JPS63133216A - Constant voltage generating circuit - Google Patents
Constant voltage generating circuitInfo
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体集積回路などにおいて利用される定
電圧発生回路の占有面積の減少化に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to reducing the area occupied by a constant voltage generating circuit used in semiconductor integrated circuits and the like.
半導体集積回路などの電子回路においては、電源電圧が
変動しても一定の電圧を供給し続ける定電圧発生回路を
設けることが多い。第5図はこのような定電圧発生回路
の従来例を示す回路図である。同図において、この定電
圧発生回路1は、電源端子2と接地レベルGNDとの間
に、抵抗3と、それぞれのゲート・ドレイン間がダイオ
ード接続されたN′f−ヤネルMOSトランジスタ(以
下、rN−MO3TJと言う。)4.5との直列接続が
介挿されている。そして、定電圧出力V。0.は、抵抗
3どN −M OS T 4との間から得るようになっ
ている。2. Description of the Related Art Electronic circuits such as semiconductor integrated circuits are often provided with a constant voltage generating circuit that continues to supply a constant voltage even if the power supply voltage fluctuates. FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional example of such a constant voltage generating circuit. In the figure, this constant voltage generating circuit 1 includes a resistor 3 and an N'f-Jannel MOS transistor (hereinafter referred to as rN -MO3TJ) A series connection with 4.5 is inserted. And constant voltage output V. 0. is obtained from between the resistor 3 and N - MOST 4.
次に、この回路の動作を説明する。電源端子2に電源電
圧VCcが与えられると、この電圧vcoによって、電
源端子2から抵抗3およびN−MO8丁4.5を通って
接地レベルGNDへと電流が流れる。このうち、N−M
O8T4.5の直列接続部分においては、N−MO8T
の動作しきい値をVNとしたとき、はぼ(2VN)の電
圧降下が生ずる。このため、電源電圧V。0が変動した
場合にも、出力V はほぼ一定値(2VN)を維持し
、ut
電源電KVooの変動分のほとんどは抵抗3で吸収され
る。したがって、出力V。utが定電圧出力となる。Next, the operation of this circuit will be explained. When the power supply voltage VCc is applied to the power supply terminal 2, a current flows from the power supply terminal 2 to the ground level GND through the resistor 3 and the N-MO8 4.5 due to the voltage Vco. Of these, N-M
In the series connection part of O8T4.5, N-MO8T
When the operating threshold value of VN is VN, a voltage drop of approximately (2VN) occurs. Therefore, the power supply voltage V. 0 fluctuates, the output V maintains a substantially constant value (2VN), and most of the fluctuations in the ut power supply voltage KVoo are absorbed by the resistor 3. Therefore, the output V. ut becomes a constant voltage output.
(発明が解決しようとする問題点〕
ところで、このような定電圧出力V。utを得るために
は、抵抗2の抵抗値としてほぼ1MΩの値が必要とされ
る。それは、N−MO8T4.5におGXJる電圧降下
は厳密には一定ではなく、それらを流れる電流の大きさ
に応じである程度は変動してしまうことに起因する。つ
まり、抵抗2の抵抗値が小さいと、電源電圧vccが変
動したときに、電源端子2から接地レベルGNDへ向っ
て流れる電流の変動も相対的に大きくなり、その結果、
N−MO8T4.5の電圧降下の変動す大きくなって、
出力電圧の安定性が阻害されるためである。(Problem to be Solved by the Invention) By the way, in order to obtain such a constant voltage output V.ut, the resistance value of the resistor 2 is required to be approximately 1 MΩ. This is due to the fact that the voltage drop between G When the current fluctuates, the fluctuation of the current flowing from the power supply terminal 2 toward the ground level GND also becomes relatively large, and as a result,
The fluctuation of the voltage drop of N-MO8T4.5 increases,
This is because the stability of the output voltage is hindered.
しかしながら、半導体集積回路などにおいて、このよう
な1MΩもの抵抗を設けるためには、かなりの面積を必
要とする。たとえば、シート抵抗50Ω/口を持ったポ
リシリコン層で1MΩの抵抗値を得ようとすると、2μ
mの線幅で40mmの長さを持ったポリシリコン層を形
成しなければならない。このため、このような従来の定
電圧発生回路では、その占有面積が大きくなってしまう
という問題があった。However, in a semiconductor integrated circuit or the like, a considerable area is required to provide such a resistance of 1 MΩ. For example, if you try to obtain a resistance value of 1MΩ with a polysilicon layer with a sheet resistance of 50Ω/hole, 2μ
A polysilicon layer with a line width of m and a length of 40 mm must be formed. For this reason, such a conventional constant voltage generating circuit has a problem in that it occupies a large area.
この発明は従来技術にお1ノる上述の問題を解決するた
めになされたもので、出力電圧の安定性を保ちつつ、占
有面積の小ざな定電圧発生回路を提供することを目的と
する。The present invention was made to solve the above-mentioned problem in the prior art, and an object of the present invention is to provide a constant voltage generating circuit that occupies a small area while maintaining the stability of the output voltage.
上述の目的を達成するために、この発明にかかる定電圧
発生回路においては、所定のトランジタと所定の動作し
きい値を有する第1の能動素子回路との直列接続が電源
と接地レベルとの間に介挿されるとともに、前記トラン
ジスタの動作しきい値と同程度またはこれよりも任意微
小量だけ大ぎな動作しぎい値を有する第2の能動素子回
路が前記電源と前記トランジスタの制御11電極との間
に介挿されて、前記トランジスタと前記第1の能動素子
回路との間の電位に応じた出力を定電圧出力として与え
る定電圧出力ブロックを任意の段数だけ設けている。In order to achieve the above object, in the constant voltage generation circuit according to the present invention, a series connection between a predetermined transistor and a first active element circuit having a predetermined operating threshold is connected between a power supply and a ground level. A second active element circuit is inserted between the power supply and the control 11 electrode of the transistor, and has an operation threshold that is the same as or an arbitrary small amount larger than the operation threshold of the transistor. An arbitrary number of stages of constant voltage output blocks are provided which are interposed between the transistors and provide a constant voltage output corresponding to the potential between the transistor and the first active element circuit.
(作用〕
この発明の定電圧発生回路に設番プられた第2の能動素
子回路は、上記トランジスタの動作しきい値と同程度ま
たはこれよりも任意微小値だけ大きな動作しきい値を有
しているため、この第2の能動素子回路を通して上記ト
ランジスタの制御電極に与えられる電位によって上記ト
ランジスタはわずかにオンした状態となる。このため、
このトランジスタは高抵抗素子と同様の機能を有するこ
とになり、このトランジスタと第1の能動素子回路との
間から取出される出力は定電圧出力となる。(Operation) The second active element circuit included in the constant voltage generating circuit of the present invention has an operating threshold that is equal to or larger than the operating threshold of the transistor by an arbitrary small value. Therefore, the transistor is slightly turned on by the potential applied to the control electrode of the transistor through this second active element circuit.
This transistor will have the same function as a high resistance element, and the output taken out between this transistor and the first active element circuit will be a constant voltage output.
ここでは抵抗素子を使用しないため、大きな占有面積を
必要としない。Since no resistance element is used here, a large occupied area is not required.
そして、このようにして構成された定電圧発生ブロック
を任意段数だけ備えることによって、所望の安定性を有
する定電圧出力を得ることができる。By providing an arbitrary number of stages of constant voltage generating blocks configured in this manner, a constant voltage output having desired stability can be obtained.
(実施例)
第1図はこの発明の一実施例である定電圧発生回路の構
成を示す回路図である。同図において、この定電圧発生
回路10は、2つの定電圧発生ブロック20.30の多
段接続として構成されている。このうら、まず、前段側
の定電圧発生ブロック20の構成と動作とを説明する。(Embodiment) FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of a constant voltage generation circuit which is an embodiment of the present invention. In the figure, this constant voltage generation circuit 10 is configured as a multistage connection of two constant voltage generation blocks 20 and 30. Of these, first, the configuration and operation of the constant voltage generation block 20 on the front stage side will be explained.
この定電圧発生ブロック20は、PチャネルMOSトラ
ンジスタ(以下IP−MO8TJと百う)21と、それ
ぞれがダイオード接続されたN−MO8T22.23と
の直列接続を有している。そして、この直列1a続は電
源端子24と接地レベルGNDとの間に介挿されており
、P−MO8T21のソースが電源端子24に、また、
N−MO8T23のソースが接地レベルGNDにそれぞ
れ接続されている。したがって、N−MO8T22゜2
3によって形成される回路が、この発明における「第1
の能動素子回路Jに相当する。これらのN−MO8T2
2.23のそれぞれの動作しきい値はVNである。This constant voltage generation block 20 has a P-channel MOS transistor (hereinafter referred to as IP-MO8TJ) 21 and N-MO8Ts 22 and 23 connected in series, each of which is diode-connected. This series 1a connection is inserted between the power supply terminal 24 and the ground level GND, and the source of the P-MO8T21 is connected to the power supply terminal 24, and
The sources of the N-MO8T23 are connected to the ground level GND. Therefore, N-MO8T22゜2
3 is the "first circuit" in this invention.
This corresponds to the active element circuit J of . These N-MO8T2
The operating threshold for each of 2.23 is VN.
一方、電源端子25.26とN−MO8T21のゲート
との間には、それぞれがダイオード接続された2個のN
−MO8T27.28が介挿されている。これらのN−
MO8T27,28は互いに直列接続されており、N−
MO8T27のゲートおよびドレインがそれぞれ電源端
子25.26に、また、N−MO8T28のソースがP
−MOST21のゲートにそれぞれ接続されている。そ
して、このN−MO8T27.28からなる回路が、こ
の発明における「第2の能動素子回路」に相当する。On the other hand, between the power supply terminals 25 and 26 and the gate of the N-MO8T21, there are two N
-MO8T27.28 is inserted. These N-
MO8T27 and 28 are connected in series with each other, and N-
The gate and drain of MO8T27 are connected to the power supply terminals 25 and 26, respectively, and the source of N-MO8T28 is connected to P.
- connected to the gates of MOST21, respectively. The circuit consisting of this N-MO8T27.28 corresponds to the "second active element circuit" in the present invention.
これらのN−MO8T27.28もまた、上述の動作し
きい値vNを有している。このしきい値vNは、第2図
に例示するように、ダイオード接続されたN−MO8T
における立上り電圧Vaに対応した値を有する。なお、
この定電圧出力ブロック10からは、P−MO8丁21
とN−MO8T22との間のノード電位V1が、前段側
の定電圧出力として取出される。These N-MO8T27.28 also have the above-mentioned operating threshold vN. This threshold value vN is determined by the diode-connected N-MO8T as illustrated in FIG.
It has a value corresponding to the rising voltage Va at . In addition,
From this constant voltage output block 10, P-MO8-21
The node potential V1 between and N-MO8T22 is taken out as a constant voltage output on the previous stage side.
次に、この定電圧発生ブロック20の動作について説明
する。電源端子25.26に与えられる電源電圧V。C
は、N−MO8T27.28を介してP−MO3T21
のゲートに与えられるが、N−MO8T27.28は共
に動作しきい値VNを有している。したがって、P −
M OS T 21のゲート電位は、
(V −2VN)
C
となる。Next, the operation of this constant voltage generation block 20 will be explained. Power supply voltage V applied to power supply terminals 25 and 26. C
is P-MO3T21 via N-MO8T27.28
However, both N-MO8T27 and N-MO8T27.28 have an operating threshold value VN. Therefore, P −
The gate potential of MOST 21 becomes (V - 2VN) C.
一方、P−MO8T21のソース電位はV。Cである。On the other hand, the source potential of P-MO8T21 is V. It is C.
このため、このP−MO8T21のソース・ゲート問に
は、(2VN)だけの電圧が印加される。ところで、こ
のP−MO3T21の動作しきい値を■Pとすると、
(2V14)>V。Therefore, a voltage of (2VN) is applied between the source and gate of this P-MO8T21. By the way, if the operating threshold of this P-MO3T21 is ■P, then (2V14)>V.
であるが、その差: (2VN)−V。However, the difference: (2VN)-V.
は微小である。このため、P−MO8T21はわずかに
オンした状態となり、このP−MO8T21は高抵抗と
同様の機能を有するようになる。is minute. Therefore, P-MO8T21 is slightly turned on, and this P-MO8T21 has a function similar to that of a high resistance.
残りのN−MO8T22.23は、第5図の従来回路に
おけるN−MO3T4,5に対応している。したがって
、これらのN−MO8丁22.23ではほぼ(2VN)
だけの電圧降下が生じ、それによって出ノJ V 1に
はこの(2■N)にほぼ等しい電位が出現する。この動
作において、P−MO8T21が高抵抗と等価な機能を
右するため、この出力v1は、電源電圧V。0の変動に
対して比較的安定した電位を維持する。The remaining N-MO8T22 and 23 correspond to N-MO3T4 and 5 in the conventional circuit shown in FIG. Therefore, for these N-MO8 22.23, approximately (2VN)
This causes a voltage drop of approximately 2N, so that a potential approximately equal to (2N) appears at the output JV1. In this operation, since the P-MO8T21 performs a function equivalent to a high resistance, this output v1 is equal to the power supply voltage V. Maintains a relatively stable potential against zero fluctuations.
ところが、後にシミュレーション結果として示すように
、この定電圧発生ブロック20の出力である電位v1を
そのまま定電圧出力とするよりは、定電圧発生ブロック
を複数段設けた方が出力電圧の安定性が向上する。この
ため、第1図の定電圧回路10では、2個の定電圧発生
ブロック20゜30を多段接続している。However, as will be shown later as a simulation result, the stability of the output voltage is improved by providing multiple stages of constant voltage generation blocks rather than outputting the potential v1, which is the output of the constant voltage generation block 20, as a constant voltage. do. For this reason, in the constant voltage circuit 10 of FIG. 1, two constant voltage generation blocks 20.degree. 30 are connected in multiple stages.
このような理由で設けられた後段の定電圧発生ブロック
30は上述した定電圧発生ブロック20とほぼ同様の構
成を有しており、■P−MO8T31がP−MO8T2
1に、■N−MO8T32゜33.37.38がN=M
O8T22,23.27.28に、それぞれ対応してい
る。ただし、この後段側の定電圧発生ブロック30は、
電源電位■ccをP−MO8T31やN−MO8T37
に接続するのではなく、前段の定電圧発生ブロック20
の出力V1を新たな電源電位として使用している。つま
り、前段の定電圧発生ブロック20によっである程度安
定化させた電位v1を、後段の定電圧発生ブロック30
によってさらに安定化させて、定電圧出力■ を1す
るわけである。The subsequent constant voltage generation block 30 provided for this reason has almost the same configuration as the constant voltage generation block 20 described above, and P-MO8T31 is replaced by P-MO8T2.
1, ■N-MO8T32゜33.37.38 is N=M
They correspond to O8T22, 23.27.28, respectively. However, this latter stage constant voltage generation block 30 is
Power supply potential cc is set to P-MO8T31 or N-MO8T37.
Rather than connecting to the constant voltage generation block 20 in the previous stage
The output V1 of is used as a new power supply potential. In other words, the potential v1 stabilized to some extent by the constant voltage generation block 20 in the previous stage is applied to the constant voltage generation block 30 in the subsequent stage.
This further stabilizes the constant voltage output and reduces the constant voltage output to 1.
ut
第3図は、コンピュータシミュレーションを用いて第1
図の定電圧発生回路10の入出力特性を求めた結果を示
すグラフである。この第3図かられかるように、電源電
圧V。0が大きく変動したときにも、定電1f発生ブロ
ック20から出力される電位、の変動は小さなものとな
る。さらに、定電圧発生ブロック20.30の多段接続
の結果として得られる出力V は、極めて良好な安定
性Ou℃
を有している。ut Figure 3 shows the first
It is a graph showing the results of determining the input/output characteristics of the constant voltage generation circuit 10 shown in the figure. As can be seen from FIG. 3, the power supply voltage V. Even when 0 fluctuates greatly, the fluctuation in the potential output from the constant voltage 1f generation block 20 is small. Furthermore, the output V 2 obtained as a result of the multistage connection of the constant voltage generation blocks 20.30 has a very good stability Ou°C.
そして、第1図の定電圧発生回路10では、ポリシリコ
ンなどの抵抗素子を使用することなく、高抵抗を得るこ
とができるために、回路を形成するために要する占有面
積を著しく減少させることができる。In the constant voltage generating circuit 10 shown in FIG. 1, a high resistance can be obtained without using a resistive element such as polysilicon, so that the area required for forming the circuit can be significantly reduced. can.
ところで、この発明は上記実施例に限定されるものでは
なく、たとえば次のような変形も可能である。By the way, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, and for example, the following modifications are also possible.
■ 第4図に示すように、第1図の定電圧発生回路10
からIf−MO8T28.38を取除いてもヨイ。コ(
1) ”A 合ニ4.t、N−MO81’27.37の
それぞれのしきい値VHそのものが、P−MO8T21
.31のしきいViV 、よりも微小量だけ大きくなる
ように回路定数を設定しておく。■ As shown in Figure 4, the constant voltage generation circuit 10 of Figure 1
You can also remove If-MO8T28.38 from. Ko(
1) The threshold value VH of each of ``A 4.t, N-MO81'27.37 is P-MO8T21.
.. The circuit constants are set so that they are slightly larger than the threshold ViV of 31.
■ 「第2の能動素子回路」における動作しきい値は、
高抵抗素子の代用とされるトランジスタの動作しきい値
と同程度またはこれよりも任意微小IHだけ大ぎな餡の
範囲内で選択すればよい。したがって、[第2の能動素
子回路」として、ダイオード接続されたN−MO8Tを
任意個数だけ直列または並列に接続した回路を用いても
よい。■ The operating threshold in the "second active element circuit" is
It may be selected within a range of an arbitrary minute IH equal to or larger than the operating threshold of a transistor used as a substitute for a high resistance element. Therefore, as the "second active element circuit", a circuit in which an arbitrary number of diode-connected N-MO8Ts are connected in series or in parallel may be used.
■ 定電圧発生ブロックは任意の段数だけ設けることが
可能であるが、段数が多くなるほど出力電圧の安定性は
増大し、取出せる電圧の大きさは減少する。このため、
定電圧発生ブロックの段数は、定電圧回路の用途に応じ
て適宜決定することが望ましい。(2) It is possible to provide an arbitrary number of stages of constant voltage generation blocks, but as the number of stages increases, the stability of the output voltage increases and the magnitude of the voltage that can be taken out decreases. For this reason,
It is desirable that the number of stages of constant voltage generation blocks is determined as appropriate depending on the application of the constant voltage circuit.
■ 上記実施例はMO8半導体集積回路上に形成する場
合を考えたために、N−MO3Tのダイオード接続を用
いたが、通常のpnダイオードなどのダイオード特性を
有する素子を用いて第1と第2の能動素子回路を形成し
てもよい。■ In the above embodiment, an N-MO3T diode connection was used because it was considered to be formed on an MO8 semiconductor integrated circuit, but the first and second An active element circuit may also be formed.
以上説明したように、この発明によれば、所定のトラン
ジスタをわずかにオンさせるように構成することによっ
てこのトランジスタに高抵抗素子と同様の機能を持たせ
、それによってポリシリコンなどの高抵抗素子を不要と
したため、出力電圧の安定性を保ちつつ、占有面積の小
さな定電圧発生回路を得ることができる。As explained above, according to the present invention, by configuring a predetermined transistor to turn on slightly, this transistor has the same function as a high-resistance element, thereby allowing a high-resistance element such as polysilicon to Since this is not necessary, it is possible to obtain a constant voltage generation circuit that occupies a small area while maintaining the stability of the output voltage.
第1図はこの発明の一実施例である定電圧発生回路の回
路図、第2図はダイオード接続されたトランジスタの特
性図、第3図は実施例の回路の入出力特性をシミュレー
ションによって解析した結果を示すグラフ、第4図はこ
の発明の変形例を示す回路図、第5図は従来の定電圧発
生回路の例を示す回路図である。
図において、1,10は定電圧発生回路、20゜30は
定電圧発生ブロック、Vooは電源電圧、voutは定
電圧出力である。
なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。Figure 1 is a circuit diagram of a constant voltage generation circuit that is an embodiment of this invention, Figure 2 is a characteristic diagram of a diode-connected transistor, and Figure 3 is a simulation analysis of the input/output characteristics of the circuit of the embodiment. A graph showing the results, FIG. 4 is a circuit diagram showing a modification of the present invention, and FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of a conventional constant voltage generating circuit. In the figure, 1 and 10 are constant voltage generation circuits, 20° and 30 are constant voltage generation blocks, Voo is a power supply voltage, and vout is a constant voltage output. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts.
Claims (2)
る第1の能動素子回路との直列接続が電源と接地レベル
との間に介挿されるとともに、前記トランジスタの動作
しきい値と同程度またはこれよりも任意微小量だけ大き
な動作しきい値を有する第2の能動素子回路が前記電源
と前記トランジスタの制御電極との間に介挿されて、前
記トランジスタと前記第1の能動素子回路との間の電位
に応じた出力を定電圧出力として与える定電圧出力ブロ
ックを任意の段数だけ備えることを特徴とする定電圧発
生回路。(1) A series connection between a predetermined transistor and a first active element circuit having a predetermined operating threshold is inserted between a power supply and a ground level, and the operating threshold is equal to or equal to the operating threshold of the transistor. A second active element circuit having an operating threshold value larger than this by an arbitrary infinitesimal amount is interposed between the power supply and the control electrode of the transistor, and a second active element circuit is inserted between the power supply and the control electrode of the transistor to 1. A constant voltage generation circuit comprising an arbitrary number of stages of constant voltage output blocks that provide an output according to a potential between them as a constant voltage output.
定電圧出力ブロックの電源として前段側の定電圧出力ブ
ロックの定電圧出力が用いられていることを特徴とする
、特許請求の範囲第1項記載の定電圧発生回路。(2) A plurality of stages of constant voltage output blocks are provided, and the constant voltage output of the constant voltage output block at the previous stage is used as a power source for the constant voltage output block at the rear stage. The constant voltage generating circuit described in item 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61281204A JPS63133216A (en) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | Constant voltage generating circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61281204A JPS63133216A (en) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | Constant voltage generating circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63133216A true JPS63133216A (en) | 1988-06-06 |
Family
ID=17635803
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61281204A Pending JPS63133216A (en) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | Constant voltage generating circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63133216A (en) |
-
1986
- 1986-11-25 JP JP61281204A patent/JPS63133216A/en active Pending
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