JPS63146426A - アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法

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(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、各種電子機器に利用されるアルミ電解コンデ
ンサ用電極箔の製造方法に関するものである。

従来の技術アルミ電解コンデンサは、電解エツチングを行ない、実
効表面積を拡大した電極箔に、化成処理により絶縁性皮
膜（Ａｇ２Ｏ３）を形成し、セパレータと共に巻回して
駆動用電解液を含浸して構成していた。

アルミ箔を粗面化する工程は、通常エツチング工程と呼
ばれる。

エツチング工程では、塩酸、硫酸のエツチング液で電気
化学的にエツチングを行った後、硝酸で脱塩素処理を行
なう方法が一般的である。

従来は、エツチド箔はエツチング終了後、ただちに化成
を行なって絶縁性化成皮膜（ＡｅｚＯ３）（以下絶縁性
化成皮膜を化成皮膜と表現する。）を形成していた。

発明が解決しようとする問題点しかし、この従来の方法ではエツチング工程で表面に付
着残存した微量のＣｅ−、Ｓ　０４２−、　Ｎ　０３−
がエツチド箔表面に吸着しているので、そのまま化成皮
膜を形成すると、これらのイオンが化成皮膜に取りこま
れる。

特にｃｅ−、５ｏ４２−は化成皮膜にとって有害であり
、皮膜中に含有されると、絶縁性を低下させ、皮膜の劣
化を促進させる。そのため従来方法では、高温度、長寿
命保証のアルミ電解コンデンサ用電極箔としては、化成
皮膜の耐久性に限界があるという欠点があった。

本発明はこのような問題点を解決するもので、化成皮膜
の耐久性を向上させることを目的としている。

問題点を解決するための手段このような上記問題点を解決するために、本発明は粗面
化したエツチド箔を真空中で加熱処理を行ない、化成処
理を行ない絶縁性皮膜を形成し電極箔を作成するという
ものである。

作用この技術的手段による作用は次のようになる。

粗面化したエツチド箔を真空中で加熱を行なうと、エツ
チド箔表面に吸着残存したＣ　ｅ”’　、Ｎ　Ｏｓ　−
ｒ８０４２−イオンが熱エネルギーをもらって表面から
離れ、真空中へ拡散して行く。その結果、エツチド箔表
面の不純物イオン付着量は大幅に低減される。その後、
化成皮膜を形成すると、有害なＣｅ−。

Ｓ０４　がほとんど皮膜中に含有されないので、欠陥の
少ない絶縁性と耐劣化特性にすぐれた電極箔が形成され
るのである。

実施例以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。

第１図は、真空中（１０Ｔｏｒｒ）においてエツチド箔
を４００℃に加熱した場合の、加熱処理時間と、表面に
付着するＣ　Ｑ−、Ｓ　０４２−イオン濃度との関係を
示す図である。

第１図から明らかな様に、３０分加熱で不純物（Ｃｅ−
、Ｓ　０４２−）　８度が１１５〜１／１０＋：：低減
されていることがわかる。

第２図ａ、ｂは、エツチド箔を化威し化成皮膜を形成し
た場合の、エツチド箔表面のＣｅ−イオン、Ｓ　０４２
−イオン濃度と化成皮膜の漏れ電流の関係を示す図であ
る。

第２図から明らかな様に、ｃｅ−、ｓｏ４　濃度の増加
と共に、漏れ電流が増加し、絶縁性が劣化していること
がわかる。

発明の効果以上のように、本発明によれば、アルミ電解コンデンサ
用電極箔の絶縁性、耐劣化性が向上し、しいてはアルミ
電解コンデンサの信頼性向上、長寿命保証が可能になる
という効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はエツチド箔を真空加熱した場合の、加熱時間と
、付着イオン（Ｃｅ−、ＳＯ４）濃度の関係を示す特性
図、第２図はエツチド箔表面のＣＣ。５０４２−イオン濃度と、電極箔化成皮膜の漏れ電流の
関係を示す特性図である。代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　ほか１名第１ｒ１１
Ｊ加熱時間

【特許請求の範囲】