JPS6320825A - 半導体装置の拡散方法 - Google Patents
半導体装置の拡散方法Info
- Publication number
- JPS6320825A JPS6320825A JP16618486A JP16618486A JPS6320825A JP S6320825 A JPS6320825 A JP S6320825A JP 16618486 A JP16618486 A JP 16618486A JP 16618486 A JP16618486 A JP 16618486A JP S6320825 A JPS6320825 A JP S6320825A
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- JP
- Japan
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- diffusion
- mask
- region
- semiconductor device
- diffusion mask
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の拡散領域における局所的なブ
レークダウンを防止した半導体装置の拡散方法に関する
ものである。
レークダウンを防止した半導体装置の拡散方法に関する
ものである。
第２図は従来の半導体装置の拡散方法により得られた拡
散領域の拡散フロントの形状を示している。この図にお
いて、１は半導体基板、２は前記半導体基板１上に開口
された拡散マスク、３はｊｊｉｊ記半導体基板１に拡散
された拡散領域、４は空乏層である。
散領域の拡散フロントの形状を示している。この図にお
いて、１は半導体基板、２は前記半導体基板１上に開口
された拡散マスク、３はｊｊｉｊ記半導体基板１に拡散
された拡散領域、４は空乏層である。
次に動作について説明する。
この拡散マスク２による選択拡散によりブレーナ型ダイ
オードが得られるが、例えばダイオードに逆方向電圧を
印加した場合、拡散領域３の拡散フロントがら空乏層４
が、印加電圧と半導体基板１および拡散領域３の不純物
濃度で決まる距離だけ伸びる。
オードが得られるが、例えばダイオードに逆方向電圧を
印加した場合、拡散領域３の拡散フロントがら空乏層４
が、印加電圧と半導体基板１および拡散領域３の不純物
濃度で決まる距離だけ伸びる。
印加電圧を徐々に増やしていくと空乏層４にかかる電界
が増え、やがてなだれ現象により思念に逆方向電流が流
れ、ブレークダウンを起こす。
が増え、やがてなだれ現象により思念に逆方向電流が流
れ、ブレークダウンを起こす。
従来の半導体装置の拡散方法によると、拡散フロントは
その両端において思念に湾曲しているため、ここで電界
が集中し、空乏層４の伸びる距離は拡散フロントが平坦
な領域と比較して短くなる。
その両端において思念に湾曲しているため、ここで電界
が集中し、空乏層４の伸びる距離は拡散フロントが平坦
な領域と比較して短くなる。
したがって、印加電圧を増やしていくと、拡散フロント
が湾曲した領域での電界がより強くなリ、ここで局所的
なブレークダウンが先に生じ、１耐圧が上がらないとい
う欠点があった。
が湾曲した領域での電界がより強くなリ、ここで局所的
なブレークダウンが先に生じ、１耐圧が上がらないとい
う欠点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、局所的なブレークダウンを少なくした半導
体装置の拡散方法を得ることを目的とする。
れたもので、局所的なブレークダウンを少なくした半導
体装置の拡散方法を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置の拡散方法は、拡散マスクの
開口部端部を厚み方向に次第に７１ｖくなる傾斜奢つけ
ておき、この拡散マスクを用いて拡散を行うものである
。
開口部端部を厚み方向に次第に７１ｖくなる傾斜奢つけ
ておき、この拡散マスクを用いて拡散を行うものである
。
この発明においては、拡散フロントはその両端において
は、従来の場合と比較して曲率が緩やかになり、空乏層
が一様に伸びることになり局所的なブレークダウンの発
生が防止される。
は、従来の場合と比較して曲率が緩やかになり、空乏層
が一様に伸びることになり局所的なブレークダウンの発
生が防止される。
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
この図において、１は半導体基板、２は拡散マスクで、
その開口部端部に次第に薄くなる傾斜２ａが厚み方向に
形成される。３は拡１牧領域、４は空乏層である。
その開口部端部に次第に薄くなる傾斜２ａが厚み方向に
形成される。３は拡１牧領域、４は空乏層である。
このように、拡散マスク２には厚み方向に１■斜２ａが
形成されているため、この１■斜２ａの１；！い領域で
は通説が生じ、拡散マスク２の膜が厚くなるに従ってそ
の度合が減り、拡散フロントが浅くなっていく。そのた
め、拡散フロントは緩やかな傾、斜構造となる。
形成されているため、この１■斜２ａの１；！い領域で
は通説が生じ、拡散マスク２の膜が厚くなるに従ってそ
の度合が減り、拡散フロントが浅くなっていく。そのた
め、拡散フロントは緩やかな傾、斜構造となる。
このような構造において、逆方向電圧を印加すると拡散
フロントが曲がっている領域では電界の集中は生じるが
、従来と比較して曲率が小さいためその集中の度合いが
少なく、したがって、耐圧の向上が図れる。
フロントが曲がっている領域では電界の集中は生じるが
、従来と比較して曲率が小さいためその集中の度合いが
少なく、したがって、耐圧の向上が図れる。
この発明は以上説明したとおり、拡散マスクの開口部端
部を厚み方向に傾斜をつけて拡散するようにしたので、
拡散フロントの曲率を小さくすることができ、したがっ
て、耐圧の向上を図ることができる利点がある。
部を厚み方向に傾斜をつけて拡散するようにしたので、
拡散フロントの曲率を小さくすることができ、したがっ
て、耐圧の向上を図ることができる利点がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置の拡散方
法を示す断面図、第２図は従来の半導体装置の拡散方法
を示す断面図である。 図において、１は半導体基板、２は拡散マスク、２ａは
傾斜、３は拡散領域、４は空乏層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 手続補正書（自発） １．事件の表示 特願昭６１−１６６１８４号２、
発明の名称 半導体装置の拡散方法３、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５
、補正の対重 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第２頁１６〜１８行の「ここで 短くなる。」
を、下記のように補正する。 ［空乏層４の伸びろ距離は拡散フロントが平坦な領域と
比較して短くなり、ここで電界が集中１゛る。］以
上
法を示す断面図、第２図は従来の半導体装置の拡散方法
を示す断面図である。 図において、１は半導体基板、２は拡散マスク、２ａは
傾斜、３は拡散領域、４は空乏層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 手続補正書（自発） １．事件の表示 特願昭６１−１６６１８４号２、
発明の名称 半導体装置の拡散方法３、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５
、補正の対重 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第２頁１６〜１８行の「ここで 短くなる。」
を、下記のように補正する。 ［空乏層４の伸びろ距離は拡散フロントが平坦な領域と
比較して短くなり、ここで電界が集中１゛る。］以
上
Claims (1)
- 半導体基板に拡散マスクを用いて選択的に拡散領域を形
成する半導体装置の拡散方法において、前記拡散マスク
の開口部端部を厚み方向に次第に薄くなる傾斜をつけて
おき、この拡散マスクを用いて拡散することを特徴とす
る半導体装置の拡散方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16618486A JPS6320825A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 半導体装置の拡散方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16618486A JPS6320825A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 半導体装置の拡散方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6320825A true JPS6320825A (ja) | 1988-01-28 |
Family
ID=15826631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16618486A Pending JPS6320825A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 半導体装置の拡散方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6320825A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7359202B2 (en) | 1992-05-20 | 2008-04-15 | Seiko Epson Corporation | Printer apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5315756A (en) * | 1976-07-28 | 1978-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | Production of semiconductor device |
| JPS5384688A (en) * | 1976-12-30 | 1978-07-26 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
-
1986
- 1986-07-14 JP JP16618486A patent/JPS6320825A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5315756A (en) * | 1976-07-28 | 1978-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | Production of semiconductor device |
| JPS5384688A (en) * | 1976-12-30 | 1978-07-26 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7359202B2 (en) | 1992-05-20 | 2008-04-15 | Seiko Epson Corporation | Printer apparatus |
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