、次いで暗減衰を行ない表面電位が−８００Ｖ
になったところで１０　Ｑ　ｕｘのタングステン光を照
射した。

この時の帯電開始後２秒の表面電位Ｖ２（Ｖ）、光照射
の際、表面電位が一４００ｖになるのに必要な露光量Ｅ
ｌ／２　ＣＱｕｘ　５ｅｃ）を測定した。

更に、この感光体に色温度２８５６°にのタングステン
光を１００，０００　ｎ　ｕｘ　ｓｅｃ照射して、光疲
労させた後、再び前記と同様にして帯電電位ｖｚ’（ｖ
）、露光量Ｅ’ｌ／２　（Ｑｕｘ　５ｅｅ）を測定した
この様にして測定した評価結果を次表に示す。

（以下余白） 傘＝１５秒間電帯後も一８００ｖまで帯電しないため、
測定不可 効　　　果 本発明によれば、感光体の繰返し使用後の帯電特性の劣
化を防ぐことが可能となる。

すなわち、複写機、プリンター等の画像濃度低下、画像
濃度ムラ、カブリあるいは、反転現像時においては、地
肌汚れのない良好な画像を得ることができる。

【図面の簡単な説明】 第１図ａ、ｂ、第２図、及び第３図ａ、ｂは本発明の電
子写真感光体のそれぞれの構成例を示す断面図である。 １１・・・導電性基体　　　　１５・・・感光層１２・
・・下引層　　　　　　２１・・・電荷発生層１３・・
・共晶錯体層　　　　２２・・・電荷輸送層１４・・・
目止め層 見１図ｄ　　　　　　第１図す 死２図 荒３図ｄ　　　　　　　第３図す 手続補正書 昭和６２年４月２２日 昭和６２年特許願第４６３７８号 ２、発明の名称 電子写真用感光体 ３、　補正をする者 事件との関係　特許出願人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 （６７４）株式会社　リ　コ　− 代表者　浜　１）　　広 ４、代理人 東京都千代田区麹町４丁目５番地（〒１０２）６、補正
の内容 明細書第４８頁の化合物Ｎα２−１５の化学式訂正する
。 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性基体上に感光層を設けて成る電子写真感光体
   において、前記導電性基体と感光層との間に、ピリリウ
   ム系染料、電気絶縁性重合体および下記一般式（ I ）
   、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） 〔式中、Ｒ＿１は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、
   炭素数１〜４のアルキル基を表 わし、Ａｒは ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
   、表等があります▼ （ただし、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿６は水素原子、炭素数
   １〜４の置換又は無置換のアル キル基あるいは置換又は無置換のベン ジル基を表わし、Ｒ＿４、Ｒ＿５は水素原子、ハロゲン
   原子、炭素数１〜４のアルキ ル基あるいは炭素数１〜４のアルコキ シ基又はジアルキルアミノ基を表わす） を表わす。〕 で示される化合物を主成分とする共晶錯体層が設けられ
   ていることを特徴とする電子写真用感光体。