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JPS631514Y2 - - Google Patents

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Publication number
JPS631514Y2
JPS631514Y2 JP861882U JP861882U JPS631514Y2 JP S631514 Y2 JPS631514 Y2 JP S631514Y2 JP 861882 U JP861882 U JP 861882U JP 861882 U JP861882 U JP 861882U JP S631514 Y2 JPS631514 Y2 JP S631514Y2
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JP
Japan
Prior art keywords
cartridge
transistor
circuit
resistance
type cartridge
Prior art date
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Expired
Application number
JP861882U
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Japanese (ja)
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JPS57181187U (en
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP861882U priority Critical patent/JPS631514Y2/ja
Publication of JPS57181187U publication Critical patent/JPS57181187U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS631514Y2 publication Critical patent/JPS631514Y2/ja
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はムービングコイル型カートリツジ用前
置増幅回路に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to a preamplifier circuit for a moving coil type cartridge.

一般にムービングコイル(以下MCと称す)型
カートリツジは出力電圧0.1〜0.5mVの特性を有
し、ムービングマグネツト(以下MMと称す)型
カートリツジの出力電圧が1〜5mVであるのに
比べると低出力である。従つて、MC型カートリ
ツジをMM型カートリツジ用前置増幅器に直接接
続して使用したのではSN比が悪く実用的でない
ため、第1図に示す従来例のように昇圧トランス
T1を使用していた。尚、図中MCはMC型カート
リツジ、A1はMM型カートリツジ用前置増幅器
を示している。
In general, a moving coil (hereinafter referred to as MC) type cartridge has an output voltage of 0.1 to 0.5 mV, which is lower than the output voltage of a moving magnet (hereinafter referred to as MM) type cartridge, which is 1 to 5 mV. It is. Therefore, if an MC type cartridge is used by directly connecting it to a preamplifier for an MM type cartridge, the signal-to-noise ratio will be poor and it will be impractical, so a step-up transformer as in the conventional example shown in Fig.
I was using T1 . In the figure, MC indicates an MC type cartridge, and A1 indicates a preamplifier for an MM type cartridge.

ところが、この場合にはオーデイオ周波数帯域
が狭くなると共に音質が劣化し、且つ上記トラン
スは高価であるという欠点があつた。
However, in this case, the audio frequency band becomes narrow and the sound quality deteriorates, and the transformer is expensive.

そこで本考案はかかる欠点に鑑みてなしたもの
であつて、上記トランスの代りにトランジスタを
使用したMC型カートリツジ用前置増幅回路を提
供するものである。
The present invention has been made in view of these drawbacks, and it is an object of the present invention to provide a preamplifier circuit for MC type cartridges that uses a transistor in place of the above-mentioned transformer.

第2図は本考案の基礎となる回路例を示したも
ので、図において、Q1はNPN型トランジスタ、
R1は負荷抵抗、R2は帰還抵抗、R3は入力抵抗
(MC型カートリツジの負荷抵抗)である。
Figure 2 shows an example of the circuit that is the basis of the present invention. In the figure, Q 1 is an NPN type transistor;
R 1 is the load resistance, R 2 is the feedback resistance, and R 3 is the input resistance (load resistance for MC type cartridges).

このように、MC型カートリツジ用前置増幅回
路はR1,R2,R3及びQ1で構成され、オーデイオ
周波数帯域内ではMC型カートリツジMCの内部
インダクタンスによるリアクタンスは内部抵抗に
比べて小さく無視できるので、この回路の上記帯
域内での電圧増幅度AvはMC型カートリツジMC
の内部抵抗をR4とすると、Av=R2/(R3+R4
となる。
In this way, the preamplifier circuit for the MC type cartridge is composed of R 1 , R 2 , R 3 and Q 1 , and within the audio frequency band, the reactance due to the internal inductance of the MC type cartridge is small compared to the internal resistance and can be ignored. Therefore, the voltage amplification degree A v of this circuit within the above band is MC type cartridge MC
If the internal resistance of is R 4 , then A v = R 2 / (R 3 + R 4 )
becomes.

又、この回路の入力側の等価回路は第3図に示
すようになり、図中RbbはトランジスタQ1のベー
ス拡がり抵抗、Reeはエミツタ接合抵抗である。
The equivalent circuit on the input side of this circuit is shown in FIG. 3, where R bb is the base spread resistance of the transistor Q 1 and R ee is the emitter junction resistance.

ここで、MC型カートリツジMCの内部抵抗R4
は通常10〜50Ωであり、負荷抵抗R3には通常47
Ωが使用されている。この回路の電圧増幅度Av
は10程度でよいから、R4=30Ω,R3=47Ωとす
れば、帰還抵抗R2は770Ω程度となる。
Here, the internal resistance of the MC type cartridge MC is R 4
is typically 10-50Ω, and the load resistance R3 is typically 47
Ω is used. Voltage amplification degree A v of this circuit
may be about 10, so if R 4 =30Ω and R 3 =47Ω, the feedback resistance R 2 will be about 770Ω.

又、熱雑音の定理より、この回路の雑音電圧に
ついて検討すると、上記計算値にてR2≫R3+R4
であるのでR2を無視でき、雑音電圧は√4
(R4+R3+Rbb+Ree)となる(kはボルツマン定
数、Tは絶対温度、fは帯域幅)。ここで、R4
びR3は固定の定数であり、この回路の雑音電圧
を下げるにはRbb及びReeを小さくしなければな
らない。エミツタ接合抵抗Reeは26mV/エミツ
タ電流で表わされ、エミツタ電流を大きくするこ
とにより抵抗値を小さくすることができ、R4
R3に較べて小さいので無視することができる。
Also, according to the thermal noise theorem, when considering the noise voltage of this circuit, with the above calculated value, R 2 ≫ R 3 + R 4
Therefore, R 2 can be ignored and the noise voltage is √4
(R 4 +R 3 +R bb +R ee ) (k is Boltzmann's constant, T is absolute temperature, and f is bandwidth). Here, R 4 and R 3 are fixed constants, and in order to reduce the noise voltage of this circuit, R bb and R ee must be made small. The emitter junction resistance R ee is expressed as 26 mV/emitter current, and the resistance value can be reduced by increasing the emitter current, R 4 +
Since it is small compared to R 3 , it can be ignored.

しかるにベース拡がり抵抗Rbbはトランジスタ
の固有値であり、Rbbの影響による雑音の増大を
無視できる範囲の10%以内にするには、熱雑音の
定理より導かれる√43bb/√43
1.1の条件式を満たす必要がある。この式に上記
の値を代入すると、略々Rbb<20Ωとなる。
However, the base spread resistance R bb is an inherent value of the transistor, and in order to keep the increase in noise due to the influence of R bb within the negligible 10% range, √ 4 + 3 + bb /√ 4 derived from the thermal noise theorem is used. +3 <
Conditional expression 1.1 must be satisfied. Substituting the above value into this equation results in approximately R bb <20Ω.

従つて、MC型カートリツジの出力が最初に入
力されるトランジスタQ1のベース拡がり抵抗Rbb
を20Ω以内に抑えればよく、そしてこの値は中電
力以上の電力トランジスタを用いることにより実
現可能である。
Therefore, the base spread resistance R bb of the transistor Q 1 to which the output of the MC type cartridge is first input is
It is sufficient to suppress the resistance to within 20Ω, and this value can be achieved by using medium-power or higher-power transistors.

また、一般的にカートリツジMCは、使用者の
趣味、並び経年劣化に伴ない他の型式のMCカー
トリツジに交換されることが常である。この様な
場合、新たなMCカートリツジの内部抵抗値は前
述したように10〜50Ω程度と変化し、極端な場合
1/5又は5倍程度内部抵抗R4が変化することにな
る。一方、前置増幅回路の電圧増幅度Avは前述
したようにAv=R2/(R3+R4)で与えられるこ
とから、MCカートリツジの負荷抵抗R3がない場
合には、5倍から1/5程度と変化することになる
が、負荷抵抗R3を設けることにより他の型式の
MCカートリツジに変更しても増幅回路の電圧増
幅度Avの変化を小幅におさえることができる効
果がある。
Further, the cartridge MC is generally replaced with another type of MC cartridge depending on the user's hobby or deterioration over time. In such a case, the internal resistance value of the new MC cartridge will change to about 10 to 50Ω as described above, and in extreme cases, the internal resistance R4 will change by about 1/5 or 5 times. On the other hand, since the voltage amplification degree A v of the preamplifier circuit is given by A v = R 2 / (R 3 + R 4 ) as mentioned above, if there is no load resistance R 3 of the MC cartridge, it will be 5 times However, by providing a load resistor R 3 , it will change to about 1/5 from that of other models.
Changing to an MC cartridge has the effect of suppressing changes in the voltage amplification degree Av of the amplifier circuit to a small extent.

なお、第4図は本願考案の他の基礎となる回路
例を示したもので、トランジスタQ2と抵抗R5
からなるエミツタフオロワー回路を追加して回路
の出力インピーダンスを低くし、マツチングを良
くしたものであり、トランジスタQ1のベース拡
がり抵抗は第2図と同様に20Ω以内である。
Fig. 4 shows another circuit example that is the basis of the present invention, in which an emitter follower circuit consisting of a transistor Q2 and a resistor R5 is added to lower the output impedance of the circuit, and matching is performed. The base spread resistance of transistor Q1 is within 20Ω, as in Fig. 2.

以上説明した回路を基礎に、本願考案の実施例
を第5図に示し説明する。第5図に於て、第2図
と同一符号は同一又は相当部分を示す。Q3は第
2のPNPトランジスタで、第1のNPNトランジ
スタQ1と同様にベース拡がり抵抗が20Ω以内の
ものであり、トランジスタQ1,Q2の各エミツタ
はアースに接続され、これらによりコンプリメン
タリ・プツシユプル型前置増幅器を構成する。コ
ンデンサC1,C1は各トランジスタQ1,Q2のコレ
クタにそれぞれ接続された出力用カツプリングコ
ンデンサであり、コンデンサC2,C2は各トラン
ジスタQ1,Q2のベースにそれぞれ接続された入
力用カツプリングコンデンサである。なお、R6
R7はそれぞれトランジスタQ1,Q3のバイアス用
抵抗である。
Based on the circuit described above, an embodiment of the present invention is shown in FIG. 5 and will be described. In FIG. 5, the same reference numerals as in FIG. 2 indicate the same or corresponding parts. Q 3 is a second PNP transistor, and like the first NPN transistor Q 1 , the base spreading resistance is within 20Ω, and the emitters of transistors Q 1 and Q 2 are connected to ground, so that a complementary Configure a push-pull type preamplifier. Capacitors C 1 and C 1 are output coupling capacitors connected to the collectors of each transistor Q 1 and Q 2 , respectively, and capacitors C 2 and C 2 are connected to the bases of each transistor Q 1 and Q 2 , respectively. This is an input coupling capacitor. In addition, R 6 ,
R 7 is a bias resistor for transistors Q 1 and Q 3 , respectively.

次に、第5図に示したものの動作について説明
する。カートリツジMCでピツクアツプされた信
号は負荷抵抗R3を通り、入力用コンデンサC1
介してトランジスタQ1のベースに与えられ、一
方入力用コンデンサC1を介してトランジスタQ2
のベースに与えられる。これらの信号が与えられ
た各トランジスタQ1,Q2は、それぞれのコンデ
ンサC2を介して、各トランジスタQ1,Q3ベース
に与えられ、トランジスタQ1,Q3で正負対称に
増巾された信号はそれぞれのコンデンサC1を介
して混合され出力される。
Next, the operation of the device shown in FIG. 5 will be explained. The signal picked up by the cartridge MC passes through the load resistor R 3 and is applied to the base of the transistor Q 1 via the input capacitor C 1 , while the signal is passed through the input capacitor C 1 to the base of the transistor Q 2.
given on the basis of. These signals are applied to the bases of the transistors Q 1 and Q 3 via their respective capacitors C 2 , and are amplified symmetrically by the transistors Q 1 and Q 3 . The signals are mixed and output via each capacitor C1 .

MCカートリツジ用アンプなどのように極小信
号をあつかう場合、アースに電流を流すと、アー
スインピーダンスによるハム雑音の混入などが問
題となるが、この回路では正負対称の回路を使用
することによりVccからトランジスタQ1に流れる
電流はほゞトランジスタQ3を通り−Vccへ流れ、
アースを流れる電流はかなり軽減することがで
き、従つて電源ハムの発生を防止することができ
る。
When dealing with extremely small signals, such as in an amplifier for MC cartridges, if a current is passed through the ground, there will be problems such as hum noise mixed in due to the ground impedance, but this circuit uses a circuit with positive and negative symmetry, so that the voltage can be reduced from Vcc . The current flowing through transistor Q 1 almost passes through transistor Q 3 and flows to −V cc ,
The current flowing through the ground can be significantly reduced, thus preventing the occurrence of power supply hum.

本考案は以上説明したように、MC型カートリ
ツジからの出力が最初に入力されるトランジスタ
のベース拡がり抵抗が20Ω以内のトランジスタを
使用することにより、高SN比、低歪率、広帯域
の特長を有する安価なMC型カートリツジ用前置
増幅回路を提供することができる。
As explained above, this invention has the features of high S/N ratio, low distortion, and wide band by using a transistor whose base spread resistance is within 20Ω of the transistor to which the output from the MC type cartridge is first input. It is possible to provide an inexpensive preamplifier circuit for MC type cartridges.

また、MCカートリツジの負荷抵抗を設けたの
で、MCカートリツジを他の型式のMCカートリ
ツジに交換しても、前置増幅器の電圧増幅度Av
の変化を小幅におさえることができる。
In addition, since a load resistor is provided for the MC cartridge, even if the MC cartridge is replaced with another model of MC cartridge, the preamplifier's voltage amplification A v
changes can be suppressed to a small extent.

さらにまた、前置増幅器をプツシユプル型で構
成したので、電源ハムの影響を防止できる。
Furthermore, since the preamplifier is configured as a push-pull type, the influence of power supply hum can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は昇圧トランスT1を用いた従来のムー
ビングコイル型カートリツジ用前置増幅回路の回
路図、第2図は本考案の基礎となるムービングコ
イル型カートリツジ用前置増幅回路の一例を示す
回路図、第3図は第2図における入力側の等価回
路図、第4図は本考案の他の基礎となる回路図、
第5図は本考案に係る上記前置増幅回路の実施例
を示す回路である。 MC……ムービングコイル型カートリツジ、A1
……ムービングマグネツト型カートリツジ用前置
増幅器、Q1〜Q3……トランジスタ、Rbb……トラ
ンジスタのベース拡がり抵抗、Ree……トランジ
スタのエミツタ接合抵抗、R1〜R6……抵抗、C1
〜C2……コンデンサ。
Fig. 1 is a circuit diagram of a conventional preamplifier circuit for a moving coil type cartridge using a step-up transformer T1 , and Fig. 2 is a circuit diagram showing an example of a preamplifier circuit for a moving coil type cartridge, which is the basis of the present invention. Figure 3 is an equivalent circuit diagram of the input side in Figure 2, Figure 4 is a circuit diagram that is another basis of the present invention,
FIG. 5 shows an embodiment of the preamplifier circuit according to the present invention. MC……Moving coil type cartridge, A 1
……Preamplifier for moving magnet type cartridge, Q 1 to Q 3 ……Transistor, R bb ……Base spread resistance of transistor, R ee ……Emitter junction resistance of transistor, R 1 to R 6 ……Resistance, C 1
~C 2 ... Capacitor.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 (1) 帰還抵抗を有するムービングコイル型カート
リツジの前置増幅回路において、プツシユプル
増幅回路を構成する第1及び第2のトランジス
タを有し、上記ムービングコイル型カートリツ
ジの出力が上記各トランジスタのベースに入力
されるトランジスタのベース拡がり抵抗をそれ
ぞれ20Ω以内にするとともに、上記カートリツ
ジの出力と上記トランジスタのベース入力との
間に上記カートリツジの負荷となる低抵抗値を
有する負荷抵抗を設けたことを特徴とするムー
ビングコイル型カートリツジ用前置増幅回路。 (2) 負荷抵抗を、ムービングコイル型カートリツ
ジの内部抵抗値にほぼ等しい抵抗値で構成した
ことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第1
項記載のムービングコイル型カートリツジ用前
置増幅回路。
[Claims for Utility Model Registration] (1) A preamplifier circuit for a moving coil type cartridge having a feedback resistor, comprising first and second transistors constituting a push-pull amplifier circuit, is input to the base of each of the transistors, and the base spread resistance of each transistor is within 20Ω, and a load resistor having a low resistance value that serves as a load of the cartridge is provided between the output of the cartridge and the base input of the transistor. A preamplifier circuit for a moving coil type cartridge, characterized in that it is provided with a. (2) Utility model registration claim 1, characterized in that the load resistance is configured with a resistance value approximately equal to the internal resistance value of the moving coil type cartridge.
A preamplifier circuit for a moving coil type cartridge as described in 2.
JP861882U 1982-01-25 1982-01-25 Expired JPS631514Y2 (en)

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JPS5983881U (en) * 1982-11-30 1984-06-06 株式会社日成エンジニアリング Prop structure of simple assembly type crane

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