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JPS63142651A - Suction detector for substrate - Google Patents

Suction detector for substrate

Info

Publication number
JPS63142651A
JPS63142651A JP61289060A JP28906086A JPS63142651A JP S63142651 A JPS63142651 A JP S63142651A JP 61289060 A JP61289060 A JP 61289060A JP 28906086 A JP28906086 A JP 28906086A JP S63142651 A JPS63142651 A JP S63142651A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
pressure
substrate
signal
slice level
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61289060A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Terumasa Sakai
酒井 照正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP61289060A priority Critical patent/JPS63142651A/en
Publication of JPS63142651A publication Critical patent/JPS63142651A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To eliminate the erroneous detection due to a complicated pipe line and a change in the original pressure, to eliminate the erroneous detection due to a dust particle between a substrate and a substrate chuck and, at the same time, to remove the erroneous detection due to a change in the atmospheric pressure by a method wherein, before the substrate is sucked, a slice level to judge a suction state is set by a means to store a pressure value of the air pressure. CONSTITUTION:When a wafer does not exist, a vacuum ON/OFF signal g is set to an ON state 41 and the air pressure inside wafer chucks 2, 3 is lowered to the original pressure. At this stage, a value 42 of an output signal b of pressure sensors 4, 5 is taken into a sample- and-hold amplifier 9 and is stored there. Then, after the air pressure inside the wafer chucks 2, 3 has been restored to the atmospheric pressure and the wafer has been mounted, the air pressure is set again to the original pressure. During this process, the output signal b of the pressure sensors 4, 5 is stabilized at a fixed level 44. This output 44 from the sensor is compared with a slice level d by means of comparators 15, 16 so as to obtain a comparator output h. This comparator output h is read out by a wafer-suction-detecting signal j at the prescribed timing, and the suction rate is judged. For this process, a shift volume 46 is selected in such a way that its level does not cause a shift in the position of the wafer when the wafer is sucked by the wafer chucks 2, 3. By this method, it is possible to eliminate the erroneous detection due to the insufficient suction of the wafer.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、基板吸着検知装置に関し、例えば半導体製造
装置の中でクエへを搬送する装置等、特に空気の負圧を
利用してウェハをウェハチャック等で搬送する装置等に
適用してウェハチャック上にウェハが吸着されたか否か
を判定するための検知装置に関する。
Detailed Description of the Invention [Industrial Application Field] The present invention relates to a substrate suction detection device, for example, a device for transferring a wafer to a wafer in semiconductor manufacturing equipment, etc., particularly for detecting a wafer by using negative pressure of air. The present invention relates to a detection device that is applied to a device that transports a wafer using a wafer chuck or the like to determine whether or not a wafer is attracted to the wafer chuck.

[従来技術] 従来、ウェハ等の基板がウェハチャック等に吸着された
か否かの判定には、排気系の元圧と測定点(ウェハチャ
ックの吸入口付近)の圧力との圧力差を比較して吸着状
態を判定するタイプの装置(以下、装aAと称する)と
、測定点の絶対圧を予め設定された基準値と比較して吸
着状態の判定を行なうタイプの装置(以下、装置Bと称
する)があった。
[Prior art] Conventionally, in order to determine whether a substrate such as a wafer has been attracted to a wafer chuck, etc., the pressure difference between the source pressure of the exhaust system and the pressure at the measurement point (near the suction port of the wafer chuck) has been compared. One type of device (hereinafter referred to as device aA) determines the adsorption state by comparing the absolute pressure at a measuring point with a preset reference value (hereinafter referred to as device B). ).

[発明が解決しようとする問題点] ところが、これらの装置には以下に述べるような欠点が
あった。
[Problems to be Solved by the Invention] However, these devices have the following drawbacks.

まず、装置Aでは、排気系の元圧と測定点の2ケ所から
空気圧をセンサまで導くための配管が必要であり、測定
点が多くなると配管が煩雑になる欠点があった。
First, device A requires piping to guide air pressure from two locations, the source pressure of the exhaust system and the measurement points, to the sensor, and has the drawback that the piping becomes complicated as the number of measurement points increases.

第3図は、従来より使用されている装置A、すなわち差
圧型センサのウェハの吸着検知装置における各種信号の
タイミングチャートを示す。同図において、ウェハの吸
着または離脱は、排気系の元圧eから所定値51だけシ
フトしたスライスレベルd′ と圧力センナb′ とを
比較し、その結果であるコンパレータ出力h′により確
認される。圧力センサは、ウェハチャックの吸入口付近
等の測定点に取付けられる。
FIG. 3 shows a timing chart of various signals in a conventionally used device A, that is, a wafer suction detection device using a differential pressure sensor. In the figure, adsorption or detachment of the wafer is confirmed by comparing the slice level d' shifted by a predetermined value 51 from the source pressure e of the exhaust system with the pressure sensor b', and by the comparator output h' that is the result. . The pressure sensor is attached to a measurement point near the suction port of the wafer chuck.

この場合、元圧eを基準として、吸着状態を判定するた
めのスライス・レベルd′を設定している。従って、元
圧eが変動すると直接スライスレベルd′に影響してし
まうため、第3図の53の範囲のようにコンパレータ出
力h′が実線のようになることがあり、クエへが離脱状
態にあるにもかかわらずまだ吸着しているという信号を
出力して、誤検出を生じることがあった。
In this case, a slice level d' for determining the adsorption state is set based on the source pressure e. Therefore, if the source pressure e fluctuates, it will directly affect the slice level d', so the comparator output h' may become a solid line as shown in the range 53 in Fig. In some cases, a signal indicating that the device is still attached may be output, resulting in false detection.

一方、装置Bでは配管による煩雑さはないが、第4図に
示すように、吸着状態を判定するためのスライス・レベ
ルd′が大気圧aを基準として一定値54だけシフトし
て設定されているため、これも元圧eの変動に伴い圧力
センサ出力b″が変動すると、例えば56の範囲のよう
にウェハが吸着されたにもかかわらず吸着されていない
との信号を出力し、誤検出を生じるという欠点があった
On the other hand, in device B, there is no complication due to piping, but as shown in FIG. 4, the slice level d' for determining the adsorption state is set by shifting by a constant value 54 with respect to atmospheric pressure a. Therefore, if the pressure sensor output b'' fluctuates due to fluctuations in the source pressure e, a signal indicating that the wafer is not suctioned even though it has been suctioned, such as in the range of 56, is output, resulting in false detection. It had the disadvantage of causing

さらに、装置Aおよび装置Bに共通した欠点として、ウ
ェハとウェハチャックの間に入ったゴミによる空気のリ
ークにより、第3図あるいは第4図のセンサ出力b′ま
たはb″の部分が一点鏡線で示したように変動する。こ
の場合、52または55で示す区間でウェハがウェハチ
ャックに吸着されているにもかかわらず、吸着されてい
ないという誤検出が生じてしまう。
Furthermore, as a common drawback of apparatus A and apparatus B, air leakage due to dust that has entered between the wafer and the wafer chuck causes the sensor output b' or b'' in Fig. 3 or 4 to become a one-point mirror line. In this case, an erroneous detection occurs that the wafer is not attracted to the wafer chuck even though the wafer is attracted to the wafer chuck in the interval indicated by 52 or 55.

本発明の目的は、上述の従来例における問題点に鑑み、
空気圧を利用してウェハ等の基板を基板チャックに吸着
する際にその吸着がされたか否かを検知する基板吸着検
知装置において、配管の煩雑さ、元圧の変動による誤検
出、および基板と基板チャック間のごみによる誤検出を
なくし、同時に大気圧の変動による誤検出をも除去する
ことにある。
The purpose of the present invention is to solve the problems in the conventional example described above.
In a substrate adsorption detection device that detects whether or not a substrate such as a wafer is adsorbed to a substrate chuck using air pressure, there are problems such as complicated piping, false detection due to fluctuations in source pressure, and problems between substrates and substrates. The objective is to eliminate false detections due to dust between the chucks, and at the same time eliminate false detections due to atmospheric pressure fluctuations.

[問題点を解決するための手段および作用]上記の目的
を達成するため、本発明は、アナログメモリ機能等の空
気圧の圧力値を記憶する手段を用いて、基板を吸着する
前に、吸着の状態か否かを判定するスライスレベルを設
定することを特徴としている。
[Means and effects for solving the problems] In order to achieve the above object, the present invention uses a means for storing the pressure value of air pressure such as an analog memory function, and uses a means for storing the pressure value of the air pressure, such as an analog memory function, to The feature is that a slice level is set to determine whether or not a state exists.

例えば具体的には、空気圧を利用してクエへをウェハチ
ャック等に吸着させ搬送等を行なう半導体製造装置にお
いて、ウェハチャック等の表面にウェハが装着および吸
着されたか否かを判定する回路に空気圧の圧力値を記憶
するためのアナログメモリ機能等を備え、このアナログ
メモリ機能を使って、ウェハをウェハチャックに吸着す
る前に、吸着の状態か否かの判定スライス・レベルを設
定するものである。
For example, in semiconductor manufacturing equipment that utilizes air pressure to adsorb wafers onto wafer chucks and transport them, pneumatic pressure is applied to a circuit that determines whether or not a wafer is mounted and adsorbed on the surface of the wafer chuck. This analog memory function is used to set the slice level to determine whether or not the wafer is in a suction state before suctioning the wafer to the wafer chuck. .

[実施例の説明] 以下、図面を用いて、本発明をその実施例に基づき゛説
明する。
[Description of Examples] Hereinafter, the present invention will be described based on Examples using the drawings.

第1図は、本発明の一実施例に係るウニへの吸着検知装
置のブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram of an apparatus for detecting adsorption to sea urchins according to an embodiment of the present invention.

同図において、1は排気システムの元圧を一定の範囲内
になるように制御するための制御部、2.3はウェハを
装着および吸着するためのウェハチャック、4,5はウ
ェハがウェハチャック2.3に吸着されたかまたは離脱
されたかを判定するための圧力センサである。6はウェ
ハチャック2.3への配管を示し、元圧部より遠くに配
置されたウェハチャック3においては元圧が減衰するこ
とを示すため、配管部を細く描いている。
In the figure, 1 is a control unit for controlling the source pressure of the exhaust system to be within a certain range, 2.3 is a wafer chuck for mounting and adsorbing a wafer, and 4 and 5 are wafer chucks for wafers. 2.3 is a pressure sensor for determining whether it is adsorbed or detached. Reference numeral 6 indicates piping to the wafer chuck 2.3, and the piping portion is drawn thinly to show that the source pressure is attenuated in the wafer chuck 3 disposed far from the source pressure portion.

7.8は圧力センサ4゜5からの出力信号をコンパレー
タ15.16に送るためのバッファアンプ、9.10は
ウェハがウェハチャック2.3に吸着されているか否か
を判定する際の基準となるスライ。
7.8 is a buffer amplifier for sending the output signal from the pressure sensor 4.5 to the comparator 15.16, and 9.10 is a reference for determining whether or not the wafer is attracted to the wafer chuck 2.3. Naru Sly.

ス・レベルを作り出すためのサンプル/ホールド・アン
プである。11.12はサンプル/ホールド・アンプ9
,10により作り出されたホールド出力信号から一定電
圧を差引き、ウニへの吸着状態と離脱状態とを判別する
ためのスライス・レベルを作り出す定電圧素子であり、
13.14はそのためのバイアス抵抗である。15.1
6はサンプル/ホールド・アンプ9.10および定電圧
素子11.12で作られたスライス・レベルと、バッフ
ァアンプ7゜8を介して出力される圧力センサ4,5の
出力と全比較し、ウェハの吸着状態あるいは離脱状態を
判定するためのコンパレータである。
This is a sample/hold amplifier for creating sound levels. 11.12 is sample/hold amplifier 9
, 10 is a constant voltage element that subtracts a constant voltage from the hold output signal generated by the urchin, and creates a slice level for determining whether the sea urchin is attracted to the sea urchin or not.
13 and 14 are bias resistors for this purpose. 15.1
6 compares the slice level created by the sample/hold amplifier 9.10 and constant voltage element 11.12 with the outputs of the pressure sensors 4 and 5 outputted via the buffer amplifier 7.8. This is a comparator for determining the adsorption state or detachment state of.

17、18はサンプル/ホールドパルス信号、19゜2
0はウェハの吸着状態または離脱状態を確認するための
検知パルス信号である。21.22はコンパレータ15
.16から出力される信号で、スライス・レベルと比較
された吸着状態または離脱状態を示す信号である。
17 and 18 are sample/hold pulse signals, 19°2
0 is a detection pulse signal for checking whether the wafer is attracted or detached. 21.22 is comparator 15
.. 16, which indicates the adsorption or detachment state compared to the slice level.

第2図は、本実施例の装置における各種信号のタイミン
グチャートを示す。なお、同図のa −= 11の信号
は、それぞれ第1図の同一記号で示す位置における信号
である。
FIG. 2 shows a timing chart of various signals in the apparatus of this embodiment. Note that the signals a-=11 in the figure are signals at the positions indicated by the same symbols in FIG. 1, respectively.

第2図において、aは大気圧を示し、太線にて図示して
いる。bは第1図のバッファアンプ7゜8を介した圧力
センサ4.5からのセンサ出力信号、Cはサンプル/ホ
ールド信号iによりサンプル/ホールド・アンプ9,1
0に記憶されたホールド出力信号である。dは定電圧素
子11.12によりホールド出力信号Cから一定電圧4
6を差引いた信号で、センサ出力すと比較するためのス
ライス・レベルである。eは制御部1から供給される元
圧を示す信号である。本装置の場合、元圧はウェハを吸
着するためのものであるため、負の圧力となる。また、
31で示される範囲は元圧の制御可能範囲を示す。
In FIG. 2, a indicates atmospheric pressure, which is indicated by a thick line. b is the sensor output signal from the pressure sensor 4.5 via the buffer amplifier 7.8 in FIG.
This is the hold output signal stored at zero. d is a constant voltage 4 from the hold output signal C by constant voltage elements 11 and 12.
The signal obtained by subtracting 6 is the slice level for comparison with the sensor output. e is a signal indicating the source pressure supplied from the control section 1. In the case of this device, the source pressure is for adsorbing the wafer, so it is a negative pressure. Also,
The range indicated by 31 indicates the controllable range of the source pressure.

fはウェハをウェハチャック2.3に装着したか否かを
示す信号で、32のハイレベルで装着状態を、33のロ
ーレベルで離脱状態を示す。gはウェハをウェハチャッ
ク2.3に吸着させるため、ウェハチャック2.3内の
空気圧を大気圧側にするか元圧側にするかを切換えるた
めの信号で、34側のハイレベルがバキュームをオンし
ウェハチャック2,3内を元圧にする信号で、35側の
ローレベルがバキュームをオフし大気圧に戻す信号であ
る。hはセンサ出力すをスライス・レベルdでコンパレ
ートして得られた出力信号で、36がウェハの吸着状態
、37が離脱状態を示す。38はウェハチャック2.3
よりクエへを離脱しても、クエへに傷等の悪影響を与え
ない圧力になったことを示す範囲である。また、信号f
が装着状態32より離脱状態33に穆る瞬間が、実際に
ウェハがウェハチャック2.3より離れる瞬間である。
f is a signal indicating whether or not the wafer is mounted on the wafer chuck 2.3; a high level of 32 indicates a mounted state, and a low level of 33 indicates a detached state. g is a signal to switch the air pressure inside the wafer chuck 2.3 to the atmospheric pressure side or the original pressure side in order to attract the wafer to the wafer chuck 2.3, and the high level on the 34 side turns on the vacuum. The low level on the 35 side is the signal that turns off the vacuum and returns the pressure to atmospheric pressure. h is an output signal obtained by comparing the sensor outputs at the slice level d; 36 indicates the wafer adsorption state, and 37 indicates the detachment state. 38 is wafer chuck 2.3
This is a range that indicates that the pressure has reached such a level that even if the person leaves the quest, it will not have a negative impact on the quest, such as causing damage. Also, the signal f
The moment when the wafer changes from the attachment state 32 to the detachment state 33 is the moment when the wafer actually leaves the wafer chuck 2.3.

iはスライス・レベルdを設定するために、圧力センサ
4,5からの出力を39のサンプリング期間にサンプリ
ングして、その時の圧力センサ4゜5の出力信号すの値
42を記憶するためのサンプル/ホールド信号である。
i is a sample for sampling the output from the pressure sensors 4 and 5 in 39 sampling periods in order to set the slice level d, and storing the value 42 of the output signal of the pressure sensor 4.5 at that time. /Hold signal.

サンプル/ホールド信号iのホールド期間40の間は、
サンプリング値42がホールド出力信号Cとして出力さ
れる。この時の圧力センサ出力値42は、ウェハチャッ
ク2.3にクエへを装着していない時の出力信号で、各
々のウェハチャックにより異なる。例えば第1図のウェ
ハチャック2,3について言えば、ウェハチャック3側
が43、ウェハチャック2側が42のように、ウェハチ
ャック3におけるセンサ出力値43のほうがウェハチャ
ック2におけるセンサ出力値42より出力信号としては
小さくなる。
During the hold period 40 of the sample/hold signal i,
A sampled value 42 is output as a hold output signal C. The pressure sensor output value 42 at this time is an output signal when the wafer chuck 2.3 is not attached to the wafer chuck, and differs depending on each wafer chuck. For example, regarding the wafer chucks 2 and 3 in FIG. 1, the sensor output value 43 on the wafer chuck 3 is higher than the sensor output value 42 on the wafer chuck 2, such as 43 on the wafer chuck 3 side and 42 on the wafer chuck 2 side. will be smaller.

jはウェハがウェハチャック2.3に吸着されたか否か
を判定するためのウェハ吸着検知信号、kはウェハをウ
ェハチャックより離脱することかできる状態になってい
るか否かを確認するための信号、lはウェハがウェハチ
ャック2.3から離脱したか否かを検知するための信号
である。
j is a wafer adsorption detection signal for determining whether the wafer is adsorbed to the wafer chuck 2.3, and k is a signal for confirming whether the wafer is in a state where it can be removed from the wafer chuck. , l are signals for detecting whether or not the wafer has been released from the wafer chuck 2.3.

以下、第1図に示す実施例の装置の動作を第2図のタイ
ミングチャートを参照して説明する。
The operation of the apparatus of the embodiment shown in FIG. 1 will be described below with reference to the timing chart of FIG. 2.

まず、ウェハチャック2,3上にウェハがない状態でバ
キューム・オン/オフ信号gをオン状態41とし、これ
によりウェハチャック2.3内の気圧を元圧側に下げる
。そして、このときの圧力センサ4.5の出力信号すの
値42を、サンプル/ホールド信号iにてサンプル/ホ
ールド・アンプ9に取込み記憶する。その後、一度ウニ
ハチャック2.3内の気圧を大気圧に戻し、ウェハチャ
ック2.3上にウェハを装着(信号fを装着状態32と
する)した後、再びウェハチャック2,3内を元圧側の
気圧にする。このとき、圧力センサ4,5の出力信号す
は図のような過渡特性を示し、一定のレベル44に落ち
着く。このとき、レベル44はクエへとウェハチャック
2,3上にごみが付着していたりして、空気のリークを
生じるため、45のような誤差を生じる。
First, with no wafer on the wafer chucks 2 and 3, the vacuum on/off signal g is turned on 41, thereby lowering the air pressure inside the wafer chuck 2.3 to the original pressure side. Then, the value 42 of the output signal of the pressure sensor 4.5 at this time is taken in and stored in the sample/hold amplifier 9 as the sample/hold signal i. After that, once the pressure inside the wafer chuck 2.3 is returned to atmospheric pressure and the wafer is mounted on the wafer chuck 2.3 (the signal f is set to the mounting state 32), the inside of the wafer chucks 2 and 3 is changed to the source pressure side again. Make it atmospheric pressure. At this time, the output signals of the pressure sensors 4 and 5 exhibit transient characteristics as shown in the figure, and settle down to a constant level 44. At this time, the level 44 may have dust attached to the wafer chucks 2 and 3, causing air leakage, resulting in an error such as 45.

以上のようにして得られるセンサ出力44と、サンプル
/ホールド・アンプ9,10と定電圧素子11、12と
で作られるスライス・レベルdとをコンパレータ15.
16で比較し、その結果コンパレータ出力りを得る。こ
のコンパレータ出力りをウェハ吸着検知信号jにである
タイミングで読み、吸着状態の判定を行なう。スライス
・レベルdを作り出すための定電圧素子11.12によ
り変化するレベルすなわちシフト量46は、ウェハをウ
ェハチャック2.3に吸着したとき、ウェハチャック2
.3が移動してもウェハが位置ズレをおこさない(固定
されている)ようなレベルに選定する。このことが本発
明のポイントであり、これを行なうことにより、配管系
に起因する減衰(第2図の出力値42の大小)およびご
み等による空気のリークに起因するウェハの吸着不足の
誤検知が除去される。
Comparator 15.
16, and a comparator output is obtained as a result. This comparator output is read at a certain timing as the wafer suction detection signal j, and the suction state is determined. The level changed by the constant voltage element 11.12 to create the slice level d, that is, the shift amount 46, is the level that changes when the wafer is attracted to the wafer chuck 2.3.
.. The level is selected so that the wafer does not shift (fixed) even if 3 moves. This is the key point of the present invention, and by doing this, it is possible to falsely detect insufficient wafer suction due to attenuation caused by the piping system (the magnitude of the output value 42 in Figure 2) and air leakage due to dust, etc. is removed.

また、第2図からもわかるように、42のセンサ出力を
基準にスライス・レベルが設定されるため、大気圧aの
変動に対する影響も除去できることとなる。
Further, as can be seen from FIG. 2, since the slice level is set based on the sensor output of 42, the influence of fluctuations in atmospheric pressure a can also be removed.

クエへをウェハチャック2,3から離脱するときには、
まずバキューム・オン/オフ信号gでウェハチャック2
.3内の気圧を大気圧側に戻す。
When removing the wafer from the wafer chucks 2 and 3,
First, turn on the vacuum on/off signal g to wafer chuck 2.
.. Return the pressure inside 3 to atmospheric pressure.

そして、離脱する際、ウェハ離脱確認信号kにより、ウ
ェハチャック2.3内がウェハを離脱してもウェハに損
傷を与えないような気圧になったか否かを確認し、離脱
可能な気圧になっていればウェハ装着信号fで離脱を行
なう。離脱の動作終了後は、再び信号gによりウェハチ
ャック2,3内の気圧を元圧側にして、ウェハがウェハ
チャック2.3より離脱したかをウェハ離脱検知信号l
にて判定を行なう。
When detaching the wafer, the wafer detachment confirmation signal k is used to check whether the pressure inside the wafer chuck 2.3 has reached a level that will not damage the wafer even if the wafer is detached, and the pressure has reached such a level that the wafer can be detached. If the wafer is attached, the wafer is detached using the wafer attachment signal f. After the detachment operation is completed, the atmospheric pressure inside the wafer chucks 2 and 3 is set to the original pressure side again using the signal g, and a wafer detachment detection signal l is sent to determine whether the wafer has detached from the wafer chuck 2.3.
Judgment will be made.

以上の実施例では、センサ出力すに対するスライス・レ
ベルdの設定をサンプル/ホールド・アンプ9.lOお
よび定電圧素子11.12を用いてハードウェア的に作
成したが、ソフトウェアによりセンサ出力の値42をA
/Dコンバータを通して読込み、次に測定点に対し、事
前に設定されている値(第2図で示せば46)をソフト
ウェアのメモリ上から読込んで、ソフトウェアにて計算
を行ない、スライス・レベルdの算出を行なう方法も考
えられる。
In the above embodiment, the slice level d for the sensor output is set by the sample/hold amplifier 9. It was created using hardware using lO and constant voltage elements 11 and 12, but the sensor output value 42 was changed to A by software.
/D converter, then read the preset value for the measurement point (46 in Figure 2) from the software memory, perform calculations in the software, and calculate the slice level d. Another possible method is to perform the calculation.

また、ウェハの離脱に関しては、ウェハ離脱可能確認信
号kにてウェハ離脱が可能か否かを調べたとき、このと
きのセンサ出力すの値を再び同一のサンプル/ホールド
・アンプで記憶しておき、ウェハ離脱検知信号立にてウ
ェハが離脱したか否かを判定するときに、ウェハの吸着
時折なった手法を用いれば、より確実なウェハの離脱検
知が可能である。またこれについても前述同様、ソフト
ウェアにて行なえる。
Regarding wafer detachment, when checking whether or not wafer detachment is possible using the wafer detachment possible confirmation signal k, the value of the sensor output at this time is stored again in the same sample/hold amplifier. When determining whether or not the wafer has been detached based on the wafer detachment detection signal being raised, it is possible to detect the wafer detachment more reliably by using a method in which the wafer is occasionally adsorbed. Also, this can be done by software as described above.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、ハード的または
ソフト的に圧力センサからの出力値を記憶する簡単な機
能を付加することにより、配管を煩雑とすることなく、
元圧の変動、大気圧の変動および空気のリークによる変
動があってもウェハ実な検知が行なえるようになった。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, by adding a simple function of storing the output value from the pressure sensor using hardware or software, it is possible to achieve this without complicating the piping.
It is now possible to accurately detect wafers even when there are fluctuations in source pressure, atmospheric pressure, and air leaks.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明のブロック図、 第2図は、タイミングチャート、 第3図は、従来使用されていた差圧型センサのタイミン
グチャート、 第4図は、同じく絶対圧型センサのタイミングチャート
を示す。 2.3:ウェハチャック、4.5:圧力センサ、9.1
0:サンプル/ホールド・アンプ、15.18:コンパ
レータ、 b、b’ 、b″ :圧力センサ出力、d、d’ 、d
″ ニスライス・レベル、h、h’ 、h’  :コン
パレータ出力、i:サンプル/ホールド信号、
Fig. 1 is a block diagram of the present invention; Fig. 2 is a timing chart; Fig. 3 is a timing chart of a conventionally used differential pressure sensor; Fig. 4 is a timing chart of an absolute pressure sensor. . 2.3: Wafer chuck, 4.5: Pressure sensor, 9.1
0: Sample/hold amplifier, 15.18: Comparator, b, b', b'': Pressure sensor output, d, d', d
″ slice level, h, h', h': comparator output, i: sample/hold signal,

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、空気圧により基板を基板チャックに吸着する手段と
、該空気圧の圧力値を検出する手段と、基板を基板チャ
ックに吸着する前に該圧力値を検出して記憶するメモリ
手段と、該記憶圧力値に基づいて吸着の状態か否かを判
定するためのスライス・レベルを算出する手段と、上記
検出手段により検出した空気圧の圧力値と該スライスレ
ベルとを比較することにより上記基板チャックに基板が
吸着されたか否かを判定する手段とを備えることを特徴
とする基板吸着検知装置。 2、前記メモリ手段が、アナログメモリである特許請求
の範囲第1項記載の基板吸着検知装置。 3、前記スライスレベル算出手段が、前記記憶圧力値を
所定量シフトしてスライスレベルを得る特許請求の範囲
第1項または第2項記載の基板吸着検知装置。
[Claims] 1. Means for attracting the substrate to the substrate chuck using air pressure, means for detecting the pressure value of the air pressure, and memory for detecting and storing the pressure value before adsorbing the substrate to the substrate chuck. a means for calculating a slice level for determining whether or not the adsorption state is present based on the stored pressure value; and a means for comparing the pressure value of the air pressure detected by the detection means with the slice level. A substrate adsorption detection device comprising means for determining whether or not a substrate is adsorbed to the substrate chuck. 2. The substrate adsorption detection device according to claim 1, wherein the memory means is an analog memory. 3. The substrate suction detection device according to claim 1 or 2, wherein the slice level calculation means obtains the slice level by shifting the stored pressure value by a predetermined amount.
JP61289060A 1986-12-05 1986-12-05 Suction detector for substrate Pending JPS63142651A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0524286U (en) * 1991-05-21 1993-03-30 松下電器産業株式会社 Pickup completion detection device in parts pickup device
JP2002237439A (en) * 2001-02-08 2002-08-23 Canon Inc Device-manufacturing apparatus
JP2004085350A (en) * 2002-08-27 2004-03-18 Keyence Corp Detector and its thresholding method

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