JPS63151058A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS63151058A JPS63151058A JP29953786A JP29953786A JPS63151058A JP S63151058 A JPS63151058 A JP S63151058A JP 29953786 A JP29953786 A JP 29953786A JP 29953786 A JP29953786 A JP 29953786A JP S63151058 A JPS63151058 A JP S63151058A
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- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 14
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- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
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- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体素子と、同素子を積載した金属片と、
同金属片の近傍に一端を置くリード片の一部分とを樹脂
成形体内に埋設してなる樹脂封止型半導体素子、とくに
電子回路基板の表面上に実装される樹脂封止型半導体装
置に関するものである。
同金属片の近傍に一端を置くリード片の一部分とを樹脂
成形体内に埋設してなる樹脂封止型半導体素子、とくに
電子回路基板の表面上に実装される樹脂封止型半導体装
置に関するものである。
従来の技術
近年、電子機器の小型・薄型化に伴い、いわゆる表面実
装形式の樹脂封止型半導体装置が多(使われるようにな
ってきた。
装形式の樹脂封止型半導体装置が多(使われるようにな
ってきた。
従来の樹脂封止型半導体装置は、通常、第2図に示すよ
うに構成され、半導体素子1はリードフレームから切り
はなされた半導体素子積載用金属片2上に固定され、同
じくリードフレームから切りはなされた多数のリード片
3は金属片2の近傍に一端部を置き、この一端部に半導
体素子1の電極端子が金属細線4によって接続されてい
る。そして、これらを被覆する樹脂成形体5の側面から
リード片3の他端部が引き出されている。
うに構成され、半導体素子1はリードフレームから切り
はなされた半導体素子積載用金属片2上に固定され、同
じくリードフレームから切りはなされた多数のリード片
3は金属片2の近傍に一端部を置き、この一端部に半導
体素子1の電極端子が金属細線4によって接続されてい
る。そして、これらを被覆する樹脂成形体5の側面から
リード片3の他端部が引き出されている。
第3図はかかる樹脂封止型半導体装置6を電子回路基板
7の表面上に実装した状態を示す図であり、リード片3
は電子回路基板7の表面金属層8に、半田9により接続
されている。
7の表面上に実装した状態を示す図であり、リード片3
は電子回路基板7の表面金属層8に、半田9により接続
されている。
発明が解決しようとする問題点
ところで、かかる樹脂封止型半導体装置のリード片3は
、樹脂成形体5の側面から出たのち第2図図示のように
折り曲げ加工されているので、検査工程や搬送中などに
変形しやすい。そして、リード片3に変形を生じると、
第4図図示のように電子回路基板7の表面金属層8から
浮き上がってしまい、電気的接触不良を起こす。また、
第5図図示のように隣接リード片との間で短絡不良を起
こす危険もある。
、樹脂成形体5の側面から出たのち第2図図示のように
折り曲げ加工されているので、検査工程や搬送中などに
変形しやすい。そして、リード片3に変形を生じると、
第4図図示のように電子回路基板7の表面金属層8から
浮き上がってしまい、電気的接触不良を起こす。また、
第5図図示のように隣接リード片との間で短絡不良を起
こす危険もある。
問題点を解決するための手段
本発明は、前述のような従来の不都合を除去すべくなさ
れたもので、本発明によると、半導体素子積載用金属片
の近傍から出発したリード片を、樹脂成形体の下面(ま
たは上面)側へ延在させたのち、前記下面(または上面
)に沿って樹脂成形体外へ突出させる。
れたもので、本発明によると、半導体素子積載用金属片
の近傍から出発したリード片を、樹脂成形体の下面(ま
たは上面)側へ延在させたのち、前記下面(または上面
)に沿って樹脂成形体外へ突出させる。
作用
このように構成すると、樹脂成形体外へ突出するリード
片部分を短小化できるのみならず、該部分に折り曲げ部
を有しないので、リード片の変形発生を大幅に軽減させ
ることができる。
片部分を短小化できるのみならず、該部分に折り曲げ部
を有しないので、リード片の変形発生を大幅に軽減させ
ることができる。
実施例
つぎに、本発明を図面に示した実施例とともにさらに詳
しく説明する。
しく説明する。
第1図に示すように、半導体素子1は半導体積載用金属
片2上に固定されており、金属片2の近傍に一端部を置
くリード片10は、樹脂成形体5内で折り曲げられて、
下面11に向って延在し、下面11においてふたたび折
り曲げられて、下面11に沿いほぼ水平に突出している
。ただし、半導体素子積載用金属片2およびリード片1
0は共通のリードフレームから切りはなされたものであ
り、リード片10の前記折り曲げは、前記切りはなしの
前に施された折り曲げ加工で得たものである。また、下
面11として示したものは上面と読み代え得るのは勿論
である。
片2上に固定されており、金属片2の近傍に一端部を置
くリード片10は、樹脂成形体5内で折り曲げられて、
下面11に向って延在し、下面11においてふたたび折
り曲げられて、下面11に沿いほぼ水平に突出している
。ただし、半導体素子積載用金属片2およびリード片1
0は共通のリードフレームから切りはなされたものであ
り、リード片10の前記折り曲げは、前記切りはなしの
前に施された折り曲げ加工で得たものである。また、下
面11として示したものは上面と読み代え得るのは勿論
である。
発明の効果
本発明は前述のように構成されるので、電子回路基板の
表面上に実装するのに必要なリード片の突出長を従来構
造のものよりも短小にでき、しかも、この突出部に折り
曲げを必要としないので、検査工程時や搬送中などにリ
ード片に変形を生じることが大幅に緩和され、リード片
の変形に伴う種々の不都合をとり除くことができる。
表面上に実装するのに必要なリード片の突出長を従来構
造のものよりも短小にでき、しかも、この突出部に折り
曲げを必要としないので、検査工程時や搬送中などにリ
ード片に変形を生じることが大幅に緩和され、リード片
の変形に伴う種々の不都合をとり除くことができる。
第1図は本発明を実施した樹脂封止型半導体装置の側断
面図、第2図は従来の樹脂封止型半導体装置の側断面図
、第3図は同装置の実装状態を示す側断面図、第4図お
よび第5図はそれぞれ同装置のリード片の変形状態を例
示する斜視図である。 1・・・・・・半導体素子、2・・・・・・金属片、5
・・・・・・樹脂成形体、10・・・・・・リード片。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名/−−−半
導体系子 ? 箔2図
面図、第2図は従来の樹脂封止型半導体装置の側断面図
、第3図は同装置の実装状態を示す側断面図、第4図お
よび第5図はそれぞれ同装置のリード片の変形状態を例
示する斜視図である。 1・・・・・・半導体素子、2・・・・・・金属片、5
・・・・・・樹脂成形体、10・・・・・・リード片。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名/−−−半
導体系子 ? 箔2図
Claims (1)
- 半導体素子と、同素子を積載した金属片と、同金属片の
近傍に一端部を置くリード片の一部分とを樹脂成形体内
に埋設してなり、前記リード片は前記樹脂成形体の下面
(または上面)に向って延在したのち、前記下面(また
は上面)に沿って樹脂成形体外へ突出していることを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29953786A JPS63151058A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29953786A JPS63151058A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63151058A true JPS63151058A (ja) | 1988-06-23 |
Family
ID=17873889
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29953786A Pending JPS63151058A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63151058A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02170456A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-02 | Canon Electron Inc | 集積回路構体の実装方法 |
JPH0349U (ja) * | 1989-05-19 | 1991-01-07 | ||
DE4238646A1 (en) * | 1991-11-14 | 1993-06-03 | Gold Star Electronics | New encapsulated semiconductor memory chip - has chips with bonding pads on central region, lead frame with leads connected to bonding parts, insulating adhesive, metal wire for electrical connection etc. |
US5917241A (en) * | 1996-05-23 | 1999-06-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High frequency semiconductor device having source, drain, and gate leads |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57176751A (en) * | 1981-04-22 | 1982-10-30 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP29953786A patent/JPS63151058A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57176751A (en) * | 1981-04-22 | 1982-10-30 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH02170456A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-02 | Canon Electron Inc | 集積回路構体の実装方法 |
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US5363279A (en) * | 1991-11-14 | 1994-11-08 | Goldstar Electron Co., Ltd. | Semiconductor package for a semiconductor chip having centrally located bottom bond pads |
USRE36097E (en) * | 1991-11-14 | 1999-02-16 | Lg Semicon, Ltd. | Semiconductor package for a semiconductor chip having centrally located bottom bond pads |
USRE37413E1 (en) * | 1991-11-14 | 2001-10-16 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Semiconductor package for a semiconductor chip having centrally located bottom bond pads |
DE4238646B4 (de) * | 1991-11-14 | 2006-11-16 | Goldstar Electron Co., Ltd., Cheongju | Halbleiter-Bauelement mit spezieller Anschlusskonfiguration |
US5917241A (en) * | 1996-05-23 | 1999-06-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High frequency semiconductor device having source, drain, and gate leads |
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