JPS63150977A - Semiconductor optical position detector - Google Patents
Semiconductor optical position detectorInfo
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- JPS63150977A JPS63150977A JP61297979A JP29797986A JPS63150977A JP S63150977 A JPS63150977 A JP S63150977A JP 61297979 A JP61297979 A JP 61297979A JP 29797986 A JP29797986 A JP 29797986A JP S63150977 A JPS63150977 A JP S63150977A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置検出素子に係り、特に、その誘導
ノイズの防止構造に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor device detection element, and particularly to a structure for preventing induced noise therein.
コンピュータや多機能電話等における情報入力部におい
て、変調光を利用した光ペン等の光照射手段を駆動し、
その指示位置を半導体装置検出素子(PSD)によって
検出することにより、手描き情報等の入力を可能にした
光点位置検出装置が注目されている。Drives a light irradiation means such as a light pen using modulated light in an information input section of a computer or multi-function telephone, etc.
A light spot position detection device that enables the input of hand-drawn information and the like by detecting the indicated position using a semiconductor device detection element (PSD) is attracting attention.
上述のような情報入力部では光照射手段の指示位置およ
びその軌跡を表示し、入力情報を目視できるようにする
のが望ましく、そのためにいろいろな表示装置が提案さ
れている。It is desirable for the information input unit as described above to display the indicated position of the light irradiation means and its trajectory so that the input information can be viewed visually, and various display devices have been proposed for this purpose.
このような光点位置表示装置の1つに半導体装置検出素
子(PSD)上に液晶パネルを重ね、光ペンからの光線
を光位置検出素子に入力し指示位置および軌跡を液晶パ
ネル上に表示するようにしたものがある。(特願6l−
30238)ところで、光位置検出素子は、例えば第5
図にその断面構造を示すごとく、絶縁性の基板100上
にアモルファスシリコン等の光電変換層、透光性の抵抗
層102を順次積層せしめ、更に両端に第1および第2
の電極103,104を配設してなり、光入射位置で光
生成電荷を生起せしめこれを光電流として第1および第
2の電極からとり出すようにしたものである。In one such light spot position display device, a liquid crystal panel is placed on a semiconductor device detection element (PSD), and the light beam from the light pen is input to the optical position detection element, and the indicated position and trajectory are displayed on the liquid crystal panel. There is something like this. (Patent application 6l-
30238) By the way, the optical position detection element is, for example, the fifth
As the cross-sectional structure is shown in the figure, a photoelectric conversion layer such as amorphous silicon and a transparent resistance layer 102 are sequentially laminated on an insulating substrate 100, and first and second layers are further layered on both ends.
electrodes 103 and 104 are disposed, and a photogenerated charge is generated at the light incident position, and this is taken out as a photocurrent from the first and second electrodes.
このように、光入射位置で発生した光生成電荷は光の入
射エネルギーに比例する光電流として抵抗値に逆比例す
るように分割され、第1および第2の電極から取出され
ることから、この第1および第2の電極103,104
の間の距離をL1抵抗をR1とし、第1の電極104か
ら光入射位置までの距離をXlその部分の抵抗をR1人
射光により生起される光電流をIO+第1および第2の
電極に取出される電流を11.I2とすると、次式が成
立する。In this way, the photogenerated charge generated at the light incident position is divided as a photocurrent proportional to the incident energy of the light in inverse proportion to the resistance value, and is extracted from the first and second electrodes. First and second electrodes 103, 104
The distance between L1 and R1 is the resistance, and the distance from the first electrode 104 to the light incident position is Xl, the resistance of that part is R1. 11. When I2, the following equation holds true.
It−1o RL ”X、 I2−1o ”X
RL RL
・・・(1)
ここで、抵抗層103が均一で長さと抵抗値とが比例す
るとすると(1)式は次式の如くなる1、−1,−、I
2−ro じ(
−X
L L
・・・(2)
(1) 、 (2)より
となり、第1および第2の電極に取出される電流IT、
12からXを算出することができる02次元の場合も同
様にして、4つの電極E1〜E4から取出される電極に
ついて演算すればよい。It-1o RL “X, I2-1o”X
RL RL...(1) Here, assuming that the resistance layer 103 is uniform and the length and resistance value are proportional, equation (1) becomes 1, -1, -, I
2-ro Same (-X L L ... (2) From (1) and (2), the current IT taken out to the first and second electrodes,
Similarly, in the case of 02 dimensions in which X can be calculated from 12, calculations can be made for the electrodes taken out from the four electrodes E1 to E4.
このことを利用して、従来の光点位置表示装置では、第
6図に示すごとく、光位置検出素子1の電極E1〜E4
の出力をそれぞれ調整用の可変抵抗Rを具えた増幅回路
A1〜A4に入力し、増■
幅された出力を検波回路T1〜T4、A/D変換器C1
〜C4を介してCPU5に入力し、ここで、光ペンによ
る光入射位置を演算し、液晶コントローラ2によって液
晶パネル3を駆動し、指示位置を、例えば、黒マークと
して表示するように構成されている。Taking advantage of this, in the conventional light spot position display device, as shown in FIG.
The outputs are input to amplifier circuits A1 to A4 each equipped with a variable resistor R for adjustment, and the amplified outputs are input to detection circuits T1 to T4 and A/D converter C1.
~ C4 is input to the CPU 5, where the light incident position by the optical pen is calculated, the liquid crystal panel 3 is driven by the liquid crystal controller 2, and the indicated position is displayed as, for example, a black mark. There is.
ところで、このような光点位置表示装置は通常、第7図
に示すごとく、液晶コントローラ2を含む液晶ドライブ
基板20上に半導体装置検出索子1、光学フィルタ4、
液晶パネル3が順次積層せしめられた実装構造になって
いる。By the way, as shown in FIG. 7, such a light spot position display device usually includes a semiconductor device detection probe 1, an optical filter 4, and a liquid crystal drive board 20 including a liquid crystal controller 2.
It has a mounting structure in which liquid crystal panels 3 are sequentially stacked.
このような構造では、半導体装置検出素子上は光学フィ
ルタが覆われているのみであるから上方の液晶や液晶ド
ライブ基板20からの誘導ノイズが半導体装置検出素子
に入力されてしまうという問題があった。In such a structure, since the semiconductor device detection element is only covered with an optical filter, there is a problem in that induced noise from the liquid crystal above or the liquid crystal drive board 20 is input to the semiconductor device detection element. .
この問題は、上述したような液晶パネルを重ねた構造の
みならず、近接位置にモータやCRT等のある場合にも
、これらからの誘導ノイズが深刻な問題となっている。This problem occurs not only in the structure in which liquid crystal panels are stacked as described above, but also in cases where there are motors, CRTs, etc. in close proximity, and the induced noise from these becomes a serious problem.
また、半導体装置検出素子を透過した光が液晶ドライブ
基板20で乱反射して再び半導体装置検出素子に入射し
、位置検出精度を低下させるという問題もあった。Further, there is a problem in that the light transmitted through the semiconductor device detection element is diffusely reflected by the liquid crystal drive board 20 and enters the semiconductor device detection element again, reducing the position detection accuracy.
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、外乱の入
力されるのを防止し、信頼性の高い位置検出を可能にす
ることを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and an object of the present invention is to prevent disturbance from being input and to enable highly reliable position detection.
そこで本発明では半導体装置検出素子の電極上に電磁シ
ールド部材を配設するようにしている。Therefore, in the present invention, an electromagnetic shielding member is provided on the electrode of the semiconductor device detection element.
好ましくは、半導体装置検出素子の背面側にも反射部材
を配設するのが望ましい。Preferably, a reflective member is also provided on the back side of the semiconductor device detection element.
半導体装置検出素子において、最も抵抗の低い部分であ
る電極を電磁シールド部材でシールドすることにより、
誘導ノイズの入力はほぼ全面的に阻止される。In a semiconductor device detection element, by shielding the electrode, which is the part with the lowest resistance, with an electromagnetic shielding material,
Induction noise input is almost completely blocked.
また、半導体装置検出素子の裏面側に、反射部材を配設
することにより、半導体装置検出素子を透過した光は、
該反射部材で的確に反射され、二次反射光による位置検
出精度の抵抗は防止される。In addition, by disposing a reflective member on the back side of the semiconductor device detection element, the light transmitted through the semiconductor device detection element can be
The light is accurately reflected by the reflecting member, and resistance to position detection accuracy due to secondary reflected light is prevented.
以下、本発明実施例について図面を参照しつつ詳細に説
明する。Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
第1図は、本発明実施例の光点位置検出装置と液晶表示
器とを具えた光点位置表示装置の構造説明図である。FIG. 1 is a structural explanatory diagram of a light spot position display device including a light spot position detection device and a liquid crystal display according to an embodiment of the present invention.
この光点位置検出装置は、第7図に示した従来例の装置
において半導体装置検出素子1の裏面に、反射板6を配
設するとともに、表面の電極E1〜E4上に電磁シール
ド板7を配設したことを特徴とするもので、他の部分に
ついては、第7図に示したものと全く同様である(同一
部材には同一符号を付した)。This light spot position detecting device differs from the conventional device shown in FIG. 7 in that a reflecting plate 6 is provided on the back surface of the semiconductor device detecting element 1, and an electromagnetic shielding plate 7 is provided on the electrodes E1 to E4 on the front surface. The other parts are exactly the same as those shown in FIG. 7 (the same members are given the same reference numerals).
すなわち、液晶ドライブ基板20に反射板6半導体装置
検出素子1、電磁シールド板7、光学フィルタ4、液晶
パネル3が順次積層せしめられている。That is, a reflection plate 6, a semiconductor device detection element 1, an electromagnetic shielding plate 7, an optical filter 4, and a liquid crystal panel 3 are sequentially stacked on a liquid crystal drive board 20.
なお、前記反射板6は1.第2図(a)に断面図を示す
ごとく、ポリイミドフィルム等の絶縁性のフレキシブル
フィルム6a上に反射、膜としてアルミニウム薄膜6b
を蒸着してなるもので、実装時に接着剤等で半導体装置
検出素子の基板300(第3図(a)(b)(c)参照
)の裏面に固着せしめられる。Note that the reflecting plate 6 has 1. As shown in the cross-sectional view of FIG. 2(a), an aluminum thin film 6b is used as a film for reflection on an insulating flexible film 6a such as a polyimide film.
It is formed by vapor deposition and is fixed to the back surface of the substrate 300 (see FIGS. 3(a), (b), and (c)) of the semiconductor device detection element with an adhesive or the like during mounting.
また、電磁シールド板7も同様に第2図(b)に示すご
とく、透光性のフレキシブルフィルム7a上に、アルミ
ニウム薄膜7bが積層されたもので半導体装置検出素子
の電極E1〜E4の位置に対応して配設されており、前
記反射板6とともに設置されている。Similarly, as shown in FIG. 2(b), the electromagnetic shielding plate 7 is made by laminating an aluminum thin film 7b on a transparent flexible film 7a, and is placed at the positions of the electrodes E1 to E4 of the semiconductor device detection element. They are arranged correspondingly and are installed together with the reflector plate 6.
更に、半導体装置検出素子は第3図(a)(b)および
(C)(第3図(b)および(c)はそれぞれ第3図(
a)のA−A断面およびB−B断面を示す)に示すごと
く絶縁性の基板300上に第1の抵抗層301、光電変
換層302、第 −2の抵抗層303が順次積層せしめ
られ、4辺にそれぞれ第1の抵抗層301に接続するよ
うに電極E1およびE2が、第2の抵抗層303に接続
するように電極E3およびE4が配設されてなり、光入
射位置で、光生成電荷を生起せしめ、これを光電流とし
て第1〜第4の電極E1〜E4からとり出し、これらの
電流の大きさによって光入射位置を演算するようにした
ものである。Furthermore, the semiconductor device detection element is shown in FIGS. 3(a), (b) and (C) (FIG. 3(b) and (c) are respectively
As shown in A-A cross section and B-B cross section in a), a first resistive layer 301, a photoelectric conversion layer 302, and a second resistive layer 303 are sequentially laminated on an insulating substrate 300, Electrodes E1 and E2 are arranged on each of the four sides so as to be connected to the first resistance layer 301, and electrodes E3 and E4 are arranged so as to be connected to the second resistance layer 303. Electric charges are generated, which are taken out as photocurrents from the first to fourth electrodes E1 to E4, and the light incident position is calculated based on the magnitude of these currents.
この装置では、液晶パネル5からのノイズは電磁シール
ド板7によって除去され、半導体装置検出素子1の入力
は防止される。In this device, noise from the liquid crystal panel 5 is removed by the electromagnetic shielding plate 7, and input to the semiconductor device detection element 1 is prevented.
また、液晶ドライブ基板からのノイズは反射板6で除去
される。Further, noise from the liquid crystal drive board is removed by the reflection plate 6.
そしてまた、半導体光点位置検出素子を透過した光は反
射板6で的確に反射され、二次反射光による位置検出精
度の低下は防止される。Furthermore, the light transmitted through the semiconductor light spot position detection element is accurately reflected by the reflection plate 6, and a decrease in position detection accuracy due to secondary reflected light is prevented.
このように、本発明実施例の光点位置表示装置によれば
、外乱が位置検出素子に入るのを防ぎ、信頼性の高い位
置検出を行なうことができるため液晶パネル上に、入力
した画情報を高精度に表示することができる。As described above, according to the light spot position display device of the embodiment of the present invention, it is possible to prevent disturbances from entering the position detection element and perform highly reliable position detection, so that the input image information can be displayed on the liquid crystal panel. can be displayed with high precision.
なお、実施例においては、液晶パネルと半導体装置検出
素子とを重ねた光点位置表示装置について説明したが、
半導体装置検出素子を単体で用いる場合にも、本発明は
外乱の影響を防止し、正しい位置検出を行なうのに有効
である。In addition, in the embodiment, a light spot position display device in which a liquid crystal panel and a semiconductor device detection element are stacked is described.
Even when a semiconductor device detection element is used alone, the present invention is effective in preventing the influence of disturbance and performing accurate position detection.
また、半導体装置検出素子の背面に反射板を配設すると
ともに電極上をシールド部材で覆うようにしたが、いず
れか一方でも有効であることはいうまでもない。Further, although a reflecting plate is disposed on the back surface of the semiconductor device detection element and the electrode is covered with a shield member, it goes without saying that either one of them is also effective.
更にまた、実施例では、反射板およびシールド部材を別
体として実装したが、例えば第3図(a)(b)(c)
に示したような半導体装置検出素子の電極表面に第4図
(a)に示すごとく酸化シリコン等からなる透光性の絶
縁膜304を介してアルミニウム薄膜からなる反射膜3
05を成膜し、電磁シールド部材を一体的に形成するよ
うにしてもよい。また、裏面側の反射部材についても、
基板裏面に直接反射膜305を成膜すればよい。この場
合、絶縁膜として透光性の高い材料を選ぶようにすれば
、第4図(b)に示すごとく、表面全体を被覆するよう
にし、アルミニウム薄膜305′のみをパターニングす
るようにしてもよい。更に、表面側に用いる絶縁膜30
4′を染色性の樹脂膜で形成し、これに光フィルタとし
ての機能を持たせるようにすることも可能である。Furthermore, in the embodiment, the reflector and the shield member were mounted separately, but for example, as shown in FIGS. 3(a), (b), and (c)
As shown in FIG. 4(a), a reflective film 3 made of a thin aluminum film is applied to the electrode surface of a semiconductor device detection element as shown in FIG.
05 may be formed into a film and the electromagnetic shielding member may be integrally formed. Also, regarding the reflective member on the back side,
The reflective film 305 may be formed directly on the back surface of the substrate. In this case, if a highly translucent material is selected for the insulating film, the entire surface may be covered and only the aluminum thin film 305' may be patterned, as shown in FIG. 4(b). . Furthermore, an insulating film 30 used on the surface side
It is also possible to form the filter 4' with a dyeable resin film and give it a function as an optical filter.
以上説明してきたように、本発明によれば、半導体装置
検出素子の電極表面を電磁シールド部材で覆うようにし
ているため、外乱ノイズを除去し安定した位置信号を検
出することが可能となる。As described above, according to the present invention, since the electrode surface of the semiconductor device detection element is covered with the electromagnetic shielding member, it is possible to remove disturbance noise and detect a stable position signal.
第1図は、本発明実施例の光点位置表示装置の構造説明
図、第2図(a)は、同装置の反射板の断面図、第2図
(b)は、同装置の電磁シールド板を示す図、第3図(
a)(b)および(c)は、それぞれ同装置の半導体装
置検出素子を示す図(第3図(b)および(c)はそれ
ぞれ第3図(a)のA−A断面およびB−B断面を示す
図)、第4図(a)および(b)はそれぞれ本発明の他
の実施例を示す図、第5図は半導体装置検出素子の構造
説明図、第6図は液晶を用いた光点位置表示装置のブロ
ック図、第7図は従来の光点位置表示装置の実装説明図
である。
100・・・基板、101・・・光電変換層、102・
・・抵抗層、103・・・第1の電極、104・・・第
2の電極、E1〜E4・・・電極、Rv・・・可変抵抗
、A1(〜A4)・・・増幅回路、TI(〜T4)・・
・検波回路、CI(〜C4)・・・A/D変換器、1・
・・半導体装置検出素子、2・・・液晶コントローラ、
3・・・液晶パネル、4・・・光学フ≧ルタ、20・・
・液晶ドライブ基板、6・・・反射板、7・・・電磁シ
ールド板、6a・・・フレキシブルフィルム、6b・・
・アルミニウム薄膜、7a・・・フレキシブルフィルム
、7b・・・アルミニウム薄膜、300・・・基板、3
01・・・第1の抵抗層、302・・・光電変換層、3
03・・・第2の抵抗層、304・・・絶縁膜、305
・・・反射膜。
第1図
第2図(b)
第3図(0)
第3図(b)
第3図(C)
第4図((1)
第4図(b)
入
第5図
第7図FIG. 1 is a structural explanatory diagram of a light spot position display device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2(a) is a sectional view of a reflector of the device, and FIG. 2(b) is an electromagnetic shield of the device. Figure showing the board, Figure 3 (
a), (b), and (c) are views showing the semiconductor device detection element of the same device (Fig. 3 (b) and (c) are the A-A cross section and B-B cross section of Fig. 3 (a), respectively). Figures 4(a) and 4(b) are diagrams showing other embodiments of the present invention, Figure 5 is an explanatory diagram of the structure of a semiconductor device detection element, and Figure 6 is a diagram showing a structure using a liquid crystal. A block diagram of a light spot position display device, FIG. 7 is an explanatory diagram of the implementation of a conventional light spot position display device. 100... Substrate, 101... Photoelectric conversion layer, 102...
...Resistance layer, 103...First electrode, 104...Second electrode, E1-E4...Electrode, Rv...Variable resistance, A1 (~A4)...Amplification circuit, TI (~T4)...
・Detection circuit, CI (~C4)...A/D converter, 1.
...Semiconductor device detection element, 2...Liquid crystal controller,
3...Liquid crystal panel, 4...Optical filter, 20...
・Liquid crystal drive board, 6...Reflector, 7...Electromagnetic shield plate, 6a...Flexible film, 6b...
- Aluminum thin film, 7a... Flexible film, 7b... Aluminum thin film, 300... Substrate, 3
01... First resistance layer, 302... Photoelectric conversion layer, 3
03... Second resistance layer, 304... Insulating film, 305
...reflective film. Figure 1 Figure 2 (b) Figure 3 (0) Figure 3 (b) Figure 3 (C) Figure 4 ((1) Figure 4 (b) Input Figure 5 Figure 7
Claims (1)
入射位置において光電変換層に生起せしめられた光生成
電荷を、前記抵抗層を介して該抵抗層上に配設された電
極からとり出すことにより、光入射位置を検出するよう
にした半導体光位置検出素子において 前記電極表面に、電磁シールド部材を配設したことを特
徴とする半導体光位置検出素子。(2)前記電磁シール
ド部材は、前記電極上に絶縁層を介して成膜せしめられ
た導体層からなることを特徴とする 特許請求の範囲第(1)項記載の半導体光位置検出素子
。 (3)前記絶縁層は、前記抵抗層の表面全体に形成され
たフィルタ層であることを特徴とする特許請求の範囲第
(2)項記載の半導体装置検出素子。[Scope of Claims] (1) A photoelectric conversion layer and a resistive layer are laminated on a substrate, and photogenerated charges generated in the photoelectric converting layer at a light incident position are transferred onto the resistive layer via the resistive layer. 1. A semiconductor optical position detection element configured to detect a light incident position by being taken out from an electrode disposed on the semiconductor optical position detection element, characterized in that an electromagnetic shielding member is disposed on the surface of the electrode. (2) The semiconductor optical position detection element according to claim (1), wherein the electromagnetic shielding member is made of a conductive layer formed on the electrode with an insulating layer interposed therebetween. (3) The semiconductor device detection element according to claim (2), wherein the insulating layer is a filter layer formed on the entire surface of the resistance layer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61297979A JPS63150977A (en) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | Semiconductor optical position detector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61297979A JPS63150977A (en) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | Semiconductor optical position detector |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63150977A true JPS63150977A (en) | 1988-06-23 |
Family
ID=17853567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61297979A Pending JPS63150977A (en) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | Semiconductor optical position detector |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63150977A (en) |
-
1986
- 1986-12-15 JP JP61297979A patent/JPS63150977A/en active Pending
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