JPS63172564A - Solid-state image pickup device - Google Patents
Solid-state image pickup deviceInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
【発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は固体撮像装置、特に光電変換素子を用いた固体
ＩＩ像装置に関する。
（従来の技術）
固体撮像装置は、一般に半導体基板上に写真蝕刻工程に
より複数の光電変換素子を形成して固体撮像素子とし、
この固体撮像素子をセラミック等の基板に実装し、所定
の配線をすることによって作製される。第４図に、この
ような従来の一般的な固体撮像装置１０の断面構造図を
示す。この固体撮像装置１０は一次元密着型の装置であ
り、セラミック基板１１の上にマウント剤１２を介して
固体撮像素子１３が固着されている。この固体撮像素子
１３は、一次元的（紙面に垂直な方向）に配設した複数
の光変換素子を有する。セラミック基板１１の上面には
、導体膜からなる所定の配線パターンが印刷されている
。この印刷パターンの所定部分と、固体撮像素子１３の
イ部配線端子とが金またはアルミニウムの細線よりなる
ボンディングワイヤ１４によって接続されている。また
、セラミック基板１１の端部の配線パターン上には、入
出力コネクタピン１５が接続されており、固体撮像素子
】３内の半導体集積回路は、ボンディングワイヤ１４、
セラミック基板１１上の配線パターン、そして入出力コ
ネクタピン１５を介して外部の駆動回路と電気的に接続
されることになる。
この固体撮像素子１３を保護するために、セラミック基
板１１上には有機系のシール剤１６によって、ガラスカ
バー１７が固着されている。
この固体撮像装置１０によって、原稿１上の書画パター
ンを読取るには、光源２によって原稿１を照射し、この
反射光をセルフォックレンズアレイ３を通して、固体撮
像素子１３上の光電変換部１３ａに結像させる。図中、
この光路は一点鎖線で表す。なお、カラー画像を得るた
めには、光電変換部１３ ａ ｌに色相に応じたフィル
タが設けられる。このようにして、結像させた書画パタ
ーンの濃淡に応じた光量が電気信号に変換される。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、従来の固体撮像装置には、次のような問
題点がある。
（１） 固体撮像素子のマウント位置精度が悪い。
固体撮像素子は、コスト低減化を図るため、直径４〜５
インチの大型ウェハに多数の素子が形成されるようにし
て製造される。このため、ウェハの厚みは機械的強度を
確保するために、０．６ｍｍ以上必要となる。したがっ
て、各固体撮像素子の厚みも、０．６關以上となる。こ
の固体撮像素子をセラミック基板」二にマウントする場
合、光学的なパターン認識装置を用い、セラミック基板
上の配線パターンの所定位置に位置合せすることになる
。ところがパターン認識！１ｌｔ１１の波視界深度が浅
いため、固体撮像素子が厚いと、位置合せ誤差もそれだ
け大きくなるのである。このため、従来装置では、固体
撮像素子のマウント精度がかなり低下していた。特に、
図示していない二次元型の装置、すなわち、光電変換素
子を二次元的に配設した装置では、ガラスカバーの代わ
りにセラミックパッケージを用いるため、セラミックの
積層焼結時に生じる焼き縮み現象があり、セラミック基
板上の配線パターンの精度も悪くなり、マウント位置精
度はかなり低下することになる。
（２） 装置の小型化が図れない。
第４図に示すように、固体撮像素子１３と配線パターン
とはボンディングワイヤ１４によって接続されるため、
ガラスカバー１７はボンディングワイヤ１４に触れない
ように、十分な内部容積を必要とする。また、ワイヤボ
ンディング時の治具の逃げ部を考慮する必要があるため
、ガラスカバー１７の内部容積はより多く必要になる。
図示していない二次元型の装置でも同様に、セラミック
パッケージの内容積が多く必要になる。このため、従来
装置には小型化が図れないという問題点がある。
（３） 気密性が悪い。
前述のように、従来装置では、ガラスカバー１７が大き
な内容積を必要とするため、このガラスカバー１７をシ
ール剤１６を用いてシールする工程で、ガラスカバ−１
７内部の空気が膨張し、シール剤１６中に気道が発生す
る。このため、装置の気密性を悪くするという問題も生
じる。
そこで本発明は、固体撮像素子のマウント精度がよく、
しかも小型で気密性に優れた固体撮像装置を提供するこ
とを目的とする。
〔発明の構成〕
（問題点を解決するための手段）
本発明は、固体撮像装置において、表面に導体膜からな
る配線パターンが形成された透明絶縁基板と、この透明
絶縁基板上に、光電変換部が透明絶縁基板側を向くよう
に配設された固体撮像素子と、この固体撮像素子を保準
するための保護手段と、を設け、固体撮像素子の外部配
線端子を配線パターンにバンブ接合するようにし、マウ
ント精度を向上し、小型化および気密化を図れるように
したものである。
（作 用）
本発明によれば、透明絶縁基板上の配線パターンと固体
撮像素子の外部配線端子とがバンブ接続される。このた
め、従来のようにボンディングワイヤによって接続され
る装置に比べて、ボンディングワイヤの占めるスペース
を確保する必要がなくなり、装置の小型化および気密化
が図れる。また、透明絶縁基板を通して外部配線端子と
配線パターンとの位置関係を観察することができるため
、マウント精度も向上する。
（実施例）
以ド、本発明を図示する一実施例に基づいて説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る固体撮像装置の断面
構造および読取り機構を示す図である。透明絶縁基板２
１として本実施例では、コーニング社製の低アルカリ性
ガラス（＃ ７０５９）を用い、この透明絶縁基板２１
の表面（第１図では下側の面）に、導体膜からなる配線
パターンを形成した。この配線パターンとしては、透明
絶縁基板２１側から、クロム膜、パラジウム膜、金膜の
順に被着した３層からなる薄膜を用いた。この透明絶縁
基板２１に固体撮像素子２３が、バンブ接合される。す
なわち、固体撮像素子２３の外部配線端子と、透明絶縁
基板２１上の配線パターンとが、バンブ電極部２４によ
って接続されることになる。本実施例では、バンブ電極
部２４として金、または金と錫との合金を用いている。
このバンブ接合は、透明絶縁基板２１側または固体撮像
素子２３側、あるいはその両方の側に′ノ（ンブを形成
し、ハ圧着法などにより、接合すればよい。
このときの位置合せは、まず、透明絶縁基板２１上の所
定位置まで固体撮像素子２３を機械的に接近させ、第１
図の上方から透明絶縁基板２１を通して、顕微鏡または
ＩＴＶカメラなどでバンプパターンと配線パターンとを
認識し、両者を一致させればよい。このとき、実際のバ
ンプパターンではなく、バンプ位置と相対的な位置に設
けられた疑似パターンを用いるようにしてもよい。この
ように、透明絶縁基板２１を通して位置合せを行うこと
ができ、バンプパターンと配線パターンとの奥行き方向
（図の上下方向）の隔たりも少ないため、顕微鏡または
ＩＴＶカメラの波視界深度が浅くても、従来のボンディ
ングワイヤによる接続より精度よい接続を行うことがで
きる。なお、本発明に係る装置では、上述のように固体
撮像素子２３が透明絶縁基板２１上にバンブ電極部２４
を介して直接接続されるため、透明絶縁基板２１は、固
体撮像素子２３と熱膨張率がほぼ等しい祠料を用いるの
が好ましい。熱膨張率が異なると、熱応力によってクラ
ックの発生という問題が生じるためである。本実施例で
用いた低アルカリ性ガラスは、固体撮像素子２３を構成
するシリコンと熱膨張率がほぼ等しい好ましい材料の１
つである。
この後、６機系のシール剤２６によって、透明絶縁カバ
ー２７を透明絶縁基板２１に接着する。
これは、透明絶縁カバー２７にシール剤２６を塗布し、
透明絶縁基板２１に加圧しなから熱硬化させればよい。
ここで、入出力コネククビン２５を透明絶縁基板２１の
配線パターンの端部に接続し、外部の駆動回路との電気
的接続を行う。ここで、機械的強度を確保するためには
、人出力コネクタピン２５を透明絶縁基板２１の配線パ
ターンに半田付けし、モールド樹脂で封止すればよい。
なお、透明絶縁カバー２７としては、透明絶縁基板２１
と同じ材質のものを用いるのが好ましい。これは、シー
ル後における応力歪みが少なくなり、気密性か向Ｉ〕す
るためである。
さて、このような構造を有する固体撮像装置によるパタ
ーン読取りは、次のようにして行われる。
原稿１に光源２から光を照射し、この反射光をセルフォ
ックレンズアレイ３を通して、固体撮像素子２３の光電
変換部２３Ｂに導く。透明絶縁基板２１は、透明の材質
でできているため、原稿１上の書画パターンの像が、光
電変換部２３ａに結像する。この像の明度に応じて発生
した電荷により両縁信号が形成され、この信号は固体撮
像素子２３からバンブ電極部２４を経て、透明絶縁基板
２１上の配線パターンを伝わり、人出力コネクタピン２
５を介して外部の回路へと導かれる。
第２図は、本発明の別な一実施例に係る固体撮像装置２
０を原稿１に密着させて読取りを行わせている状態を示
す図である。原稿１はプラテンローラ４によって、固体
撮像装置２０の透明絶縁基板２１の表面に密着させられ
る。光電変換部２３ａには、原稿１の透過光による像が
結ぶ。これは特ニ、透明なフィルムなどに記された書画
パターンの読取りに適している。ただ、レンズ系を用い
ないで結像を行っているため、読取るべきパターン以外
の光が光電変換部２３ａに入射すると、ノイズ成分とな
って現れるという問題点がある。そこで、第２図に示す
装置では、光電変換部２３ａ以外に入射する光を遮蔽す
るための遮光膜２８が設けられている。なお、この遮光
膜２８は、透明絶縁基板２１上に配線パターンを形成す
る工程と同時に形成することができる。
第３図は、本発明の更に別な一実施例に係る固体撮像装
置の断面構造図である。この装置では、透明絶縁カバー
２７の代わりに樹脂を用いて、固体撮像素子２３の保護
を行っている。すなわち、固体撮像素子２３の周囲には
透明樹脂体２９が充填され、その外装として、不透明樹
脂体３０が形成されている。内側に透明樹脂体２９を充
填することにより、透明絶縁基板２１を通ってきた光を
光電変換部２３ａに支障なく導くことができ、かつ、外
側に不透明樹脂体３０を形成することにより、不要な外
光を遮蔽することができる。
なお、に述の実施例では、固体撮像素子が、一次元的に
配設した複数の光変換素子を有する一次元ラインセンサ
についての説明したが、本発明は、このような固体撮像
素子をさらに一次元的に配設したラインセンサや、二次
元的に配設した複数の光変換素子を有する固体撮像素子
を用いたエリアセンサについても同様に適用Ｉｊ１能で
ある。
〔発明の効果〕
以」二のとおり本発明によれば、固体撮像装置において
、表面に導体膜からなる配線パターンが形成された透明
絶縁基板と、この透明絶縁基板−Ｌに、光電変換部が透
明絶縁基板側を向くように配設された固体撮像素子と、
この固体撮像素子を・保護するための保護手段と、を設
け、固体撮像素子の外部配線端子を配線パターンにバン
ブ接合するようにしたため、ワイヤボンディングの必要
がなくなり、マウント精度を向上し、・小型化および気
密化が図れるようになる。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION OBJECTS OF THE INVENTION (Industrial Field of Application) The present invention relates to a solid-state imaging device, and particularly to a solid-state II imaging device using a photoelectric conversion element. (Prior Art) A solid-state imaging device generally consists of forming a plurality of photoelectric conversion elements on a semiconductor substrate using a photolithography process to form a solid-state imaging device.
This solid-state image sensor is manufactured by mounting the solid-state image sensor on a substrate made of ceramic or the like and performing predetermined wiring. FIG. 4 shows a cross-sectional structural diagram of such a conventional general solid-state imaging device 10. This solid-state imaging device 10 is a one-dimensional close-contact type device, and a solid-state imaging element 13 is fixed onto a ceramic substrate 11 via a mounting agent 12. This solid-state image sensor 13 has a plurality of light conversion elements arranged one-dimensionally (in a direction perpendicular to the plane of the paper). A predetermined wiring pattern made of a conductive film is printed on the upper surface of the ceramic substrate 11. A predetermined portion of this printed pattern and the A wiring terminal of the solid-state image sensor 13 are connected by a bonding wire 14 made of a thin gold or aluminum wire. In addition, input/output connector pins 15 are connected to the wiring pattern at the end of the ceramic substrate 11, and the semiconductor integrated circuit in the solid-state image sensor 3 is connected to bonding wires 14,
It will be electrically connected to an external drive circuit via the wiring pattern on the ceramic substrate 11 and the input/output connector pins 15. In order to protect the solid-state image sensor 13, a glass cover 17 is fixed onto the ceramic substrate 11 with an organic sealant 16. In order to read the calligraphic pattern on the original 1 using the solid-state imaging device 10, the original 1 is irradiated with the light source 2, and the reflected light is focused on the photoelectric conversion section 13a on the solid-state imaging element 13 through the SELFOC lens array 3. image. In the figure,
This optical path is represented by a chain line. Note that in order to obtain a color image, the photoelectric conversion unit 13 a l is provided with a filter depending on the hue. In this way, the amount of light corresponding to the shading of the imaged calligraphic pattern is converted into an electrical signal. (Problems to be Solved by the Invention) However, conventional solid-state imaging devices have the following problems. (1) The mounting position accuracy of the solid-state image sensor is poor. In order to reduce costs, solid-state image sensors have a diameter of 4 to 5 mm.
It is manufactured by forming a large number of elements on a large wafer of inch size. Therefore, the thickness of the wafer needs to be 0.6 mm or more to ensure mechanical strength. Therefore, the thickness of each solid-state image sensor is also 0.6 mm or more. When this solid-state imaging device is mounted on a ceramic substrate, an optical pattern recognition device is used to align it to a predetermined position of the wiring pattern on the ceramic substrate. But pattern recognition! Since the wave field of view of 1lt11 is shallow, the thicker the solid-state imaging device, the larger the alignment error will be. For this reason, in the conventional apparatus, the mounting accuracy of the solid-state image sensor has been considerably reduced. especially,
In a two-dimensional device (not shown), that is, a device in which photoelectric conversion elements are arranged two-dimensionally, a ceramic package is used instead of a glass cover, so there is a sintering phenomenon that occurs when ceramic is laminated and sintered. The accuracy of the wiring pattern on the ceramic substrate also deteriorates, and the mounting position accuracy deteriorates considerably. (2) The device cannot be made smaller. As shown in FIG. 4, since the solid-state image sensor 13 and the wiring pattern are connected by the bonding wire 14,
The glass cover 17 requires a sufficient internal volume so as not to touch the bonding wire 14. Further, since it is necessary to take into account the escape part of the jig during wire bonding, a larger internal volume of the glass cover 17 is required. Similarly, a two-dimensional type device (not shown) also requires a large internal volume of the ceramic package. For this reason, the conventional device has the problem that it cannot be miniaturized. (3) Poor airtightness. As mentioned above, in the conventional device, the glass cover 17 requires a large internal volume, so in the process of sealing the glass cover 17 using the sealant 16, the glass cover 1
The air inside 7 expands and an airway is generated in the sealant 16. This also causes the problem of poor airtightness of the device. Therefore, the present invention has high mounting accuracy of the solid-state image sensor, and
Moreover, it is an object of the present invention to provide a solid-state imaging device that is small and has excellent airtightness. [Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The present invention provides a solid-state imaging device that includes a transparent insulating substrate on which a wiring pattern made of a conductive film is formed, and a photoelectric conversion device on the transparent insulating substrate. A solid-state image sensor is provided with a portion facing the transparent insulating substrate, and a protective means for leveling the solid-state image sensor is provided, and external wiring terminals of the solid-state image sensor are bump-bonded to the wiring pattern. This makes it possible to improve mounting accuracy, make it more compact, and make it airtight. (Function) According to the present invention, the wiring pattern on the transparent insulating substrate and the external wiring terminal of the solid-state image sensor are bump-connected. Therefore, compared to conventional devices connected by bonding wires, there is no need to secure a space occupied by bonding wires, and the device can be made smaller and airtight. Furthermore, since the positional relationship between the external wiring terminal and the wiring pattern can be observed through the transparent insulating substrate, mounting accuracy is also improved. (Example) Hereinafter, the present invention will be described based on an illustrative example. FIG. 1 is a diagram showing a cross-sectional structure and a reading mechanism of a solid-state imaging device according to an embodiment of the present invention. Transparent insulating substrate 2
In this embodiment, low alkaline glass (#7059) manufactured by Corning Co., Ltd. is used as the transparent insulating substrate 21.
A wiring pattern made of a conductive film was formed on the surface (lower surface in FIG. 1) of the substrate. As this wiring pattern, a thin film consisting of three layers was used, in which a chromium film, a palladium film, and a gold film were deposited in this order from the transparent insulating substrate 21 side. A solid-state image sensor 23 is bump-bonded to this transparent insulating substrate 21 . That is, the external wiring terminal of the solid-state image sensor 23 and the wiring pattern on the transparent insulating substrate 21 are connected by the bump electrode section 24. In this embodiment, the bump electrode portion 24 is made of gold or an alloy of gold and tin. This bump bonding can be performed by forming a groove on the transparent insulating substrate 21 side, the solid-state image pickup device 23 side, or both sides, and bonding by crimping or the like. , the solid-state image sensor 23 is mechanically approached to a predetermined position on the transparent insulating substrate 21, and the first
The bump pattern and the wiring pattern may be recognized using a microscope or an ITV camera through the transparent insulating substrate 21 from above the figure, and the two may be matched. At this time, instead of the actual bump pattern, a pseudo pattern provided at a position relative to the bump position may be used. In this way, alignment can be performed through the transparent insulating substrate 21, and there is little distance between the bump pattern and the wiring pattern in the depth direction (vertical direction in the figure), so even if the depth of the wave field of the microscope or ITV camera is shallow. , it is possible to perform a connection with higher precision than the connection using conventional bonding wires. Note that in the device according to the present invention, the solid-state image sensor 23 is disposed on the bump electrode portion 24 on the transparent insulating substrate 21 as described above.
Since the transparent insulating substrate 21 is directly connected through the solid-state imaging device 23, it is preferable to use an abrasive material having approximately the same coefficient of thermal expansion as that of the solid-state imaging device 23. This is because if the coefficients of thermal expansion differ, a problem arises in which cracks occur due to thermal stress. The low alkaline glass used in this example is one of the preferred materials whose coefficient of thermal expansion is approximately equal to that of silicon constituting the solid-state image sensor 23.
It is one. Thereafter, the transparent insulating cover 27 is adhered to the transparent insulating substrate 21 using a sealing agent 26 of 6 types. This is done by applying a sealant 26 to the transparent insulating cover 27,
It is sufficient to thermally cure the transparent insulating substrate 21 without applying pressure. Here, the input/output connector 25 is connected to the end of the wiring pattern of the transparent insulating substrate 21 to establish electrical connection with an external drive circuit. Here, in order to ensure mechanical strength, the human output connector pin 25 may be soldered to the wiring pattern of the transparent insulating substrate 21 and sealed with mold resin. Note that the transparent insulating cover 27 may include the transparent insulating substrate 21
It is preferable to use the same material as. This is because the stress strain after sealing is reduced and the airtightness is improved. Now, pattern reading by a solid-state imaging device having such a structure is performed as follows. The document 1 is irradiated with light from the light source 2, and the reflected light is guided to the photoelectric conversion section 23B of the solid-state image sensor 23 through the SELFOC lens array 3. Since the transparent insulating substrate 21 is made of a transparent material, an image of the calligraphic pattern on the original 1 is formed on the photoelectric conversion unit 23a. A double edge signal is formed by charges generated according to the brightness of this image, and this signal is transmitted from the solid-state image sensor 23 to the bump electrode section 24, and then transmitted through the wiring pattern on the transparent insulating substrate 21 to the human output connector pin 2.
5 to an external circuit. FIG. 2 shows a solid-state imaging device 2 according to another embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating a state in which a document 1 is read in close contact with a document 1. FIG. The original 1 is brought into close contact with the surface of the transparent insulating substrate 21 of the solid-state imaging device 20 by the platen roller 4 . An image formed by transmitted light of the original 1 is formed on the photoelectric conversion unit 23a. This is especially suitable for reading calligraphic patterns written on transparent films. However, since imaging is performed without using a lens system, there is a problem that when light other than the pattern to be read enters the photoelectric conversion section 23a, it appears as a noise component. Therefore, in the device shown in FIG. 2, a light shielding film 28 is provided to shield light from entering other than the photoelectric conversion section 23a. Note that this light shielding film 28 can be formed at the same time as the process of forming a wiring pattern on the transparent insulating substrate 21. FIG. 3 is a cross-sectional structural diagram of a solid-state imaging device according to yet another embodiment of the present invention. In this device, a resin is used instead of the transparent insulating cover 27 to protect the solid-state image sensor 23. That is, a transparent resin body 29 is filled around the solid-state image sensor 23, and an opaque resin body 30 is formed as the exterior of the transparent resin body 29. By filling the inside with the transparent resin body 29, the light that has passed through the transparent insulating substrate 21 can be guided to the photoelectric conversion part 23a without any trouble, and by forming the opaque resin body 30 on the outside, unnecessary Can block external light. In the embodiments described above, a one-dimensional line sensor in which the solid-state image sensor has a plurality of light conversion elements arranged one-dimensionally was explained, but the present invention further describes the solid-state image sensor in which the solid-state image sensor is The present invention can similarly be applied to a line sensor arranged one-dimensionally or an area sensor using a solid-state image sensor having a plurality of light conversion elements arranged two-dimensionally. [Effects of the Invention] As described in ``2'' below, according to the present invention, a solid-state imaging device includes a transparent insulating substrate on which a wiring pattern made of a conductive film is formed, and a photoelectric conversion section on this transparent insulating substrate-L. A solid-state image sensor arranged so as to face the transparent insulating substrate side,
A protective means is provided to protect this solid-state image sensor, and the external wiring terminals of the solid-state image sensor are bump-bonded to the wiring pattern, eliminating the need for wire bonding, improving mounting accuracy, and reducing size. airtightness and airtightness.
第１図は、本発明の一実施例に係る固体撮像装置の断面
構造および読取り機構を示す図、第２図は、本発明の別
な一実施例に係る固体撮像装置の断面構造および読取り
機構を示す図、第３図は、本発明の更に別な一実施例に
係る固体撮像装置の断面構造図、第４図は、従来の固体
撮像装置の断面構造および読取り機構を示す図である。
１・・・原稿、２・・・光源、３・・・セルフォックレ
ンズアレイ、４・・・プラテンローラ、１ｏ・・・固体
撮像装置、１１・・・セラミック基板、１２・・・マウ
ント剤、１３・・・固体撮像素子、１３ａ・・・光電変
換部、１４・・・ボンディングワイヤ、１５・・・人出
力コネクタビン、１６・・・シール剤、１７・・・ガラ
スカバー、２０・・・固体撮像装置、２１・・・透明絶
縁基板、２３・・・固体撮像素子、２３ａ・・・光電変
換部、２４・・・バンブ電極部、２５・・・入出力コネ
クタビン、２６・・・シール剤、２７・・・透明絶縁カ
バー、２８・・・遮光膜、２９・・・透明樹脂体、３０
・・・不透明樹脂体。
出願人代理人 佐 藤 −雄
も２図
第４図FIG. 1 is a diagram showing a cross-sectional structure and a reading mechanism of a solid-state imaging device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing a cross-sectional structure and a reading mechanism of a solid-state imaging device according to another embodiment of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional structural diagram of a solid-state imaging device according to yet another embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a diagram showing the cross-sectional structure and reading mechanism of a conventional solid-state imaging device. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Original document, 2... Light source, 3... SELFOC lens array, 4... Platen roller, 1o... Solid-state imaging device, 11... Ceramic substrate, 12... Mounting agent, DESCRIPTION OF SYMBOLS 13... Solid-state image sensor, 13a... Photoelectric conversion part, 14... Bonding wire, 15... Human output connector bin, 16... Sealing agent, 17... Glass cover, 20... Solid-state imaging device, 21... Transparent insulating substrate, 23... Solid-state imaging device, 23a... Photoelectric conversion section, 24... Bump electrode section, 25... Input/output connector bin, 26... Seal agent, 27...transparent insulating cover, 28...light shielding film, 29...transparent resin body, 30
...Opaque resin body. Applicant's agent Mr. Sato - Figure 2 Figure 4
Claims (1)
明絶縁基板と、この透明絶縁基板上に、光電変換部が前
記透明絶縁基板側を向くように配設された固体撮像素子
と、この固体撮像素子を保護するための保護手段と、を
備え、前記固体撮像素子の外部配線端子が前記配線パタ
ーンにバンプ接合されていることを特徴とする固体撮像
装置。 ２、透明絶縁基板上に、光電変換部以外に入射する光を
遮蔽するための遮光膜が形成されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置。 ３、保護手段を樹脂によって構成したことを特徴とする
特許請求の範囲第１項または第２項記載の固体撮像装置
。 ４、保護手段が、透明な樹脂体と、その外装として形成
された不透明樹脂体とを有することを特徴とする特許請
求の範囲第３項記載の固体撮像装置。 ５、固体撮像素子が、一次元的に配設した複数の光変換
素子を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項乃
至第４項のいずれかに記載の固体撮像装置。 ６、複数の固体撮像素子を一次元的に配設してなること
を特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第５項のいずれ
かに記載の固体撮像装置。 ７、固体撮像素子が、二次元的に配設した複数の光変換
素子を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項乃
至第４項のいずれかに記載の固体撮像装置。[Claims] 1. A transparent insulating substrate on which a wiring pattern made of a conductive film is formed, and a solid state on which a photoelectric conversion section is arranged to face the transparent insulating substrate. 1. A solid-state imaging device comprising an imaging device and a protection means for protecting the solid-state imaging device, wherein an external wiring terminal of the solid-state imaging device is bump-bonded to the wiring pattern. 2. The solid-state imaging device according to claim 1, further comprising a light-shielding film formed on the transparent insulating substrate for shielding light incident on areas other than the photoelectric conversion section. 3. The solid-state imaging device according to claim 1 or 2, wherein the protection means is made of resin. 4. The solid-state imaging device according to claim 3, wherein the protection means includes a transparent resin body and an opaque resin body formed as an exterior of the protection means. 5. The solid-state imaging device according to any one of claims 1 to 4, wherein the solid-state imaging device has a plurality of light conversion elements arranged one-dimensionally. 6. A solid-state imaging device according to any one of claims 1 to 5, characterized in that a plurality of solid-state imaging devices are arranged one-dimensionally. 7. The solid-state imaging device according to any one of claims 1 to 4, wherein the solid-state imaging device has a plurality of light conversion elements arranged two-dimensionally.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62003843A JPH0777411B2 (en) | 1987-01-10 | 1987-01-10 | Solid-state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP62003843A JPH0777411B2 (en) | 1987-01-10 | 1987-01-10 | Solid-state imaging device |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63172564A true JPS63172564A (en) | 1988-07-16 |
| JPH0777411B2 JPH0777411B2 (en) | 1995-08-16 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62003843A Expired - Fee Related JPH0777411B2 (en) | 1987-01-10 | 1987-01-10 | Solid-state imaging device |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777411B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0288372U (en) * | 1988-09-19 | 1990-07-12 | ||
| JPH02270374A (en) * | 1989-04-12 | 1990-11-05 | Toshiba Corp | Sold-state image sensing device |
| JPH06342854A (en) * | 1990-10-13 | 1994-12-13 | Gold Star Electron Co Ltd | CCD package and method of assembling the same |
Citations (2)
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| JPS4945412U (en) * | 1972-07-25 | 1974-04-20 | ||
| JPS61278264A (en) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Fuji Electric Co Ltd | Contact image sensor for facsimile equipment |
-
1987
- 1987-01-10 JP JP62003843A patent/JPH0777411B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0777411B2 (en) | 1995-08-16 |
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