JPS63205527A - 測光回路 - Google Patents
測光回路Info
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- JPS63205527A JPS63205527A JP3883387A JP3883387A JPS63205527A JP S63205527 A JPS63205527 A JP S63205527A JP 3883387 A JP3883387 A JP 3883387A JP 3883387 A JP3883387 A JP 3883387A JP S63205527 A JPS63205527 A JP S63205527A
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- JP
- Japan
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- time
- circuit
- capacitor
- charging
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、スチルカメラ、ビデオカメラなどの種々の
カメラの測光回路に関する。
カメラの測光回路に関する。
用いられる電流積分型の測光回路は、測光用の光センサ
の起電力の電流を充電積分する1個のコンデンサを有し
、前記電流の積分値が設定値に達するまでの時間を測光
値として計測するように構成されている。
の起電力の電流を充電積分する1個のコンデンサを有し
、前記電流の積分値が設定値に達するまでの時間を測光
値として計測するように構成されている。
すなわち、従来のこの種電流積分型の測光回路の1例は
第6図に示すように構成され、同図において、[11は
測光用の光センサを形成するフォトダイオードであり、
アノードがアースされている。
第6図に示すように構成され、同図において、[11は
測光用の光センサを形成するフォトダイオードであり、
アノードがアースされている。
(2)は反転入力端子←)がダイオード(1)のカソー
ドに接続された演算増幅回路であり、非反転入力端子(
ト)がアースされている。(3)は増幅回路(2)の反
転入力端子(→と出力端子との間に設けられた積分用コ
ンデンサ、(4)はコンデンサ(3)に並列に設けられ
た充放電制御用のアナログ′スイッチである。
ドに接続された演算増幅回路であり、非反転入力端子(
ト)がアースされている。(3)は増幅回路(2)の反
転入力端子(→と出力端子との間に設けられた積分用コ
ンデンサ、(4)はコンデンサ(3)に並列に設けられ
た充放電制御用のアナログ′スイッチである。
(5)は反転入力端子(→が増幅回路(2)の出力端子
に接続された比較回路であり、非反転入力端子(ト)に
基準電源(6)の設定電圧Vrが印加されている。(7
)は比較回路(5)の出力信号が入力されるマイクロコ
ンピュータであり、スイッチF41のオン、オフの制御
およびタイマ回路(8)の起動、データ取込みを制御す
る。
に接続された比較回路であり、非反転入力端子(ト)に
基準電源(6)の設定電圧Vrが印加されている。(7
)は比較回路(5)の出力信号が入力されるマイクロコ
ンピュータであり、スイッチF41のオン、オフの制御
およびタイマ回路(8)の起動、データ取込みを制御す
る。
なお、タイマ回路(8)は、たとえば、基準クロックの
発生器と該基準クロックを計数するカウンタからなり、
起動される毎に、基準クロックの周期によって定まる最
小計時時間を単位として、起動からの時間を計時する。
発生器と該基準クロックを計数するカウンタからなり、
起動される毎に、基準クロックの周期によって定まる最
小計時時間を単位として、起動からの時間を計時する。
また、増幅回路(21,コンデンサ+31およびスイッ
チ(4)によって電流積分回路が形成され、たとえばシ
ャツタ釦の半押しなどによってスタンバイスイッチがオ
ンされる毎に、コンピュータ(7)から出力されたクリ
アパルス信号によってスイッチが瞬時オンし、コンデン
サ(31がリセット放電される。
チ(4)によって電流積分回路が形成され、たとえばシ
ャツタ釦の半押しなどによってスタンバイスイッチがオ
ンされる毎に、コンピュータ(7)から出力されたクリ
アパルス信号によってスイッチが瞬時オンし、コンデン
サ(31がリセット放電される。
そして、クリアパルス信号のリセット放電が終了し、ス
イッチ(4)がオフすると、コンデンサ(3)が充電に
制御され、このとき、ダイオード(1)の起電力の電流
、すなわち測光光量に比例した電流によってコンデンサ
[31が充電され、コンデンサ(3)によってダイオー
ドfi+の起電力の電流が充電積分される。
イッチ(4)がオフすると、コンデンサ(3)が充電に
制御され、このとき、ダイオード(1)の起電力の電流
、すなわち測光光量に比例した電流によってコンデンサ
[31が充電され、コンデンサ(3)によってダイオー
ドfi+の起電力の電流が充電積分される。
ところで、ダイオード[11の起電力に時間変動がなけ
れば、コンデンサ(3)の充電電圧が時間に比例して変
化する。
れば、コンデンサ(3)の充電電圧が時間に比例して変
化する。
また、増幅回路(2)の出力電圧はコンデンサ(31の
充電電圧に比例して変化する。
充電電圧に比例して変化する。
さらに、設定電圧Vrは、測光範囲、測光時間の設定な
どにもとづいて設定されている。
どにもとづいて設定されている。
そして、増幅回路[21の出力電圧が設定電圧Vrに達
すると、比較回路(5)の出力信号のレベルが反転し、
比較回路(5)からコンピュータ(7)にローレベルの
検出信号が出力される。
すると、比較回路(5)の出力信号のレベルが反転し、
比較回路(5)からコンピュータ(7)にローレベルの
検出信号が出力される。
一方、クリアパルス信号の出力直後、すなわちスイッチ
(3)がオフしたときには、コンピュータ(7)によっ
てタイマ回路(8)が起動され、タイマ回路(8)によ
ってコンデンサ(3)の充電時間が計時される。
(3)がオフしたときには、コンピュータ(7)によっ
てタイマ回路(8)が起動され、タイマ回路(8)によ
ってコンデンサ(3)の充電時間が計時される。
そして、比較回路(5)からコンピュータ(7)に検出
信号が出力されたときは、該検出信号の出力時のタイマ
回路(8)の計時データの時間が測光値としてコンピュ
ータ(7)に取込まれる。
信号が出力されたときは、該検出信号の出力時のタイマ
回路(8)の計時データの時間が測光値としてコンピュ
ータ(7)に取込まれる。
なお、コンピュータ(7)が露出演算機能を有する場合
は、測光値として取込まれた時間のデータにもとづき、
コンピュータ(7)の内部で露出時間、シャッタ速度な
どが算出される。
は、測光値として取込まれた時間のデータにもとづき、
コンピュータ(7)の内部で露出時間、シャッタ速度な
どが算出される。
また、コンピュータ(7)が露出演算機能を有しない場
合は、取込まれた時間のデータがコンピユー 、り(7
)から露出演算回路などに転送される。
合は、取込まれた時間のデータがコンピユー 、り(7
)から露出演算回路などに転送される。
そして、スタンバイスイッチがオンする毎に前述の動作
がくり返される。
がくり返される。
ところで、ダイオード(11の起電力、すなわち計測光
量に対して増幅回路(2)の出力電圧は第7図の実線a
、b、cに示すように変化する。
量に対して増幅回路(2)の出力電圧は第7図の実線a
、b、cに示すように変化する。
なお、実線aは計測光量が適当な場合を示し、実線す、
cは計測光量が過大、過小の場合を示す。
cは計測光量が過大、過小の場合を示す。
そして、第7図からも明らかなように、計測光量の大、
小すなわち明、暗に応じて、比較回路(5)の出力電圧
が設定電圧Vrに達するまでの時間、すなわち到達時間
が短、長に変化する。
小すなわち明、暗に応じて、比較回路(5)の出力電圧
が設定電圧Vrに達するまでの時間、すなわち到達時間
が短、長に変化する。
一方、計時可能な最短時間はタイマ回路(8)の最小計
時時間によって定まり、計時可能な最長時間はスタンバ
イスイッチがオンしてからシャッタが動作して撮影が行
なわれるまでの最短時間(以下シャッタシーケンス時間
と称する)によって定まる。
時時間によって定まり、計時可能な最長時間はスタンバ
イスイッチがオンしてからシャッタが動作して撮影が行
なわれるまでの最短時間(以下シャッタシーケンス時間
と称する)によって定まる。
したがって、コンデンサ(3)の容量に対して測光光量
が過大になり、増幅回路(2]の出力電圧が、たとえば
第7図の実線すのように急峻に立上り、タイマ回路(8
)の最小計時時間より短い時間で比較回路(5)から検
出信号が出力される場合、およびコンデンサ(31の容
量に対して測光光量が過小になり、増幅回路(2)の出
力電圧が、たとえば第7図の実線CのようにfIL慢に
立上り、シャッタシーケンス時間が経過しても比較回路
(5)から検出信号が出力されない場合は、測光が行な
えなくなる。
が過大になり、増幅回路(2]の出力電圧が、たとえば
第7図の実線すのように急峻に立上り、タイマ回路(8
)の最小計時時間より短い時間で比較回路(5)から検
出信号が出力される場合、およびコンデンサ(31の容
量に対して測光光量が過小になり、増幅回路(2)の出
力電圧が、たとえば第7図の実線CのようにfIL慢に
立上り、シャッタシーケンス時間が経過しても比較回路
(5)から検出信号が出力されない場合は、測光が行な
えなくなる。
そして、コンデンサ(3)の容量および設定電圧Vrを
適当に選定しても、タイマ回路(8)の最小計時時間お
よびシャッタシーケンス時間の制約にもとづき、たとえ
ば、一般のスチルカメラの露光測定に必要な広い光量範
囲の測光を行なうことは困難になる。
適当に選定しても、タイマ回路(8)の最小計時時間お
よびシャッタシーケンス時間の制約にもとづき、たとえ
ば、一般のスチルカメラの露光測定に必要な広い光量範
囲の測光を行なうことは困難になる。
すなわち、一般のスチルカメラの場合、撮影可能な被写
体の明るさは、数万〜数十ルックスの103倍の広い範
囲で変化し、かつ、前述のシャッタシーケンス時間が1
00m5ec程度の比較的短い時間になるため、コンデ
ンサ(3)の容量および設定電圧Vrを適当に選定し、
かつ、タイマ回路(8)の最小計時時間を極力短くして
も、全光量範囲の測光を行なうことは困難である。
体の明るさは、数万〜数十ルックスの103倍の広い範
囲で変化し、かつ、前述のシャッタシーケンス時間が1
00m5ec程度の比較的短い時間になるため、コンデ
ンサ(3)の容量および設定電圧Vrを適当に選定し、
かつ、タイマ回路(8)の最小計時時間を極力短くして
も、全光量範囲の測光を行なうことは困難である。
そこで、「テレビジョン学会技術報告■Ol、91’1
&135(1985年12月)」の論文番号TEBS
107−2「ミノルウαシステムの電子化技術」には、
たとえばダイオードfi+の起電力の電流を対数圧縮し
た後コンデンサ(3)で積分し、測光可能な光量範囲を
拡大することが記載されている。
&135(1985年12月)」の論文番号TEBS
107−2「ミノルウαシステムの電子化技術」には、
たとえばダイオードfi+の起電力の電流を対数圧縮し
た後コンデンサ(3)で積分し、測光可能な光量範囲を
拡大することが記載されている。
ところで、前述のようにダイオード(11の起電力の電
流を対数圧縮して積分する場合は、測光回路に複雑な対
数増幅回路などを設ける必要があるとともに、測光値と
して取込まれた計時データの時間が、実際の時間を対数
圧縮した時間になるため、取込まれた時間から露光演算
などを行なう際に、逆対数処理などの複雑な処理が必要
になる問題点がある。
流を対数圧縮して積分する場合は、測光回路に複雑な対
数増幅回路などを設ける必要があるとともに、測光値と
して取込まれた計時データの時間が、実際の時間を対数
圧縮した時間になるため、取込まれた時間から露光演算
などを行なう際に、逆対数処理などの複雑な処理が必要
になる問題点がある。
この発明は、前記の点に留意してなされたものであり、
測光用の光センサの起電力の電流の積分値が設定値に達
するまでの時間を測光値として計分する複数の積分用コ
ンデンサを有し、充電中のコンデンサの充電電圧に比例
して出力電圧が変化する電流積分回路と、 前記出力電圧が前記設定値に対応する設定電圧に達した
ときに検出信号を出力する比較回路と、前記充電中のコ
ンデンサの充電開始からの時間を計測し、充電時間の計
時データを出力するタイマ回路と、 前記充電時間の上限値、下限値が予め設定されるととも
に前記検出信号、前記計時データが入力される制御処理
回路とを備え、 かつ、前記制御処理回路に、 前記検出信号の出力時の前記計時データの時間が前記下
限値以下または前記上限値以上になる毎につぎの容量の
コンデンサへの充電切換えおよび前記タイマ回路の起動
を行なう計時制御手段と、前記充電切換えによって得ら
れた前記検出信号の出力時の前記下限値ないし前記上限
値の範囲内の前記計時データの時間を前記測光値として
取込む測光値取込み手段とを設けた ことを特徴とする測光回路である。
測光用の光センサの起電力の電流の積分値が設定値に達
するまでの時間を測光値として計分する複数の積分用コ
ンデンサを有し、充電中のコンデンサの充電電圧に比例
して出力電圧が変化する電流積分回路と、 前記出力電圧が前記設定値に対応する設定電圧に達した
ときに検出信号を出力する比較回路と、前記充電中のコ
ンデンサの充電開始からの時間を計測し、充電時間の計
時データを出力するタイマ回路と、 前記充電時間の上限値、下限値が予め設定されるととも
に前記検出信号、前記計時データが入力される制御処理
回路とを備え、 かつ、前記制御処理回路に、 前記検出信号の出力時の前記計時データの時間が前記下
限値以下または前記上限値以上になる毎につぎの容量の
コンデンサへの充電切換えおよび前記タイマ回路の起動
を行なう計時制御手段と、前記充電切換えによって得ら
れた前記検出信号の出力時の前記下限値ないし前記上限
値の範囲内の前記計時データの時間を前記測光値として
取込む測光値取込み手段とを設けた ことを特徴とする測光回路である。
したがって、この発明によると、光センサの起電力の電
流は、対数圧縮などが施されることなく、電流積分回路
に入力され、このとき、検出信号の出力時の計時データ
の時間が下限値以上または上限値以下になるまで各コン
デンサが順に選択されて起電力の電流を充電積分し、検
出信号の出力時の下限値ないし上限値の範囲の計時デー
タの時間が測光値として取込まれる。
流は、対数圧縮などが施されることなく、電流積分回路
に入力され、このとき、検出信号の出力時の計時データ
の時間が下限値以上または上限値以下になるまで各コン
デンサが順に選択されて起電力の電流を充電積分し、検
出信号の出力時の下限値ないし上限値の範囲の計時デー
タの時間が測光値として取込まれる。
そして、充電積分の開始から検出信号が出力されるまで
の時間が、各コンデンサの容置に応じて異なるため、各
コンデンサが測光範囲を分割して担当し、下限値をタイ
マ回路の最小単位時間以上に設定するとともに、上限値
をシーケンス時間より短く設定しても、測光範囲に対応
した個数の積分用コンデンサを設けることにより、シー
ケンス時間より短い時間で、広い光量範囲の測光が行な
え、しかも、測光値として取込まれた時間に対数圧縮な
どが施されていないため、露光演算を行なう際には、逆
対数処理などの複雑な処理の代わりに、測光値として取
込まれた時間と各積用コンデンサの容量比との簡単な乗
算処理のみを行なえばよく、光センサの起電力の電流を
対数圧縮することな(、限られた時間内に広い光量範囲
の測光が行なえる。
の時間が、各コンデンサの容置に応じて異なるため、各
コンデンサが測光範囲を分割して担当し、下限値をタイ
マ回路の最小単位時間以上に設定するとともに、上限値
をシーケンス時間より短く設定しても、測光範囲に対応
した個数の積分用コンデンサを設けることにより、シー
ケンス時間より短い時間で、広い光量範囲の測光が行な
え、しかも、測光値として取込まれた時間に対数圧縮な
どが施されていないため、露光演算を行なう際には、逆
対数処理などの複雑な処理の代わりに、測光値として取
込まれた時間と各積用コンデンサの容量比との簡単な乗
算処理のみを行なえばよく、光センサの起電力の電流を
対数圧縮することな(、限られた時間内に広い光量範囲
の測光が行なえる。
つぎに、この発明を、その実施例を示した第1図ないし
第3図とともに詳細に説明する。
第3図とともに詳細に説明する。
(l実施例)
まず、1実施例を示した第1図ないし第3図について説
明する。
明する。
第1図は2個の積分用コンデンサを設けた場合を示し、
同図において、(9)は測光用の光センサを形成するフ
ォトダイオードであり、アノードがアースされている。
同図において、(9)は測光用の光センサを形成するフ
ォトダイオードであり、アノードがアースされている。
(10)は反転入力端子(→がダイオード(10)のカ
ソードに接続された演算増幅回路であり、非反転入力端
子(ト)がアースされている。
ソードに接続された演算増幅回路であり、非反転入力端
子(ト)がアースされている。
(lla)、(llb)は一端が増幅回路f10+ (
7)反転入力端子(→に接続された2個の積分用コンデ
ンサであり、両コンデンサ(lla)、(llb) (
D容量Ca、CbがCa(Cb(=KiCa Kは定数
)に設定されている。 (12a)、(12b)はコン
デンサ(lla)、(llb)それぞれに並列に設けら
れた常開の2個の放電リセットスイッチであり、アナロ
グスイッチからなる。(13a)、(13b)はコンデ
ンサ(lla)、(llb)それぞれの他端と増幅回路
(lO)の出力端子との間に設けられた常開の2個の充
電スイッチであり、アナログスイッチからなる。
7)反転入力端子(→に接続された2個の積分用コンデ
ンサであり、両コンデンサ(lla)、(llb) (
D容量Ca、CbがCa(Cb(=KiCa Kは定数
)に設定されている。 (12a)、(12b)はコン
デンサ(lla)、(llb)それぞれに並列に設けら
れた常開の2個の放電リセットスイッチであり、アナロ
グスイッチからなる。(13a)、(13b)はコンデ
ンサ(lla)、(llb)それぞれの他端と増幅回路
(lO)の出力端子との間に設けられた常開の2個の充
電スイッチであり、アナログスイッチからなる。
(14)は増幅回路tlo) I :ffンデンサ(l
la)、(llb)およびスイッチ(12a)、(12
b)、(13a)、(13b)からナル電流積分回路で
ある。
la)、(llb)およびスイッチ(12a)、(12
b)、(13a)、(13b)からナル電流積分回路で
ある。
(16)は反転入力端子(→が増幅回路(lO)の出力
端子に接続された比較回路であり、非反転入力端子(→
に基準電源(国の設定電圧VRが印加され、増幅回路)
lO)の出力電圧が設定電圧VRに達したときに、出力
信号のレベルが反転してローレベルの検出信号を出力す
る。
端子に接続された比較回路であり、非反転入力端子(→
に基準電源(国の設定電圧VRが印加され、増幅回路)
lO)の出力電圧が設定電圧VRに達したときに、出力
信号のレベルが反転してローレベルの検出信号を出力す
る。
(1ηは比較回路(5)の出力信号、タイマ回路(18
)の計時データ、判別取込み回路(19)の出力信号、
およびスタンバイスイッチの信号が入力されるタイミン
グ制御回路であり、比較回路(+5)から検出信号が出
力されたときのタイマ回路(18)の計時データを取込
み回路(19)に転送するとともに、スイッチ(12a
)、(12b)。
)の計時データ、判別取込み回路(19)の出力信号、
およびスタンバイスイッチの信号が入力されるタイミン
グ制御回路であり、比較回路(+5)から検出信号が出
力されたときのタイマ回路(18)の計時データを取込
み回路(19)に転送するとともに、スイッチ(12a
)、(12b)。
(13a)、(13b)のスイッチングを制御してコン
デンサ(lla)、(llb)の充放電を制御し、かつ
、タイマ回路(+8)の起動を制御する。
デンサ(lla)、(llb)の充放電を制御し、かつ
、タイマ回路(+8)の起動を制御する。
120+は制御回路(lηに接続されたクリアパルス発
生回路であり、コンデンサ(lla)、(llb)の充
電開始直前毎に、制御回路(17)の放11E IJ上
セツト御にもとづき、スイッチ(12a)、(12b)
にクリアパルス信号を出力して両スイッチ(12a)、
(12b)を瞬時リセットし、コンデンサ(lla)、
(llb)をリセット放電する。
生回路であり、コンデンサ(lla)、(llb)の充
電開始直前毎に、制御回路(17)の放11E IJ上
セツト御にもとづき、スイッチ(12a)、(12b)
にクリアパルス信号を出力して両スイッチ(12a)、
(12b)を瞬時リセットし、コンデンサ(lla)、
(llb)をリセット放電する。
(21a)、(21b)は制御回路(Iηに接続された
第1゜第2選択信号発生回路であり、制御回路(17)
の充電制御にもとづき、コンデンサ(lla)の充電期
間には、発生回路(21a)からスイッチ(13a)に
第1選択信号が出力されてスイッチ(13a)がオンし
、コンデンサ(llb)の充電期間には、発生回路(2
1b)からスイッチ(13b)に第2選択信号が出力さ
れてスイッチ(13b)がオンする。
第1゜第2選択信号発生回路であり、制御回路(17)
の充電制御にもとづき、コンデンサ(lla)の充電期
間には、発生回路(21a)からスイッチ(13a)に
第1選択信号が出力されてスイッチ(13a)がオンし
、コンデンサ(llb)の充電期間には、発生回路(2
1b)からスイッチ(13b)に第2選択信号が出力さ
れてスイッチ(13b)がオンする。
問は制御回路(+9)に接続された上、下限値保持回路
であり、予め設定された充電時間の下限値、上限値のデ
ータを記憶保持する。
であり、予め設定された充電時間の下限値、上限値のデ
ータを記憶保持する。
(?3は制御回路t+7)、取込み回路++9) e発
生回路(20)。
生回路(20)。
(21a)、(21b)および保持回路−からなる制御
処理回路であり、たとえば、マイクロコンピュータから
なる。
処理回路であり、たとえば、マイクロコンピュータから
なる。
なお、制御回路(+7)が計時制御手段を形成し、判別
取込み回路(【91が測光値取込み手段を形成する。
取込み回路(【91が測光値取込み手段を形成する。
そして、取込み回路叫は、制御回路(17)から上限値
の時間Tlの取込みが指令されないときに、制御回路(
17)から転送された計時データの時間Txと保持回路
(4)の下限値の時間Tsとを比較し、下限値の時間T
sより長い時間Txを測光値として取込み、制御回路(
+7)から上限値の時間Teの取込みが指令されたとき
に、保持回路−の上限値の時間Tlを測光値の時間とし
て取込む。
の時間Tlの取込みが指令されないときに、制御回路(
17)から転送された計時データの時間Txと保持回路
(4)の下限値の時間Tsとを比較し、下限値の時間T
sより長い時間Txを測光値として取込み、制御回路(
+7)から上限値の時間Teの取込みが指令されたとき
に、保持回路−の上限値の時間Tlを測光値の時間とし
て取込む。
また、タイマ回路(18)は、第6図のタイマ回路(8
)と同様に、たとえば、基準クロックの発生器とカウン
タを用いて形成され、コンデンサ(lla)、(llb
)それぞれの充電開始時に起動され、充電中のコンデン
サ(lla)または(llb)の充電時間の計時データ
を制御回路(17)に出力する。
)と同様に、たとえば、基準クロックの発生器とカウン
タを用いて形成され、コンデンサ(lla)、(llb
)それぞれの充電開始時に起動され、充電中のコンデン
サ(lla)または(llb)の充電時間の計時データ
を制御回路(17)に出力する。
さらに、計測を迅速に行なうため、−コンデンサ(ll
a)、(llb)は、制御回路+17)(7)制御にも
トッキ、容量の小さい順に択一的に選択される。
a)、(llb)は、制御回路+17)(7)制御にも
トッキ、容量の小さい順に択一的に選択される。
そして、スタンバイスイッチがオンして制御回路(lη
に測光が指令されると、発生回路シ0)のクリアパルス
信号によってスイッチ(12a)、(12b)が瞬時オ
ンし、コンデンサ(lla)、(llb)がリセット放
電された後、発生回路(21a)の第1選択信号によっ
てスイッチ(L3a)がオンし、コンデンサ(lla)
が選択され、ダイオード(9)の起電力の電流によって
コンデンサ(lla)が充電され始める。
に測光が指令されると、発生回路シ0)のクリアパルス
信号によってスイッチ(12a)、(12b)が瞬時オ
ンし、コンデンサ(lla)、(llb)がリセット放
電された後、発生回路(21a)の第1選択信号によっ
てスイッチ(L3a)がオンし、コンデンサ(lla)
が選択され、ダイオード(9)の起電力の電流によって
コンデンサ(lla)が充電され始める。
また、発生回路(21a)から第1選択信号が出力され
ると同時に、制御回路(17)によってタイマ回路(1
8)が起動され、タイマ回路(国が計時動作を開始する
。
ると同時に、制御回路(17)によってタイマ回路(1
8)が起動され、タイマ回路(国が計時動作を開始する
。
そして、コンデンサ(lla)の充電積分によって増幅
回路(10)の出力電圧が上昇し、コンデンサ(lla
)の充電開始から上限値の時間Tlになるまでに、増幅
回路(10)の出力電圧が設定電圧VRに達し、比較回
路(1句から検出信号が出力されると、制御回路(1η
は、検出信号の出力時のタイマ回路(+8)の計時デー
タを取込み回路(1句に転送するとともに、発生回路(
21a)に第1選択信号の出力停止を指令し、このとき
、取込み回路(19)は、転送入力された計時データの
時間Txと保持回路−の下限値の時間Tsとを比較し、
時間Txが時間Tsより短かければ、充電切換えの指令
用の判別信号を制御回路(lηに出力する。
回路(10)の出力電圧が上昇し、コンデンサ(lla
)の充電開始から上限値の時間Tlになるまでに、増幅
回路(10)の出力電圧が設定電圧VRに達し、比較回
路(1句から検出信号が出力されると、制御回路(1η
は、検出信号の出力時のタイマ回路(+8)の計時デー
タを取込み回路(1句に転送するとともに、発生回路(
21a)に第1選択信号の出力停止を指令し、このとき
、取込み回路(19)は、転送入力された計時データの
時間Txと保持回路−の下限値の時間Tsとを比較し、
時間Txが時間Tsより短かければ、充電切換えの指令
用の判別信号を制御回路(lηに出力する。
さらに、充電切換えの指令用の判別信号が出力されると
、制御回路(17)の制御により、発生回路(20+
。
、制御回路(17)の制御により、発生回路(20+
。
カラクリアパルス信号が出力されてコンデンサ(lla
)、(llb)が放電リセットされた後、発生回路(2
117)か°ら第ど2選、択信号が出力され、スイッチ
(13b)がオンしてコンデンサ(llb)が選択され
、ダイオード(9)の起電力の電流によってコンデンサ
(1lb)が充電され始めるとともに、タイマ回路州が
起動されて計時動作を開始する。
)、(llb)が放電リセットされた後、発生回路(2
117)か°ら第ど2選、択信号が出力され、スイッチ
(13b)がオンしてコンデンサ(llb)が選択され
、ダイオード(9)の起電力の電流によってコンデンサ
(1lb)が充電され始めるとともに、タイマ回路州が
起動されて計時動作を開始する。
そして、比較回路(15)から検出信号が出力されると
、該検出信号の出力時のタイマ回路(8)の計時データ
が、制御回路Oηから取込み回路(19)に転送される
とともに、制御回路(1ηから発生回路(21b)に第
2選択信号の出力停止が指令される。
、該検出信号の出力時のタイマ回路(8)の計時データ
が、制御回路Oηから取込み回路(19)に転送される
とともに、制御回路(1ηから発生回路(21b)に第
2選択信号の出力停止が指令される。
ところで、コンデンサ(llb)が充電されるときは、
充電開始から増幅回路(lO)の出力電圧が設定電圧V
Rに達するまでの時間、すなわち比較回路(15)から
検出信号が出力されるときの計時データの時間Txが、
必ず、下限値の時間Tsより大きくなる。
充電開始から増幅回路(lO)の出力電圧が設定電圧V
Rに達するまでの時間、すなわち比較回路(15)から
検出信号が出力されるときの計時データの時間Txが、
必ず、下限値の時間Tsより大きくなる。
そこで、取込み回路(19)は、計時データの時間Tx
を測光値として取込み、当該計時データの時間Txとコ
ンデンサ(llb)を示す番号とを後段の露出演算回路
に出力するとともに、測光終了の指令用の判別信号を出
力し、このとき、測光が終了する。
を測光値として取込み、当該計時データの時間Txとコ
ンデンサ(llb)を示す番号とを後段の露出演算回路
に出力するとともに、測光終了の指令用の判別信号を出
力し、このとき、測光が終了する。
一方、コンデンサ(lla)の充電時間が上限値の時間
Tlに達しても、比較回路(15)から検出信号が出力
されないときは、タイマ回路(18)の計時データの時
間Txが上限値の時間Tlに達することにより、制御回
路(17)が計時停止を指令し、このとき、制御回路(
lηは、上限値の時間Tlの取込みを取込み回路(19
)に指令するとともに、発生回路(21a)に第1選択
信号の出力停止を指令する。
Tlに達しても、比較回路(15)から検出信号が出力
されないときは、タイマ回路(18)の計時データの時
間Txが上限値の時間Tlに達することにより、制御回
路(17)が計時停止を指令し、このとき、制御回路(
lηは、上限値の時間Tlの取込みを取込み回路(19
)に指令するとともに、発生回路(21a)に第1選択
信号の出力停止を指令する。
そして、上限値の時間Tlの取込みが指令されると、取
込み回路(19)は、保持回路−の上限値の時間Tlを
測光値として取込み、当該時間Tlとコンデンサ(ll
a)を示す番号とを前述の露出演算回路に出力し、この
とき、測光が終了する。
込み回路(19)は、保持回路−の上限値の時間Tlを
測光値として取込み、当該時間Tlとコンデンサ(ll
a)を示す番号とを前述の露出演算回路に出力し、この
とき、測光が終了する。
そして、コンデンサ(lla)の容量Caがコンデンサ
(llb)の容量cbの1/Kに設定されているため、
ダの出力電圧は、コンデンサ(lla)、(llb)の
充電電圧に比例して、たとえば第2図(a)の実線A、
Bそれぞれに示すように変化し、このとき、コンデンサ
(lla)の充電開始から増幅回路(10)の出力電圧
が設定電圧VRに達するまでの時間をTAとすると、コ
ンデンサ(llb)の充電開始から増幅回路(10)の
出力電圧が設定電圧VRに達するまでの時間TBはTA
のに倍になる。
(llb)の容量cbの1/Kに設定されているため、
ダの出力電圧は、コンデンサ(lla)、(llb)の
充電電圧に比例して、たとえば第2図(a)の実線A、
Bそれぞれに示すように変化し、このとき、コンデンサ
(lla)の充電開始から増幅回路(10)の出力電圧
が設定電圧VRに達するまでの時間をTAとすると、コ
ンデンサ(llb)の充電開始から増幅回路(10)の
出力電圧が設定電圧VRに達するまでの時間TBはTA
のに倍になる。
したがって、時間Tsを示すタイマ回路(国のカウンタ
のカウント値をPOとすれば、コンデンサ(lla)の
充電によって得られるカウント値Q−Poは、第2図(
b)に示すようにコンデンサ(llb)の充電によって
得られるカウント値0〜に=Poに対応し、このとき、
カウント値に!PGの計時データが時間TI!の計時デ
ータになり、かつ、タイマ回路(国のカウンタの最大値
PMに対してに? PO≦PMに設定されているため、
カウント値PO〜に?POによってPO/に〜に−PO
の光量範囲の測光が行なえ、測光範囲が(j(+1)倍
に拡大される。
のカウント値をPOとすれば、コンデンサ(lla)の
充電によって得られるカウント値Q−Poは、第2図(
b)に示すようにコンデンサ(llb)の充電によって
得られるカウント値0〜に=Poに対応し、このとき、
カウント値に!PGの計時データが時間TI!の計時デ
ータになり、かつ、タイマ回路(国のカウンタの最大値
PMに対してに? PO≦PMに設定されているため、
カウント値PO〜に?POによってPO/に〜に−PO
の光量範囲の測光が行なえ、測光範囲が(j(+1)倍
に拡大される。
なお、K−Po以上の測光範囲より暗い場合は、コンデ
ンサ(lla)の充電積分中に、共櫻時間TI!に達し
ても検出信号が出力されず、また、PO/に以下の測光
範囲より明るい場合は、コンデンサ(llb)の充電積
分中に、手番時間Tsに達する前に検出信号が出力され
る。
ンサ(lla)の充電積分中に、共櫻時間TI!に達し
ても検出信号が出力されず、また、PO/に以下の測光
範囲より明るい場合は、コンデンサ(llb)の充電積
分中に、手番時間Tsに達する前に検出信号が出力され
る。
そして、この実施例では、K・Po以上になる場合には
、コンデンサ(11a)の充電積分中に得られた時間T
/を測光値として取込み、かつ、PO/に以下になる場
合には、コンデンサ(llb)の充電積分中に得られた
時間Tsを測光値として取込み、K? PG以上。
、コンデンサ(11a)の充電積分中に得られた時間T
/を測光値として取込み、かつ、PO/に以下になる場
合には、コンデンサ(llb)の充電積分中に得られた
時間Tsを測光値として取込み、K? PG以上。
PG/に以下になる測光光量に対しても、露光演算が行
なえるようにしている。
なえるようにしている。
すなわち、PO/に以下の測光範囲外の過大光量の場合
は、第3図(a)に示すようにコンデンサ(lla)。
は、第3図(a)に示すようにコンデンサ(lla)。
(tib)が順に選択されて測光され、この場合両コン
デンサ(lla)、(Hb)それぞれの充電積分によっ
て検出信号が出力されるまでの時間が稀時間Ts以下に
なるため、コンデンサ(llb)の充電積分によって得
られた検出信号にもとづき、保持回路(19)の時間T
sの計時データが測光値として取込み回路(19)に取
込まれる。
デンサ(lla)、(Hb)それぞれの充電積分によっ
て検出信号が出力されるまでの時間が稀時間Ts以下に
なるため、コンデンサ(llb)の充電積分によって得
られた検出信号にもとづき、保持回路(19)の時間T
sの計時データが測光値として取込み回路(19)に取
込まれる。
また、PG/に−Poの測光範囲内の大光量の場合も、
第3図中)に示すようにコンデンサ(lla)、(Hb
)が順に選択されて測光され、この場合、コンデンサ(
llb)の充電積分によって検出信号が出力されるまで
の時間が、M時間Tsないし#洪時間Tlの範囲内の時
間になるため、コンデンサ(llb)の充電積分によっ
て検出信号が出力されたときの計時データの時間Txが
測光値として取込み回路(+91に取込まれる。
第3図中)に示すようにコンデンサ(lla)、(Hb
)が順に選択されて測光され、この場合、コンデンサ(
llb)の充電積分によって検出信号が出力されるまで
の時間が、M時間Tsないし#洪時間Tlの範囲内の時
間になるため、コンデンサ(llb)の充電積分によっ
て検出信号が出力されたときの計時データの時間Txが
測光値として取込み回路(+91に取込まれる。
一方、PO〜に?Poの測光範囲内の小光量の場合は、
コンデンサ(lla)の充電積分によって検出信号が出
力されるまでの時間が、→時間Tsないしヰ時間Tlの
範囲内の時間になるため、第3図(C)に示すようにコ
ンデンサ(lla)のみで測光され、コンデンサ(ll
a)の充電積分によって検出信号が出力されたときの計
時データの時間Txが測光値として取込み回路(19)
に取込まれる。
コンデンサ(lla)の充電積分によって検出信号が出
力されるまでの時間が、→時間Tsないしヰ時間Tlの
範囲内の時間になるため、第3図(C)に示すようにコ
ンデンサ(lla)のみで測光され、コンデンサ(ll
a)の充電積分によって検出信号が出力されたときの計
時データの時間Txが測光値として取込み回路(19)
に取込まれる。
また、K−20以上の測光範囲外の過小光量の場合も、
第3図(d)に示すようにコンデンサ(lla)のみで
測光され、この場合、時間Tlに達しても検出信号が出
力されないため、時間Tlに達したときに、保持回路μ
ノの時間Tlが測光値として取込み回路(19)に取込
まれる。
第3図(d)に示すようにコンデンサ(lla)のみで
測光され、この場合、時間Tlに達しても検出信号が出
力されないため、時間Tlに達したときに、保持回路μ
ノの時間Tlが測光値として取込み回路(19)に取込
まれる。
そして、コンデンサ(lla)、(llb)を順に選択
して測光する際に要する最長の計測時間が、シャッタシ
ーケンス時間以内になるように、コンデンサ(lla)
の容量、容量比に、および設定電圧VRが設定され、こ
のとき、両コンデンサ(lla)、(llb)が測光範
囲を2分割して担当するとともに、両コンデンサ(ll
a)、(llb)それぞれの充電時間が上限値の時間T
lで制限され、かつ、容量の小さなものから順に充電さ
れるとともに、充電の切換えが下限値Tsを基準にして
行なわれるため、タイマ回路(18)の最小計時時間、
シャッタシーケンス時間によって制限される時間内で、
1個の積分用コンデンサを用いる場合より広い光量範囲
の測光が行なえ、しかも、ダイオード(9)の起電力の
電流が、対数圧縮などを施されることなく、両コンデン
サ(lla)。
して測光する際に要する最長の計測時間が、シャッタシ
ーケンス時間以内になるように、コンデンサ(lla)
の容量、容量比に、および設定電圧VRが設定され、こ
のとき、両コンデンサ(lla)、(llb)が測光範
囲を2分割して担当するとともに、両コンデンサ(ll
a)、(llb)それぞれの充電時間が上限値の時間T
lで制限され、かつ、容量の小さなものから順に充電さ
れるとともに、充電の切換えが下限値Tsを基準にして
行なわれるため、タイマ回路(18)の最小計時時間、
シャッタシーケンス時間によって制限される時間内で、
1個の積分用コンデンサを用いる場合より広い光量範囲
の測光が行なえ、しかも、ダイオード(9)の起電力の
電流が、対数圧縮などを施されることなく、両コンデン
サ(lla)。
(llb)で充電積分されるため、コンデンサ(lla
)の充電時間を基準にして露出演算を行なう場合は、測
光値とともに取込み回路(喝から出力されたコンデンサ
の番号にもとづき、コンデンサ(llb)の充電積分に
よって取込まれた時間にのみ容量比Kを乗算する簡単な
処理で露出演算が行なえる。
)の充電時間を基準にして露出演算を行なう場合は、測
光値とともに取込み回路(喝から出力されたコンデンサ
の番号にもとづき、コンデンサ(llb)の充電積分に
よって取込まれた時間にのみ容量比Kを乗算する簡単な
処理で露出演算が行なえる。
(他の実施例)
つぎに、他の実施例を示した第4図、第5図について説
明する。
明する。
第4図は積分コンデンサを4個設けるとともにタイマ回
路を内蔵したマイクロコンピユータラ用いて形成した場
合を示し、同図において、例、(25)は第1図のダイ
オード(9)、増幅回路(lO)に相当するフォトダイ
オード、演算増幅回路であり、ダイオード(2弔のアノ
ード、カソードが増幅回路(251の非反転入力端子(
ト)9反転入力端子(→それぞれに接続されるとともに
、増幅回路側の非反転入力端子(ト)に、5vの電源端
子(十B)とアースとの間に直列に設けられたバイアス
用の400Ωの抵抗(Ka) 、 20にΩの可変抵抗
(Rb)の分割電圧がバイアス電圧として印加され、か
つ、増幅回路(2四の出力端子とアースとの間に15に
Ωのバイアス用の抵抗(Rc)が設けられている。
路を内蔵したマイクロコンピユータラ用いて形成した場
合を示し、同図において、例、(25)は第1図のダイ
オード(9)、増幅回路(lO)に相当するフォトダイ
オード、演算増幅回路であり、ダイオード(2弔のアノ
ード、カソードが増幅回路(251の非反転入力端子(
ト)9反転入力端子(→それぞれに接続されるとともに
、増幅回路側の非反転入力端子(ト)に、5vの電源端
子(十B)とアースとの間に直列に設けられたバイアス
用の400Ωの抵抗(Ka) 、 20にΩの可変抵抗
(Rb)の分割電圧がバイアス電圧として印加され、か
つ、増幅回路(2四の出力端子とアースとの間に15に
Ωのバイアス用の抵抗(Rc)が設けられている。
(26a)、(26b)、(26c)、(26d)は4
個の積分用コンデンサであり、コンデンサ(26a)の
容量が109Fに設定されるとともに、コンデンサ(2
6b)〜(26d)の容量がコンデンサ(26a)〜(
26c)それぞれの容量の10倍の100pF、100
0pF、0.1μFに設定されている。
個の積分用コンデンサであり、コンデンサ(26a)の
容量が109Fに設定されるとともに、コンデンサ(2
6b)〜(26d)の容量がコンデンサ(26a)〜(
26c)それぞれの容量の10倍の100pF、100
0pF、0.1μFに設定されている。
(27a)、(27b)、(27C)、(27d)は増
幅回路(25)の反転入力端子←)と各コンデンサ(2
6a)〜(26d)それぞれの一端との間に設けられた
4個の入力側充電スイッチであり、それぞれアナログス
イッチからなる。
幅回路(25)の反転入力端子←)と各コンデンサ(2
6a)〜(26d)それぞれの一端との間に設けられた
4個の入力側充電スイッチであり、それぞれアナログス
イッチからなる。
(28a)、(28b)、(28c)、(28d)は増
幅回路(2(へ)ノ出力端子と各コンデンサ(26a)
〜(26d)それぞれの他端との間に設けられた4個の
出力側充電スイッチであり、それぞれアナログスイッチ
からなり、後述の第1ないし第4選択信号にもとづき、
各スイッチ(28a)〜(28d)が各スイッチ(27
a )〜(27d )それぞれに連動して制御される。
幅回路(2(へ)ノ出力端子と各コンデンサ(26a)
〜(26d)それぞれの他端との間に設けられた4個の
出力側充電スイッチであり、それぞれアナログスイッチ
からなり、後述の第1ないし第4選択信号にもとづき、
各スイッチ(28a)〜(28d)が各スイッチ(27
a )〜(27d )それぞれに連動して制御される。
(29a)、(29b)、(29す、(29d)は:l
ンテ:/ サ(26a)〜(26d )それぞれに並
列に設けられた4個の放電リセットスイッチであり、後
述のクリアパルス信号によって連動して制御されるアナ
ログスイッチからなる。
ンテ:/ サ(26a)〜(26d )それぞれに並
列に設けられた4個の放電リセットスイッチであり、後
述のクリアパルス信号によって連動して制御されるアナ
ログスイッチからなる。
(3o)は増幅回路t25) t コンデンサ(26a
)〜(26d) 、 スイッチ(27a)〜(27d)
、(28a)〜(28d)、(29a)〜(29d)お
よび抵抗(Ra)〜(Rc )が形成する電流積分回路
である。
)〜(26d) 、 スイッチ(27a)〜(27d)
、(28a)〜(28d)、(29a)〜(29d)お
よび抵抗(Ra)〜(Rc )が形成する電流積分回路
である。
(31)は第1図の比較回路(15)に相当する比較回
路であり、反転入力端子(−)が増幅回路C51の出力
端子に接続されている。
路であり、反転入力端子(−)が増幅回路C51の出力
端子に接続されている。
(、ZD)はアノードがアースされた3vのツェナダイ
オードであり、カソードが限流用のIOKΩの抵抗(R
ci)を介して電源端子(十B)に接続されている。
オードであり、カソードが限流用のIOKΩの抵抗(R
ci)を介して電源端子(十B)に接続されている。
(Re)はダイオード(ZD)に並列に設けられた設定
電圧VR’(7)調整用の20にΩの可変抵抗であり、
摺動片が比較回路el+の非反転入力端子(ト)に接続
され、ダ盛はタイマ回路を内蔵した測光および露光演算
用のマイクロコンピュータであり、$1図のタイマ回路
Us) を制御処理回路(四に相当するタイマ回路。
電圧VR’(7)調整用の20にΩの可変抵抗であり、
摺動片が比較回路el+の非反転入力端子(ト)に接続
され、ダ盛はタイマ回路を内蔵した測光および露光演算
用のマイクロコンピュータであり、$1図のタイマ回路
Us) を制御処理回路(四に相当するタイマ回路。
制御処理回路の機能および露光演算機能を有し、比較回
路(31)の出力信号の入力端子(i)と、ス仁ツチ(
27a)、(28a)を制御する第1選択信号、スイッ
チ(27b) 、 (28b)を制御する第2選択信号
、スイッチ(27C)、(28C)を制御する第3選択
信号、スイッチ(27d)、(28d)を制御する第4
選択信号それぞれの出力端子(S IM82Ms3)s
(Sりと、スイッチ(29a)〜(29d)を制御する
クリアパルス信号の出力flttrF(ce)とが設け
られている。
路(31)の出力信号の入力端子(i)と、ス仁ツチ(
27a)、(28a)を制御する第1選択信号、スイッ
チ(27b) 、 (28b)を制御する第2選択信号
、スイッチ(27C)、(28C)を制御する第3選択
信号、スイッチ(27d)、(28d)を制御する第4
選択信号それぞれの出力端子(S IM82Ms3)s
(Sりと、スイッチ(29a)〜(29d)を制御する
クリアパルス信号の出力flttrF(ce)とが設け
られている。
なお、各コンデンサ(26a)〜(26d)は第1〜第
4選択信号によって容量の小さい順に選択される。
4選択信号によって容量の小さい順に選択される。
また、たとえば、第1選択信号によってコンデンサ(2
6a)が選択されたときは、当該コンデンサ(26a)
の両端のスイッチ(27a)、(28a)のみがオンし
、残りのコンデンサ(26b)〜(26d)の両端のス
イッチ(27b)〜(27d) 、 (28b)〜(2
8d )がオフするため、各コンデンサ(26a)〜(
26d)が完全に分離され、選択されたコンデンサのみ
が増幅回路I25)の反転入力端子(→と出力端子に接
続される。
6a)が選択されたときは、当該コンデンサ(26a)
の両端のスイッチ(27a)、(28a)のみがオンし
、残りのコンデンサ(26b)〜(26d)の両端のス
イッチ(27b)〜(27d) 、 (28b)〜(2
8d )がオフするため、各コンデンサ(26a)〜(
26d)が完全に分離され、選択されたコンデンサのみ
が増幅回路I25)の反転入力端子(→と出力端子に接
続される。
さらに、比較回路(3I)の非反転入力端子−←)には
、ダイオード(ZD)で安定化された3vの電圧を抵抗
(Re)で分割した電圧が、第1図の設定電圧VRに相
当する設定電圧VR’として印加され、増幅回路(25
)の出力電圧が設定電圧vR′lと達したときに、比較
回路(31)の出力信号がハイレベルからローレベルに
反転し、入力端子(i)にローレベルの検出信号が出力
される。
、ダイオード(ZD)で安定化された3vの電圧を抵抗
(Re)で分割した電圧が、第1図の設定電圧VRに相
当する設定電圧VR’として印加され、増幅回路(25
)の出力電圧が設定電圧vR′lと達したときに、比較
回路(31)の出力信号がハイレベルからローレベルに
反転し、入力端子(i)にローレベルの検出信号が出力
される。
一方、コンピュータ(321は、内部の計時制御手段の
動作にもとづき、第1ないし第4選択信号によってコン
デンサ(26a)〜(25d)それぞれを選択する直前
毎に、クリアパルス信号によって各スイッチ(29a
)〜(29d)を瞬時オンし、各コンデンサ(26a)
〜(26d)を放′峨リセットし、かつ、第1ないし第
4選択信号それぞれの出力開始毎に内蔵のタイマ回路を
起動してコンデンサ(26a)〜(26d)それぞれの
充電時間を計時する。
動作にもとづき、第1ないし第4選択信号によってコン
デンサ(26a)〜(25d)それぞれを選択する直前
毎に、クリアパルス信号によって各スイッチ(29a
)〜(29d)を瞬時オンし、各コンデンサ(26a)
〜(26d)を放′峨リセットし、かつ、第1ないし第
4選択信号それぞれの出力開始毎に内蔵のタイマ回路を
起動してコンデンサ(26a)〜(26d)それぞれの
充電時間を計時する。
また、コンピュータ(32)には、下限値、上限値の時
間Ts’、TI!’が予め設定され、検出信号の出力時
の計時データの時間Tx′力5下限値の時間Ts’より
大きくなるまで、コンピュータ国は、各コンデンサ(2
6a)〜(26d)を順次に選択し、検出信号の出力時
の計時データの時間Txr下限値の時間TS′より大き
くなると、当該計時データの時間Txを測光値として内
部の測光値取込み手段に取込む。
間Ts’、TI!’が予め設定され、検出信号の出力時
の計時データの時間Tx′力5下限値の時間Ts’より
大きくなるまで、コンピュータ国は、各コンデンサ(2
6a)〜(26d)を順次に選択し、検出信号の出力時
の計時データの時間Txr下限値の時間TS′より大き
くなると、当該計時データの時間Txを測光値として内
部の測光値取込み手段に取込む。
場合は、当該北限値の時間Ter測光値として取込まれ
、最後のコンデンサ(26d)の充電積分中に、下限値
の時間TS′Iこ達するまでに検出信号が出力される場
合は、当該下限値の時間TSr測光値として取込まれる
。
、最後のコンデンサ(26d)の充電積分中に、下限値
の時間TS′Iこ達するまでに検出信号が出力される場
合は、当該下限値の時間TSr測光値として取込まれる
。
すなわち、コンピュータ(321は、第5図のフローチ
ャートにしたがって動作し、測光値を取込むとともに、
取込んだ測光値にもとづき、露光時間。
ャートにしたがって動作し、測光値を取込むとともに、
取込んだ測光値にもとづき、露光時間。
シャッタ速度などを算出する。なお、第5図のY。
Nは肯定、否定それぞれを示す。
そして、第4図の場合は、コンデンサ(26a)〜(2
6d)が測光範囲を4分割して担当し、このとき、時間
Ts’を示すタイマ回路のカウント値をPOとすれば、
コンデンサ(25a)の充電によって得られるカウント
値0〜POr、コンデンサ(26d)の充電Gこよって
得られる0〜10″3 p、/に対応し、このとき、上
限値の時間Tlが10・POになり、かつ、タイマ回路
の最大値PM’(こ対して、104 Po 762M(
′に設定されているため、カウント値p’〜to!−p
oによって、PO//1O−t10’!po’の光量範
囲の測光が行なえる。
6d)が測光範囲を4分割して担当し、このとき、時間
Ts’を示すタイマ回路のカウント値をPOとすれば、
コンデンサ(25a)の充電によって得られるカウント
値0〜POr、コンデンサ(26d)の充電Gこよって
得られる0〜10″3 p、/に対応し、このとき、上
限値の時間Tlが10・POになり、かつ、タイマ回路
の最大値PM’(こ対して、104 Po 762M(
′に設定されているため、カウント値p’〜to!−p
oによって、PO//1O−t10’!po’の光量範
囲の測光が行なえる。
なお、10’!Po’以上、PO/103以下になる測
光範囲外の光量に対しては、上限値の時間T、/、下限
値の時間TS′それぞれが取込まれて露光演算が行なわ
れる。
光範囲外の光量に対しては、上限値の時間T、/、下限
値の時間TS′それぞれが取込まれて露光演算が行なわ
れる。
そして、測光範囲内の光量に対しては、コンデンサ(2
6a)〜(25d)のいずれかの充電積分中に、時間T
s’−T1+’の範囲内で検出信号が出力され、かつ、
時間Tx’(7)取込みに要する最長時間がシャッタシ
ーケンス時間以内になるように、各コンデンサ(26a
)〜(26d)の容量および設定電圧vR′力く設定さ
れているため、第4図の場合も、第1図の場合と同様、
タイマ回路の最小計時時間、シャッタシーケンス時間に
よって制約される時間内で、広い光量範囲の測光が行な
える。
6a)〜(25d)のいずれかの充電積分中に、時間T
s’−T1+’の範囲内で検出信号が出力され、かつ、
時間Tx’(7)取込みに要する最長時間がシャッタシ
ーケンス時間以内になるように、各コンデンサ(26a
)〜(26d)の容量および設定電圧vR′力く設定さ
れているため、第4図の場合も、第1図の場合と同様、
タイマ回路の最小計時時間、シャッタシーケンス時間に
よって制約される時間内で、広い光量範囲の測光が行な
える。
また、たとえばコンデンサ(27a)の充電時間を基準
にして露出演算を行なう場合は、残りの各コンデンサ(
26b)〜(26d)それぞれの充電積分によって取込
まれた時間に、コンデンサ(25a)と残りの各コンデ
ンサ(26b)〜(26d)それぞれの容量比を乗算す
る簡単な処理のみを施せばよく、取込まれた時間に簡単
な処理を施して露出演算が行なえる。
にして露出演算を行なう場合は、残りの各コンデンサ(
26b)〜(26d)それぞれの充電積分によって取込
まれた時間に、コンデンサ(25a)と残りの各コンデ
ンサ(26b)〜(26d)それぞれの容量比を乗算す
る簡単な処理のみを施せばよく、取込まれた時間に簡単
な処理を施して露出演算が行なえる。
さらに、第4図の場合は、各コンデンサ(26a)〜(
26d)の両端にスイッチ(27a)〜(27d)、(
28a) 〜(28d)それぞれを設け、選択されたコ
ンデンサのみを増幅回路−に接続し、残りの各コンデン
サを充電中のコンデンサから完全に分Rしたことにより
、第1図の場合より測定精度が向上する利点も有する。
26d)の両端にスイッチ(27a)〜(27d)、(
28a) 〜(28d)それぞれを設け、選択されたコ
ンデンサのみを増幅回路−に接続し、残りの各コンデン
サを充電中のコンデンサから完全に分Rしたことにより
、第1図の場合より測定精度が向上する利点も有する。
ところで、積分用コンデンサの個数、および該各コンデ
ンサの容量比は、測光範囲、タイマ回路の最小計時時間
、およびシャッタシーケンス時間に応じて設定すればよ
い。
ンサの容量比は、測光範囲、タイマ回路の最小計時時間
、およびシャッタシーケンス時間に応じて設定すればよ
い。
なお、前記両実施例では、一般のスチルカメラの測光回
路に適用したが、電子スチルカメラ、ビデオカメラなど
の種々のカメラの測光回路に適用できるのは勿論であり
、このとき、測光用の光センサがフォトダイオード以外
の受光量に比例した起電力を発生する素子であってよい
のも勿論である。
路に適用したが、電子スチルカメラ、ビデオカメラなど
の種々のカメラの測光回路に適用できるのは勿論であり
、このとき、測光用の光センサがフォトダイオード以外
の受光量に比例した起電力を発生する素子であってよい
のも勿論である。
また、前記両実施例では、電流積分回路(14)の両コ
ンデンサ(lla)、(llb)あるいは電流積分回路
(30)の各コンデンサ(26a)〜(26d)を、容
量の小さいものから順に選択して測光を行なったが、容
量の大きいものから順に選択して測光を行なうこともで
き、この場合は、検出信号が出力されずに上限値の時間
TeまたはTeに達する毎、すなわち検出信号の出力時
の計時データの時間が時間TlまたはT、′以上になる
毎につぎの容量のコンデンサを選択すればよい。
ンデンサ(lla)、(llb)あるいは電流積分回路
(30)の各コンデンサ(26a)〜(26d)を、容
量の小さいものから順に選択して測光を行なったが、容
量の大きいものから順に選択して測光を行なうこともで
き、この場合は、検出信号が出力されずに上限値の時間
TeまたはTeに達する毎、すなわち検出信号の出力時
の計時データの時間が時間TlまたはT、′以上になる
毎につぎの容量のコンデンサを選択すればよい。
そして、容量の大きいものから順に選択する場合は、小
さいものから順に選択する場合より、測光値の取込みに
要する時間が長くなることを除き、前記両実施例それぞ
れと同様の効果が得られる。
さいものから順に選択する場合より、測光値の取込みに
要する時間が長くなることを除き、前記両実施例それぞ
れと同様の効果が得られる。
以上のように、この発明の測光回路によると、電流積分
回路の各積分用コンデンサを容量の順に選択して、光セ
ンサの起電力の電流を充電積分し、検出信号の出力時の
計時データが、予め設定した上限値ないし下限値の範囲
内の時間のデータになったときに、当該データを測光値
として取込むため、各コンデンサが測光範囲を分割して
担当するとともに、各コンデンサそれぞれの充電時間が
上限値の時間に抑えられるため、限られた時間内で広い
光量範囲の測光が行なえ、このとき、光センサの起電力
の電流に対数圧縮などを施さないため、簡単な構成で測
光が行なえ、しかも、測光値として取込まれた計時デー
タの時間にもとづき、簡単に露出演算などが行なえるも
のである。
回路の各積分用コンデンサを容量の順に選択して、光セ
ンサの起電力の電流を充電積分し、検出信号の出力時の
計時データが、予め設定した上限値ないし下限値の範囲
内の時間のデータになったときに、当該データを測光値
として取込むため、各コンデンサが測光範囲を分割して
担当するとともに、各コンデンサそれぞれの充電時間が
上限値の時間に抑えられるため、限られた時間内で広い
光量範囲の測光が行なえ、このとき、光センサの起電力
の電流に対数圧縮などを施さないため、簡単な構成で測
光が行なえ、しかも、測光値として取込まれた計時デー
タの時間にもとづき、簡単に露出演算などが行なえるも
のである。
第1図ないし第5図はこの発明の測光回路の実施例を示
し、第1図は1実施例のブロック図、第2図(a) 、
(b)は第1図の積分用コンデンサの容量にもとづく
充電時間、カウント値それぞれの説明図、第3図(a)
〜(d)は第1図の過大、大、小、過小光量 、それ
ぞれのときの動作説明用の時間と電圧の関係図、第4図
は他の実施例のブロック図、第5図は第4図の動作説明
用のフローチャート、第6図は従来の測光回路のブロッ
ク図、第7図は第6図の動作説明用の時間と電圧の関係
図である。 +9! 、 (24+−フォトダイオード、(lla)
、(llb)、(26a)〜(26d)・・・積分用コ
ンデンサ、t14i 、 (30)・・・電流積分回路
、+151 e (311・・・比較回路、(18)・
・・タイマ回路、(23)・・・制御処理回路、(3カ
・・マイクロコンピュータ。
し、第1図は1実施例のブロック図、第2図(a) 、
(b)は第1図の積分用コンデンサの容量にもとづく
充電時間、カウント値それぞれの説明図、第3図(a)
〜(d)は第1図の過大、大、小、過小光量 、それ
ぞれのときの動作説明用の時間と電圧の関係図、第4図
は他の実施例のブロック図、第5図は第4図の動作説明
用のフローチャート、第6図は従来の測光回路のブロッ
ク図、第7図は第6図の動作説明用の時間と電圧の関係
図である。 +9! 、 (24+−フォトダイオード、(lla)
、(llb)、(26a)〜(26d)・・・積分用コ
ンデンサ、t14i 、 (30)・・・電流積分回路
、+151 e (311・・・比較回路、(18)・
・・タイマ回路、(23)・・・制御処理回路、(3カ
・・マイクロコンピュータ。
Claims (1)
- (1)測光用の光センサの起電力の電流の積分値が設定
値に達するまでの時間を測光値として計測する電流積分
型の測光回路において、 容量の順に択一的に選択されて前記電流を充電積分する
複数の積分用コンデンサを有し、充電中のコンデンサの
充電電圧に比例して出力電圧が変化する電流積分回路と
、 前記出力電圧が前記設定値に対応する設定電圧に達した
ときに検出信号を出力する比較回路と、前記充電中のコ
ンデンサの充電開始からの時間を計測し、充電時間の計
時データを出力するタイマ回路と、 前記充電時間の上限値、下限値が予め設定されるととも
に前記検出信号、前記計時データが入力される制御処理
回路とを備え、 かつ、前記制御処理回路に、 前記検出信号の出力時の前記計時データの時間が前記下
限値以下または前記上限値以上になる毎につぎの容量の
コンデンサへの充電切換えおよび前記タイマ回路の起動
を行なう計時制御手段と、前記充電切換えによつて得ら
れた前記検出信号の出力時の前記下限値ないし前記上限
値の範囲内の前記計時データの時間を前記測光値として
取込む測光値取込み手段とを設けた ことを特徴とする測光回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3883387A JPS63205527A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 測光回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3883387A JPS63205527A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 測光回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63205527A true JPS63205527A (ja) | 1988-08-25 |
Family
ID=12536224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3883387A Pending JPS63205527A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 測光回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63205527A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1314969A1 (en) * | 2000-08-03 | 2003-05-28 | Hamamatsu Photonics K. K. | Optical sensor |
WO2004059268A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | 光検出装置 |
EP1473553A1 (en) * | 2002-02-12 | 2004-11-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical sensor |
JP2010139241A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Nec Corp | 温度測定回路、及び、方法 |
JP2014222226A (ja) * | 2008-09-04 | 2014-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光検出回路 |
-
1987
- 1987-02-20 JP JP3883387A patent/JPS63205527A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1314969A1 (en) * | 2000-08-03 | 2003-05-28 | Hamamatsu Photonics K. K. | Optical sensor |
EP1314969A4 (en) * | 2000-08-03 | 2005-07-20 | Hamamatsu Photonics Kk | OPTICAL DETECTOR |
US7286172B2 (en) | 2000-08-03 | 2007-10-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical sensor |
US7969491B2 (en) | 2000-08-03 | 2011-06-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Light detection apparatus |
EP1473553A1 (en) * | 2002-02-12 | 2004-11-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical sensor |
EP1473553A4 (en) * | 2002-02-12 | 2007-03-21 | Hamamatsu Photonics Kk | OPTICAL SENSOR |
US7336808B2 (en) | 2002-02-12 | 2008-02-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical sensor |
WO2004059268A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | 光検出装置 |
US7642496B2 (en) | 2002-12-25 | 2010-01-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodetector including a plurality of photodiodes |
JP2014222226A (ja) * | 2008-09-04 | 2014-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光検出回路 |
JP2010139241A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Nec Corp | 温度測定回路、及び、方法 |
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