JPS63169118A - 雑音除去回路 - Google Patents
雑音除去回路Info
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- JPS63169118A JPS63169118A JP62000830A JP83087A JPS63169118A JP S63169118 A JPS63169118 A JP S63169118A JP 62000830 A JP62000830 A JP 62000830A JP 83087 A JP83087 A JP 83087A JP S63169118 A JPS63169118 A JP S63169118A
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- switch means
- circuit
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- connection point
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- 230000011664 signaling Effects 0.000 claims 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は、信号中に含まれる雑音(ノイズ)を除去す
るための雑音除去回路に関する。
るための雑音除去回路に関する。
(従来の技術)
従来、正負いずれの方向のノイズにも対処可能な雑音除
去回路として、第6図に示すような回路が用いられてい
る。この回路は、2つの遅延回路11x 、 112と
アンドゲート12!、およびオアゲート122を用いた
2段構成となっており、まず前段で正方向のノイズを除
去した後、後段で負方向のノイズを除去するものである
。しかしながら、このような構成の雑音除去回路は、構
成が複雑で素子数が多くパターン占有面積も増大する欠
点がある。
去回路として、第6図に示すような回路が用いられてい
る。この回路は、2つの遅延回路11x 、 112と
アンドゲート12!、およびオアゲート122を用いた
2段構成となっており、まず前段で正方向のノイズを除
去した後、後段で負方向のノイズを除去するものである
。しかしながら、このような構成の雑音除去回路は、構
成が複雑で素子数が多くパターン占有面積も増大する欠
点がある。
このような欠点を除去できる雑音除去回路として、特願
昭61−155708号に第7図に示すような回路が提
案されている。この回路は、入力信号eiとこの信号e
iを遅延回路19で遅延した信号eaとが同一レベルの
時、出力端子20から出力信号eoを得、不一致の時は
出力端子20の電位をダイナミンクに保持するもので、
上記遅延回路19の遅延時間より短い時間の正負両方向
のノイズを除去するものである。
昭61−155708号に第7図に示すような回路が提
案されている。この回路は、入力信号eiとこの信号e
iを遅延回路19で遅延した信号eaとが同一レベルの
時、出力端子20から出力信号eoを得、不一致の時は
出力端子20の電位をダイナミンクに保持するもので、
上記遅延回路19の遅延時間より短い時間の正負両方向
のノイズを除去するものである。
しかし、この回路は特定の条件のもとでは誤動作を起こ
す危険がある。すなわち、出力端子20に接続される負
荷容量がMOSトランジスタQ1と03との接続点(中
間ドレイン)N1の容量、あるいはMo8 トランジス
タQ4と02との接続点(中間ドレイン)N2の容量よ
りも小さい場合には、出力をダイナミックに保持する際
に論理レベルが反転することがあり回路の安定性が悪い
。
す危険がある。すなわち、出力端子20に接続される負
荷容量がMOSトランジスタQ1と03との接続点(中
間ドレイン)N1の容量、あるいはMo8 トランジス
タQ4と02との接続点(中間ドレイン)N2の容量よ
りも小さい場合には、出力をダイナミックに保持する際
に論理レベルが反転することがあり回路の安定性が悪い
。
以下、これについて第8図のタイミングチャートを参照
しつつ詳しく説明する。時刻10に入力信号eiが接地
レベル(“L”レベル)から電m電圧レベル(“H″レ
ベルに変化すると、MOSトランジスタQ1がオフ状態
、Q2がオン状態となる。この時刻toより遅延回路1
9の遅延時間Δtだけ遅れて信号eaが“H”レベルと
なり、MOSトランジスタQ3がオフ状態、Q4がオン
状態となる。これによって出力信号eoは“L″レベル
なる。この状態で時刻t1に入力信号61にローレベル
のノイズが重畳されると、MOSトランジスタQ1はオ
ン状態、Q2はオフ状態となる。
しつつ詳しく説明する。時刻10に入力信号eiが接地
レベル(“L”レベル)から電m電圧レベル(“H″レ
ベルに変化すると、MOSトランジスタQ1がオフ状態
、Q2がオン状態となる。この時刻toより遅延回路1
9の遅延時間Δtだけ遅れて信号eaが“H”レベルと
なり、MOSトランジスタQ3がオフ状態、Q4がオン
状態となる。これによって出力信号eoは“L″レベル
なる。この状態で時刻t1に入力信号61にローレベル
のノイズが重畳されると、MOSトランジスタQ1はオ
ン状態、Q2はオフ状態となる。
この時、MOSトランジスタQ3 、Q4は遅延回路1
9の出力eaが反転する時刻t3まで前のオン/オフ状
態が保持されるので、電源VCCから接地点への直流バ
スは存在せず、前の出力の“L″レベルダイナミックに
保持される。この時刻t1゜t2間、MOSトランジス
タQ1と03との接続点N1は、MOSトランジスタQ
1のオン状態により電源電圧レベルにチャージされる。
9の出力eaが反転する時刻t3まで前のオン/オフ状
態が保持されるので、電源VCCから接地点への直流バ
スは存在せず、前の出力の“L″レベルダイナミックに
保持される。この時刻t1゜t2間、MOSトランジス
タQ1と03との接続点N1は、MOSトランジスタQ
1のオン状態により電源電圧レベルにチャージされる。
時刻t2に入力信号eiのレベルが“H”レベルに復帰
すると、MOSトランジスタQl 、Q3はオフ状態、
Q2 、Q4がオン状態となり、出力信号eoはパL″
レベルとなる。この後t3.t4の間、出力信号eOは
ダイナミックに上記“L”レベルを保持しなければなら
ないが、MoSトランジスタQ3がオン状態となってい
るため、接続点N1にダイナミックに保持されていた電
荷が出力端子20側に流れ込んでこの端子20の電位が
上昇する。この際、出力端子20に接続された負荷容量
より接続点N1の容量が大きいと、出力信号eoの電位
が電源電圧の1/2を越える。通常0M08回路の回路
閾値は電源電圧の1/2に設定されているので、出力信
号eoの電位がV CC/ 2を越えると出力信号eO
の論理レベルが“L”レベルから“Hルーベルに変化す
る。
すると、MOSトランジスタQl 、Q3はオフ状態、
Q2 、Q4がオン状態となり、出力信号eoはパL″
レベルとなる。この後t3.t4の間、出力信号eOは
ダイナミックに上記“L”レベルを保持しなければなら
ないが、MoSトランジスタQ3がオン状態となってい
るため、接続点N1にダイナミックに保持されていた電
荷が出力端子20側に流れ込んでこの端子20の電位が
上昇する。この際、出力端子20に接続された負荷容量
より接続点N1の容量が大きいと、出力信号eoの電位
が電源電圧の1/2を越える。通常0M08回路の回路
閾値は電源電圧の1/2に設定されているので、出力信
号eoの電位がV CC/ 2を越えると出力信号eO
の論理レベルが“L”レベルから“Hルーベルに変化す
る。
また入力信号eiが“L″レベル時、この信号e1に電
源電圧レベルのノイズが重畳された場合にも同様な現象
が発生する。すなわち、時刻t5に入力信号eiが“L
″レベルら“H”レベルに変化すると、MOSトランジ
スタQ1がオフ状態、Q2がオン状態となり(この時M
OSトランジスタQ3はオン状態、 Q4はオフ状態と
なっている)、出力端子20はハイインピーダンス状態
となって“H”レベルがダイナミックに保持される。
源電圧レベルのノイズが重畳された場合にも同様な現象
が発生する。すなわち、時刻t5に入力信号eiが“L
″レベルら“H”レベルに変化すると、MOSトランジ
スタQ1がオフ状態、Q2がオン状態となり(この時M
OSトランジスタQ3はオン状態、 Q4はオフ状態と
なっている)、出力端子20はハイインピーダンス状態
となって“H”レベルがダイナミックに保持される。
このff11M0SトランジスタQ4とQ2どの接続点
N2は接地電位にディスチャージされる。
N2は接地電位にディスチャージされる。
そして、時刻t6に入力信号eiが“L”レベルに復帰
すると、MOSトランジスタQl 、Q3はオン状態、
Q2 、Q4はオフ状態となり、出力信号eOは“H”
レベルとなる。この後t7.t8の間、出力信号eOは
ダイナミックに上記“H″レベル保持しなければならな
いが、MOSトランジスタQ4がオン状態となっている
ため、出力端子20側に保持すべき電荷が接続点N2に
流れ込み、出力端子20側の電位が低下する。この時、
出力端子20に接続された負荷容量より接続点N2の容
量が大きいと、出力信号eOの電位が電源電圧の1/2
より低くなる。このため、出力信号eOの論理レベルが
“H″レベルら“L”レベルに反転する。
すると、MOSトランジスタQl 、Q3はオン状態、
Q2 、Q4はオフ状態となり、出力信号eOは“H”
レベルとなる。この後t7.t8の間、出力信号eOは
ダイナミックに上記“H″レベル保持しなければならな
いが、MOSトランジスタQ4がオン状態となっている
ため、出力端子20側に保持すべき電荷が接続点N2に
流れ込み、出力端子20側の電位が低下する。この時、
出力端子20に接続された負荷容量より接続点N2の容
量が大きいと、出力信号eOの電位が電源電圧の1/2
より低くなる。このため、出力信号eOの論理レベルが
“H″レベルら“L”レベルに反転する。
上述したように、前記第7図に示した回路は、出力端子
20に接続される負荷容量より接続点N1゜N2の容量
が大きいと誤動作する可能性があり、安定性が悪い欠点
がある。
20に接続される負荷容量より接続点N1゜N2の容量
が大きいと誤動作する可能性があり、安定性が悪い欠点
がある。
このような欠点を除去するためには、第9図に示すよう
に出力端子20にラッチ回路技を設ければ良い。しかし
、ラッチ回路並を設けると出力端子20の出力信号eO
を反転する際にインバータ21の電源からこのインバー
タ21のPチャネル型MOSトランジスタおよび雑音除
去回路のMOSトランジスタQ4 、Q2を介して接地
点に、あるいは雑音除去回路の電源VccからMoSト
ランジスタQl。
に出力端子20にラッチ回路技を設ければ良い。しかし
、ラッチ回路並を設けると出力端子20の出力信号eO
を反転する際にインバータ21の電源からこのインバー
タ21のPチャネル型MOSトランジスタおよび雑音除
去回路のMOSトランジスタQ4 、Q2を介して接地
点に、あるいは雑音除去回路の電源VccからMoSト
ランジスタQl。
Q3およびインバータ21のNチャネル型MOSトラン
ジスタを介して接地点に一時的な直流バスが生じ、貫通
電流が流れて消費電流が増加するという新たな問題を生
ずる。
ジスタを介して接地点に一時的な直流バスが生じ、貫通
電流が流れて消費電流が増加するという新たな問題を生
ずる。
(発明が解決しようとする問題点)
上述したように、従来の雑音除去回路は、出力端の電位
をダイナミックに保持すべき時に電荷の移動があり、特
定の条件のもとでは誤動作する危険があり、これを防止
しようとすると消費電流が増大する欠点があった。
をダイナミックに保持すべき時に電荷の移動があり、特
定の条件のもとでは誤動作する危険があり、これを防止
しようとすると消費電流が増大する欠点があった。
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、消費電流を増大させることな
く安定な動作が得られる雑音除去回路を提供することで
ある。
その目的とするところは、消費電流を増大させることな
く安定な動作が得られる雑音除去回路を提供することで
ある。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
この発明においては、上記の目的を達成するために、一
方が入力信号でオン/オフ制御される第1.第2のスイ
ッチ手段を直列接続し、その一端を第1の電位供給源に
接続した第1の直列回路を設けるとともに、この直列回
路の他端と第2の電位供給源間に一方が上記入力信号で
オン/オフ制御される第3.第4のスイッチ手段を直列
接続して構成した第2の直列回路を設け、上記入力信号
を遅延手段により遅延して上記第1.第2の直列回路を
構成する他方のスイッチ手段をそれぞれオン/オフ制御
し、上記第1.第2の直列回路の接続点と上記第1.第
2のスイッチ手段との接続点間に、上記第1の直列回路
を構成する一方のスイッチ手段と同じ信号でオン/オフ
制御され、このスイッチ手段とは同一レベルの信号に対
してオン/オフ状態が逆になる第5のスイッチ手段を接
続するとともに、上記第1.第2の直列回路の接続点と
上記第3.第4のスイッチ手段との接続点間に、上記第
2の直列回路を構成する一方のスイッチ手段と同じ信号
でオン/オフ制御され、このスイッチ手段とは同一レベ
ルの信号に対してオン/オフ状態が逆になる第6のスイ
ッチ手段を接続しており、上記第1の直列回路の第1.
第2スイッチ手段と上記第2の直列回路の第3.第4ス
イッチ手段は同一レベルの信号に対してオン/オフ状態
が逆となり、上記第1の直列回路と上記第2の直列回路
との接続点から出力を得るようにしている。
方が入力信号でオン/オフ制御される第1.第2のスイ
ッチ手段を直列接続し、その一端を第1の電位供給源に
接続した第1の直列回路を設けるとともに、この直列回
路の他端と第2の電位供給源間に一方が上記入力信号で
オン/オフ制御される第3.第4のスイッチ手段を直列
接続して構成した第2の直列回路を設け、上記入力信号
を遅延手段により遅延して上記第1.第2の直列回路を
構成する他方のスイッチ手段をそれぞれオン/オフ制御
し、上記第1.第2の直列回路の接続点と上記第1.第
2のスイッチ手段との接続点間に、上記第1の直列回路
を構成する一方のスイッチ手段と同じ信号でオン/オフ
制御され、このスイッチ手段とは同一レベルの信号に対
してオン/オフ状態が逆になる第5のスイッチ手段を接
続するとともに、上記第1.第2の直列回路の接続点と
上記第3.第4のスイッチ手段との接続点間に、上記第
2の直列回路を構成する一方のスイッチ手段と同じ信号
でオン/オフ制御され、このスイッチ手段とは同一レベ
ルの信号に対してオン/オフ状態が逆になる第6のスイ
ッチ手段を接続しており、上記第1の直列回路の第1.
第2スイッチ手段と上記第2の直列回路の第3.第4ス
イッチ手段は同一レベルの信号に対してオン/オフ状態
が逆となり、上記第1の直列回路と上記第2の直列回路
との接続点から出力を得るようにしている。
(作用)
上記のような構成において、第1.第4のスイッチ手段
は相補的にスイッチング動作し、且つ上記第2.第3の
スイッチ手段も相補的にスイッチング動作し、上記第2
のスイッチ手段と上記第3のスイッチ手段との接続点か
ら出力を得るようにしており、遅延手段を介した信号が
入力信号の変化に対して所定時間遅れることを利用し、
ノイズが入力された際に上記第1ないし第4のスイッチ
手段を用いて出力端をハイインピーダンス状態に設定す
ることにより、直前の出力データを保持するようにして
いる。そして、第1のスイッチ手段がオフ状態の時、出
力端と上記第1.第2のスイッチ手段の接続点とを上記
第5のスイッチ手段で導通させ、上記第4のスイッチ手
段がオフ状態の時、上記出力端と上記第3.第4のスイ
ッチ手段の接続点とを上記第6のスイッチ手段により導
通させるようにしている。こうすることにより、第1.
第2のスイッチ手段の接続点と出力端間、および第3.
第4のスイッチ手段の接続点と出力端間の電荷の移動を
防止できるので、出力端に接続される負荷容量と第1.
第2のスイッチ手段の接続点の容量、および出力端に接
続される負荷容量と第3.第4のスイッチ手段の接続点
の容量との大小関係に拘らず安定な動作が得られる。
は相補的にスイッチング動作し、且つ上記第2.第3の
スイッチ手段も相補的にスイッチング動作し、上記第2
のスイッチ手段と上記第3のスイッチ手段との接続点か
ら出力を得るようにしており、遅延手段を介した信号が
入力信号の変化に対して所定時間遅れることを利用し、
ノイズが入力された際に上記第1ないし第4のスイッチ
手段を用いて出力端をハイインピーダンス状態に設定す
ることにより、直前の出力データを保持するようにして
いる。そして、第1のスイッチ手段がオフ状態の時、出
力端と上記第1.第2のスイッチ手段の接続点とを上記
第5のスイッチ手段で導通させ、上記第4のスイッチ手
段がオフ状態の時、上記出力端と上記第3.第4のスイ
ッチ手段の接続点とを上記第6のスイッチ手段により導
通させるようにしている。こうすることにより、第1.
第2のスイッチ手段の接続点と出力端間、および第3.
第4のスイッチ手段の接続点と出力端間の電荷の移動を
防止できるので、出力端に接続される負荷容量と第1.
第2のスイッチ手段の接続点の容量、および出力端に接
続される負荷容量と第3.第4のスイッチ手段の接続点
の容量との大小関係に拘らず安定な動作が得られる。
(実施例)
以下、この発明の一実施例について図面を参照して説明
する。第1図において前記第7図と同一構成部分には同
じ符号を付しており、入力信号eiが供給される入力端
子18には、一端が電源VCC(第1の電位供給源)に
接続されたPチャネル型のMOSトランジスタQl
(第1のスイッチ手段)、および一端が接地点(第2
の電位供給源)に接続されたNチャネル型のMOSトラ
ンジスタQ2 (第4のスイッチ手段)のゲートがそ
れぞれ接続されるとともに、遅延回路19の入力端が接
続される。上記MOSトランジスタQl 、Q2の他端
間には、Pチャネル型のMOSトランジスタQ3 (第
2のスイッチ手段)およびNチャネル型のMOSトラン
ジスタQ4 (第3のスイッチ手段)が直列接続され
、これらMOSトランジスタQ3゜Q4のゲートには上
記遅延回路19の出力端が接続される。また、上記MO
SトランジスタQ1と03との接続点(中間ドレイン)
N1とMOSトランジスタQ3と04との接続点間には
、Nチャネル型のMoSトランジスタ(第5のスイッチ
手段)Q5が接続され、このMOSトランジスタQ5の
ゲートには上記入力端子18が接続される。
する。第1図において前記第7図と同一構成部分には同
じ符号を付しており、入力信号eiが供給される入力端
子18には、一端が電源VCC(第1の電位供給源)に
接続されたPチャネル型のMOSトランジスタQl
(第1のスイッチ手段)、および一端が接地点(第2
の電位供給源)に接続されたNチャネル型のMOSトラ
ンジスタQ2 (第4のスイッチ手段)のゲートがそ
れぞれ接続されるとともに、遅延回路19の入力端が接
続される。上記MOSトランジスタQl 、Q2の他端
間には、Pチャネル型のMOSトランジスタQ3 (第
2のスイッチ手段)およびNチャネル型のMOSトラン
ジスタQ4 (第3のスイッチ手段)が直列接続され
、これらMOSトランジスタQ3゜Q4のゲートには上
記遅延回路19の出力端が接続される。また、上記MO
SトランジスタQ1と03との接続点(中間ドレイン)
N1とMOSトランジスタQ3と04との接続点間には
、Nチャネル型のMoSトランジスタ(第5のスイッチ
手段)Q5が接続され、このMOSトランジスタQ5の
ゲートには上記入力端子18が接続される。
一方、上記MOSトランジスタQ4と02との接続点(
中間ドレイン)N2とMOSトランジスタQ3と04と
の接続点間には、Pチャネル型のMOSトランジスタ(
第6のスイッチ手段)Q6が接続され、このMOSトラ
ンジスタQ6のゲートには上記入力端子18が接続され
る。そして、上記MOSトランジスタQ3と04との接
続点に接続された出力端子20から出力信号eoを得る
ようにして成る。
中間ドレイン)N2とMOSトランジスタQ3と04と
の接続点間には、Pチャネル型のMOSトランジスタ(
第6のスイッチ手段)Q6が接続され、このMOSトラ
ンジスタQ6のゲートには上記入力端子18が接続され
る。そして、上記MOSトランジスタQ3と04との接
続点に接続された出力端子20から出力信号eoを得る
ようにして成る。
次に、上記のような構成において第2図のタイミングチ
ャートを参照しつつ動作を説明する。まず入力信号e1
が電源電圧レベル(“H”レベル)の時、接地レベル(
“L“レベル)のノイズが重畳された時(時刻tl)の
動作について説明する。
ャートを参照しつつ動作を説明する。まず入力信号e1
が電源電圧レベル(“H”レベル)の時、接地レベル(
“L“レベル)のノイズが重畳された時(時刻tl)の
動作について説明する。
この状態では、Mo3 トランジスタQ1 、 Q4
。
。
Q6がオン状態、MoSトランジスタQ2.Q3゜Q5
がオフ状態となる。この状態では、出力端子20は電s
v ccおよび接地点への直流パスを欠くのでL +
tレベルがダイナミックに保持される。また、接続点N
1はMOSトランジスタQ1がオン状態となっているた
め、電源電圧にチャージされるがMoSトランジスタQ
3 、Q5がいずれもオフ状態であるので出力端子20
側はL”レベルがダイナミックに保持できる。
がオフ状態となる。この状態では、出力端子20は電s
v ccおよび接地点への直流パスを欠くのでL +
tレベルがダイナミックに保持される。また、接続点N
1はMOSトランジスタQ1がオン状態となっているた
め、電源電圧にチャージされるがMoSトランジスタQ
3 、Q5がいずれもオフ状態であるので出力端子20
側はL”レベルがダイナミックに保持できる。
時刻t2に、入力信号eiが“H″レベル復帰スルト、
MOSト5:zジスタQ1 、Q3 、Q6がオフ状態
、Q2 、Q4 、Q5がオン状態となり、出力信号e
Oは“L”レベルとなる。この時、接続点N1はMOS
トランジスタQ5がオン状態となっているので、MOS
トランジスタQ5 、 Q4 。
MOSト5:zジスタQ1 、Q3 、Q6がオフ状態
、Q2 、Q4 、Q5がオン状態となり、出力信号e
Oは“L”レベルとなる。この時、接続点N1はMOS
トランジスタQ5がオン状態となっているので、MOS
トランジスタQ5 、 Q4 。
Q2の経路で接地レベルにディスチャージされる。
次の時刻t3に、入力信号e1を遅延回路19で遅延し
た信号eaが“L″レベルなると、MOSトランジスタ
Q1 、Q4 、Q6がオフ状態、Q2゜Q3 、Q5
がオン状態となる。すると出力端子20は電源および接
地点への直流バスを欠き、11ルベルがダイナミックに
保持される。この際、MoSトランジスタQ3がオン状
態となっているため、出力端子20と接続点N1が導通
するが、時刻t2.t3間におけるMoSトランジスタ
Q5のオン状態によって接続点N1は接地電位にディス
チャージされているため、接続点N1と出力端子20は
同電位であり、電荷の移動は起こらず出力端子20の“
L”レベルをダイナミックに保持できる。
た信号eaが“L″レベルなると、MOSトランジスタ
Q1 、Q4 、Q6がオフ状態、Q2゜Q3 、Q5
がオン状態となる。すると出力端子20は電源および接
地点への直流バスを欠き、11ルベルがダイナミックに
保持される。この際、MoSトランジスタQ3がオン状
態となっているため、出力端子20と接続点N1が導通
するが、時刻t2.t3間におけるMoSトランジスタ
Q5のオン状態によって接続点N1は接地電位にディス
チャージされているため、接続点N1と出力端子20は
同電位であり、電荷の移動は起こらず出力端子20の“
L”レベルをダイナミックに保持できる。
時刻t4に遅延回路19の出力信号eaが“H”レベル
に復帰すると、MOSトランジスタQ1゜Q3 、Q6
はオフ状態となり、Q2 、 Q4 、 Q5がオン状
態となって、出力信号eoは“L”レベルとなる。
に復帰すると、MOSトランジスタQ1゜Q3 、Q6
はオフ状態となり、Q2 、 Q4 、 Q5がオン状
態となって、出力信号eoは“L”レベルとなる。
このように、入力信号eiが電源電圧レベルの時、接地
レベルのノイズが重畳されてもこのノイズを除去するこ
とが可能であり、接続点N1と出力端子20間の電荷の
移動による論理レベルの反転を防止できる。
レベルのノイズが重畳されてもこのノイズを除去するこ
とが可能であり、接続点N1と出力端子20間の電荷の
移動による論理レベルの反転を防止できる。
次に、入力信号eiが接地レベル(L”レベル)の時、
電源電圧レベル(“H”レベル)のノイズが重畳された
場合の動作について説明する。時刻t5に入力信号ei
が“H”レベルとなると、MOSトランジスタQ1 、
Q4 、Q6はオフ状態、Q2 、Q3 、Q5オン状
態となる。従って、出力端子20は電源および接地点へ
の直流バスを欠くので“H″レベルダイナミックに保持
される。ここで、接続点N2はMOSトランジスタQ2
のオン状態により接地電位にディスチャージされるが、
MoSトランジスタQ4 、Q6がオフ状態となってい
るため、出力端子20の電位はダイナミックに保持でき
る。
電源電圧レベル(“H”レベル)のノイズが重畳された
場合の動作について説明する。時刻t5に入力信号ei
が“H”レベルとなると、MOSトランジスタQ1 、
Q4 、Q6はオフ状態、Q2 、Q3 、Q5オン状
態となる。従って、出力端子20は電源および接地点へ
の直流バスを欠くので“H″レベルダイナミックに保持
される。ここで、接続点N2はMOSトランジスタQ2
のオン状態により接地電位にディスチャージされるが、
MoSトランジスタQ4 、Q6がオフ状態となってい
るため、出力端子20の電位はダイナミックに保持でき
る。
時刻t6に入力信号eiが″L″レベルに復帰すルト、
MOSト5ンジスタQ1 、Q3 、Q6 I、iオン
状[、Q2 、Q4 、Q5はオフ状態となり、出力信
号eOは“H”レベルとなる。この時、接続点N2はM
oSトランジスタQ6のオン状態によって、MOSトラ
ンジスタQl 、Q3 、Q6を順次介して電源電圧レ
ベルにチャージされる。
MOSト5ンジスタQ1 、Q3 、Q6 I、iオン
状[、Q2 、Q4 、Q5はオフ状態となり、出力信
号eOは“H”レベルとなる。この時、接続点N2はM
oSトランジスタQ6のオン状態によって、MOSトラ
ンジスタQl 、Q3 、Q6を順次介して電源電圧レ
ベルにチャージされる。
時刻t7に、遅延回路19の出力信号eaがH”レベル
となると、MoSトランジスタQl 、 Q4 。
となると、MoSトランジスタQl 、 Q4 。
Q6がオン状態となり、Q2 、Q3 、Q5がオフ状
態となる。これによって、出力端子20にはH”レベル
がダイナミックに保持される。この時、MoSトランジ
スタQ4がオン状態となるため、接続点N2と出力端子
20とが導通するが、時刻t6.t7間においてMOS
トランジスタQ5によって電源電圧にチャージされてお
り、接続点N2は出力端子20と同電位であるので電荷
の移動は起こらず、出力端子20には“Hルベルがダイ
ナミックに保持される。
態となる。これによって、出力端子20にはH”レベル
がダイナミックに保持される。この時、MoSトランジ
スタQ4がオン状態となるため、接続点N2と出力端子
20とが導通するが、時刻t6.t7間においてMOS
トランジスタQ5によって電源電圧にチャージされてお
り、接続点N2は出力端子20と同電位であるので電荷
の移動は起こらず、出力端子20には“Hルベルがダイ
ナミックに保持される。
次の時刻t8に、遅延回路19の出力信号eaが“L″
レベル復帰すると、MOSトランジスタQ1 、Q3
、Q6がオン状態、Q2 、 Q4 、 Q5はオフ状
態となり、出力信号eOは“Hルベルとなる。
レベル復帰すると、MOSトランジスタQ1 、Q3
、Q6がオン状態、Q2 、 Q4 、 Q5はオフ状
態となり、出力信号eOは“Hルベルとなる。
上述したように、入力信号eiが接地レベルの時、電源
電圧レベルのノイズが重畳さでもこのノイズを除去する
ことが可能であり、接続点N2と出力端子20間の電荷
の移動による論理レベルの反転もない。
電圧レベルのノイズが重畳さでもこのノイズを除去する
ことが可能であり、接続点N2と出力端子20間の電荷
の移動による論理レベルの反転もない。
従って、このような構成によれば、接続点N1゜N2の
容量と出力端子20に接続される負荷容量との容量比に
拘らず安定した動作が得られ信頼性が高い。また、遅延
回路19を除けば6個のMOSトランジスタで構成して
いるので、前記第6図の回路に比べてパターン面積を削
減でき、電源と接地点間に直流バスが生じないので前記
第9因の回路に比して低消費電流化できる。
容量と出力端子20に接続される負荷容量との容量比に
拘らず安定した動作が得られ信頼性が高い。また、遅延
回路19を除けば6個のMOSトランジスタで構成して
いるので、前記第6図の回路に比べてパターン面積を削
減でき、電源と接地点間に直流バスが生じないので前記
第9因の回路に比して低消費電流化できる。
第3図はこの発明の他の実施例を示すもので、前記第1
図の回路においてはMOSトランジスタQ1.Q2 、
Q5およびQ6のゲートに入力信号eiを供給し、Q3
、Q4のゲートに遅延回路19の出力信号eaを供給
して導通制御したのに対し、MOSトランジスタQ3
、Q4のゲートに入力信号eiを供給し、Ql 、Q2
、Q5およびQ6のゲートに遅延回路19の出力信号
eaを供給して導通制御するように構成したものである
。第3図において前記第1図と同一構成部分には同じ符
号を付してその詳細な説明は省略する。このような構成
においても基本的には前記第1図の回路と同様な動作を
行ない同じ効果が得られる。
図の回路においてはMOSトランジスタQ1.Q2 、
Q5およびQ6のゲートに入力信号eiを供給し、Q3
、Q4のゲートに遅延回路19の出力信号eaを供給
して導通制御したのに対し、MOSトランジスタQ3
、Q4のゲートに入力信号eiを供給し、Ql 、Q2
、Q5およびQ6のゲートに遅延回路19の出力信号
eaを供給して導通制御するように構成したものである
。第3図において前記第1図と同一構成部分には同じ符
号を付してその詳細な説明は省略する。このような構成
においても基本的には前記第1図の回路と同様な動作を
行ない同じ効果が得られる。
第4図および第5図はそれぞれ、この発明の更に他の実
施例を示すもので、第4図の回路においてはMOSトラ
ンジスタQ1 、Q4 、Q5のゲートに入力信号ei
を、Q2 、Q3 、Q6のゲー1−に遅延回路19の
出力信号eaをそれぞれ供給して導通制御するように構
成し、第5図の回路ではMOSトランジスタQ2 、Q
3 、Q6のゲートに入力信号e1を、Ql 、Q4
、Q5のゲートに遅延回路19の出力信号eaをそれぞ
れ供給して導通制御するように構成している。このよう
な構成であっても前記第1図および第3図の回路と同様
な動作を行ない同じ効果が得られる。
施例を示すもので、第4図の回路においてはMOSトラ
ンジスタQ1 、Q4 、Q5のゲートに入力信号ei
を、Q2 、Q3 、Q6のゲー1−に遅延回路19の
出力信号eaをそれぞれ供給して導通制御するように構
成し、第5図の回路ではMOSトランジスタQ2 、Q
3 、Q6のゲートに入力信号e1を、Ql 、Q4
、Q5のゲートに遅延回路19の出力信号eaをそれぞ
れ供給して導通制御するように構成している。このよう
な構成であっても前記第1図および第3図の回路と同様
な動作を行ない同じ効果が得られる。
[発明の効果1
以上説明したようにこの発明によれば、消費電流を増大
させることなく安定なる動作が得られる雑音除去回路を
提供できる。
させることなく安定なる動作が得られる雑音除去回路を
提供できる。
第1図はこの発明の一実施例に係わる雑音除去回路を示
す図、第2図は上記第1図の回路の動作を説明するため
のタイミングチャート、第3図ないし第5図はそれぞれ
この発明の他の実施例について説明するための回路図、
第6図、第7図および第9図はそれぞれ従来の雑音除去
回路について説明するための回路図、第8図は上記第7
図の回路の動作を説明するためのタイミングチャートで
ある。 ycc・・・電源(第1の電位供給源)、el・・・入
力信号、Q1〜Q6・・・MOSトランジスタ(スイッ
チ手段)、19・・・遅延回路(M延手段) 、 eo
・・・出力信号、ea・・・遅延回路の出力信号。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第2図 第3図 ?
す図、第2図は上記第1図の回路の動作を説明するため
のタイミングチャート、第3図ないし第5図はそれぞれ
この発明の他の実施例について説明するための回路図、
第6図、第7図および第9図はそれぞれ従来の雑音除去
回路について説明するための回路図、第8図は上記第7
図の回路の動作を説明するためのタイミングチャートで
ある。 ycc・・・電源(第1の電位供給源)、el・・・入
力信号、Q1〜Q6・・・MOSトランジスタ(スイッ
チ手段)、19・・・遅延回路(M延手段) 、 eo
・・・出力信号、ea・・・遅延回路の出力信号。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第2図 第3図 ?
Claims (2)
- (1)一方が入力信号でオン/オフ制御される第1、第
2のスイッチ手段が直列接続されて構成され、一端が第
1の電位供給源に接続される第1の直列回路と、一方が
上記入力信号でオン/オフ制御される第3、第4のスイ
ッチ手段が直列接続されて構成され、上記第1の直列回
路の他端と第2の電位供給源間に接続される第2の直列
回路と、上記入力信号を遅延して上記第1、第2の直列
回路を構成する他方のスイッチ手段をそれぞれオン/オ
フ制御する遅延手段と、上記第1、第2の直列回路の接
続点と上記第1、第2のスイッチ手段との接続点間に接
続され、上記第1の直列回路を構成する上記一方のスイ
ッチ手段と同じ信号でオン/オフ制御され、上記第1、
第2のスイッチ手段とは同一レベルの信号に対してオン
/オフ状態が逆になる第5のスイッチ手段と、上記第1
、第2の直列回路の接続点と上記第3、第4のスイッチ
手段との接続点間に接続され、上記第2の直列回路を構
成する上記一方のスイッチ手段と同じ信号でオン/オフ
制御され、上記第3、第4のスイッチ手段とは同一レベ
ルの信号に対してオン/オフ状態が逆になる第6のスイ
ッチ手段とを具備し、上記第1の直列回路の第1、第2
スイッチ手段と上記第2の直列回路の第3、第4スイッ
チ手段はそれぞれ同一レベルの信号に対してオン/オフ
状態が逆となり、上記第1の直列回路と上記第2の直列
回路との接続点から出力を得ることを特徴とする雑音除
去回路。 - (2)前記第1、第2および第6のスイッチ手段はそれ
ぞれ第1導電型の電界効果型トランジスタから成り、前
記第3、第4および第5のスイッチ手段はそれぞれ第2
導電型の電界効果型トランジスタから成ることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の雑音除去回路。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62000830A JPS63169118A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 雑音除去回路 |
US07/066,094 US4760279A (en) | 1986-07-02 | 1987-06-24 | Noise cancelling circuit |
EP87109329A EP0251275B1 (en) | 1986-07-02 | 1987-06-29 | Noise cancelling circuit |
DE8787109329T DE3776209D1 (de) | 1986-07-02 | 1987-06-29 | Rauschunterdrueckungsschaltung. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62000830A JPS63169118A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 雑音除去回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63169118A true JPS63169118A (ja) | 1988-07-13 |
JPH0431603B2 JPH0431603B2 (ja) | 1992-05-27 |
Family
ID=11484547
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62000830A Granted JPS63169118A (ja) | 1986-07-02 | 1987-01-06 | 雑音除去回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63169118A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02202111A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路の入力バッファ回路 |
US6459327B1 (en) * | 1991-12-09 | 2002-10-01 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Feedback controlled substrate bias generator |
JP2009017391A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-01-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 音声多重放送信号の信号処理装置 |
JP2009130441A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Fujitsu Microelectronics Ltd | データ保持回路 |
-
1987
- 1987-01-06 JP JP62000830A patent/JPS63169118A/ja active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02202111A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路の入力バッファ回路 |
US6459327B1 (en) * | 1991-12-09 | 2002-10-01 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Feedback controlled substrate bias generator |
JP2009017391A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-01-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 音声多重放送信号の信号処理装置 |
JP2009130441A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Fujitsu Microelectronics Ltd | データ保持回路 |
US8441294B2 (en) | 2007-11-20 | 2013-05-14 | Fujitsu Semiconductor Limited | Data holding circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0431603B2 (ja) | 1992-05-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |