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JPS63131709A - Limiter with recovery time improving circuit - Google Patents

Limiter with recovery time improving circuit

Info

Publication number
JPS63131709A
JPS63131709A JP61279093A JP27909386A JPS63131709A JP S63131709 A JPS63131709 A JP S63131709A JP 61279093 A JP61279093 A JP 61279093A JP 27909386 A JP27909386 A JP 27909386A JP S63131709 A JPS63131709 A JP S63131709A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
limiter
recovery time
time
power
negative bias
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61279093A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Masuda
増田 義弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP61279093A priority Critical patent/JPS63131709A/en
Publication of JPS63131709A publication Critical patent/JPS63131709A/en
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
  • Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Radar Systems Or Details Thereof (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain a quick recovery time of a limiter by impressing a negative bias to a large power limiter diode. CONSTITUTION:In order to quicken the time till a current flowing forward by a large power is zero due to the absence of a large power, a circuit 6 impressing a negative bias forcibly at the point of time of loss of the large power is provided to realize the quick recovery time of the limiter. Since a negative bias is impressed at a point of time of loss of the large power, the carriers in diodes 1, 2 are sucked forcibly by the negative bias to reduce the recovery time. If no negative bias is impressed, since the reduction of natural loss of the carriers in the diodes 1, 2 has to be awaited, the recovery is kept longer.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はレーダ装置に使用される大電力用ダイオード
リミッタ(以下リミッタ)において、そのリカバリタイ
ム(回復時間)を改善することを目的とするものである
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The purpose of this invention is to improve the recovery time of a high-power diode limiter (hereinafter referred to as a limiter) used in a radar device. It is.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

レーダ装置に使用されるリミッタについてはそのRF入
力電力の大きさ等により種々の方式で構成されるが、一
般的には第2図、第3図のような構成で使用される。第
2図、第3図(こおいてRF入力側に大電力用のリミッ
タダイオード(1)を取付け、そのもれ電力をより小さ
くするために小電力用のリカバリタイムの速いリミッタ
ダイオード(2)を取付けるという方式が採用されてい
る。
Limiters used in radar devices are configured in various ways depending on the magnitude of RF input power, etc., but generally they are used in the configurations shown in FIGS. 2 and 3. Figures 2 and 3 (Here, a limiter diode (1) for high power is installed on the RF input side, and a limiter diode (2) for low power with a fast recovery time is installed to further reduce the leakage power. A method of attaching the is used.

次に動作について説明する。今第3図においてRF入力
側に、ある電力以とが入力されればリミッティング特性
を(改善)させるため取付けられた検波用ダイオード(
5)を通して大電力用リミッタダイオード(1)に電流
が流れそのインピーダンスは入出力のインピーダンスに
比べて非常に低インピーダンスとなり入ってきた大電力
を反射させるものである。又大電力用のリミッタダイオ
ードはその特質と、大電力でも耐え得るかわりにどうし
てもリカバリタイムは遅く、又もれ電力は大きくなって
いる。そのもれ電力をさらに取除くため設けられたのが
小電力用のりカバリタイムの速いリミッタダイオード(
2)である。
Next, the operation will be explained. Now, in Figure 3, a detection diode (
A current flows through the limiter diode (1) for high power through 5), and its impedance is extremely low compared to the input/output impedance, and the incoming high power is reflected. Furthermore, although limiter diodes for high power can withstand high power, their recovery time is slow and leakage power is large. In order to further remove this leakage power, a limiter diode (for low power use with fast glue recovery time) was installed.
2).

小電力に対しては検波用ダイオード(5)、大電力用リ
ミッタダイオード(1)、小電力用リミッタダイオード
(2)には電流が流れないため、Q)、(2)のダイオ
ードは非常に高インピーダンスとなり、出力側に出てく
ることになる。
For small power, no current flows through the detection diode (5), the limiter diode (1) for high power, and the limiter diode (2) for low power, so the diodes Q) and (2) have very high It becomes an impedance and comes out on the output side.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

以とのように大電力に対してはOFFとして反射させ小
電力に対してはONにして透過させるようにしたもので
あるが、今人電力が入ってきたOFF状態から大電力が
なくなり、小電力が入ってきてもすぐにONにはならず
、ある程度の時間(リカバリタイム)を要す(第4図(
1) 、 (2)参照)。これは(1)の大電力用リミ
ッタダイオードの特性によりほとんど決定されるもので
あるが、先にも述べたとおり大を刃用リミッタダイオー
ドはその特質上どうしてもリカバリタイムを速くするこ
とはむずかしく、そのダイオードの零バイアス状態での
特性で決められていた。
As described above, large power is turned off and reflected, and small power is turned on and transmitted. Even when power is supplied, it does not turn on immediately and requires a certain amount of time (recovery time) (see Figure 4).
1), (2)). This is mostly determined by the characteristics of the limiter diode for large power in (1), but as mentioned earlier, it is difficult to speed up the recovery time of the limiter diode for large power due to its characteristics. It was determined by the characteristics of the diode in its zero bias state.

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たものでリカバリタイムの速い大電力用リミッタを得る
ことを目的とする。
The present invention was made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to obtain a high-power limiter with a fast recovery time.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明におけるリミッタは大電力により順方向に流れ
ていた電流が大電力が伊くなり電流が零となるまでの時
間をより速くするために大電力が無くなった時点で強制
的に負のバイアスを印加するような回路を設けることに
より、リミッタのりカバリタイムの速いものを実現する
ものである。
The limiter in this invention forcibly applies a negative bias when the current flowing in the forward direction due to the large power stops flowing in the forward direction in order to speed up the time until the current reaches zero. By providing a circuit for applying the voltage, a fast limiter recovery time can be realized.

〔作用〕[Effect]

本発明では、大電力がなくなった時点で負のバイアスを
印加するので、負のバイアスにより、ダイオード中のキ
ャリアは強制的に吸い出されるので、リカバリタイムが
短縮される。負のバイアスを印加しない場合は、ダイオ
ード中のキャリアが自然消滅により減少するまで待たな
ければならないのでリカバリタイムは長くなる。
In the present invention, since a negative bias is applied when the large power is exhausted, the carriers in the diode are forcibly sucked out by the negative bias, so that the recovery time is shortened. If a negative bias is not applied, the recovery time becomes longer because it is necessary to wait until the carriers in the diode decrease due to natural extinction.

〔実施例〕〔Example〕

以下この発明の一実施例を図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図において(1)は大電力用リミッタダイオード、
(2)は小電力用リミッタダイオード、(3)はDCリ
ターン用チョークコイル、(4) a−cはDCカット
用コンデンサ、(5)は電流併結用検波ダイオード、(
6)はりカバリタイム改善用回路の一実施例を示すもの
であり、(6) aはスイッチング用トランジスタ、(
6)bはpv原流制限抵抗である。
In Figure 1, (1) is a high power limiter diode,
(2) is a limiter diode for small power, (3) is a choke coil for DC return, (4) a-c is a capacitor for DC cut, (5) is a detection diode for current coupling, (
6) This shows an example of a circuit for improving beam recovery time, (6) a is a switching transistor, (
6) b is the pv original current limiting resistance.

今RF入力に第4図(1)のような振幅変調のかかった
RF倍信号入力された場合、RF比出力して大で力時は
第1図(1) 、 (2)のリミッタダイオードにより
反射され、小電力時はほとんど損失なしで出力されて第
4図(2)のようなRF比出力得られる。
Now, when an RF multiplied signal with amplitude modulation as shown in Figure 4 (1) is input to the RF input, when the RF ratio output is high, the limiter diode in Figure 1 (1) and (2) It is reflected and output with almost no loss when the power is low, resulting in an RF ratio output as shown in FIG. 4 (2).

第4図(2)において大電力が無くなってから100%
小電力が得られるまでの時間(リカバリタイム)は大電
力用リミッタダイオード第1図(1)の性能によること
は先に述ゝべたとおりである。
100% after high power disappears in Figure 4 (2)
As mentioned above, the time until small power is obtained (recovery time) depends on the performance of the high power limiter diode (1) in FIG.

今第1図A点で(6)の回路が無い場合は(即ち従来の
回路である第3図A点と同じ)、第4図(3)のような
電圧(又は電流)波形となっており大信号が無くなって
も電圧(電流)はすぐには零とはならず、ある時間がか
かっている。
If there is no circuit (6) at point A in Figure 1 (that is, the same as the conventional circuit at point A in Figure 3), the voltage (or current) waveform will be as shown in Figure 4 (3). Even if the large signal disappears, the voltage (current) does not immediately go to zero, but takes some time.

この時間かりF、ツタのりカバリタイムを決定する要因
である。(第4図(2)の従来のリカバリタイム実線部
) 今第1図(6)の回路を設けることにより第1図A点の
電圧波形は大電力が無くなると負側の電圧が印加され第
1図(1)のりカバリタイムは零バイアス時よりも大幅
に速くなり、リミッタとしてのりカバリタイムは第4図
(2)の破線部のように改善される。
This time F is a factor that determines the ivy glue coverage time. (Conventional recovery time solid line part in Fig. 4 (2)) Now, by providing the circuit shown in Fig. 1 (6), the voltage waveform at point A in Fig. The adhesive recovery time shown in FIG. 1 (1) becomes much faster than that at zero bias, and the adhesive recovery time as a limiter is improved as shown by the broken line in FIG. 4 (2).

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、この発明によれば大電力用リミッタダイ
オードに負バイアスを印加するようにしたのでリミッタ
のりカバリタイムが速いものが得られる効果がある。
As described above, according to the present invention, since a negative bias is applied to the high power limiter diode, it is possible to obtain a limiter with a fast recovery time.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の一実施例によるりカバリタイム改善
用回路付リミッタの回路図、第2図、第8図は従来のリ
ミッタを示す構成図、第4図はこの発明及び従来のリミ
ッタのりカバリタイムを示す波形図である。図において
、(1)は大電力用リミッタダイオード、(2)は小電
力用リミッタダイオード、(3)はDCリターン用チョ
ークコイル。(4)a〜CはDCカット用コンデンサ、
(5)は電流供給用検波ダイオード、(6)はリカバリ
タイム改善用回路で、(6)aはスイッチングトランジ
スタ、(6)bは負電流制限用抵抗を示す。 なお図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
FIG. 1 is a circuit diagram of a limiter with a circuit for improving coverage time according to an embodiment of the present invention, FIGS. 2 and 8 are block diagrams showing conventional limiters, and FIG. 4 is a circuit diagram of a limiter with a circuit for improving coverage time according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a waveform chart showing recovery time. In the figure, (1) is a limiter diode for high power, (2) is a limiter diode for low power, and (3) is a choke coil for DC return. (4) a to C are DC cut capacitors,
(5) is a detection diode for current supply, (6) is a circuit for improving recovery time, (6) a is a switching transistor, and (6) b is a negative current limiting resistor. In the figures, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 大電力用ダイオードリミッタにおいて、そのリカバリタ
イムを速くするために大電力が無くなった時点で強制的
に負電源を印加するような回路を備えた、リカバリタイ
ム改善用回路付リミッタ。
A limiter with a circuit for improving recovery time, which is a diode limiter for high power, and is equipped with a circuit that forcibly applies a negative power supply when high power is exhausted in order to speed up the recovery time.
JP61279093A 1986-11-21 1986-11-21 Limiter with recovery time improving circuit Pending JPS63131709A (en)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61279093A JPS63131709A (en) 1986-11-21 1986-11-21 Limiter with recovery time improving circuit

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Publications (1)

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JPS63131709A true JPS63131709A (en) 1988-06-03

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ID=17606316

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JP (1) JPS63131709A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011058842A (en) * 2009-09-07 2011-03-24 Toshiba Corp Transmission and reception module
JP2011228847A (en) * 2010-04-16 2011-11-10 Toshiba Corp Limiter device
JP2015056731A (en) * 2013-09-11 2015-03-23 株式会社東芝 Limiter device
JP2020061620A (en) * 2018-10-05 2020-04-16 株式会社東芝 Limiter circuit

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011058842A (en) * 2009-09-07 2011-03-24 Toshiba Corp Transmission and reception module
US8223080B2 (en) 2009-09-07 2012-07-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Transmission and reception module
JP2011228847A (en) * 2010-04-16 2011-11-10 Toshiba Corp Limiter device
JP2015056731A (en) * 2013-09-11 2015-03-23 株式会社東芝 Limiter device
JP2020061620A (en) * 2018-10-05 2020-04-16 株式会社東芝 Limiter circuit

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