JPS63187426A - Photodetector for pickup - Google Patents
Photodetector for pickupInfo
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- JPS63187426A JPS63187426A JP62019317A JP1931787A JPS63187426A JP S63187426 A JPS63187426 A JP S63187426A JP 62019317 A JP62019317 A JP 62019317A JP 1931787 A JP1931787 A JP 1931787A JP S63187426 A JPS63187426 A JP S63187426A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
く産業上の利用分野〉
本発明は、コンパクトディスク、ビデオディスク等に用
いられる光ピツクアップ用受光素子に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a light receiving element for optical pickup used in compact discs, video discs, etc.
〈発明の概要〉
6分割型ホトダイオードと、これらの出力信号を増幅・
信号処理する増幅回路・信号処理回路部とをDIP8端
子で1パツケージ化することにより、耐ノイズ性、応答
速度の向上、コンパクト化等を可能にし、また増幅回路
の増幅度可変手段に接続された調整端子によりピックア
ップとしてのバラツキも調整し得るようにしている。<Summary of the invention> A 6-segment photodiode and a method for amplifying and amplifying these output signals.
By integrating the signal processing amplifier circuit and signal processing circuit into one package with 8 DIP terminals, it is possible to improve noise resistance, response speed, and make it more compact. Variations in the pickup can also be adjusted using the adjustment terminal.
〈従来の技術〉
コンパクトディスク、ビデオディスク等の光ピツクアッ
プ部には、受光素子として一般に1チツプ化した6分割
のホトダイオードが備えられている。光ピツクアップ部
に搭載さルた半導体レーザーの発する直流光は、光デイ
スク面でそのピット状態に従って反射され、信号成分を
含む変調光となり、6分割のホトダイオードで検出され
る。ホトダイオードの出力電流は、増幅回路により増幅
された後、信号処理回路によりRF倍信号映像及び音声
信号)及び光デイスク面と光ピツクアップ部の位置関係
をコントロールするための制御信号に分離され、利用さ
れている。<Prior Art> Optical pickup units of compact discs, video discs, etc. are generally equipped with a photodiode divided into six parts into one chip as a light-receiving element. Direct current light emitted by a semiconductor laser mounted on the optical pickup section is reflected on the optical disk surface according to its pit state, becoming modulated light containing signal components, which is detected by a six-divided photodiode. The output current of the photodiode is amplified by an amplifier circuit, and then separated by a signal processing circuit into an RF multiplied signal (video and audio signals) and a control signal for controlling the positional relationship between the optical disk surface and the optical pickup section, and then used. ing.
従来、上記の光ピツクアップ部は、一般にホトダイオー
ドの出力電流の増幅回路、信号処理回路は搭載されず、
ホトダイオードの出力電流は、リード線により光ビック
アンプ部外に設置された増幅回路まで伝送されていた。Conventionally, the above-mentioned optical pickup section was generally not equipped with an amplification circuit for the output current of the photodiode or a signal processing circuit.
The output current of the photodiode was transmitted via lead wires to an amplifier circuit installed outside the optical big amplifier section.
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかし、ホトダイオードの出力電流は数マイクロアンペ
ア−数十マイクロアンペアと小さいため、リード線長を
長くするとノイズが乗ったり、配線容量の増加により、
応答速度が低下するという欠点があった。また、増幅回
路構成部品、信号処理回路構成部品を光ピツクアップ部
に搭載した場合には、これら部品により回部の重量が増
加しかつ大型化するという欠点を生じた。<Problems to be solved by the invention> However, since the output current of a photodiode is small, ranging from several microamperes to several tens of microamperes, increasing the length of the lead wires may cause noise and increase the wiring capacitance.
There was a drawback that the response speed decreased. Furthermore, when amplifier circuit components and signal processing circuit components are mounted on the optical pickup section, these components increase the weight and size of the pickup section.
本発明は、これら従来の欠点を解決し、かつ既存のDI
P8端子パッケージに組込むことによって、製造、組立
て等における取扱いを容易にするとともに、8端子の1
つを制御端子としてピックアップ間のバラツキをも調整
し得る光ピツクアップ用受光素子を提供することを目的
とする。The present invention solves these conventional drawbacks and
By incorporating it into the P8 terminal package, it is easy to handle during manufacturing, assembly, etc., and one of the 8 terminals
An object of the present invention is to provide a light-receiving element for optical pickup which can also adjust variations between pickups by using one as a control terminal.
く問題点を解決するための手段〉
1チツプ又は複数チップからなる、6分割型ホトダイオ
ードとこれら各ホトダイオードの出力信号を増幅し信号
処理する増幅回路・信号処理回路部とをDIP8端子の
パッケージに内蔵する。8端子のうち5端子はホトダイ
オードの単独ないし組合せ信号を導出する出力端子、2
端子は高低2つの電源端子である。そして、°前記増幅
回路は増幅度可変手段を有してなシ、8端子の残りの1
端子はこの増幅度可変手段に接続されて、ピックアップ
間のバラツキを調整する調整端子とする。Means for solving the above problems〉 A 6-divided photodiode made of one chip or multiple chips and an amplifier circuit/signal processing circuit section that amplifies and processes the output signal of each of these photodiodes are built into a package with 8 DIP terminals. do. Five of the eight terminals are output terminals for deriving individual or combined photodiode signals;
The terminals are two high and low power supply terminals. The amplifier circuit does not have amplification degree variable means, and the remaining one of the eight terminals
The terminal is connected to this amplification degree variable means and serves as an adjustment terminal for adjusting variations between pickups.
く作用〉
上記構造によれば、1パツケージ内でホトダイオードの
出力信号が増幅、信号処理されるので、ノイズの影響を
少なくして所要の信号を取出せるとともに、配線容量等
の浮遊容量を減少して応答速度を向上でき、しかもピッ
クアップとしてもコンパクト化、軽量化が可能であシ、
またパッケージは既存のDIP8ピン端子であり、製造
、組立て等における取扱いを容易にし、さらにピックア
ップ間のバラツキも簡単に調整できる。Effects> According to the above structure, the output signal of the photodiode is amplified and processed within one package, so the desired signal can be extracted with less influence of noise, and stray capacitance such as wiring capacitance can be reduced. It is possible to improve the response speed, and it is also possible to make the pickup more compact and lightweight.
Furthermore, the package is an existing DIP 8-pin terminal, which facilitates handling during manufacturing, assembly, etc., and also allows for easy adjustment of variations between pickups.
〈実施例〉 以下図面に従って本発明の詳細な説明する。<Example> The present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
第1図に一回路構成例を示す。PDはA乃至Fの6つに
分割された受光パターン領域を有してなる6分割ホトダ
イオード部であシ、後述する増幅回路、信号処理回路部
SCとともに1チツプ上に形成される。パッケージ構造
としては、6分割ホトダイオード部PD、増幅回路・信
号処理回路部SCをすべて形成したエチップを1パツケ
ージに収納したDIP8端子素子として構成される。FIG. 1 shows an example of a circuit configuration. The PD is a 6-divided photodiode section having light-receiving pattern areas divided into 6 sections A to F, and is formed on one chip together with an amplifier circuit and a signal processing circuit section SC, which will be described later. As for the package structure, it is constructed as a DIP 8-terminal element in which an ethip in which a 6-divided photodiode section PD and an amplifier circuit/signal processing circuit section SC are all housed in one package.
ホトダイオード部PD&i第2図のような受光パターン
を有してなり、中央部の時計回りに形成されたA乃至り
のパターンでRF倍信号びフォーカス制御信号、両端の
E及びFパターンでトラッキング制御用の信号を生成し
ている。The photodiode part PD&i has a light receiving pattern as shown in Fig. 2. The patterns A to C formed clockwise in the center are used for RF multiplication signals and focus control signals, and the E and F patterns at both ends are used for tracking control. is generating a signal.
6分割ホトダイオード部PDi−1:第1図の増幅回路
・信号処理回路部SCにおける各電流−電圧増幅器Gz
、 G2に接続される。G3.G4は加算増幅器、G
5.G6は減算増幅器である。そして、これら増幅回路
・信号処理回路部SCの回路構成により、例えば第1端
子T0よりPD(A)とP D (C)の和信号出力(
VA+。)、第2端子T2よりPI]A)とP D (
C)の和信号とP D (B)とPD[F])の和信号
との差信号出力(V(A+。)−(B+D) )、第3
端子T3よりPD(B)とPDQ))の和信号出力(V
B+D)、第4端子T4 よりPD(A)とPDCE3
)とPD(C)とPD□)(7)和信号出力(vA+B
+C+D )、第7端子T7 よりPIXE)とPD(
F)の差信号出力(V、、−、)を導出している。第5
端子T5はVcc電圧の電源端子、第6端子T6はグラ
ンド(GND)の電源端子である1、なお、減算増幅器
Gs 、 G6の一方の端子に加えられる基準信号Vr
efは、増幅回路・信号処理回路部SCに内蔵された定
電圧回路VRから供給される。6-divided photodiode section PDi-1: each current-voltage amplifier Gz in the amplifier circuit/signal processing circuit section SC in FIG.
, connected to G2. G3. G4 is a summing amplifier, G
5. G6 is a subtraction amplifier. Then, due to the circuit configuration of these amplifier circuit/signal processing circuit section SC, the sum signal of PD (A) and PD (C) is output from the first terminal T0 (
VA+. ), PI] A) and P D (
The difference signal output (V(A+.)-(B+D)) between the sum signal of C) and the sum signal of PD(B) and PD[F]), the third
PD(B) and PDQ)) sum signal output (V
B+D), PD(A) and PDCE3 from the 4th terminal T4
) and PD (C) and PD□) (7) Sum signal output (vA+B
+C+D), PIXE) from the 7th terminal T7) and PD(
The difference signal output (V,, -,) of F) is derived. Fifth
The terminal T5 is a power supply terminal for Vcc voltage, and the sixth terminal T6 is a power supply terminal for ground (GND)1.The reference signal Vr applied to one terminal of the subtraction amplifier Gs and G6 is
ef is supplied from a constant voltage circuit VR built in the amplifier circuit/signal processing circuit section SC.
また、前記電流−電圧増幅器Gs −G2は増1潜度可
変手段を有してなプ、第8端子T8は増幅度可変端子に
接続されている。Further, the current-voltage amplifier Gs-G2 has an amplification degree variable means, and the eighth terminal T8 is connected to the amplification degree variable terminal.
このようなりIP8端子素子の構造によれば、増幅回路
・信号処理回路部SCが6分割ホトダイオード部PDと
ともに1つのパッケージに収納され、従来のようにこれ
らの間を接続するリード線により応答速度が低下すると
いうようなことがなく、さらに光ピツクアップに搭載す
る場合も1パツケージ素子の搭載のみであるので、光ピ
ツクアップの重量を軽減しかつ小型化できるという利点
がある。According to the structure of the IP8 terminal element, the amplifier circuit/signal processing circuit section SC is housed in one package together with the 6-divided photodiode section PD, and the response speed is increased by the lead wire connecting these as in the conventional case. Moreover, since only one package element is mounted in the optical pickup, there is an advantage that the weight and size of the optical pickup can be reduced.
ところで、コンパクトディスク、ビデオディスク等では
、光ピツクアンプ部のホトダイオードに入射する光量は
、半導体レーデ−の放射強度及び光ピツクアップ部内の
光学部品の特性等のバラツキにより変化する。第8瑞子
T8け電流−電圧増幅器Gl 、 G2の増幅度aを変
化させ、光ピツクアップ間のバラツキを調整する。増幅
度変化の方法としては、第8端子T8における■外付は
抵抗の値を変化させる、■供給電圧を変化させる、等回
路構成により、第1端子T1 よりPD(A)とPD
(C)の和信号出力(VA+。)、第2端子T2よりp
D(B)とPDの)の和信号出力(VB+D)、第3端
子T3 よりPD(A)とP D (B)とPD(C)
とPDQ))の和信号出力(VA+B+。+D)、第6
端子T6 よりPD■の信号出力(V、)、第7端子T
7 よりPD(F’)の信号出力(V、)を導出するよ
うにしている。第4端子T4はVcc 電圧の電源端
子、第5端子T5はグランド(GND)の電源端子であ
る。第8端子TsIi先の実施例と同様調整端子として
準備される端子で、電流−電圧増幅器G1+02の増幅
度可変端子に接続している。By the way, in compact discs, video discs, etc., the amount of light incident on the photodiode of the optical pickup section changes due to variations in the radiation intensity of the semiconductor radar and the characteristics of optical components in the optical pickup section. The amplification degree a of the current-voltage amplifiers Gl and G2 of the eighth element T8 is changed to adjust the dispersion between the optical pickups. The amplification degree can be changed by changing the value of the external resistor at the 8th terminal T8, or changing the supply voltage, etc. PD (A) and PD can be changed from the first terminal T1 through the circuit configuration.
(C) sum signal output (VA+.), p from second terminal T2
D (B) and PD) sum signal output (VB + D), PD (A), PD (B) and PD (C) from the third terminal T3
and PDQ)) sum signal output (VA+B+.+D), 6th
PD ■ signal output (V, ) from terminal T6, 7th terminal T
7 to derive the signal output (V, ) of PD (F'). The fourth terminal T4 is a Vcc voltage power supply terminal, and the fifth terminal T5 is a ground (GND) power supply terminal. Eighth terminal TsIi This terminal is prepared as an adjustment terminal as in the previous embodiment, and is connected to the variable amplification terminal of the current-voltage amplifier G1+02.
第4図はさらに他の実施例を示す回路構成例である。FIG. 4 is an example of a circuit configuration showing still another embodiment.
ここでは第3図のものにバッファB、、B、が追加され
ている。バッファB1はPD(イ)、PD(B)に対応
する各電流−電圧増幅器Gl(A1.G1の)の動作制
御端子と第6端子T6間に、バッファB2けPD(C)
、 PD(B)に対応する各電流−電圧増幅器Gt (
C)、 Gl (D)の動作制御端子と第7端子T7間
して接続されている。Here, buffers B, , B, are added to the one in FIG. Buffer B1 is connected between the operation control terminal of each current-voltage amplifier Gl (A1.G1) corresponding to PD (A) and PD (B) and the sixth terminal T6.
, each current-voltage amplifier Gt (
C), Gl (D) is connected between the operation control terminal and the seventh terminal T7.
通常時、第6端子T6は信号出力(vF、)を導出する
とともて、第7端子T7は信号出力(V2)を導出する
。この時、信号出力は弱く、かつバッファBz 、 B
2を介在しているので電流−電圧増幅器G1の動作には
何ら影響を与えない。しかし、第6端子T6又は第7端
子T7 より所定レベル以上の電圧を印加すると、電流
−電圧増幅器G1の動作は実質的に全く禁止される。Normally, the sixth terminal T6 derives the signal output (vF, ), and the seventh terminal T7 derives the signal output (V2). At this time, the signal output is weak and the buffers Bz, B
2, it does not affect the operation of the current-voltage amplifier G1. However, when a voltage higher than a predetermined level is applied from the sixth terminal T6 or the seventh terminal T7, the operation of the current-voltage amplifier G1 is substantially completely prohibited.
例えば、光ピツクアップ用受光素子の実際の使用に際し
て、半導体レーザーからのメインスポット全、予じめホ
トダイオードのA乃至Dノくターンのセンターにくるよ
う調整する、いわゆる初期調整・アライメントが必要で
あり、このなめ、光ピツクアンプ用受光素子から、A、
B、C,Dパターンにそれぞれ対応する出力信号を独立
に取出すことが要求される。第4図の構造はこれに対処
しユ
たものであり、DIP8端子のt端子の制御により、A
乃至りに対応する増幅器の動作選択が行え、他の端子を
利用してA、B、C,Dの各出力信号を導出することが
できる。For example, when actually using a light-receiving element for optical pickup, it is necessary to perform so-called initial adjustment and alignment in which the entire main spot from the semiconductor laser is adjusted in advance to the center of the turns A to D of the photodiode. From this slant, the light receiving element for the optical pick amplifier, A,
It is required to independently extract output signals corresponding to the B, C, and D patterns. The structure shown in Fig. 4 is designed to deal with this problem, and by controlling the t terminal of the DIP8 terminal, the A
The corresponding amplifier operation can be selected, and the output signals A, B, C, and D can be derived using other terminals.
上記動作を表にまとめると次のとおりである。The above operations are summarized in the table below.
第3図及び第4図の実施例においても、第1図の実施例
と同様の作用効果を奏し得ることは言うまでもない。It goes without saying that the embodiments shown in FIGS. 3 and 4 can provide the same effects as the embodiment shown in FIG. 1.
゛ 〈発明の効果〉
以上のように本発明によれば、小型・軽量で信頼性が高
く、かつピックアップとしてのバラツキの調整も行える
有用なピックアップ用受光素子が提供できる。<Effects of the Invention> As described above, according to the present invention, it is possible to provide a useful light-receiving element for a pickup that is small, lightweight, highly reliable, and allows for adjustment of variations in the pickup.
第1図は本発明の一実施例を示す回路構成図、第2図は
6分割型ホトダイオード部のパターン図、第3図は本発
明の他の実施例を示す回路構成図、第4図は本発明のさ
らに他の実施例を示す回路構成図である。
PD・・・6分割型ホトダイオード部、 SC・・・
増幅回路・信号処理回路部、 G1及びG2・・・電
流−電圧増幅器、 T1乃至T8・・・端子。
代理人 弁理士 杉 山 股 至(他1名)第 1 図
n
第 2 図FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a pattern diagram of a 6-segment photodiode section, FIG. 3 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 7 is a circuit configuration diagram showing still another embodiment of the present invention. PD...6-segment photodiode section, SC...
Amplification circuit/signal processing circuit section, G1 and G2... current-voltage amplifier, T1 to T8... terminals. Agent Patent attorney Itaru Sugiyama Mata (and 1 other person) Figure 1 n Figure 2
Claims (1)
回路・信号処理回路部を備え、前記増幅回路はその増幅
度可変手段を有してなり、前記ホトダイオード及び増幅
回路・信号処理回路部を、前記ホトダイオードの単独な
いし組合せ信号を導出する5つの出力端子、高低2つの
電源端子、及び前記増幅回路の増幅度可変手段に接続さ
れる1つの調整端子を含むDIP8端子パッケージに内
蔵したことを特徴とするピックアップ用受光素子。A 1.6-split type photodiode, an amplification circuit/signal processing circuit section for the photodiode, and the amplification circuit has amplification degree variable means. A pickup characterized in that it is built in a DIP 8-terminal package that includes five output terminals for deriving individual or combined signals, two high and low power supply terminals, and one adjustment terminal connected to the amplification degree variable means of the amplifier circuit. Light receiving element.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62019317A JPS63187426A (en) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | Photodetector for pickup |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62019317A JPS63187426A (en) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | Photodetector for pickup |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63187426A true JPS63187426A (en) | 1988-08-03 |
Family
ID=11996031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62019317A Pending JPS63187426A (en) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | Photodetector for pickup |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63187426A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0621639A1 (en) * | 1993-04-19 | 1994-10-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-receiving semiconductor device |
-
1987
- 1987-01-29 JP JP62019317A patent/JPS63187426A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0621639A1 (en) * | 1993-04-19 | 1994-10-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-receiving semiconductor device |
US5466962A (en) * | 1993-04-19 | 1995-11-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-receiving semiconductor device with plural buried layers |
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