JPS63189409A

JPS63189409A - Ｏ−ニトロカルビノールエステル基を有する共重合体ならびにその製法

Info

Publication number: JPS63189409A
Application number: JP63001431A
Authority: JP
Inventors: ラインホルト、シュヴァルム; ホルスト、ビンダー
Original assignee: BASF SE
Current assignee: BASF SE
Priority date: 1987-01-21
Filing date: 1988-01-08
Publication date: 1988-08-05
Also published as: EP0276709A3; US4822866A; AU1062388A; EP0276709A2; DE3701569A1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（技術分野）本発明は０−ニトロカルビノールエステル基を存する共
重合体ならびにこれをフォトレジスト用の感光性成層材
料として使用すること、上記感光性材料を１９０ｎｍ乃
至３００ｎｍの波長範囲の紫外線で画像形成露光し、パ
ターンを現像し、プラズマ処理により基板に反転させて
半導体構成素子を製造する方法に関するものである。

（従来技術）半導体構成素子製造のために、フォトリトグラフ法に使
用するポジチブ処理アクリラート樹脂はすでに公知であ
る。この種の材料においては、露光後宵機溶媒に溶８’
？＝するが、露光前には不溶性であるポリ−（メチルメ
タクリラート）誘導体が重要である。アクリラートレジ
ストの組成は、１９８３年刊、「オプチカル、エンジニ
アリングＪ　２２（２）巻、Ｗ、モーロー　（Ｍｏｒｅ
ａｕ）　　ｒステイト、オブ、ザ、アート、オブ、アク
リレート、レジスト、アン、オーバーヴイユー、オブ、
ポリマー、ストラクチュア、アンド、リトグラフィック
、パーフォーマンスＪ　１８１−１８４頁に記載されて
いる。

また０−ニトロカルビノールエステル基を有し、アルカ
リ溶媒で洗除現像され得る感光性成層材料は、例えば西
独特許出願公開２１５０６９１号及び同２９２２７４６
号公報に記載されている。

レジスト層の形成に適するこの公知の成層材料は、例え
ばエツチング浴に使用されるアルカリ液乃至酸に対して
は耐性を有するけれども、半導体形成素子製造のための
エツチングに使用されるような塩素及び弗素含有プラズ
マに対しては安定性に制約があり、一層の改善が必要で
ある。更にこの成層材料はその使用目的のための露光、
現像後の温度安定性が十分ではない。これにより形成さ
れるレジス）ＦＪの安定度乃至強度が５０°Ｃを超える
と著しく損なわれるからである。

ポリメチルメタクリラー）　（ＰＭＭＡ）及びその誘導
体のプラズマ安定度は、市販の７ボラクレジストに比し
約２乃至５倍低い（ジャーナル、オブ、エレクトロケミ
ストリー、ソサエティ１２９．２０６　　（１９８２）
のし、ビーダソ７　（Ｐｅｄｅｒｓｏｎ）　、ジャーナ
ル、オブ、アプライド、ポリマー、ソサエティ２６゜３
３９５　（１９８１）のに、ハラダ、ジャーナル、オブ
、エレクトロケミストリー、ソサエティー１２８．４９
１（１９８１）の各論稿参照）。ＰＭＭＡ誘導体のプラ
ズマ安定性向上は、エステル側鎖基或はシアン基へのフ
ェニル環の導入により行われる（第１８４次アメリカン
、ケミカル、ソサエティ、シンポジウムにおける１、Ｎ
、Ｑルバート（Ｈｅｌｂｅｒｔ）及びＭ、Ａ。

シュミット（Ｓｃｈｍｉｄｔ　）による発表［ポリマー
、マテリアルス、フォア、エレクトロニック、アブリケ
ーシ仔ンズＪ　１９８２年ワシントン刊、Ｅ、Ｄ。

フェイト（Ｆｅｉｔ）及びＣ，ウィルキンス、ジュニア
（Ｗｉｌｋｉｎｓ、Ｊｒ、　）　ｍ６ｌ−７２頁、及び
第２４２次アメリカン、ケミカル、ソサエティ、シンポ
ジウムにおけるＪ、Ｎ、ヘルパート、Ｍ、Ａ、シュミッ
ト、Ｃ，マルキーウィッツ（Ｍａｌｋｉｅｗｉｃｚ）　
、Ｅ　。

ウォーレンス、ジュニア（Ｗａｌｌａｃｅ、Ｊｒ、）及
びＣ１Ｕ、ピットマツ、ジｓ”ア（Ｐｉｔｔｍａｎ、Ｊ
ｒ、）による発表ｒｌｌＪマース、イン、エレクトロニ
クス」１９８４年ワシントン刊、Ｔ、デヴイッドソン（
Ｄａｖｉｄｓｏｎ）　ｍ９ｌ−１００頁参照）。

この公知の方法は改善されたプラズマ安定性を示すが、
洗除現像は宵機溶媒によってのみ可能であるに止まる。

米国特許４３８．９４８２号明細書には、ＰＭＭＡに比
し改善された対ＣＦ４プラズマエツチング安定性を示し
、水性エタノールで洗除現像可能の、メタクリルニトリ
ル及びメタクリル酸から形成される共重合体が記載され
ているが、プラズマ処理前に１４０°Ｃ以上の温度にお
いて更に熱処理する必要がある。

従って、この分野の技術的課題は、ことにレジストマス
ターの作製を可能ならしめ、高い熱安定性、弗素及び塩
素プラズマ耐性を有し、紫外線（λ＝１９０乃至３００
ｎｍ　）による画像形成露光後、水乃至水性アルカＵｍ
媒による洗除現像を可能とするポジチブ処理アクリラー
トレジストを提供することである。

（発明の要約）しかるに不飽和カルボン酸の０−ニトロカルビノールエ
ステル、メタクリルニトリル及び場合により更に他のコ
モノマーから形成される共重合体を使用するときは、画
像形成露光後水性アルカリ溶媒による洗除現像が可能で
あり、これにより上記の技術的課題を解決し得ることが
見出されるに至った。高い熱安定性をもたらすためには
、形成される共重合体のガラス転移点が１００°Ｃを十
分超えるように単量体を選択することが必要である。

更に露光の間α−水素アブストラクシジンによる架橋禁
止をもたらすためα位置がアルキル化されるアクリラー
ト単量体を選択するのが望ましい。

上記知見にもとづく本発明の対象は、（ａ）一般式（Ｉ
） ■ （式中、Ａは５乃至１４の環員を有する芳香族或はヘテ
ロ芳香族の、場合により置換された環を、Ｘは水素、炭
素原子１乃至８個を有するアルキル基、場合により置換
されたアリール或はアルアルキル基を、Ｙは炭素原子２
乃至６個を宵するエチレン系不飽和基を意味する）によ
り表される、少なくとも１種類の化合物５乃至５０モル
％、（ｂ）メタクリルニトリル９４乃至３０モル％、（
ｃ）少なくとも１種類の、炭素原子３乃至６個を何する
オレフィン系不飽和共重合性カルボン酸１乃至２０モル
％、（ｄ）　２５０乃至４００ｎｍの波長範囲において透明
な単独重合体を構成するべき、上記（ａ）　、（ｂ）及
び（ｃ）の１種類の或は複数種類の異なるオレフィン系
不飽和共重合性化合物Ｏ乃至３０モル％を、（ａ）乃至
（ｄ）の合計量が１００モル％となるように重合させて
得られる共重合体である。

上記一般式（Ｉ）のＹは、ことにであるのが好ましい。

更に上記一般式（Ｉ）のＡがフェニルを、Ｘがメチルを
、Ｙが一〇”Ｃｈを意味し、組成分（ｃ）としＴ１３てメタクリル酸を使用した場合の共重合体が特に好まし
い。

本発明の対象はまた本発明による共重合体を使用して基
板上にほどこし、短波長紫外線により画像形成露光し、
その露光範囲をアルカリ水溶液で洗除して成る半導体形
成素子の製造方法である。

その著しく改善されたプラズマ安定性のために、弗素乃
至塩素含有プラズマによりレリーフマスターを基板に転
写して目的とする半導体形成素子とすることができる。

本発明による共重合体は、乾保レジスト製造のだめの感
光性成層材料として、またフォトエツチング素材として
も使用されることができる。

（発明の構成）本発明による共重合体は、公知の種々の方法により、こ
とに単量体（ａ）乃至（ｄ）のラジカル共重合により製
造することができる。また例えば不飽和カルボン酸及び
メタクリルニトリルから成る共重合体における芳香族０
−ニトロカルビノール基をエステル化反応に附すること
によっても製造され得る。

本発明共重合体を構成するべき各組成分につ）１で以下
にそれぞれ詳述する。

（ａ）一般式（Ｉ）Ｃ＼Ｃ／Ｍｏ２＾で表され、上記Ａが５乃至１４の環員を存する芳香族或
はへテロ芳香族の、場合により置換された環を、Ｘが水
素、炭素原子１乃至８個を有するアルキル基、場合によ
り置換されたアリール或はアルアルキル基を、Ｙが炭素
原子２乃至６個を存するエチレン系不飽和基を意味する
場合の０−ニトロカルビノールエステル単量体としては
、例えば上記一般式（Ｉ）中のＹが以下の基、を意味するものが挙げられる。

芳香族環へとしては、ことにベンゼン及び置換ベンゼン
が好ましい。ベンゼン環は例えばＣ１乃至Ｃ８のアルキ
ル、ことにメチル、ＣＩ乃至Ｃ６のアルコキシ、例えば
メトキシ、ノ１０ゲン、例えば塩素或は臭素、ニトロ或
はアミン、モノメチルアミノ、ジメチルアミノ、ニトリ
ルの各基ならび番こスルホ基により１位置或は複数位置
にお０て置換されことができる。また置換或は非置換の
上記ζこ相当する多環式芳香族環、例えばナフタリン、
アントラセン、アントラキノン、フェナンスレン或ハこ
れらの置換誘導体を意味することもできる。更番こヘテ
ロ芳香族環Ａとしてはピリジン基が好ましく１゜Ｘはこ
とに水素、メチル或はエチル基、或は場合により置換さ
れたフェニル基であるのが好ま゛しい。

０−ニトロカルビノールエステル基としては、ことに以
下の基を有する芳香族或はへテロ芳香族の０−ニトロカ
ルビノールが基本的である。すなわち、０−ニトロベン
ジル−１６−ニトロベラトリルー、２−ニトロ−４−ア
ミノベンジル−１２−ニトロ−４−ジメチルアミノベン
ジル−１２−ニトロ−５−アミノベンジル−１２−ニト
ロ−４゜６−シメトキシベンジルー、２，４−ジニトロ
ベンジル−１３−メチル−２，４−ジニトロベンジル−
１２−ニトロ−４−メチルベンジル−１２゜４．６−）
ＩＪニトロベンジル−アルコール、ナラびに２−ニトロ
ペンツヒトロール、２，２′−ジニトロペンツヒトロー
ル、２．４−ジニトロペンツヒトロール或は２．　２’
、　　４．　４’−テトラニトロペンツヒトロールであ
る。例えば２−ニトロ−３−ヒドロキシメチルナフタリ
ン重合ヒドロキシメチルナフタリン或は１−ニトロ−２−ヒド
ロキシメチルアントラキノンも同様番こ使用され得る。

＝Ｍ１式（Ｉ　）の０−ニトロカルビノールエステル基
を基礎とすることに好ましい芳香族或はヘテ’　芳香族
ｏ−ニトロカルビノールは、０−ニトロベンジルアルコ
ール、２−ニトロ−６−クロル−ベンジルアルフール、
２−ニトロ−４−シアノベンジルアルコール、２−ニト
ロ−４，５−ジメトキシベンジルアルコール、α−メ”
チル−０−ニトロベンジルアルコール、α−フェニル−
０−ニトロベンジルアルコール、α−（０−ニトロ−フ
ェニル）−〇−ニトロベンジルアルコール及び２−二ト
ロー３−ヒドロキシメチルピリジンである。

本発明による共重合体は、すでに前述したように単量体
としてオレフィン系不飽和カルボン酸の０−ニトロカル
ビノールエステルをＭＷするものであるが、このエチレ
ン系不飽和モノカルボン酸或はジカルボン酸は、例えば
アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、ジクロルマレ
イン酸、フマール酸、クロトン酸、イタコン酸、ならび
にメチレングルクール酸が有利に使用され得る。ことに
α−アルキル置換カルボン酸、なかんずくメタクリル酸
が好ましい。

このオレフィン系不飽和カルボン酸の０−ニトロカルビ
ノールエステルは、何機化学における公知方法により、
例えば酸塩化物を０−ニトロカルビノールと反応させ、
或は直接酸触媒エステル化によ製造され得る。

ことに好ましい０−ニトロカルビノールエステル単量体
は、０−ニトロベンジル−アクリラート、ｏ−ニトロベ
ンジル−メタクリラート、〇−二トローα−メチルーベ
ンジル−（メタ）アクリラートである。

本発明による共重合体は、０−ニトロカルビノールエス
テル単量体（ａ）を５乃至５０モル％、ことに１０乃至
３０モル％使用する。

（ｂ）コモノマー（ｂ）として本発明共重合体は、これ
に対して９４乃至３０モル％、ことに８９乃至５０モル
％の量で使用する。

（ｃ）コモノマーＣＣ）として本発明共重合体は、少な
くとも１種類の３乃至６個の炭素原子を宵するオレフィ
ン系不飽和カルボン酸であって、共重合可能のもの、例
えばアクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸或はこれら
の混合物を使用する。

ことＪこメタクリル酸が好ましい。この単量体（ｃ）は
本発明共重合体に対し１乃至２０モル％の量で使用され
る。

（ｄ）本発明共重合体はアルカリ水溶液に対する溶解性
を改善し、その他の特性、例えば高温耐性を調整するた
めに、上記（ａ）　、（ｂ）及び（ｃ）とは異なる１種
類或は複数種類のオレフィン系不飽和何機化合物であっ
て、共重合可能であり、その単独重合体が２５０乃至４
００ｎｍの波長で透明であるものを使用する。

このようなコモノマーとして、例えばアクリルニトリル
、ツマロージニトリル、ツマロージニトリル及び／或は
クロトノ−ニトリルのようなエチレン系不飽和ニトリル
、ヒドロキシアルキル−（メタ）アクリラート、（非）
置換Ｎ−（メタ）アクリルアミド、エチレンのようなそ
の他のエチレン系不飽和化合物、イソプレン、ブタジェ
ンのようなジエン、上述したオレフィン系不飽和カルボ
ン酸のエステル、例えばアクリルエステル、ことにＣ□
乃至Ｃ８のアルコールのメタクリルエステルならびにこ
れらの混合物、特にメチルメタクリラートが適当である
。単量体（ｄ）は本発明共重合体においてＯ乃至３０モ
ル％、ことにＯ乃至２０モル％の量で使用される。

上記単量体（ａ）乃至（ｄ）の各モル％の合計量は本発
明共重合体において１００モル％となるように配分する
。

本発明共重合体の特に好ましい例は、０−ニトロ−α−
メチル−ベンジルメタクリラート、メタクリルニトリル
及びメタクリル酸、０−ニトロ−ベンジルメタクリラー
ト、メタクリルニトリル及びメタクリル酸、２−ニトロ
−６−クロル−α−メチルベンジルアクリラート、メタ
クリルニトリル及びメタクリル酸、０−ニトロ−α−メ
チル−ベンジルメタクリラート、メタクリル酸及びヒド
ロキシエチルメタクリラートから形成されるものである
。

本発明共重合体は各単量体を種々の公知重合法で製造さ
れる。各単量体は、生成共重合体のガラス転移点が１０
０°Ｃを超えるように選択される。各単量体は例えばエ
チルアセタート、トルエン、アセトンのような適当な溶
媒中において、例えばベゾイルペルオキシド或はアゾー
イソブチルニトリルのような重合開始剤と共に、数時間
にわたり６０乃至１２０°Ｃに加熱される。この反応は
なるべく狭い分子量分布をもたらすために、転化率５０
％を□超えないように行われる。

分子量は反応温度、重合開始剤及び開始剤ｍ割合のよう
な重合反応条件、ならびに溶媒及び単量体ｍ割合により
決定される。開始剤ｍ割合は０．１乃至５モル％、単量
体濃度乃至量割合は３乃至５０％であるのが好ましい。

分子量及び分子量分布は現像剤への溶解性に大きな影響
を及ぼす。分子量が小さいほど、また分子量分布が狭い
ほど現像性は良好となり均斉となる。

得られた共重合体は分別処理に附され、溶解性の悲い高
分子皿部分と、非露光範囲に著しい損傷を与える低分子
量部分とが分別される。有利に使用され得る分別部分の
分子量は２０，０００乃至２００，０００の範囲であり
、狭い分子量分布、Ｍｗ／Ｍｎは３以下であるのが好ま
しい。

本発明共重合体の用途は半導体形成材料製造のための使
用に限定されるものではなく、乾爆レジスト及び印刷版
体のような感光性成層材料にも及ぶ。これには更に染料
、顔料、増感剤その他感光性材料に慣用の添加剤を添加
することができる。

半導体形成素子製造方法を実施するに当たり、感光性重
合体は適当な溶媒（例えばジメチルホルムアミド、ジエ
チレングリコールジメチルエーテル）に溶解させ、溶液
を＆・Ｗ過し、遠心法で半導体基板（例えば酸化珪素ウ
ェハ）上に０．５乃至１．５μｍ厚さに成層する。この
層を１００乃至１６０°Ｃの温度に加熱して画像形成性
レジスト層を構成し、直接この上に置かれたマスクを通
して１９０乃至３００ｎｍ波長の光線で露光し、アルカ
リ水溶液で現像する。露光ウェハは例えば３％トリエタ
ノールアミン、１％炭酸水素ナトリウム或は０．２％テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のようなア
ルカリ水溶液中に浸漬する。一般に現像時間は１乃至１
０分間、ことに１乃至２分間であって必要な最少限度現
像時間よりも若干長くして、非露光範囲の洗除が１０％
以下となるようになされる。しかる後、得られたレリー
フマスターを市販の平行板レアフタ中において六弗化硫
黄プラズマ或はテトラフルオルメタン／酸素プラズマで
その下方に重ねられた珪素層或は二酸化珪素層上に転写
する。

次いでレジストを除去し、基板、例えば珪素ウェハを更
に公知の処理、例えばドーピング法乃至鍍金法による処
理に附して所望の半導体形成素子とする。

公知慣用の７ボラクポジチブレジストは高いエツチング
耐性を示すがＤＵＶ範囲（λ＜３００ｎｍ　）の露光に
対しては重要な層厚さが０．８μｍ以下では不適当であ
る。ノボラフマトリックスはＤＵＶ　Ｅ囲の光線を著し
く吸収するからである。

しかるに本発明によるメタクリルニトリル含有共重合体
は、ＤＵＶ範囲の波長の光線で理想的に露光され、慣用
のポリメチルメタクリタートＤＵＶレジストと異なり、
弗素及び塩素含有プラズマに対して高い安定性を示す。

従って、本発明共重合体は特に短波長の紫外線範囲（λ
＜３００ｎｍ　）における感光性レジストとして適当で
ある。

以下の実施例における部及び％は特に明示がない限り重
量に関するものである。容量部はキログラム当たりリッ
トルのような重惜部に比例する。

実」Ｌ倒」− 共重合体の製造１４部の０−ニトロ−α−メチルベンジルメタクリラー
ト、１２部のメタクリル酸及び３７部のメタクリルニト
リルを２５０容量部のエチルアセタートに溶解させた。

この溶液を窒素の存在下に１時間還流加熱し、次いで１
．２３部のアゾ−ビス−イソブチルニトリルを添加した
。更に８時間還流加熱し、冷却後生成共重合体を２００
０部容量部のりゾロイン中に沈澱させた。収ｆｆ１１７
．４部。分別のためこの共重合体を８００容量部のエチ
ルアセタートに溶解させ、残留混合物が生ずるまで１０
４容量部のりグロビンを滴下した。次いでこの溶液が再
び澄明となるまで加熱し、冷却することにより油様の相
が分離される。この油相を傾瀉して、８００容量部のり
ゾロイン中に沈澱させた。このようにして分別された共
重合体は６４．２００　ｇ　１モルの重量平均１．６の
不均斉性を宵する。ＫＯＨの滴定により１８．１％の重
合メタクリル酸含宵徂が認められた。紫外線測定により
０−ニトロ−α−メチルベンジルメタクリラート分は２
８％であることが認められた。ガラス車云移点は１３９
°Ｃであった。

この処理と同様にして他の共重合体が製造された。

灸立■２レジストパターンの製造実施例１により製造された共重合体をジエチレングリコ
ールジメチルエーテルに溶解させた２５重量％溶液をフ
ィルター（約０．２μｍ孔隙径）で濾過する。この溶液
的２４を珪素ウェハ上に滴下し、２２０Ｏｒｐｍで遠心
機処理して約１μｍ厚さの層を形成する。１４０°Ｃで
約１０分加熱した後、パターンマスクを通してこの感光
性重合体層をエフシマーレーザー（λ＝２４８ｎｍ　Ｎ
　ＫｒＦ　）を露光する。

接触マスクとして透過度の異なる石英グレイウェッジを
使用し、これにより感光層の異なる露光領域を次第に増
大する光量で露光する。露光領域における居全部の洗除
を可能ならしめる最少限度光量を、該層の感光度とする
。感光度は現像剤により相違するが、トリエタノールア
ミンの３％水溶液（２％のブチルグリコール添加）につ
いては約８００ｍＪ　／　ｃｍ″である。

この条件でパターンクロムマスクを通してレーザーで２
５秒間感光層を露光し、トリエタノール水溶液で６０秒
間現像し、乾燥する。得られたレジストパターンをＳＦ
ＱプラズマによるＳｉＯ。レジストマスター転写用のマ
スクとして使用する。

灸胤■ユプラズマエツチング耐性エツチング試験をプラズマ、テクノロジー社（Ｐｌａｓ
ｍａ　−Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）の市販平行板リアクタ
ーで行った。これは平行に配置された２電極を何する真
空装置から成る。エツチング乃至蝕刻されるべき基板を
、アースした水冷下方電極上に配置した。上方電極を１
３．５６ＭＨｚの高周波発生装置に接続してプラズマを
発生させた。エツチングはガス圧６５０ミリトルのＳＦ
ｓエツチングガス、５０Ｗの電力で行われた。冷却電極
温度はエツチング処理の間２５°Ｃとした。酸化された
ウェハに重合体溶液のスピンコーティングにより１乃至
２μｍＨさの層を形成した。余分の溶媒を除去するため
、ウェハは１６０°Ｃにおいて３０分間加熱された。各
４枚のウェハを下方電極上に置き、装置内を減圧し、エ
ツチングガスを導入して、圧力が安定してからプラズマ
を発生させた。各エツチングサイクル毎の前後に、層厚
さをテンコア、インストルメンツ社（Ｔｅｎｃｏｒ　Ｉ
ｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ）のα−ステッププロフィロメー
ターにより計測した。対照として市販のノボラフレジス
トならびにポリメチルメタクリラート及び更にアクリラ
ートレジスト（メタクリルニトリルの代わりにメチルメ
タクリラートを含有）を同様の方法でエツチング処理し
た。結果を以下の表１に示す。

表Ｉ　　ＳＦａプラズマによる重合体腐蝕度ｆｆ　、ｂ
ｂ−１１・°ノノボラクポジチブレジスト　　　　　　２３６ポ　リ　
−（ｏＮＭＢＭＡ　２ａ−ｃｏ−ＭＡＮ　５４−ｃｏ−
Ｍ、ＡＳｔａ）Ｌ　　３０４ボ　リ　−（ｏ　Ｎ　Ｍ　
Ｂ　Ｍ　＾＋ｓ−ｃｏ−ＭＭ　八〇？　ｂ−Ｃｏ−ＭＡ
Ｓ１４）　　　４１７ポリー（メチル−メタクリラート
）４６９ＬｏＮ轟ＩＢＭＡ＝ｏ−ニトロ−α−メチル−
ベンジルメタクリラートＭＡＮ＝メタクリルニトリルＭＡＳ＝メタクリル酸

Claims

【特許請求の範囲】

（１）（ａ）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）（式中、Ａは５乃至１４の環員を有する芳香族或はヘテ
ロ芳香族の、場合により置換された環を、Ｘは水素、炭
素原子１乃至８個を有するアルキル基、場合により置換
されたアリール或はアルアルキル基を、Ｙは炭素原子２
乃至６個を有するエチレン系不飽和基を意味する）によ
り表される、少なくとも１種類の化合物５乃至５０モル
％、（ｂ）メタクリルニトリル９４乃至３０モル％、（
ｃ）少なくとも１種類の、炭素原子３乃至６個を有する
オレフィン系不飽和共重合性カルボン酸１乃至２０モル
％、（ｄ）２５０乃至４００ｎｍの波長範囲において透明な
単独重合体を構成するべき、上記（ａ）、（ｂ）及び（
ｃ）の１種類或は複数種類の異なるオレフィン系不飽和
共重合性化合物０乃至３０モル％を、（ａ）乃至（ｄ）
の合計量が１００モル％となるように重合させて得られ
る共重合体。
（２）特許請求の範囲（１）による共重合体であって、
上記一般式（ I ）中のＹが −ＣＨ＝ＣＨ＿２、▲数式、化学式、表等があります▼
、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯＨ、−ＣＣｌ＝ＣＣｌ−ＣＯＯ
Ｈ、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＝ＣＨ
ＣＨ＿３、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
あります▼或いは▲数式、化学式、表等があります▼、の何れかの基を意味することを特徴とする共重合体。
（３）特許請求の範囲（１）或は（２）による共重合体
であって、上記一般式（ I ）中のＡがフェニルを、Ｘ
がメチルを、Ｙが−Ｃ＝ＣＨ＿２を意味することを特徴
とする共重合体。
（４）特許請求の範囲（１）乃至（３）の何れかによる
共重合体であって、上記組成分（ｃ）としてメタクリル
酸を共重合させることを特徴とする共重合体。
（５）特許請求の範囲（１）乃至（４）の何れかによる
共重合体の製造方法であって、（ａ）乃至（ｄ）の化合
物をラジカル重合開始剤の存在下に重合させることを特
徴とする方法。
（６）特許請求の範囲（１）乃至（４）の何れかによる
共重合体を含有することを特徴とする水性アルカリ液で
洗除可能のフォトレジスト。
（７）特許請求の範囲（１）乃至（４）の何れかによる
共重合体を感光性材料として使用することを特徴とする
半導体構成素子の製造方法。
（８）特許請求の範囲（１）乃至（４）の何れかによる
共重合体を使用することを特徴とする感光性成層材料の
製造方法。
（９）特許請求の範囲（１）乃至（４）の何れかによる
共重合体を使用することを特徴とする乾燥レジストの製
造方法。
（１０）特許請求の範囲（１）乃至（４）の何れかによ
る共重合体を使用することを特徴とする平版印刷版体の
製造方法。
（１１）特許請求の範囲（１）乃至４の何れかによる共
重合体を使用することを特徴とするフォトエッチング基
版の製造方法。